CN114059048A - 一种化学镀缺陷优化装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种化学镀缺陷优化装置及方法，涉及半导体制造技术领域，该化学镀缺陷优化装置包括：支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。应用本发明的化学镀缺陷优化装置及方法，在化学镀工艺中，对晶圆的目标区域进行绝缘处理；对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。可以看出，在化学镀工艺前对晶圆经过一次边缘区域和侧壁区域的绝缘处理，这样在化学镀工艺时边缘和侧壁受胶保护区域不会生长金属颗粒，进而不会对晶圆产生颗粒污染。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学镀缺陷优化装置及方法。
背景技术
在现有的半导体制造工艺中，需要在晶圆上下两端面(参见图1中的区域1和区域4)采用化学镀工艺镀上金属物质如铝镍银等，用于后续焊接封装等工艺。在半导体的制造过程中，晶圆边缘区域因洗边工艺等原因，容易导致化学镀工艺时边缘区域的大部分区域为硅或者金属，而化学镀工艺镀金属时，如果出现晶圆边缘为硅或者金属等半导体或导体材料情况，就会导致晶圆除了上下两端面镀上金属物质之外，将不需要镀金属的边缘区域(参见图1中的区域2)同样也镀上金属物质。然而，边缘区域和侧壁区域(参见图1中的区域3)由于均匀性以及侧壁悬空等导致化学镀之后，产生金属颗粒掉落而引起下层晶圆被污染的缺陷。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：现有技术中化学镀工艺中晶圆的边缘区域和侧壁区域在电镀后被金属颗粒污染的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种化学镀缺陷优化装置，包括：支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。
可选地，所述支撑部件为呈Y型，具有两个与晶圆接触的内侧面，且所述两个内侧面均设置有涂液部件，用于同时对所述晶圆的边缘区域涂抹绝缘液体。
可选地，所述支撑部件的两个内侧面分别卡在所述晶圆两侧的边缘区域。
可选地，所述绝缘液体为匀胶物质。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种化学镀缺陷优化方法，应用上述化学镀缺陷优化装置，所述化学镀缺陷优选方法包括：
对晶圆的目标区域进行绝缘处理；
对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。
可选地，所述对晶圆的目标区域进行绝缘处理，包括：
对晶圆的边缘区域和/或侧壁区域进行绝缘处理。
可选地，所述对晶圆的目标区域进行绝缘处理，包括：
对所述晶圆的目标区域涂抹绝缘液体。
可选地，所述对所述晶圆的目标区域涂抹绝缘液体，包括：
利用化学镀缺陷优化装置对所述晶圆的目标区域涂抹绝缘液体。
可选地，所述利用化学镀缺陷优化装置对所述晶圆的目标区域涂抹绝缘液体，包括：
利用化学镀缺陷优化装置对位于其上方呈竖直状的晶圆涂抹绝缘液体。
可选地，所述绝缘液包括匀胶物质。
与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：
应用本发明的化学镀缺陷优化装置及方法，该装置包括支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。在化学镀工艺中，对晶圆的目标区域进行绝缘处理；对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。可以看出，在化学镀工艺前对晶圆经过一次边缘区域和侧壁区域的绝缘处理，这样在化学镀工艺时边缘和侧壁受胶保护区域不会生长金属颗粒，进而不会对晶圆产生颗粒污染。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的晶圆的结构图；
图2为本发明实施例提供的化学镀缺陷优化装置的结构图；
图3本发明实施例提供的利用化学镀缺陷优化装置对晶圆进行绝缘处理的示意图；
图4为本发明实施例提供的化学镀缺陷优化方法的一种流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
半导体器件制造中，参见图1，晶圆可以划分为区域1至区域4四个区域，其中，区域1和区域4为晶圆上下两端面，区域2为边缘区域，区域为3侧壁区域。在现有的半导体制造工艺中，需要在晶圆上下两端面(参见图1中的区域1和区域4)采用化学镀工艺镀上金属物质如铝镍银等，用于后续焊接封装等工艺。也就是说，仅需在区域1和区域4电镀金属即可，但受限于材料影响其区域2和区域3同样会电镀金属。具体地，晶圆边缘区域因洗边工艺等原因，容易导致化学镀工艺时边缘区域的大部分区域为硅或者金属，而化学镀工艺镀金属时，如果出现晶圆边缘为硅或者金属等半导体或导体材料情况，就会导致晶圆除了上下两端面镀上金属物质之外，将不需要镀金属的边缘区域(参见图1中的区域2)同样也镀上金属物质。然而，边缘区域和侧壁区域(参见图1中的区域3)由于均匀性以及侧壁悬空等导致化学镀之后，产生金属颗粒掉落而引起下层晶圆被污染的缺陷。有鉴于此，为解决现有技术中化学镀工艺中晶圆的边缘区域和侧壁区域在电镀后被金属颗粒污染的问题，本发明实施例提供了一种化学镀缺陷优化装置及方法。
下面先对本发明实施例提供的化学镀缺陷优化装置进行说明。
如图2所示，为本发明实施例提供的化学镀缺陷优化装置的一种结构图，包括：支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。
一种情形下，所述支撑部件为呈Y型，具有两个与晶圆接触的内侧面，且所述两个内侧面均设置有涂液部件，用于同时对所述晶圆的边缘区域涂抹绝缘液体。需要说明的是，本发明并不限定支撑部件的具体形状，本领域技术人员可以根据实际应用时的具体情况而设置。
具体地，所述支撑部件的两个内侧面分别卡在所述晶圆两侧的边缘区域。参见图3，再利用图2所示的化学镀缺陷装置对晶圆进行绝缘处理时，可以将晶圆竖直放置与区域5所示位置，并对晶圆的边缘区域和侧壁区域涂抹绝缘液体。
一种情形下，所述绝缘液体为匀胶物质。需要说明的是，本发明实施例并不需要限定绝缘液体具体为何种物质，只要满足不与后续发生反应或互溶则均可以作为绝缘液体。
应用本发明的化学镀缺陷优化方案，该装置包括支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。在化学镀工艺中，对晶圆的目标区域进行绝缘处理；对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。可以看出，在化学镀工艺前对晶圆经过一次边缘区域和侧壁区域的绝缘处理，这样在化学镀工艺时边缘和侧壁受胶保护区域不会生长金属颗粒，进而不会对晶圆产生颗粒污染。
下面再对本发明实施例提供的化学镀缺陷优化方法进行说明。
如图4所示，为本发明提供了的化学镀缺陷优化方法的一种流程图，应用上述化学镀缺陷优化装置，所述化学镀缺陷优选方法包括：
步骤S101：对晶圆的目标区域进行绝缘处理。
一种情形下，对晶圆的目标区域进行绝缘处理可以是，对晶圆的边缘区域和/或侧壁区域进行绝缘处理。
具体地，可以通过对所述晶圆的目标区域涂抹绝缘液体，来实现对所述对晶圆的目标区域进行绝缘处理。比如，可以利用化学镀缺陷优化装置对所述晶圆的目标区域涂抹绝缘液体。
一种优选实现方式中，可以利用化学镀缺陷优化装置对位于其上方呈竖直状的晶圆涂抹绝缘液体。
一种情形下，所述绝缘液包括匀胶物质。
步骤S102：对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。
应用本发明的化学镀缺陷优化方案，在化学镀工艺中，对晶圆的目标区域进行绝缘处理；对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。可以看出，在化学镀工艺前对晶圆经过一次边缘区域和侧壁区域的绝缘处理，这样在化学镀工艺时边缘和侧壁受胶保护区域不会生长金属颗粒，进而不会对晶圆产生颗粒污染。
应用本发明的化学镀缺陷优化方法，该装置包括支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。在化学镀工艺中，对晶圆的目标区域进行绝缘处理；对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。可以看出，在化学镀工艺前对晶圆经过一次边缘区域和侧壁区域的绝缘处理，这样在化学镀工艺时边缘和侧壁受胶保护区域不会生长金属颗粒，进而不会对晶圆产生颗粒污染。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种化学镀缺陷优化装置，其特征在于，包括：支撑部件和涂液部件，所述支撑部件具有至少一个与晶圆接触的内侧面，所述涂液部件设置于所述内侧面，且所述涂液部件用于对晶圆涂抹绝缘液体。
2.根据权利要求1所述的化学镀缺陷优化装置，其特征在于，所述支撑部件为呈Y型，具有两个与晶圆接触的内侧面，且所述两个内侧面均设置有涂液部件，用于同时对所述晶圆的边缘区域涂抹绝缘液体。
3.根据权利要求2所述的化学镀缺陷优化装置，其特征在于，所述支撑部件的两个内侧面分别卡在所述晶圆两侧的边缘区域。
4.根据权利要求2所述的化学镀缺陷优化装置，其特征在于，所述绝缘液体为匀胶物质。
5.一种化学镀缺陷优化方法，其特征在于，应用如权利要求1至4任一项所述的化学镀缺陷优化装置，所述化学镀缺陷优选方法包括：
对晶圆的目标区域进行绝缘处理；
对所述晶圆的非目标区域进行化学镀工艺处理。
6.根据权利要求5所述的化学镀缺陷优化方法，其特征在于，所述对晶圆的目标区域进行绝缘处理，包括：
对晶圆的边缘区域和/或侧壁区域进行绝缘处理。
7.根据权利要求5所述的化学镀缺陷优化方法，其特征在于，所述对晶圆的目标区域进行绝缘处理，包括：
对所述晶圆的目标区域涂抹绝缘液体。
8.根据权利要求7所述的化学镀缺陷优化方法，其特征在于，所述对所述晶圆的目标区域涂抹绝缘液体，包括：
利用化学镀缺陷优化装置对所述晶圆的目标区域涂抹绝缘液体。
9.根据权利要求8所述的化学镀缺陷优化方法，其特征在于，所述利用化学镀缺陷优化装置对所述晶圆的目标区域涂抹绝缘液体，包括：
利用化学镀缺陷优化装置对位于其上方呈竖直状的晶圆涂抹绝缘液体。
10.根据权利要求7所述的化学镀缺陷优化方法，其特征在于，所述绝缘液包括匀胶物质。
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| CN205288822U (zh) * | 2015-12-31 | 2016-06-08 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 太阳能层压件边缘润滑涂抹头 |
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