CN114023896B - 一种发光器件的制作方法 - Google Patents
一种发光器件的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114023896B CN114023896B CN202111314429.4A CN202111314429A CN114023896B CN 114023896 B CN114023896 B CN 114023896B CN 202111314429 A CN202111314429 A CN 202111314429A CN 114023896 B CN114023896 B CN 114023896B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- inorganic
- substrate
- quantum dot
- polymer film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 126
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 91
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 90
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 75
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 35
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 13
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 12
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 287
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种发光器件的制作方法，本发明实施例将采用真空成膜工艺制作的无机传输层转移至量子点发光层上，可以避免真空成膜工艺涉及的高温或高能量粒子对量子点发光层的破坏，提高量子点发光层的发光强度。并且，本发明采用聚合物膜层作为转移媒介，由于聚合物一般具有更好的贴合性能，因此聚合物膜层便于无机传输层与量子点发光层之间实现紧密接触。另外，由于聚合物膜层的支撑性能较差，本发明将聚合物膜层制备在支撑基板上，从而可以将制作有聚合物膜层的支撑基板置于真空成膜工艺设备中完成无机传输层的制备。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种发光器件的制作方法。
背景技术
量子点(Quantum dots，QDs)，又名半导体纳米晶、半导体纳米颗粒，是指尺寸在空间三个维度上均处于纳米数量级或由它们作为基本单元构成的纳米固体材料，是在纳米尺度上的原子和分子的集合体。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantumdot light-emitting diode，QLED)，是一种新型的发光器件。
发明内容
本发明实施例提供了一种发光器件的制作方法，用以将采用高温或高能粒子的真空成膜工艺制作的无机传输层转移至量子点发光层上，以避免采用高温或高能粒子的真空成膜工艺制作无机传输层时破坏量子点发光层的性能。
本发明实施例提供的一种发光器件的制作方法，包括：
在衬底基板上形成量子点发光层；
在支撑基板上形成聚合物膜层；
采用真空成膜工艺在所述聚合物膜层背离所述支撑基板的一侧形成无机传输层；
将形成有所述量子点发光层的衬底基板与形成有所述无机传输层的支撑基板进行压合，以使所述无机传输层与所述量子点发光层紧密接触；
去除所述支撑基板和所述聚合物膜层，以将所述无机传输层转移至所述量子点发光层背离所述衬底基板的一侧。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述去除所述支撑基板和所述聚合物膜层，具体包括：
将压合后的所述衬底基板与所述支撑基板置于刻蚀液中，所述刻蚀液对所述支撑基板进行刻蚀以去除所述支撑基板；其中，所述刻蚀液对所述聚合物膜层和所述无机传输层不进行刻蚀；
将去除所述支撑基板之后的结构置于有机溶剂中，所述有机溶剂溶解所述聚合物膜层以去除所述聚合物膜层；其中，所述有机溶剂对所述无机传输层不进行溶解。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述无机传输层的材料为金属氧化物。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述量子点发光层包括量子点以及位于所述量子点表面的第一配体，所述第一配体包括：与所述量子点进行配位结合的第一配位基团，与所述第一配位基团连接的第一连接基团，以及与所述第一连接基团连接的第二配位基团；所述第二配位基团被配置为与所述无机传输层的金属原子进行配位结合。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在采用真空成膜工艺在所述聚合物膜层背离所述支撑基板的一侧形成无机传输层之后，且在将形成有所述量子点发光层的衬底基板与形成有所述无机传输层的支撑基板进行压合之前，还包括：采用具有第二配体的溶液对所述无机传输层进行修饰，以使所述无机传输层表面连接有第二配体；其中，
所述第二配体包括：与所述无机传输层进行配位结合的第三配位基团，以及与所述第三配位基团连接的第二连接基团。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述第二配体还包括与所述第二连接基团连接的第四配位基团，所述第四配位基团被配置为与所述量子点进行配位结合。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述第一配位基团包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O，所述第二配位基团包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O，所述第三配位基团包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O，所述第四配位基团包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述将形成有所述量子点发光层的衬底基板与形成有所述无机传输层的支撑基板进行压合，具体为：
在真空环境中将形成有所述量子点发光层的衬底基板与形成有所述无机传输层的支撑基板进行真空压合，所述真空压合的温度为80℃～100℃。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在支撑基板上形成聚合物膜层，具体为：
采用刮涂或旋涂的方式在所述支撑基板上形成所述聚合物膜层；其中，所述聚合物膜层的耐受温度大于或等于400℃。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述支撑基板的材料包括铜箔、不锈钢箔、钛箔或镍箔，所述支撑基板的厚度为5μm～50μm。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述聚合物膜层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚芳醚或聚四氟乙烯，所述聚合物膜层的厚度小于10μm。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述真空成膜工艺包括溅射工艺、化学气相沉积工艺或脉冲激光沉积工艺。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述无机传输层为电子传输层，所述在衬底基板上形成量子点发光层之前，还包括：在所述衬底基板上依次形成层叠设置的阳极、空穴注入层和空穴传输层；
在去除所述支撑基板和所述聚合物膜层之后，还包括：在所述无机传输层背离所述衬底基板的一侧依次形成层叠设置的电子注入层和阴极。
可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述无机传输层为空穴传输层，所述在衬底基板上形成量子点发光层之前，还包括：在所述衬底基板上依次形成层叠设置的阴极、电子注入层和电子传输层；
在去除所述支撑基板和所述聚合物膜层之后，还包括：在所述无机传输层背离所述衬底基板的一侧依次形成层叠设置的空穴注入层和阳极。
本发明实施例的有益效果如下：
本发明实施例提供的一种发光器件的制作方法，通过先在支撑基板上制备聚合物膜层，然后采用真空成膜工艺在聚合物膜层上制备无机传输层，之后将支撑基板、聚合物膜层、无机传输层整体与量子点发光层进行压合，然后去除支撑基板和聚合物膜层，以将无机传输层转移至量子点发光层上。因此本发明实施例将采用真空成膜工艺制作的无机传输层转移至量子点发光层上，可以避免真空成膜工艺涉及的高温或高能量粒子对量子点发光层的破坏，提高量子点发光层的发光强度。并且，本发明采用聚合物膜层作为转移媒介，由于聚合物一般具有更好的贴合性能，因此聚合物膜层便于无机传输层与量子点发光层之间实现紧密接触。另外，由于聚合物膜层的支撑性能较差，本发明将聚合物膜层制备在支撑基板上，从而可以将制作有聚合物膜层的支撑基板置于真空成膜工艺设备中完成无机传输层的制备。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种发光器件的制作方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的量子点及其表面连接的第一配体的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的量子点发光层与无机传输层紧密结合的一种结构示意图；
图4为本发明实施例提供的无机传输层表面连接第二配体的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的量子点发光层与无机传输层紧密结合的又一种结构示意图；
图6为本发明实施例提供的去除支撑基板和聚合物膜层的具体制作方法流程示意图；
图7为本发明实施例提供的正置结构的发光器件的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的倒置结构的发光器件的结构示意图；
图9A-图9E为本发明实施例提供的发光器件的制作方法在执行每一制作步骤之后的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的发光器件的制作方法的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
附图中各层薄膜厚度、大小和形状不反映发光器件的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
在QLED器件中，各个功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层。由于无机化合物比有机化合物更稳定，因此电子传输层、电子注入层和空穴传输层、空穴注入层等各功能膜层采用无机化合物薄膜时，器件的稳定性和寿命更高。无机化合物薄膜的制备方法有溶液法、蒸镀法以及溅射工艺、化学气相沉积(CVD)工艺和脉冲激光沉积(PLD)工艺等涉及到高温或高能粒子的真空成膜工艺。涉及到高温或高能粒子的真空成膜工艺适合量产，制备的无机化合物薄膜更加致密，且溅射工艺、CVD工艺或PLD工艺对无机化合物薄膜导电性的调控能力更强。QLED器件一般分为正置和倒置两种结构，正置结构是电子传输层制作在量子点发光层上方，倒置结构是空穴传输层制作在量子点发光层上方，若在量子点发光层上直接通过溅射工艺、CVD工艺或PLD工艺等涉及到高温或高能粒子的真空成膜工艺制备电子传输层或空穴传输层时，这些涉及到高温或高能粒子的成膜工艺过程会严重损坏量子点发光层中量子点表面的有机配体分子或损坏量子点本身，影响器件的发光效率以及器件的寿命等。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种发光器件的制作方法，如图1所示，包括：
S101、在衬底基板上形成量子点发光层；
S102、在支撑基板上形成聚合物膜层；
S103、采用真空成膜工艺在聚合物膜层背离支撑基板的一侧形成无机传输层；
S104、将形成有量子点发光层的衬底基板与形成有无机传输层的支撑基板进行压合，以使无机传输层与量子点发光层紧密接触；
S105、去除支撑基板和聚合物膜层，以将无机传输层转移至量子点发光层背离衬底基板的一侧。
需要说明的是，本发明实施例提供的制作方法中公开的真空成膜工艺是指采用溅射工艺、化学气相沉积(CVD)工艺或脉冲激光沉积(PLD)工艺等涉及到高温或高能粒子的真空成膜工艺。其中，溅射工艺是以一定能量的粒子(离子或中性原子、分子)轰击固体表面，使固体近表面的原子或分子获得足够大的能量而最终逸出固体表面的工艺。CVD是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。PLD是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。溅射工艺中的高能粒子、CVD工艺中的高温以及PLD工艺中的高能量激光都会严重损坏量子点发光层中量子点表面的有机配体或量子点本身，从而在量子点表面形成了电荷陷进态，成为非辐射复合中心，进而导致量子点的发光强度下降。
本发明实施例提供的上述发光器件的制作方法，通过先在支撑基板上制备聚合物膜层，然后采用真空成膜工艺在聚合物膜层上制备无机传输层，之后将支撑基板、聚合物膜层、无机传输层整体与量子点发光层进行压合，然后去除支撑基板和聚合物膜层，以将无机传输层转移至量子点发光层上。因此本发明实施例将采用真空成膜工艺制作的无机传输层转移至量子点发光层上，可以避免真空成膜工艺涉及的高温或高能量粒子对量子点发光层的破坏，提高量子点发光层的发光强度。并且，本发明采用聚合物膜层作为转移媒介，由于聚合物一般具有更好的贴合性能，因此聚合物膜层便于无机传输层与量子点发光层之间实现紧密接触。另外，由于聚合物膜层的支撑性能较差，本发明将聚合物膜层制备在支撑基板上，从而可以将制作有聚合物膜层的支撑基板置于真空成膜工艺设备中完成无机传输层的制备。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在支撑基板上形成聚合物膜层，具体可以为：
采用刮涂或旋涂的方式在支撑基板上形成聚合物膜层；其中，聚合物膜层的耐受温度大于或等于400℃。
在具体实施时，聚合物膜层的形成方式不限于上述刮涂或旋涂的方式，还可以采用其它方式在支撑基板上形成聚合物膜层。
在具体实施时，由于无机传输层采用溅射、CVD或PLD等真空成膜工艺制止，为了防止聚合物膜层被高温损坏，本发明实施例提供的聚合物膜层可耐受大于或等于400℃的温度。具体地，聚合物膜层的材料可以包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚芳醚或聚四氟乙烯。
在具体实施时，由于聚合物膜层作为转移媒介，为了便于后续溶解除去，聚合物膜层的厚度小于10μm。
在具体实施时，聚合物膜层作为转移媒介，不能自支撑，因此需要将聚合物膜层制备在硬质的支撑基板上，支撑基板的抗拉强度大于400N/mm2。
在具体实施时，由于无机传输层转移完成后需要刻蚀去除，在本发明实施例提供的上述制作方法中，硬质的支撑基板的材料可以包括铜箔、不锈钢箔、钛箔或镍箔，这些金属箔容易刻蚀去除。当然，支撑基板的材料不限于此。
在具体实施时，上述各金属箔作为硬质的支撑基板，可置于溅射、CVD、PLD等工艺设备中完成无机传输层的制备。
在具体实施时，支撑基板的厚度可以为5μm～50μm，5μm～50μm厚度范围的支撑基板能自支撑且具有一定柔性，便于后期与量子点发光层之间的充分接触，从而使得无机传输层与量子点发光层之间接触面更大，从而使无机传输层与量子点发光层能更好结合。例如，支撑基板的厚度可以为5μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm或50μm。
需要说明的是，由于铜箔的价格低且易刻蚀去除，本发明实施例优选支撑基板的材料为铜箔。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，无机传输层的材料可以为金属氧化物。具体地，当无机传输层为电子传输层时，金属氧化物可以包括ZnO、ZnMgO、SnO2或TiO2，当然还可以包括其它n型金属氧化物半导体；当无机传输层为空穴传输层时，金属氧化物可以包括NiO、WO3、V2O5或MoO3等。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图2所示，量子点发光层包括量子点QD以及位于量子点QD表面的第一配体A，第一配体A包括：与量子点QD进行配位结合的第一配位基团X1，与第一配位基团X1连接的第一连接基团Y1，以及与第一连接基团Y1连接的第二配位基团X2；由于无机传输层的材料为金属氧化物，因此第二配位基团X2可以被配置为与无机传输层1的金属原子进行配位结合，如图3所示，这样第一配体A的一端与量子点QD表面的金属配位连接，第一配体A的另一端能与无机传输层1的金属配位连接，从而可以使无机传输层1与量子点QD之间充分紧密接触。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图2和图3所示，第一配位基团X1可以包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O，第二配位基团X2可以包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O，当然不限于此。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图2和图3所示，第一连接基团Y1一般为烷基链，例如Y1为(CH2)n，n可以为2～6。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在采用真空成膜工艺在聚合物膜层背离支撑基板的一侧形成无机传输层之后，且在将形成有量子点发光层的衬底基板与形成有无机传输层的支撑基板进行压合之前，还包括：采用具有第二配体的溶液对无机传输层进行修饰，以使无机传输层表面连接有第二配体；这样通过具有第二配体的溶液处理的无机传输层可以与量子点发光层有效结合，消除二者的界面缺陷态。
具体地，如图4所示，第二配体B可以包括：与无机传输层1进行配位结合的第三配位基团X3，以及与第三配位基团X3连接的第二连接基团Y2。具体地，第二连接基团Y2一般为烷基链，例如Y2为(CH2)n，n可以为2～6。由于第二连接基团Y2为有机链，且量子点表面的第一配体也为有机配体，因此根据相似相溶原理，无机传输层1连接的第二连接基团Y2可以与量子点紧密结合。这样可以在将形成有量子点发光层的衬底基板与形成有无机传输层的支撑基板进行压合之前，通过具有如图4所示的第二配体B溶液对无机传输层1进行修饰处理，以使无机传输层1表面连接有如图4所示的第二配体B。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图5所示，第二配体B还可以包括与第二连接基团Y2连接的第四配位基团X4，第四配位基团X4被配置为与量子点QD进行配位结合。这样第二配体B的一端与无机传输层1的金属配位成键连接，第二配体B的另一端能与量子点QD表面配位连接，从而可以使无机传输层1与量子点QD之间更加充分紧密接触。这样可以在将形成有量子点发光层的衬底基板与形成有无机传输层的支撑基板进行压合之前，通过具有如图5所示的第二配体B溶液对无机传输层1进行修饰处理，以使无机传输层1表面连接有如图5所示的第二配体B。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图4所示，第三配位基团X3可以包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O；如图5所示，第四配位基团X4可以包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O；当然不限于此。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图4和图5所示，第二连接基团Y2一般为烷基链，例如Y2为(CH2)n，n可以为2～6。
在具体实施时，为使量子点发光层与无机传输层之间充分结合，在本发明实施例提供的上述制作方法中，将形成有量子点发光层的衬底基板与形成有无机传输层的支撑基板进行压合，具体可以为：
在真空环境中将形成有量子点发光层的衬底基板与形成有无机传输层的支撑基板进行真空压合，真空压合的温度为80℃～100℃。具体地，真空热压过程可以使得无机传输层与量子点发光层中量子点表面的第二配位基团进一步充分配位连接。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，去除支撑基板和聚合物膜层，如图6所示，具体可以包括：
S601、将压合后的衬底基板与支撑基板置于刻蚀液中，刻蚀液对支撑基板进行刻蚀以去除支撑基板；其中，刻蚀液对聚合物膜层和无机传输层不进行刻蚀；
具体地，刻蚀液可以为特定的刻蚀液，例如本发明实施例提供的支撑基板为铜箔，则刻蚀液可以为0.1mol/L的硫代硫酸钠碱性溶液或三氯化铁溶液；该刻蚀液在对支撑基板进行刻蚀时，不会对聚合物膜层和无机传输层进行刻蚀，因此聚合物膜层和无机传输层对量子点发光层以及量子点发光层下面的膜层具有保护作用，阻止刻蚀液对发光器件其它部分的侵蚀。
S602、将去除支撑基板之后的结构置于有机溶剂中，有机溶剂溶解聚合物膜层以去除聚合物膜层；其中，有机溶剂对无机传输层不进行溶解；
具体地，有机溶剂溶解聚合物膜层时，有机溶剂不会对无机传输层有溶解作用，因此无机传输层可作为保护层，阻止有机溶剂与发光器件中其它膜层的接触以破坏其它膜层。例如聚合物膜层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，则有机溶剂可以为丙酮，丙酮对无机传输层没有溶解作用。
目前，电致发光的发光器件可以分为正置结构和倒置结构，正置结构和倒置结构的区别在于膜层的制作顺序不同。具体地，正置结构是在衬底基板上依次形成阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，倒置结构是在衬底基板上依次形成阴极、电子注入层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图7所示，无机传输层1可以为电子传输层1，在衬底基板2上形成量子点发光层3之前，还包括：在衬底基板2上依次形成层叠设置的阳极4、空穴注入层5和空穴传输层6；
在去除支撑基板和聚合物膜层之后，还包括：在无机传输层1背离衬底基板2的一侧依次形成层叠设置的电子注入层7和阴极8。即图7所示的发光器件为正置结构，电子传输层1通过本发明实施例提供的上述制作方法转移至量子点发光层3上，可以避免真空成膜工艺涉及的高温或高能量粒子对量子点发光层3的破坏。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，如图8所示，无机传输层1为空穴传输层1，在衬底基板2上形成量子点发光层3之前，还包括：在衬底基板2上依次形成层叠设置的阴极8、电子注入层7和电子传输层6’；
在去除支撑基板和聚合物膜层之后，还包括：在无机传输层1背离衬底基板2的一侧依次形成层叠设置的空穴注入层5和阳极4。即图8所示的发光器件为倒置结构，空穴传输层1通过本发明实施例提供的上述制作方法转移至量子点发光层3上，可以避免真空成膜工艺涉及的高温或高能量粒子对量子点发光层3的破坏。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述发光器件可以为顶发射器件或底发射器件。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述发光器件的制作方法中，衬底基板可以为驱动背板，驱动背板包括用于驱动发光器件发光的薄膜晶体管阵列。
下面以图7所示的正置结构的发光器件为例，对本发明实施例提供的发光器件的制作方法进行描述：
(1)在衬底基板2上依次形成层叠设置的阳极4、空穴注入层5、空穴传输层6、量子点发光层3，如图9A所示。
(2)在支撑基板10上采用刮涂或旋涂的方式形成聚合物膜层20，在真空成膜设备中采用溅射、CVD或PLD工艺在聚合物膜层20上形成电子传输层1(即前述无机传输层)，如图9B所示。
(3)将图9A所示的结构与图9B所示的结构在真空环境中进行真空压合，真空压合的温度为80℃～100℃，以使电子传输层1与量子点发光层3紧密接触，如图9C所示。
(4)将图9C所示的结构置于刻蚀液中，刻蚀液对支撑基板10进行刻蚀以去除支撑基板10，如图9D所示。
(5)将图9D所示的结构置于有机溶剂中，有机溶剂溶解聚合物膜层20以去除聚合物膜层20，从而将电子传输层1转移至量子点发光层3背离衬底基板2的一侧，如图9E所示。
(6)在图9E中电子传输层1背离衬底基板2的一侧依次形成层叠设置的电子注入层7和阴极8，如图7所示。
综上，采用本发明实施例提供的发光器件的制作方法可以避免采用真空成膜工艺制作的无机传输层时涉及的高温或高能量粒子对量子点发光层的破坏，提高量子点发光层的发光强度。
本发明实施例提供的一种发光器件的制作方法，通过先在支撑基板上制备聚合物膜层，然后采用真空成膜工艺在聚合物膜层上制备无机传输层，之后将支撑基板、聚合物膜层、无机传输层整体与量子点发光层进行压合，然后去除支撑基板和聚合物膜层，以将无机传输层转移至量子点发光层上。因此本发明实施例将采用真空成膜工艺制作的无机传输层转移至量子点发光层上，可以避免真空成膜工艺涉及的高温或高能量粒子对量子点发光层的破坏，提高量子点发光层的发光强度。并且，本发明采用聚合物膜层作为转移媒介，由于聚合物一般具有更好的贴合性能，因此聚合物膜层便于无机传输层与量子点发光层之间实现紧密接触。另外，由于聚合物膜层的支撑性能较差，本发明将聚合物膜层制备在支撑基板上，从而可以将制作有聚合物膜层的支撑基板置于真空成膜工艺设备中完成无机传输层的制备。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成量子点发光层；
在支撑基板上形成聚合物膜层；
采用真空成膜工艺在所述聚合物膜层背离所述支撑基板的一侧形成无机传输层；
将形成有所述量子点发光层的衬底基板与形成有所述无机传输层的支撑基板进行压合，以使所述无机传输层与所述量子点发光层紧密接触；
将压合后的所述衬底基板与所述支撑基板置于刻蚀液中，所述刻蚀液对所述支撑基板进行刻蚀以去除所述支撑基板；将去除所述支撑基板之后的结构置于有机溶剂中，所述有机溶剂溶解所述聚合物膜层以去除所述聚合物膜层，以将所述无机传输层转移至所述量子点发光层背离所述衬底基板的一侧，其中，所述刻蚀液对所述聚合物膜层和所述无机传输层不进行刻蚀，所述有机溶剂对所述无机传输层不进行溶解。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述无机传输层的材料为金属氧化物。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述量子点发光层包括量子点以及位于所述量子点表面的第一配体，所述第一配体包括：与所述量子点进行配位结合的第一配位基团，与所述第一配位基团连接的第一连接基团，以及与所述第一连接基团连接的第二配位基团；所述第二配位基团被配置为与所述无机传输层的金属原子进行配位结合。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在采用真空成膜工艺在所述聚合物膜层背离所述支撑基板的一侧形成无机传输层之后，且在将形成有所述量子点发光层的衬底基板与形成有所述无机传输层的支撑基板进行压合之前，还包括：采用具有第二配体的溶液对所述无机传输层进行修饰，以使所述无机传输层表面连接有第二配体；其中，
所述第二配体包括：与所述无机传输层进行配位结合的第三配位基团，以及与所述第三配位基团连接的第二连接基团。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二配体还包括与所述第二连接基团连接的第四配位基团，所述第四配位基团被配置为与所述量子点进行配位结合。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一配位基团包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O，所述第二配位基团包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O，所述第三配位基团包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O，所述第四配位基团包括-NH2、-SH、-COOH或-P＝O。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述将形成有所述量子点发光层的衬底基板与形成有所述无机传输层的支撑基板进行压合，具体为：
在真空环境中将形成有所述量子点发光层的衬底基板与形成有所述无机传输层的支撑基板进行真空压合，所述真空压合的温度为80℃～100℃。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在支撑基板上形成聚合物膜层，具体为：
采用刮涂或旋涂的方式在所述支撑基板上形成所述聚合物膜层；其中，所述聚合物膜层的耐受温度大于或等于400℃。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述支撑基板的材料包括铜箔、不锈钢箔、钛箔或镍箔，所述支撑基板的厚度为5μm～50μm。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述聚合物膜层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚芳醚或聚四氟乙烯，所述聚合物膜层的厚度小于10μm。
11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述真空成膜工艺包括溅射工艺、化学气相沉积工艺或脉冲激光沉积工艺。
12.根据权利要求1-11任一项所述的制作方法，其特征在于，所述无机传输层为电子传输层，所述在衬底基板上形成量子点发光层之前，还包括：在所述衬底基板上依次形成层叠设置的阳极、空穴注入层和空穴传输层；
在去除所述支撑基板和所述聚合物膜层之后，还包括：在所述无机传输层背离所述衬底基板的一侧依次形成层叠设置的电子注入层和阴极。
13.根据权利要求1-11任一项所述的制作方法，其特征在于，所述无机传输层为空穴传输层，所述在衬底基板上形成量子点发光层之前，还包括：在所述衬底基板上依次形成层叠设置的阴极、电子注入层和电子传输层；
在去除所述支撑基板和所述聚合物膜层之后，还包括：在所述无机传输层背离所述衬底基板的一侧依次形成层叠设置的空穴注入层和阳极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111314429.4A CN114023896B (zh) | 2021-11-08 | 2021-11-08 | 一种发光器件的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111314429.4A CN114023896B (zh) | 2021-11-08 | 2021-11-08 | 一种发光器件的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114023896A CN114023896A (zh) | 2022-02-08 |
| CN114023896B true CN114023896B (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=80062361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111314429.4A Active CN114023896B (zh) | 2021-11-08 | 2021-11-08 | 一种发光器件的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114023896B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015019071A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 上海和輝光電有限公司Ｅｖｅｒｄｉｓｐｌａｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ （Ｓｈａｎｇｈａｉ） Ｌｉｍｉｔｅｄ | 倒置型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法 |
| CN104409515A (zh) * | 2014-11-26 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
| CN104882569A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN112701230A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-04-23 | 福州大学 | 一种转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法 |
-
2021
- 2021-11-08 CN CN202111314429.4A patent/CN114023896B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015019071A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 上海和輝光電有限公司Ｅｖｅｒｄｉｓｐｌａｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ （Ｓｈａｎｇｈａｉ） Ｌｉｍｉｔｅｄ | 倒置型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法 |
| CN104409515A (zh) * | 2014-11-26 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
| CN104882569A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件及其制备方法、显示面板和显示装置 |
| CN112701230A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-04-23 | 福州大学 | 一种转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114023896A (zh) | 2022-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lee et al. | Flexible transparent conducting electrodes based on metal meshes for organic optoelectronic device applications: a review | |
| CN1934910B (zh) | 使用具有纳米尺寸的半球状凸部的基板或电极的高效有机发光装置及其制造方法 | |
| TWI467047B (zh) | 藉由初始化學氣相沉積技術之蓄電池與超級電容器製造的３ｄ方式 | |
| JP4948836B2 (ja) | 低圧冷間溶接によるデバイス製造方法 | |
| CN106784203A (zh) | 一种像素结构及制造方法 | |
| CN103094488B (zh) | 电致发光器件及其制造方法 | |
| US20110151607A1 (en) | Method for manufacturing a metal and dielectric nanostructures electrode for colored filtering in an oled and method for manufacturing an oled | |
| CN105977393A (zh) | 一种电致发光器件及其制作方法 | |
| US11795386B2 (en) | Method for patterning nanoparticle layer, quantum dot light emitting device and display device all fees | |
| CN106409994B (zh) | 一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法 | |
| WO2022134308A1 (zh) | 一种量子点显示装置及其制备方法与应用 | |
| US10270055B2 (en) | Flexible display device and method of manufacturing the same | |
| CN114023896B (zh) | 一种发光器件的制作方法 | |
| Li et al. | Pseudo-biological highly performance transparent electrodes based on capillary force-welded hybrid AgNW network | |
| CN105304832B (zh) | 电致发光器件的制备方法 | |
| CN111101142B (zh) | 一种图形化集成式高效光催化分解水系统的构筑方法 | |
| US20200168658A1 (en) | Method of forming a semiconductor device | |
| CN106299053B (zh) | 一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法 | |
| CN115206956A (zh) | 碳纳米管互联的钙钛矿/晶硅两端机械叠层太阳电池 | |
| CN103500804B (zh) | 一种薄膜及其制备方法、发光显示器件 | |
| US10170629B2 (en) | Field-effect transistor and the manufacturing method | |
| CN104078536A (zh) | 发光元件的制造方法及通过该方法形成的发光元件 | |
| CN109860429A (zh) | 基于液晶作为结晶助剂的钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
| CN111587610A (zh) | 有机装置用电极基板材料 | |
| CN103589994A (zh) | 一种蒸镀用掩模板的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |