CN113934061A - 阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。该阵列基板包括衬底基板，多个公共电极，多条数据线，以及阵列排布的多个像素电极。对于每条数据线，该数据线和第一目标公共电极的间距，与该数据线和第二目标公共电极的间距不同，由此可以使得像素电极的两侧受到的干扰的程度一致，保证阵列基板中该像素电极的两侧对应的显示区域的亮度一致，显示装置的显示效果较好。并且，对于每条数据线，该数据线与位于该数据线两侧的第一目标像素和第二目标像素电极的间距相等，由此可以使得该数据线与位于该数据线两侧的两侧像素电极的耦合电容相同，显示装置的显示效果较好。

Description

阵列基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
液晶显示(liquid crystal display，LCD)装置由于其分辨率高，且耗电量较低而被广泛应用于大尺寸的显示装置中。
相关技术中，液晶显示装置中的阵列基板包括：公共电极，多条数据线，以及多个阵列排布的像素电极，每条数据线与一列像素电极连接，且每条数据线位于相邻两列像素电极之间。每条数据线可以为与其连接的像素电极提供数据信号。该像素电极可以在数据信号的驱动下，与公共电极共同驱动液晶层中的液晶分子偏转，从而实现显示装置的正常显示。
但是，像素电极会受到的数据线和公共电极的耦合电场的干扰，且像素电极两侧受到的干扰的程度不同，导致液晶显示装置的亮度均一性较差。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中显示装置的亮度均一性较差的问题。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底基板；
多个公共电极，所述多个公共电极位于所述衬底基板的一侧；
多条数据线，所述多条数据线位于所述衬底基板的一侧，每条所述数据线在所述衬底基板上的正投影与任一所述公共电极在所述衬底基板上的正投影不重叠，且对于每条所述数据线，所述数据线和第一目标公共电极的间距，与所述数据线和第二目标公共电极的间距不同，所述第一目标公共电极和所述第二目标公共电极分别位于所述数据线的两侧；
以及阵列排布的多个像素电极，所述多个像素电极位于所述衬底基板的一侧，且每个所述像素电极在所述衬底基板上的正投影，与任一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影不重叠，其中，每列所述像素电极与一条所述数据线连接，对于每条所述数据线，所述数据线和第一目标像素电极的间距，与所述数据线和第二目标像素电极的间距相等，所述第一目标像素电极和所述第二目标像素电极分别位于所述数据线的两侧。
可选的，对于每条所述数据线，所述数据线和所述第一目标公共电极的间距，大于所述数据线和所述第二目标公共电极的间距，且所述数据线所连接的像素电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一目标公共电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
可选的，所述多个公共电极，所述多条数据线，以及所述多个像素电极沿远离所述衬底基板的一侧依次层叠。
可选的，对于每条所述数据线，所述数据线和所述第一目标公共电极的间距的范围为3.5微米至4.5微米，所述数据线和第二目标公共电极的间距的范围为0.5微米至1.5微米。
可选的，所述阵列基板还包括：多条栅线和栅极绝缘层；
所述多条栅线位于所述衬底基板的一侧，且每条所述栅线的延伸方向与所述多条数据线中的任一所述数据线的延伸方向相交；
所述栅极绝缘层位于所述多条栅线远离所述衬底基板的一侧。
可选的，所述阵列基板还包括：钝化层；
所述钝化层位于所述多个公共电极远离所述衬底基板的一侧。
另一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极，多条数据线，以及阵列排布的多个像素电极；
其中，每条所述数据线在所述衬底基板上的正投影与任一所述公共电极在所述衬底基板上的正投影不重叠，且对于每条所述数据线，所述数据线和第一目标公共电极的间距，与所述数据线和第二目标公共电极的间距不同，所述第一目标公共电极和所述第二目标公共电极分别位于所述数据线的两侧；
每个所述像素电极在所述衬底基板上的正投影，与任一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影不重叠，其中，每列所述像素电极与一条所述数据线连接，对于每条所述数据线，所述数据线和第一目标像素电极的间距，与所述数据线和第二目标像素电极的间距相等，所述第一目标像素电极和所述第二目标像素电极分别位于所述数据线的两侧。
可选的，在衬底基板的一侧形成多个公共电极，包括：
采用第一掩膜板在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极，其中所述第一掩膜板的设置位置相对于第一初始位置在垂直于所述数据线的方向上偏移目标距离。
可选的，在衬底基板的一侧形成多条数据线，包括：
采用第二掩膜板在所述衬底基板的一侧形成多条数据线，其中所述第二掩膜板的设置位置相对于第二初始位置在垂直于所述数据线的方向上偏移目标距离。
可选的，所述在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极和多条数据线，包括：
在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极；
在所述多个公共电极远离所述衬底基板的一侧形成多条数据线。
可选的，在所述多个公共电极远离所述衬底基板的一侧形成多条数据线之后，所述方法还包括：
在所述多条数据线远离所述衬底基板的一侧形成阵列排布的多个像素电极；
其中，每个所述像素电极在所述衬底基板上的正投影，与任一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影不重叠，每列所述像素电极与一条所述数据线连接。
可选的，所述在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板的一侧形成多条栅线；
在所述多条栅线远离所述衬底基板的一侧形成栅极绝缘层；
所述在所述多个公共电极远离所述衬底基板的一侧形成多条数据线之后，所述方法还包括：
在所述多条数据线远离衬底基板的一侧形成钝化层。
又一方面，提供了一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：驱动电路以及如上述方面所述的阵列基板；
所述驱动电路与所述阵列基板中的多条数据线连接，用于为每条所述数据线提供数据信号。
可选的，所述显示装置还包括：黑矩阵层；
所述黑矩阵层和所述阵列基板中第一目标公共电极的间距，等于所述黑矩阵层和所述阵列基板中第一目标像素电极的间距，与所述第一公共电极和所述第一目标像素电极的间距之和；
所述黑矩阵层和所述阵列基板中第二目标公共电极的间距，等于所述黑矩阵层和所述阵列基板中第二目标像素电极的间距，与所述第二公共电极和所述第二目标像素电极的间距之和。
可选的，所述黑矩阵层和所述第一目标公共电极的间距，小于所述黑矩阵层和所述第二目标公共电极的间距；
或者，所述黑矩阵层和所述第一目标公共电极的间距，等于所述黑矩阵层和所述第二目标公共电极的间距。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本申请提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，该阵列基板包括衬底基板，多个公共电极，多条数据线，以及阵列排布的多个像素电极。对于每条数据线，该数据线和第一目标公共电极的间距，与该数据线和第二目标公共电极的间距不同，由此可以使得像素电极的两侧受到的干扰的程度一致，保证阵列基板中该像素电极的两侧对应的显示区域的亮度一致，显示装置的显示效果较好。并且，对于每条数据线，该数据线与位于该数据线两侧的第一目标像素和第二目标像素电极的间距相等，由此可以使得该数据线与位于该数据线两侧的两侧像素电极的耦合电容相同，显示装置的显示效果较好。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术中屏幕显示残像的示意图；
图2是相关技术中像素电极的透过率曲线的示意图；
图3是本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的一种阵列基板的俯视图；
图5是本申请实施例中的像素电极的透过率曲线的示意图；
图6是本申请实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；
图7是本申请实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
图8是本申请实施例提供的一种形成多个公共电极的示意图；
图9是本申请实施例提供的一种形成栅极绝缘层的示意图；
图10是本申请实施例提供的一种形成多条数据线的示意图；
图11是本申请实施例提供的一种形成钝化层的示意图；
图12是本申请实施例提供的又一种阵列基板的制造方法的流程图；
图13是本申请实施例提供的另一种形成多个公共电极的示意图；
图14是本申请实施例提供的另一种形成栅极绝缘层的示意图；
图15是本申请实施例提供的另一种形成多条数据线的示意图；
图16是本申请实施例提供的另一种形成钝化层的示意图；
图17是本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图18是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图19是本申请实施例提供的另一种显示装置的结构示意图；
图20是本申请实施例提供的又一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
随着用户对大尺寸的显示装置的清晰度的要求不断增高，8K超高清的显示装置应运而生。其中，8K可以用于表示分辨率为7680×4320的显示装置。其中，该显示装置在像素行方向上具有7680个像素，在像素列方向上具有4320个像素。并且，该8K超高清的显示装置的清晰度可以为蓝光版显示装置的16倍。该蓝光版显示装置还可以称为全高清显示装置。另外8K超高清的显示装置的色深为12位，且其扫描速率可以达到120帧/秒。
随着显示装置的分辨率的增加，显示装置的画面品质也需要一起提升。但是通过产品检测发现8K超高清的显示装置易出现屏幕显示(on screen display，OSD)残像，横纹以及划痕均一性(trace mura)等问题。
示例的，参考图1，采用显微镜对像素电极的两侧的透过率进行检测，其中(4)为(1)中的区域Q的放大示意图，(5)为(2)中的区域Q的放大示意图，(6)为(3)中的区域Q的放大示意图。参考图1中的(1)和(4)可以看出，在白色背景下，黑色图像(pattern)F运动至区域Q之前，像素电极的一侧对应的区域显示的图像U可以呈锯齿状。参考图1中的(2)和(5)，在黑色图像F位于该区域Q时，该像素电极的一侧对应的区域显示的图像U的锯齿消失。且参考图1中的(3)和(6)，在黑色图像F从该区域Q移动至其他区域之后，该像素电极的一侧对应的区域显示的图像U依然不存在锯齿，即出现OSD残像的问题。其中，白色背景是指各个像素的灰阶值均为255的背景，黑色图像F是指各个像素的灰阶值均为0的图像。
对于8K超高清的显示装置中的像素电极，由于该像素电极两侧存在紊乱的电场(数据线103和公共电极102的耦合电场)，会使液晶层中的液晶分子在该紊乱场中发生无序的偏转，进而会使像素电极的两侧形成亮度很暗的弱区。采用仿真软件可以得到像素电极的透过率曲线如图2所示，参考图2可以看出，该像素电极的两侧的第一区域S1和第二区域S2的透过率曲线不同，即该像素电极的两侧的透过率存在差异。也即是，该像素电极两侧受到的耦合电场的干扰的程度不同，进而会导致像素电极两侧对应的显示区域的亮度不一致，显示装置的亮度均一性较差，即显示装置的显示效果较差。并且，OSD残像，横纹以及trace mura等问题均是由于像素电极两侧受到的耦合电场的干扰的程度不同导致的。其中，图2中的纵坐标用于表示透过率，横坐标用于表示与该像素电极连接的数据线的距离，单位为微米(μm)。
图3是本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。参考图3可以看出，该阵列基板10可以包括：衬底基板101，多个公共电极102，多条数据(data)线103，以及阵列排布的多个像素电极104。其中该多个公共电极102，多条数据线103，以及多个像素电极104可以均位于衬底基板101的一侧。
示例的，图3中示出了两个公共电极102(分别为102a和102b)，一条数据线103，以及两个像素电极104(分别为104a和104b)。图4是本申请实施例提供的一种阵列基板的俯视图。其中，图4中共示出了6个像素电极104。
在本申请实施例中，每条数据线103在该衬底基板101上的正投影可以与任一公共电极102在衬底基板101上的正投影不重叠。并且，对于每条数据线103，该数据线103和第一目标公共电极102a的间距m1，可以与该数据线103和第二目标公共电极102b的间距m2不同，该第一目标公共电极102a和第二目标公共电极102b可以分别位于数据线103的两侧。其中，图3所示的阵列基板10中，数据线103和第一目标公共电极102a的间距m1，大于数据线和第二目标公共电极102b的间距m2。
在本申请实施例中，通过确定像素电极104两侧受到数据线103和公共电极102的耦合电场的干扰的程度，从而调整数据线102和公共电极102的距离，使得数据线103和第一目标公共电极102a的间距m1，与数据线103和第二目标公共电极102b的间距m2不同。由此可以使得素电极104的两侧受到的干扰的程度一致，进而保证阵列基板中该像素电极104的两侧对应的显示区域的亮度一致，显示装置亮度均一性较好，显示效果较好。
示例的，若数据线103与该公共电极102的耦合电场对该像素电极104的干扰的程度较大，则可以将与该像素电极104位于数据线103同一侧的公共电极102，与该数据线103的距离设置的较大，从而可以减小该数据线103与该公共电极102的耦合电场对该像素电极104的干扰的程度。
若数据线103与该公共电极102的耦合电场对像素电极104的干扰的程度较小，则可以将与该像素电极104位于数据线103同一侧的公共电极102，与该数据线103的距离设置的较小，从而可以增大该数据线103与该公共电极102的耦合电场对该像素电极104的一侧的干扰的程度。由此，可以使得像素电极104的两侧受到的干扰的程度一致。
结合图3和图4，每个像素电极104在衬底基板101上的正投影，可以与任一数据线103在衬底基板101上的正投影不重叠。
其中，每列像素电极可以与一条数据线103连接。也即是，每条数据线103可以位于相邻两列像素电极之间，且与相邻两列像素电极中的一列像素电极连接，该数据线103可以用于为其所连接的一列像素电极提供数据信号。
示例的，图4中示出了三条数据线103以及三列像素电极。其中第一列像素电极包括第一个像素电极b1和第二个像素电极b2。第二列像素电极包括第三个像素电极b3和第四个像素电极b4。第三列像素电极包括第五个像素电极b5和第六个像素电极b6。第一条数据线a1可以与第一列像素电极中的每个像素电极连接，即该第一条数据线a1与第一个像素电极b1和第二个像素电极b2连接。第二条数据线a2可以与第二列像素电极中的每个像素电极连接，即该第二条数据线a2与第三个像素电极b3和第四个像素电极b4连接。第三条数据线a3可以与第三列像素电极中的每个像素电极连接，即该第三条数据线a3与第五个像素电极b5和第六个像素电极b6连接。
参考图3，对于每条数据线103，该数据线103和第一目标像素电极104a的间距n1，可以与数据线103和第二目标像素电极104b的间距n2相等，该第一目标像素电极104a和第二目标像素电极104b可以分别位于数据线103的两侧。另外，该数据线103可以与第一目标像素电极104a和第二目标像素电极104b中的一个像素电极104连接。
由于数据线103与位于该数据线103的两侧的第一目标像素电极104a和第二目标像素电极104b的间距相等，因此该数据线103与第一目标像素电极104a的耦合电容，与数据线103与第二目标像素电极104b的耦合电容相同，显示装置的显示效果较好。
可选的，数据线103和第一目标像素电极104a的间距n1，以及数据线103和第二目标像素电极104b的间距n2的范围可以均为4.5μm至6μm。例如，n1＝n2＝5μm。
综上所述，本申请实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板，多个公共电极，多条数据线，以及阵列排布的多个像素电极。对于每条数据线，该数据线和第一目标公共电极的间距，与该数据线和第二目标公共电极的间距不同，由此可以使得像素电极的两侧受到的干扰的程度一致，保证阵列基板中该像素电极的两侧对应的显示区域的亮度一致，显示装置的显示效果较好。并且，对于每条数据线，该数据线与位于该数据线两侧的第一目标像素和第二目标像素电极的间距相等，由此可以使得该数据线与位于该数据线两侧的两侧像素电极的耦合电容相同，显示装置的显示效果较好。
在本申请实施例中，该多个公共电极102以及多个像素电极104可以均由氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)材料制成。
在本申请实施例中，对于每条数据线103，该数据线103和第一目标公共电极102a的间距m1，可以大于数据线103和第二目标公共电极102b的间距m2。并且，数据线103所连接的像素电极104在衬底基板101上的正投影与第一目标公共电极102a在衬底基板101上的正投影至少部分重叠。也即是，数据线103所连接的像素电极104与第一目标公共电极102a可以位于该数据线103的同一侧。
其中，数据线103两侧的两个像素电极104中，与该数据线103连接的像素电极104更易受到该数据线103和公共电极102的耦合电场的干扰。例如，假设图3中数据线103与位于该数据线103左侧的第一目标像素电极104a连接，则数据线103与公共电极102的耦合电场对该第一目标像素电极104a的干扰的程度较大，对位于该数据线103右侧的第二目标像素电极104b的干扰的程度较小。
因此对于数据线103两侧的像素电极104中与该数据线103连接的一个像素电极104(例如第一目标像素电极104a)，将位于该数据线103两侧的公共电极102中和该第一目标像素电极104a位于数据线103同一侧的一个公共电极102(例如第一目标公共电极102a)，与该数据线103的间距设置的较大。并将位于该数据线103两侧的公共电极102中不和该第一目标像素电极104a位于数据线103同一侧的另一个公共电极102(例如第二目标公共电极102b)，与该数据线103的间距设置的较小。由此可以避免阵列基板中该像素电极104的两侧对应的显示区域的亮度差异较大的问题，保证显示装置的亮度均一性，显示装置的显示效果较好。
可选的，对于每条数据线103，该数据线103和第一目标公共电极102a的间距m1的范围可以为3.5μm至4.5μm。数据线103和第二目标公共电极102b的间距m2的范围可以为0.5μm至1.5μm。
示例的，该数据线103和第一目标公共电极102a的间距m1为3.5μm。数据线103和第二目标公共电极102b的间距m2为1.5μm。
在本申请实施例中，采用仿真软件可以得到本申请实施例提供的像素电极104的透过率曲线，如图5所示，该像素电极104两侧的第一区域S1和第二区域S2的透过率曲线相同，即该像素电极104的两侧的透过率不存在差异，该像素电极104两侧受到的耦合电场的干扰的程度相同，该像素电极104两侧对应的显示区域的亮度一致，显示装置的显示效果较好。并且，能够避免显示装置出现OSD残像，横纹以及trace mura等问题。
在本申请实施例中，参考图3，数据线103和像素电极104的间距，可以等于数据线103和公共电极102的间距，以及公共电极102和像素电极104的间距之和。例如，数据线103和第一目标像素电极104a的间距n1，可以等于数据线103和第一目标公共电极102a的间距m1，以及第一目标公共电极102a和第一目标像素电极104a的间距r1之和，即n1＝m1+r1。并且，数据线103和第二目标像素电极104b的间距n2，可以等于数据线103和第二目标公共电极102b的间距m2，以及第二目标公共电极102b和第二目标像素电极104b的间距r2之和，即n2＝m2+r2。
示例的，假设数据线103和第一目标像素电极104a的间距n1，以及数据线103和第二目标像素电极104b的间距n2均为5μm，且数据线103和第一目标公共电极102a的间距m1为3.5μm，数据线103和第二目标公共电极102b的间距m2为1.5μm，则第一目标公共电极102a和第一目标像素电极104a的间距r1＝n1-m1＝5μm-3.5μm＝1.5μm，第二目标公共电极102b和第二目标像素电极104b的间距r2＝n2-m2＝5μm-1.5μm＝3.5μm。
参考图3还可以看出，该多个公共电极102，多条数据线103，以及多个像素电极104可以沿远离衬底基板101的一侧依次层叠。也即是，该多个公共电极102可以位于衬底基板101的一侧，多条数据线103可以位于多个公共电极102远离衬底基板101的一侧，多个像素电极104可以位于多条数据线103远离多个公共电极102的一侧。当然，该多个公共电极102，多条数据线103，以及多个像素电极104还可以采用其他方式层叠设置，本申请实施例对此不做限定。
例如，多个像素电极104，多条数据线103，以及多个公共电极102可以沿远离衬底基板101的一侧依次层叠。也即是，该多个像素电极104可以位于衬底基板101的一侧，多条数据线103可以位于多个像素电极104远离衬底基板101的一侧，多个公共电极102可以位于多条数据线103远离多个像素电极104的一侧。
结合图3和图4可以看出，该阵列基板10还可以包括：多条栅(gata)线105和栅极绝缘层106。该多条栅线105可以位于衬底基板101的一侧，且每条栅线105的延伸方向X可以与多条数据线103中的任一数据线103的延伸方向Y相交，每条栅线105可以与一行像素电极104连接。该栅极绝缘层106可以位于多条栅线105远离衬底基板101的一侧。其中，图4中示出了两条栅线105以及三条数据线103，每条栅线105的延伸方向X可以与任一数据线103的延伸方向Y垂直。
需要说明的是，由于每条栅线105的延伸方向X可以与多条数据线103中的任一数据线103的延伸方向Y相交，因此在图5中示出了数据线103的截面的情况下，未示出栅线105。
参考图3还可以看出，该阵列基板10还可以包括：钝化层(passivation layer，PVX)107。该钝化层107可以位于多个公共电极102远离衬底基板101的一侧。也即是，该钝化层107可以位于多个公共电极102和多个像素电极104之间。
需要说明的是，该阵列基板10还可以包括：多个晶体管(图中未示出)。对于每个晶体管，该晶体管的栅极可以与栅线105连接，该晶体管的源极可以与数据线103连接，该晶体管的漏极可以与像素电极104连接。
综上所述，本申请实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板，多个公共电极，多条数据线，以及阵列排布的多个像素电极。对于每条数据线，该数据线和第一目标公共电极的间距，与该数据线和第二目标公共电极的间距不同，由此可以使得像素电极的两侧受到的干扰的程度一致，保证阵列基板中该像素电极的两侧对应的显示区域的亮度一致，显示装置的显示效果较好。并且，对于每条数据线，该数据线与位于该数据线两侧的第一目标像素和第二目标像素电极的间距相等，由此可以使得该数据线与位于该数据线两侧的两侧像素电极的耦合电容相同，显示装置的显示效果较好。
图6是本申请实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图。该方法可以用于制备上述实施例提供的阵列基板，例如以制备图3所示的阵列基板为例进行说明。参考图6，该方法可以包括：
步骤201、提供一衬底基板。
其中，该衬底基板101可以为透明的玻璃基板。
步骤202、在该衬底基板的一侧形成多个公共电极，多条数据线，以及阵列排布的多个像素电极。
在本申请实施例中，可以先在衬底基板101的一侧形成多个公共电极102，之后，再在多个公共电极102远离衬底基板101的一侧形成多条数据线103，最后，在该多条数据线103远离衬底基板101的一侧形成阵列排布的多个像素电极104。或者，可以先在衬底基板101的一侧形成阵列排布的多个像素电极104，之后，再在该多个像素电极104远离衬底基板101的一侧形成多条数据线103，最后，在多条数据线103远离衬底基板101的一侧形成多个公共电极102。本申请实施例对形成该多个公共电极102和多条数据线103的顺序不做限定。
其中，参考图3，每条数据线103在衬底基板101上的正投影可以与任一公共电极102在衬底基板101上的正投影不重叠。并且，对于每条数据线103，该数据线103和第一目标公共电极102a的间距m1，可以与数据线103和第二目标公共电极102b的间距m2不同，该第一目标公共电极102a和第二目标公共电极102b分别位于数据线103的两侧。
结合图3和图4，每个像素电极104在衬底基板101上的正投影，可以与任一数据线103在衬底基板101上的正投影不重叠。
其中，每列像素电极可以与一条数据线103连接。也即是，每条数据线103可以位于相邻两列像素电极之间，且与相邻两列像素电极中的一列像素电极连接，该数据线103可以用于为其所连接的一列像素电极提供数据信号。
参考图3，对于每条数据线103，该数据线103和第一目标像素电极104a的间距n1，可以与数据线103和第二目标像素电极104b的间距n2相等，该第一目标像素电极104a和第二目标像素电极104b可以分别位于数据线103的两侧。另外，该数据线103可以与第一目标像素电极104a和第二目标像素电极104b中的一个像素电极104连接。
由于数据线103与位于该数据线103的两侧的第一目标像素电极104a和第二目标像素电极104b的间距相等，因此该数据线103与第一目标像素电极104a的耦合电容，与数据线103与第二目标像素电极104b的耦合电容相同，显示装置的显示效果较好。
可选的，数据线103和第一目标像素电极104a的间距n1，以及数据线103和第二目标像素电极104b的间距n2的范围可以均为4.5μm至6μm。例如，n1＝n2＝5μm。
综上所述，本申请实施例提供了一种阵列基板的制造方法，该方法制造得到的阵列基板中，对于每条数据线，该数据线和第一目标公共电极的间距，与该数据线和第二目标公共电极的间距不同，由此可以使得像素电极的两侧受到的干扰的程度一致，保证阵列基板中该像素电极的两侧对应的显示区域的亮度一致，显示装置的显示效果较好。并且，对于每条数据线，该数据线与位于该数据线两侧的第一目标像素和第二目标像素电极的间距相等，由此可以使得该数据线与位于该数据线两侧的两侧像素电极的耦合电容相同，显示装置的显示效果较好。
图7是本申请实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图。该方法可以用于制备上述实施例提供的阵列基板，参考图7，该方法可以包括：
步骤301、提供一衬底基板。
其中，该衬底基板101可以为透明的玻璃基板。
步骤302、采用第一掩膜板在衬底基板的一侧形成多个公共电极。
在本申请实施例中，参考图8，可以采用图形化处理的方式在衬底基板的一侧形成多个公共电极。其中，该图形化处理可以包括：光刻胶(photo resist，PR)涂覆，曝光，显影，刻蚀和光刻胶剥离等工艺。并且，可以采用第一掩膜板(mask)对涂覆的光刻胶进行曝光。另外，该多个公共电极102可以由ITO材料制成。
其中，该第一掩膜板的设置位置相对于第一初始位置在垂直于数据线103的方向上偏移目标距离。可选的，该目标距离的范围可以为1μm至2μm。
该第一初始位置可以为相关技术中制备多个公共电极时的第一掩膜板的设置位置。而在本申请实施例中，将第一掩膜板的设置位置相对于该第一初始位置在垂直于数据线103的方向上偏移目标距离，可以使得后续形成的多条数据线103中的每条数据线103与该数据线103两侧的公共电极102的间距不同，从而保证阵列基板10中该像素电极104的两侧对应的显示区域区域的亮度一致，显示装置的显示效果较好。
步骤303、在多个公共电极远离衬底基板的一侧形成多条栅线。
在本申请实施例中，可以采用图形化处理的方式在多个公共电极102远离衬底基板的一侧形成多条栅线105。其中，可以采用第三掩膜板制备本申请实施例的多条栅线。并且，该第三掩膜板的设置位置可以与相关技术中制备栅线的第三掩膜板的第三初始位置相同。
步骤304、在多条栅线远离衬底基板的一侧形成栅极绝缘层。
在本申请实施例中，参考图9，在制备得到多条栅线之后，可以在该多条栅线远离衬底基板101的一侧形成栅极绝缘层106。
步骤305、在栅极绝缘层远离衬底基板的一侧形成多条数据线。
在本申请实施例中，参考图10，在制备得到栅极绝缘层106之后，可以采用图像化处理的方式在该栅极绝缘层106远离衬底基板101的一侧形成多条数据线103。其中，可以采用第二掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光。并且，该第二掩膜板的设置位置可以与相关技术中制备数据线的第二掩膜板的第二初始位置相同。
步骤306、在多条数据线远离衬底基板的一侧形成钝化层。
在本申请实施例中，参考图11，在制备得到多条数据线103之后，可以在多条数据线远离衬底基板101的一侧形成钝化层107。
步骤307、在钝化层远离衬底基板的一侧形成阵列排布的多个像素电极。
在本申请实施例中，可以采用图形化处理的方式在钝化层远离衬底基板101的一侧形成多个像素电极104。其中，可以采用第四掩膜板制备本申请实施例的像素电极。并且，该第四掩膜板的设置位置可以与相关技术中制备栅线的第四掩膜板的第四初始位置相同。另外，该多个像素电极104可以由ITO材料制成。
并且，参考图3，每个像素电极104在衬底基板101上的正投影，可以与任一条数据线103在衬底基板101上的正投影不重叠，每列像素电极104与一条数据线103连接。
需要说明的是，本申请实施例提供的阵列基板的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减。例如，步骤307可以与步骤302交换顺序，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供了一种阵列基板的制造方法，该方法在制备多个公共电极时将采用的第一掩膜板的设置位置相对于第一初始位置在垂直于数据线的延伸方向上偏移目标距离，以使得后续形成的多条数据线中的每条数据线与该数据线两侧的公共电极的间距不同，由此可以使得像素电极的两侧受到的干扰的程度一致，保证阵列基板中该像素电极的两侧对应的显示区域的亮度一致，显示装置的显示效果较好。
图12是本申请实施例提供的又一种阵列基板的制造方法的流程图。参考图12可以看出，该方法可以包括：
步骤401、提供一衬底基板。
其中，该衬底基板101可以为透明的玻璃基板。
步骤402、在衬底基板的一侧形成多个公共电极。
在本申请实施例中，参考图13，可以采用图形化处理的方式在衬底基板101的一侧形成多个公共电极102，其中，该图形化处理可以包括：光刻胶涂覆，曝光，显影，刻蚀和光刻胶剥离等工艺。并且，可以采用第一掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光。另外，该多个公共电极102可以由ITO材料制成。
其中，该第一掩膜板的设置位置可以与相关技术中制备该多个公共电极102的第一掩膜板的第一初始位置相同。
步骤403、在多个公共电极远离衬底基板的一侧形成多条栅线。
其中，可以在多个公共电极远离衬底基板的一侧形成多条栅线，且制备该多条栅线的方法可以参考上述步骤303，本申请实施例在此不再赘述。
步骤404、在多条栅线远离衬底基板的一侧形成栅极绝缘层。
其中，参考图14，可以在多条栅线远离衬底基板的一侧形成栅极绝缘层，且制备该栅极绝缘层的方法可以参考上述步骤304，本申请实施例在此不再赘述。
步骤405、采用第二掩膜板在栅极绝缘层远离衬底基板的一侧形成多条数据线。
在本申请实施例中，参考图15，可以采用图形化处理的方式在该栅极绝缘层106远离衬底基板101的一侧形成多条数据线103。并且，可以采用第二掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光。
其中，该第二掩膜板的设置位置相对于第二初始位置在垂直与数据线103的方向上偏移目标距离。可选的，该目标距离的范围可以为1μm至2μm。
该第二初始位置可以为相关技术中制备多条数据线时的第二掩膜板的设置位置。而在本申请实施例中，将第二掩膜板的设置位置相对于第二初始位置在垂直于数据线103的延伸方向上偏移目标距离，可以使得该多条数据线103中的每条数据线103可以与该数据线103两侧的公共电极102的间距不同，从而保证阵列基板10中该像素电极104的两侧对应的显示区域的亮度一致，显示装置的显示效果较好。
步骤406、在多条数据线远离衬底基板的一侧形成钝化层。
其中，参考图16，可以在多条数据线远离衬底基板的一侧形成钝化层。并且，在形成该钝化层时，可以根据步骤405形成的多条数据线103进行对位。
步骤407、在钝化层远离衬底基板的一侧形成阵列排布的多个像素电极。
在本申请实施例中，可以采用图形化处理的方式在钝化层远离衬底基板101的一侧形成多个像素电极104。并且，在形成多个像素电极104时，可以根据步骤405形成的多条数据线103进行对位。也即是，在采用第四掩膜板对涂覆的光刻胶进行曝光时，该第四掩膜板的设置位置相对于第四初始位置在垂直于数据线103的延伸方向上偏移目标距离。并且，该第四掩膜板的偏移方向可以与第二掩膜板的偏移方向相同。另外，该多个像素电极104可以由ITO材料制成。
其中，参考图17，每个像素电极104在衬底基板101上的正投影，可以与任一条数据线103在衬底基板101上的正投影不重叠，每列像素电极104与一条数据线103连接。
需要说明的是，本申请实施例提供的阵列基板的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减。例如步骤407可以与步骤402交换顺序，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供了一种阵列基板的制造方法，该方法在制备多条数据线时将采用的第二掩膜板的设置位置相对于第二初始位置在垂直于数据线的延伸方向上偏移目标距离，以使形成的多条数据线中的每条数据线与该数据线两侧的公共电极的间距不同，由此可以使得像素电极的两侧受到的干扰的程度一致，保证阵列基板中该像素电极的两侧对应的显示区域的亮度一致，显示装置的显示效果较好。
图18是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参考图18可以看出，该显示装置可以包括：驱动电路50以及如上述实施例提供的阵列基板10。
参考图18，该驱动电路50可以包括：栅极驱动电路501和源极驱动电路502。该栅极驱动电路501可以通过栅线105与阵列基板10中的各行像素电极104连接，用于为各行像素电极104提供栅极驱动信号。源极驱动电路502可以通过数据线103与阵列基板10中的各列像素电极104连接，用于为各列像素电极104提供数据信号。
图19是本申请实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。参考图19可以看出，该显示装置还可以包括：彩膜基板60和液晶层70。该液晶层70可以位于阵列基板10和彩膜基板60之间。
该彩膜基板60可以包括：透明的玻璃基板601和位于该玻璃基板601靠近液晶层70的一侧的黑矩阵(black matrix，BM)层602。
需要说明的是，黑矩阵层602和公共电极102的间距，可以等于黑矩阵层602和像素电极104的间距，与公共电极102和像素电极104的间距之和。例如，参考图20，黑矩阵层602和第一目标公共电极102a的间距d1，等于黑矩阵层602和第一目标像素电极104a的间距k1，与第一目标公共电极102a和第一目标像素电极104a的间距r1之和，即d1＝k1+r1。并且，黑矩阵层602和第二目标公共电极102b的间距d2，等于黑矩阵层602和第二目标像素电极104b的间距k2，与第二目标公共电极102b和第二目标像素电极104b的间距r2之和，即d2＝k2+r2。
其中，图19所示的显示装置中的阵列基板10是采用步骤301至步骤307制备得到的。而彩膜基板60在与该阵列基板10对盒时，是与该阵列基板10中的数据线103进行对位的，因此黑矩阵层602和第一目标公共电极102a的间距d1，小于黑矩阵层602和第二目标公共电极102b的间距。
示例的，假设黑矩阵层602和第一目标像素电极104a的间距k1，以及黑矩阵层602和第二目标像素电极104b的间距k2均为2μm，且第一目标公共电极102a和第一目标像素电极104a的间距r1为1.5μm，第二目标公共电极102b和第二目标像素电极104b的间距r2为3.5μm。因此，黑矩阵层602和第一目标公共电极102a的间距d1＝k1+r1＝2μm+1.5μm＝3.5μm，黑矩阵层602和第二目标公共电极102b的间距d2＝k2+r2＝2μm+3.5μm＝5.5μm。
在本申请实施例中，图20所示的显示装置中的阵列基板10是采用步骤401至步骤407制备得到的，而彩膜基板60在与该阵列基板10对盒时，是与该阵列基板10中的数据线103进行对位的，因此黑矩阵层602和第一目标公共电极102a的间距d1，等于黑矩阵层602和第二目标公共电极102b的间距。
示例的，假设黑矩阵层602和第一目标像素电极104a的间距k1为3μm，黑矩阵层602和第二目标像素电极104b的间距k2为1μm，且第一目标公共电极102a和第一目标像素电极104a的间距r1为1.5μm，第二目标公共电极102b和第二目标像素电极104b的间距r2为3.5μm。因此，黑矩阵层602和第一目标公共电极102a的间距d1＝k1+r1＝3μm+1.5μm＝4.5μm，黑矩阵层602和第二目标公共电极102b的间距d2＝k2+r2＝1μm+3.5μm＝4.5μm。
可选的，该显示装置可以为液晶显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板；
多个公共电极，所述多个公共电极位于所述衬底基板的一侧；
多条数据线，所述多条数据线位于所述衬底基板的一侧，每条所述数据线在所述衬底基板上的正投影与任一所述公共电极在所述衬底基板上的正投影不重叠，且对于每条所述数据线，所述数据线和第一目标公共电极的间距，与所述数据线和第二目标公共电极的间距不同，所述第一目标公共电极和所述第二目标公共电极分别位于所述数据线的两侧；
以及阵列排布的多个像素电极，所述多个像素电极位于所述衬底基板的一侧，且每个所述像素电极在所述衬底基板上的正投影，与任一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影不重叠，其中，每列所述像素电极与一条所述数据线连接，对于每条所述数据线，所述数据线和第一目标像素电极的间距，与所述数据线和第二目标像素电极的间距相等，所述第一目标像素电极和所述第二目标像素电极分别位于所述数据线的两侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，对于每条所述数据线，所述数据线和所述第一目标公共电极的间距，大于所述数据线和所述第二目标公共电极的间距，且所述数据线所连接的像素电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一目标公共电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个公共电极，所述多条数据线，以及所述多个像素电极沿远离所述衬底基板的一侧依次层叠。
4.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，对于每条所述数据线，所述数据线和所述第一目标公共电极的间距的范围为3.5微米至4.5微米，所述数据线和第二目标公共电极的间距的范围为0.5微米至1.5微米。
5.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：多条栅线和栅极绝缘层；
所述多条栅线位于所述衬底基板的一侧，且每条所述栅线的延伸方向与所述多条数据线中的任一所述数据线的延伸方向相交；
所述栅极绝缘层位于所述多条栅线远离所述衬底基板的一侧。
6.根据权利要求1至3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：钝化层；
所述钝化层位于所述多个公共电极远离所述衬底基板的一侧。
7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极，多条数据线，以及阵列排布的多个像素电极；
其中，每条所述数据线在所述衬底基板上的正投影与任一所述公共电极在所述衬底基板上的正投影不重叠，且对于每条所述数据线，所述数据线和第一目标公共电极的间距，与所述数据线和第二目标公共电极的间距不同，所述第一目标公共电极和所述第二目标公共电极分别位于所述数据线的两侧；
每个所述像素电极在所述衬底基板上的正投影，与任一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影不重叠，其中，每列所述像素电极与一条所述数据线连接，对于每条所述数据线，所述数据线和第一目标像素电极的间距，与所述数据线和第二目标像素电极的间距相等，所述第一目标像素电极和所述第二目标像素电极分别位于所述数据线的两侧。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在衬底基板的一侧形成多个公共电极，包括：
采用第一掩膜板在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极，其中所述第一掩膜板的设置位置相对于第一初始位置在垂直于所述数据线的方向上偏移目标距离。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在衬底基板的一侧形成多条数据线，包括：
采用第二掩膜板在所述衬底基板的一侧形成多条数据线，其中所述第二掩膜板的设置位置相对于第二初始位置在垂直于所述数据线的方向上偏移目标距离。
10.根据权利要求7至9任一所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极和多条数据线，包括：
在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极；
在所述多个公共电极远离所述衬底基板的一侧形成多条数据线。
11.根据权利要10所述的制造方法，其特征在于，在所述多个公共电极远离所述衬底基板的一侧形成多条数据线之后，所述方法还包括：
在所述多条数据线远离所述衬底基板的一侧形成阵列排布的多个像素电极；
其中，每个所述像素电极在所述衬底基板上的正投影，与任一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影不重叠，每列所述像素电极与一条所述数据线连接。
12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的一侧形成多个公共电极之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板的一侧形成多条栅线；
在所述多条栅线远离所述衬底基板的一侧形成栅极绝缘层；
所述在所述多个公共电极远离所述衬底基板的一侧形成多条数据线之后，所述方法还包括：
在所述多条数据线远离衬底基板的一侧形成钝化层。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：驱动电路以及如权利要求1至6任一所述的阵列基板；
所述驱动电路与所述阵列基板中的多条数据线连接，用于为每条所述数据线提供数据信号。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：黑矩阵层；
所述黑矩阵层和所述阵列基板中第一目标公共电极的间距，等于所述黑矩阵层和所述阵列基板中第一目标像素电极的间距，与所述第一公共电极和所述第一目标像素电极的间距之和；
所述黑矩阵层和所述阵列基板中第二目标公共电极的间距，等于所述黑矩阵层和所述阵列基板中第二目标像素电极的间距，与所述第二公共电极和所述第二目标像素电极的间距之和。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述黑矩阵层和所述第一目标公共电极的间距，小于所述黑矩阵层和所述第二目标公共电极的间距；
或者，所述黑矩阵层和所述第一目标公共电极的间距，等于所述黑矩阵层和所述第二目标公共电极的间距。
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