CN1140118A - 单层抛光布生产工艺 - Google Patents

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陈有文
顾广发
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Abstract

本发明涉及一种抛光材料的生产工艺。本发明提供一种与SiO2抛光工艺相适应的适合我国国情的抛光材料。它采用特殊纤维制成无纺布，通过热收缩处理后，再经由具有耐碱耐水解耐磨性能优良的聚氨酯弹性体和各种添加剂所组成的二甲基甲酰胺(DMF)溶液浸渍、萃取、干燥、磨面、净化而成。本发明的优点是生产工艺简单，而且产品具有柔软、弹性好、强度高、耐碱性能优良和使用方便的特点。

Description

单层抛光布生产工艺
本发明涉及一种抛光材料的生产工艺。
硅片是大规模集成电路的基本材料，而影响硅片质量的主要因素之一就是抛光布。以前，用于硅片抛光的抛光布一般都是长毛绒、海军呢一类的天然织物，并一直沿用铬离子抛光工艺，采用上述抛光布和抛光工艺所抛出的硅片表面质量较差，其表面氧化层错密度高达5×105～106/cm2。合格率低，严重影响了大规模集成电路的发展。目前国外工业发达国家均采用先进的SiO2抛光工艺，而这一抛光过程是在碱性介质中进行的，所以天然织物无论在结构上还是在抗化学性能上都无法满足要求。
本发明的目的是提供一种与SiO2抛光工艺相适应的适合我国国情的抛光材料。
本发明的目的是这样实现的：即采用特殊纤维制成无纺布，通过热收缩处理后，再经由具有耐碱耐水解耐磨性能优良的聚氨酯弹性体和各种添加剂所组成的二甲基甲酰胺(DMF)溶液浸清、萃取、干燥、磨面、净化而成。
本发明的优点是生产工艺简单，而且产品具有柔软、弹性好、强度高、耐碱性能优良和使用方便的特点。
现以一最佳实施例对本发明作进一步描述：
首先，采用锦纶15-25％、涤纶30-45％、氯纶10-30％、粘胶纤维15-25％、晴纶0-10％化学纤维经梳理成网、针刺形成无纺布，再经热收缩处理制成一定密度的无纺布。其次，在聚氨酯弹性体二甲基甲酰胺(DNF)溶液中，加入各种添加剂所组成的浸渍液，采用湿法成型工艺，经凝固、水洗萃取其中的DMF，从而形成多孔质的片状材料。再次，通过干燥后的片状材料用高精度的磨革机研磨制成表面平整、细致、多孔的单层结构抛光布。

Claims (1)

1.单层抛光布的生产工艺，其特征在于：
A.采用锦纶15-25％、涤纶30-45％、氯纶10-30％、粘胶纤维15-25％、晴纶0-10％化学纤维经梳理成网、针刺形成无纺布，再经热收缩处理制成一定密度的无纺布。
B.在聚氨酯弹性体二甲基甲酰胺(DMF)溶液中，加入各种添加剂所组成的浸渍液，采用湿法成型工艺，经凝固、水洗萃取其中的二甲基甲酰胺(DMF)，从而形成多孔质的片状材料。
C.通过干燥后的片状材料用高精度的磨革机研磨制成表面平整、细致、多孔的单层结构抛光布。
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