CN114031367B - 自清洁陶瓷砖及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于陶瓷砖制备技术领域，具体的涉及一种自清洁陶瓷砖及其制备方法。所述的自清洁陶瓷砖，包括陶瓷砖基体以及涂覆于陶瓷砖基体表面的自清洁涂层；所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土、煅烧铝矾土、硅藻土、焦宝石、莫来石、菱镁矿、锂基蒙脱土、偏硅酸钙、硅酸锆、碳化硅；所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌、纳米氧化铈、1H,1H,2H,2H‑十三氟辛基三甲基硅烷、二甲基硅油、十七氟癸基三乙氧基硅烷。本发明所述的自清洁陶瓷砖，陶瓷砖基体与自清洁涂层的结合力强，具有很好的耐高温性能和机械性能；自清洁涂层满足结构致密的同时，还具有优异的憎水性、憎油性、机械性能和耐腐蚀性。

Description

自清洁陶瓷砖及其制备方法
技术领域
本发明属于陶瓷砖制备技术领域，具体的涉及一种自清洁陶瓷砖及其制备方法。
背景技术
陶瓷砖广泛用于室内及室外装饰，空气中的有机物很容易吸附在陶瓷砖表面，当有有机物粘附在陶瓷砖表面后，陶瓷砖很容易吸附空气中无机颗粒，造成陶瓷砖吸污变色，需要定时进行清洗，且陶瓷砖表面与灰尘粘结比较牢固，不容易清洁，需要特殊的溶液进行清洁。特别是建筑物的外墙砖表面清理通常需要进行高空作业，清洁难度大，清洁费用高。
为了解决陶瓷砖表面吸污的难题，有很多科研机构投入大量的人力进行研究，目前利用纳米二氧化钛在太阳光的照射下产生电子-空穴对，再与吸附在二氧化钛表面的水和氧气发生氧化还原反应生成氢氧自由基，具有高活性的氢氧自由基能够分解有机污染物，实现表面自清洁。然而这些应用在陶瓷砖上自清洁技术目前大部分停留在实验室阶段，很少在市场上得到推广应用。
当前市面上出现的自清洁陶瓷产品多为有釉亮光型大吸水率的产品，其基本工艺如下：有釉陶瓷经过高温烧成后，再经过后期加工如切割、抛光等工艺，表面具有一定光泽，其中，光泽度一般都是在70度以上，之后再用纳米氧化钛等自洁材料在陶瓷釉面上涂覆一层，最后干燥得到自清洁陶瓷产品，这种自清洁陶瓷产品具有自清洁功能。但是纳米氧化钛等自洁材料的涂层由于涂覆在平滑的釉层上，自清洁材料的涂层和釉层的结合力差，自清洁材料的涂层和釉层没有相互咬合，由于产品的热稳定性差而无法很好的应用。
发明内容
本发明的目的是：提供一种自清洁陶瓷砖。所述的自清洁陶瓷砖，陶瓷砖基体与自清洁涂层的结合力强，陶瓷砖基体经煅烧形成稳定的晶相结构，具有很好的耐高温性能和机械性能；本发明同时提供了其制备方法。
本发明所述的自清洁陶瓷砖，包括陶瓷砖基体以及涂覆于陶瓷砖基体表面的自清洁涂层；所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土、煅烧铝矾土、硅藻土、焦宝石、莫来石、菱镁矿、锂基蒙脱土、偏硅酸钙、硅酸锆、碳化硅；所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌、纳米氧化铈、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷、二甲基硅油、十七氟癸基三乙氧基硅烷。
其中：
以重量份数计，所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土25-30份、煅烧铝矾土18-22份、硅藻土15-20份、焦宝石5-7份、莫来石10-14份、菱镁矿8-12份、锂基蒙脱土3-5份、偏硅酸钙1-3份、硅酸锆3-5份、碳化硅0.5-2份。
优选的，以重量份数计，所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土28-30份、煅烧铝矾土18-20份、硅藻土18-20份、焦宝石5-7份、莫来石12-14份、菱镁矿8-10份、锂基蒙脱土3-5份、偏硅酸钙1-3份、硅酸锆3-5份、碳化硅0.5-1.0份。
最为优选的，以重量份数计，所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土28份、煅烧铝矾土20份、硅藻土18份、焦宝石5份、莫来石12份、菱镁矿8份、锂基蒙脱土3份、偏硅酸钙1.5份、硅酸锆4份、碳化硅1.0份。
以重量份数计，所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌1-3份、纳米氧化铈1-3份、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.22-0.25份、二甲基硅油0.03-0.06份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.15-0.22份。
优选的，以重量份数计，所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌3份、纳米氧化铈2份、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.25份、二甲基硅油0.06份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.22份。
本发明所述的自清洁陶瓷砖，以高岭土、煅烧铝矾土、硅藻土和莫来石为主要原料，额外添加焦宝石、菱镁矿和锂基蒙脱土，经高温煅烧，形成稳定的晶相结构——堇青石-莫来石复合相，既能保证陶瓷砖基体具有好的高温性能和机械性能，又能拓宽其煅烧温度范围。但是，对于自清洁陶瓷砖来说，最主要的还是陶瓷砖基体的致密性要好，以防止细小灰尘等杂质的渗透，所以，为了使得制备的陶瓷砖基体具有很好的致密性，辅助起到自清洁的作用，在陶瓷砖的坯体原料中添加硅酸锆与碳化硅，在陶瓷砖煅烧过程中，利用自身的粒径优势，通过晶格填充作用，提高陶瓷砖基体的致密性；而偏硅酸钙的加入能够避免产生针孔，此外，还能够提高陶瓷砖的透明度。
本发明所述的涂覆于陶瓷砖基体上的自清洁涂层，制备原料包括纳米氧化锌、纳米氧化铈、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷、二甲基硅油、十七氟癸基三乙氧基硅烷；其中，所述的纳米氧化锌流动性好，且具有极高的化学活性，经光催化可以降解有机物分子，而纳米氧化铈由于其具有的特殊的电子结构，使得涂层不易形成气孔，致密度提高，提高了制备涂层的热稳定性和耐油性，尤其是本申请的纳米氧化铈和纳米氧化锌是经过1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷、二甲基硅油以及十七氟癸基三乙氧基硅烷的改性处理，在其中分散交联作用，在二甲基硅油的作用下，1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷与十七氟癸基三乙氧基硅烷复配使用，使得制备的自清洁涂层具有很好的耐热性、耐化学稳定性、耐摩擦性、耐腐蚀性以及低折光率。其中添加的纳米氧化锌和纳米氧化铈不光自身具有光催化降解以及致密性作用，经过1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷、二甲基硅油以及十七氟癸基三乙氧基硅烷的改性处理，多方面协同作用，使得自清洁涂层满足结构致密的同时，还具有优异的憎水性、憎油性、机械性能和耐腐蚀性。
本发明所述的自清洁陶瓷砖的制备方法，由以下步骤组成：
(1)将煅烧铝矾土、硅藻土、焦宝石、莫来石以及菱镁矿进行球磨，过180-200目筛，然后加入高岭土、锂基蒙脱土、偏硅酸钙、硅酸锆以及碳化硅搅拌混合，再次球磨，制备得到原料混合物；
(2)将原料混合物压制成型，制备得到坯体；
(3)将坯体以10-12℃/min的升温速度从室温升到580-620℃保温35-40min，然后以5-8℃/min的升温速度升到920-950℃保温50-60min，最后以3-5℃/min的升温速度上升到1200-1260℃保温45-50min进行烧制；
(4)以15-20℃/h的降温速率降至室温，得到陶瓷砖基体；
(5)制备自清洁涂层液；
(6)将步骤(5)制备得到的自清洁涂层液喷涂于步骤(4)制备得到的瓷砖基体上，然后烘干，形成自清洁涂层，制备得到自清洁陶瓷砖。
其中：
步骤(1)中所述的再次球磨时间为20-25h。
步骤(2)中所述的压制成型时压力为25-30MPa，巩固30-40min，然后脱模，制备得到坯体。
步骤(6)中所述静置24h，然后于100-105℃烘干24-36h。
步骤(5)所述的自清洁涂层液的制备方法，由以下步骤组成：
(1)将纳米氧化锌和纳米氧化铈加入到正己烷中搅拌一段时间，得到悬浮液；
(2)搅拌情况下向上述溶液中加入氨水，继续搅拌；
(3)向步骤(2)制备的溶液中加入全氟癸基三乙氧基硅烷、二甲基硅油、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷，室温下搅拌10-12h，制备得到自清洁溶液。
其中：步骤(1)所述的搅拌温度为室温，搅拌时间为30-45min。
步骤(1)中所述的纳米氧化锌与纳米氧化铈的混合物与正己烷的质量比为1:28-30。
步骤(2)中氨水的体积与步骤(1)悬浮液的体积比为0.01-0.015:1。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明所述的自清洁陶瓷砖，陶瓷砖基体与自清洁涂层的结合力强，陶瓷砖基体经煅烧形成稳定的晶相结构——堇青石-莫来石复合相，具有很好的耐高温性能和机械性能，通过添加硅酸锆和碳化硅，增加其结构致密性；自清洁涂层因其中的纳米氧化铈和纳米氧化锌的添加，增加了涂层的致密性和耐油性，经过改性处理，多方面协同作用，使得自清洁涂层满足结构致密的同时，还具有优异的憎水性、憎油性、机械性能和耐腐蚀性。
(2)本发明所述的自清洁陶瓷砖的制备方法，工艺简单，参数易于控制，适合产业化推广，采用该方法制备的自清洁涂层的性能优异。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步描述。
实施例1
本实施例1所述的自清洁陶瓷砖，包括陶瓷砖基体以及涂覆于陶瓷砖基体表面的自清洁涂层；所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土、煅烧铝矾土、硅藻土、焦宝石、莫来石、菱镁矿、锂基蒙脱土、偏硅酸钙、硅酸锆、碳化硅；所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌、纳米氧化铈、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷、二甲基硅油、十七氟癸基三乙氧基硅烷。
其中：
以重量份数计，所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土28份、煅烧铝矾土20份、硅藻土18份、焦宝石5份、莫来石12份、菱镁矿8份、锂基蒙脱土3份、偏硅酸钙1.5份、硅酸锆4份、碳化硅1.0份。
以重量份数计，所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌3份、纳米氧化铈2份、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.25份、二甲基硅油0.06份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.22份。
本实施例1所述的自清洁陶瓷砖的制备方法，由以下步骤组成：
(1)将煅烧铝矾土、硅藻土、焦宝石、莫来石以及菱镁矿进行球磨，过200目筛，然后加入高岭土、锂基蒙脱土、偏硅酸钙、硅酸锆以及碳化硅搅拌混合，再次球磨，制备得到原料混合物；
(2)将原料混合物压制成型，制备得到坯体；
(3)将坯体以10℃/min的升温速度从室温升到620℃保温40min，然后以8℃/min的升温速度升到950℃保温60min，最后以4℃/min的升温速度上升到1260℃保温50min进行烧制；
(4)以15℃/h的降温速率降至室温，得到陶瓷砖基体；
(5)制备自清洁涂层液；
(6)将步骤(5)制备得到的自清洁涂层液喷涂于步骤(4)制备得到的瓷砖基体上，然后烘干，形成自清洁涂层，制备得到自清洁陶瓷砖。
其中：
步骤(1)中所述的再次球磨时间为25h。
步骤(2)中所述的压制成型时压力为30MPa，巩固40min，然后脱模，制备得到坯体。
步骤(6)中所述静置24h，然后于105℃烘干30h。
步骤(5)所述的自清洁涂层液的制备方法，由以下步骤组成：
(1)将纳米氧化锌和纳米氧化铈加入到正己烷中搅拌一段时间，得到悬浮液；
(2)搅拌情况下向上述溶液中加入氨水，继续搅拌；
(3)向步骤(2)制备的溶液中加入全氟癸基三乙氧基硅烷、二甲基硅油、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷，室温下搅拌10h，制备得到自清洁溶液。
其中：步骤(1)所述的搅拌温度为室温，搅拌时间为45min。
步骤(1)中所述的纳米氧化锌与纳米氧化铈的混合物与正己烷的质量比为1:30。
步骤(2)中氨水的体积与步骤(1)悬浮液的体积比为0.015:1。
实施例2
本实施例2所述的自清洁陶瓷砖，包括陶瓷砖基体以及涂覆于陶瓷砖基体表面的自清洁涂层；所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土、煅烧铝矾土、硅藻土、焦宝石、莫来石、菱镁矿、锂基蒙脱土、偏硅酸钙、硅酸锆、碳化硅；所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌、纳米氧化铈、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷、二甲基硅油、十七氟癸基三乙氧基硅烷。
其中：
以重量份数计，所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土25份、煅烧铝矾土18份、硅藻土20份、焦宝石7份、莫来石14份、菱镁矿8份、锂基蒙脱土4份、偏硅酸钙3份、硅酸锆3份、碳化硅0.5份。
以重量份数计，所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌1份、纳米氧化铈3份、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.22份、二甲基硅油0.04份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.17份。
本实施例2所述的自清洁陶瓷砖的制备方法，由以下步骤组成：
(1)将煅烧铝矾土、硅藻土、焦宝石、莫来石以及菱镁矿进行球磨，过180目筛，然后加入高岭土、锂基蒙脱土、偏硅酸钙、硅酸锆以及碳化硅搅拌混合，再次球磨，制备得到原料混合物；
(2)将原料混合物压制成型，制备得到坯体；
(3)将坯体以12℃/min的升温速度从室温升到580℃保温35min，然后以5℃/min的升温速度升到920℃保温50min，最后以5℃/min的升温速度上升到1200℃保温50min进行烧制；
(4)以20℃/h的降温速率降至室温，得到陶瓷砖基体；
(5)制备自清洁涂层液；
(6)将步骤(5)制备得到的自清洁涂层液喷涂于步骤(4)制备得到的瓷砖基体上，然后烘干，形成自清洁涂层，制备得到自清洁陶瓷砖。
其中：
步骤(1)中所述的再次球磨时间为20h。
步骤(2)中所述的压制成型时压力为25MPa，巩固40min，然后脱模，制备得到坯体。
步骤(6)中所述静置24h，然后于105℃烘干36h。
步骤(5)所述的自清洁涂层液的制备方法，由以下步骤组成：
(1)将纳米氧化锌和纳米氧化铈加入到正己烷中搅拌一段时间，得到悬浮液；
(2)搅拌情况下向上述溶液中加入氨水，继续搅拌；
(3)向步骤(2)制备的溶液中加入全氟癸基三乙氧基硅烷、二甲基硅油、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷，室温下搅拌11h，制备得到自清洁溶液。
其中：步骤(1)所述的搅拌温度为室温，搅拌时间为30min。
步骤(1)中所述的纳米氧化锌与纳米氧化铈的混合物与正己烷的质量比为1:28。
步骤(2)中氨水的体积与步骤(1)悬浮液的体积比为0.01:1。
实施例3
本实施例3所述的自清洁陶瓷砖，包括陶瓷砖基体以及涂覆于陶瓷砖基体表面的自清洁涂层；所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土、煅烧铝矾土、硅藻土、焦宝石、莫来石、菱镁矿、锂基蒙脱土、偏硅酸钙、硅酸锆、碳化硅；所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌、纳米氧化铈、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷、二甲基硅油、十七氟癸基三乙氧基硅烷。
其中：
以重量份数计，所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土30份、煅烧铝矾土22份、硅藻土15份、焦宝石6份、莫来石10份、菱镁矿12份、锂基蒙脱土5份、偏硅酸钙2份、硅酸锆5份、碳化硅2份。
以重量份数计，所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌2份、纳米氧化铈2份、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.24份、二甲基硅油0.05份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.20份。
本实施例3所述的自清洁陶瓷砖的制备方法，由以下步骤组成：
(1)将煅烧铝矾土、硅藻土、焦宝石、莫来石以及菱镁矿进行球磨，过200目筛，然后加入高岭土、锂基蒙脱土、偏硅酸钙、硅酸锆以及碳化硅搅拌混合，再次球磨，制备得到原料混合物；
(2)将原料混合物压制成型，制备得到坯体；
(3)将坯体以12℃/min的升温速度从室温升到580℃保温35min，然后以5℃/min的升温速度升到920℃保温50min，最后以3℃/min的升温速度上升到1200℃保温45min进行烧制；
(4)以18℃/h的降温速率降至室温，得到陶瓷砖基体；
(5)制备自清洁涂层液；
(6)将步骤(5)制备得到的自清洁涂层液喷涂于步骤(4)制备得到的瓷砖基体上，然后烘干，形成自清洁涂层，制备得到自清洁陶瓷砖。
其中：
步骤(1)中所述的再次球磨时间为22h。
步骤(2)中所述的压制成型时压力为30MPa，巩固40min，然后脱模，制备得到坯体。
步骤(6)中所述静置24h，然后于105℃烘干36h。
步骤(5)所述的自清洁涂层液的制备方法，由以下步骤组成：
(1)将纳米氧化锌和纳米氧化铈加入到正己烷中搅拌一段时间，得到悬浮液；
(2)搅拌情况下向上述溶液中加入氨水，继续搅拌；
(3)向步骤(2)制备的溶液中加入全氟癸基三乙氧基硅烷、二甲基硅油、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷，室温下搅拌12h，制备得到自清洁溶液。
其中：步骤(1)所述的搅拌温度为室温，搅拌时间为30min。
步骤(1)中所述的纳米氧化锌与纳米氧化铈的混合物与正己烷的质量比为1:28。
步骤(2)中氨水的体积与步骤(1)悬浮液的体积比为0.01:1。
对比例1
本对比例1所述的自清洁陶瓷砖，包括陶瓷砖基体以及涂覆于陶瓷砖基体表面的自清洁涂层；所述的陶瓷砖基体的原料组成与制备方法均与实施例1相同，所述的自清洁涂层的制备方法与实施例1相同，但是，所述的自清洁涂层的原来组成不同，以重量份数计，所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌3份、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.25份、二甲基硅油0.06份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.22份。
对比例2
本对比例2所述的自清洁陶瓷砖，包括陶瓷砖基体以及涂覆于陶瓷砖基体表面的自清洁涂层；所述的陶瓷砖基体的原料组成与制备方法均与实施例1相同，所述的自清洁涂层的制备方法与实施例1相同，但是，所述的自清洁涂层的原来组成不同，以重量份数计，所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化铈2份、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.25份、二甲基硅油0.06份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.22份。
对比例3
本对比例3所述的自清洁陶瓷砖，包括陶瓷砖基体以及涂覆于陶瓷砖基体表面的自清洁涂层；所述的陶瓷砖基体的原料组成与制备方法均与实施例1相同，所述的自清洁涂层的制备方法与实施例1相同，但是，所述的自清洁涂层的原来组成不同，以重量份数计，所述的自清洁涂层，包括以下原料：1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.25份、二甲基硅油0.06份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.22份。
对制备的自清洁陶瓷砖依据GB/T 3810-2016《陶瓷砖试验方法》(耐污等级根据GB/T 3810.14-2016检测；耐家庭化学试剂和游泳池盐类腐蚀等级根据GB/T 3810.13-2016检测；破坏强度根据GB/T 3810.4-2016检测；在MMS-1G高速销盘摩擦磨损实验机上进行摩擦磨损试验，记录磨损量)进行性能测试，结果如下表1所示：
表1陶瓷砖性能检测结果
Figure BDA0003415300190000081

Claims (7)

1.一种自清洁陶瓷砖，其特征在于：包括陶瓷砖基体以及涂覆于陶瓷砖基体表面的自清洁涂层；以重量份数计，所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土25-30份、煅烧铝矾土18-22份、硅藻土15-20份、焦宝石5-7份、莫来石10-14份、菱镁矿8-12份、锂基蒙脱土3-5份、偏硅酸钙1-3份、硅酸锆3-5份、碳化硅0.5-2份；以重量份数计，所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌1-3份、纳米氧化铈1-3份、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.22-0.25份、二甲基硅油0.03-0.06份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.15-0.22份。
2.根据权利要求1所述的自清洁陶瓷砖，其特征在于：以重量份数计，所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土28-30份、煅烧铝矾土18-20份、硅藻土18-20份、焦宝石5-7份、莫来石12-14份、菱镁矿8-10份、锂基蒙脱土3-5份、偏硅酸钙1-3份、硅酸锆3-5份、碳化硅0.5-1.0份。
3.根据权利要求1所述的自清洁陶瓷砖，其特征在于：以重量份数计，所述的陶瓷砖基体由以下原料组成：高岭土28份、煅烧铝矾土20份、硅藻土18份、焦宝石5份、莫来石12份、菱镁矿8份、锂基蒙脱土3份、偏硅酸钙1.5份、硅酸锆4份、碳化硅1.0份。
4.根据权利要求1所述的自清洁陶瓷砖，其特征在于：以重量份数计，所述的自清洁涂层，包括以下原料：纳米氧化锌3份、纳米氧化铈2份、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷0.25份、二甲基硅油0.06份、十七氟癸基三乙氧基硅烷0.22份。
5.一种权利要求1所述的自清洁陶瓷砖的制备方法，其特征在于：由以下步骤组成：
（1）将煅烧铝矾土、硅藻土、焦宝石、莫来石以及菱镁矿进行球磨，过180-200目筛，然后加入高岭土、锂基蒙脱土、偏硅酸钙、硅酸锆以及碳化硅搅拌混合，再次球磨，制备得到原料混合物；
（2）将原料混合物压制成型，制备得到坯体；
（3）将坯体以10-12℃/min的升温速度从室温升到580-620℃保温35-40min，然后以5-8℃/min的升温速度升到920-950℃保温50-60min，最后以3-5℃/min的升温速度上升到1200-1260℃保温45-50min进行烧制；
（4）以15-20℃/h的降温速率降至室温，得到陶瓷砖基体；
（5）制备自清洁涂层液；
（6）将步骤（5）制备得到的自清洁涂层液喷涂于步骤（4）制备得到的瓷砖基体上，然后烘干，形成自清洁涂层，制备得到自清洁陶瓷砖。
6.根据权利要求5所述的自清洁陶瓷砖的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的再次球磨时间为20-25h；
步骤（2）中所述的压制成型时压力为25-30MPa，巩固30-40min，然后脱模，制备得到坯体；
步骤（6）中静置24h，然后于100-105℃烘干24-36h。
7.根据权利要求5所述的自清洁陶瓷砖的制备方法，其特征在于：步骤（5）所述的自清洁涂层液的制备方法，由以下步骤组成：
（1）将纳米氧化锌和纳米氧化铈加入到正己烷中搅拌一段时间，得到悬浮液；
（2）搅拌情况下向上述悬浮液中加入氨水，继续搅拌；
（3）向步骤（2）制备的溶液中加入全氟癸基三乙氧基硅烷、二甲基硅油、1H,1H,2H,2H-十三氟辛基三甲基硅烷，室温下搅拌10-12h，制备得到自清洁溶液。
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