CN113921375A - 一种SiC基GaN外延结构的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种SiC基GaN外延结构的制作方法，本方法通过在PVD装置内生长AlN层，避免MOCVD原位生长AlN来有效提升MOCVD的生产效率和稳定性。由于AlN层和GaN基外延结构的形成分别在PVD和MOCVD反应室完成，SiC衬底上的AlN层在MOCVD反应室外完成生长，不存在MOCVD设备原位生长AlN层的情况，MOCVD设备中的石墨件表面只覆盖有GaN，不存在AlN，可以避免石墨件出现起皮掉颗粒的现象，从而影响后续膜层生长质量。因此本发明无需对MOCVD反应室内的石墨件进行频繁更换或清理，可以节省石墨件清洗或更换的时间，有效提升SiC基GaN外延结构的生产效率和稳定性，降低生产成本。

Description

一种SiC基GaN外延结构的制作方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种SiC基GaN外延结构的制作方法。
背景技术
GaN材料作为第三代半导体的典型代表，具有高性能、高可靠性、低成本等优点。GaN材料的其中一种重要应用为高电子迁移率晶体管(High Electron MobilityTransistor，HEMT)，HEMT具有超高速、低功耗与低噪声等优点，被广泛地应用于高频信号处理、卫星通信、微波与毫米波器件等领域。
在以HEMT为例的GaN基外延材料的制作工艺中，GaN基外延材料制作在蓝宝石、SiC等衬底上，由于衬底与GaN存在晶格不匹配问题，如SiC与GaN间晶格失配率为3.5％，需要引入一定厚度(纳米级)的成核层(AlGaN或AIN)来减小该失配引起的界面张力。该成核层对减小界面失配、缺陷或陷阱效应引起的电流崩塌，降低静态电流泄漏及射频传导和改善射频性能有重要作用。
通常采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的GaN基外延材料，在生长GaN基外延材料之前需要采用MOCVD原位生长的AlN层作为成核层，MOCVD生长高质量AlN的温度需大于1100℃且生长速率缓慢，AlN层生长耗时占总时间的约1/3。在MOCVD设备中生长AlN时，在MOCVD反应室腔体石墨件上会覆盖有十分致密的AlN，每炉生长结束需炉外高温烘烤或者原位用Cl2刻蚀清理石墨件去除AlN，否则下一炉生长时由于石墨件的表面中既覆盖有AlN又覆盖有GaN，二者之间由于大的应力，在石墨件上非常容易起皮产生颗粒，从而严重影响连续生长第二炉外延结构的质量。将反应室石墨件进行炉外高温烘烤时需要进行更换备件，并在MOCVD反应室内更换新备件，更换备件耗时长且对石墨件一致性要求高。若在MOCVD反应室内石墨件采用原位Cl2清理，则将会占掉设备1/3～1/2产能，使生产效率降低，生产成本高。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种提升SiC基GaN外延结构生长效率的制作方法。为了实现以上目的，本发明的技术方案为：
一种SiC基GaN外延结构的制作方法，包括以下步骤：
1)将SiC衬底放置于PVD装置内生长AlN层；
2)将其中一批次的形成有AlN层的SiC衬底从所述PVD装置转移至MOCVD反应室内；
3)在所述MOCVD反应室内通过MOCVD工艺生长GaN基外延结构，生长结束后将所述SiC衬底转移至下一工序；
4)无需清洁所述MOCVD反应室内的石墨件，多次重复步骤2-3将其它每一批次的形成有AlN层的SiC衬底依次转移至所述MOCVD反应室内完成连续多炉次生长GaN基外延结构。
在可选的实施例中，所述步骤1的AlN层在MOCVD反应室外采用PVD溅射工艺完成，PVD溅射工艺的气氛为N2/Ar/微量O2，温度为150-500℃，压力为3-10mTorr，所述AlN层的生长速度为
Figure BDA0003229808880000021
在可选的实施例中，所述AlN层的厚度为10nm-50nm，C含量小于1E16Atoms/cm3。
在可选的实施例中，所述步骤3还包括在MOCVD反应室内对AlN层进行回火处理，回火处理的气氛为N2/H2混合气体，温度为1050-1200℃，时间为10min-20min。
在可选的实施例中，所述步骤4中所述连续多炉次中的炉次数大于2小于20。
在可选的实施例中，步骤4中所述无需清洁所述MOCVD反应室内的石墨件包括：每炉反应结束后无需对MOCVD反应室石墨件进行更换或原位Cl2清洁。
在可选的实施例中，所述GaN基外延结构包括GaN层和/或HEMT结构势垒层。
在可选的实施例中，所述GaN层包括依次设于所述AlN层上的第一GaN层、第二GaN层和第三GaN层。
在可选的实施例中，所述第一GaN层中Al含量为0-5％，所述第一GaN层的C含量为5E16-1E17Atoms/cm3，所述第二GaN层的C含量小于5E16 Atoms/cm3，所述第三GaN层的C含量小于1E16 Atoms/cm3。
在可选的实施例中，所述第一GaN层的生长温度为800-1000℃，压力为500-700mbar，生长速率为0.5-1um/h；所述第二GaN层的生长温度为1050℃-1100℃，压力为200-300mbar，生长速率为1.2-2um/h；所述第三GaN层的生长温度为1000℃-1080℃，压力为200-300mbar，生长速率为1.2-2um/h。
本发明的有益效果为：
(1)本发明的SiC基GaN外延结构的制作方法在PVD装置内完成AlN层的制作，再将溅镀有AlN层的SiC衬底转移至MOCVD反应室内完成GaN基外延结构的制作，由于SiC衬底上的AlN层已经在MOCVD反应室外完成生长，石墨件上只覆盖有GaN，不存在应力，在石墨件上不会出现起皮掉颗粒现象，同一石墨件可连续使用10-20炉次，极大提升了MOCVD生产效率。
(2)本发明避免了原位生长AlN耗时、反应室清理耗时等问题，可使MOCVD设备单台产能提升30％～50％，降低生产成本。
(3)本发明获得的GaN基外延结构与传统方式MOCVD原位生长AlN后得到的GaN基外延结构具有相同性能，不会对器件性能造成很大的影响。
附图说明
图1为本申请的实施例的SiC基GaN外延结构的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明做进一步解释。本发明的各附图仅为示意以更容易了解本发明，其具体比例可依照设计需求进行调整。文中所描述的图形中相对元件的上下关系以及正面/背面的定义，在本领域技术人员应能理解是指构件的相对位置而言，因此皆可以翻转而呈现相同的构件，此皆应同属本说明书所揭露的范围。
本发明可以适用于MOCVD生长SiC基GaN材料的工艺中，以下实施例以HEMT器件的制作工艺为例进行详细解释。
请参考图1，本申请的实施例提出了一种SiC基GaN外延结构的制作方法，包括以下步骤：
(1)将SiC衬底放置于PVD装置内，在SiC衬底上采用PVD溅射工艺生长厚度为10nm-50nm的AlN层。具体地，将洁净的SiC衬底在无尘环境下放入PVD装置中进行AlN溅镀，在N2/Ar/微量O2氛围下进行溅镀，溅镀时间为20s-100s，温度为150-500℃，压力为3-10mTorr，所述AlN层的生长速度为
Figure BDA0003229808880000041
得到的所述AlN层的C含量小于1E16Atoms/cm3。AlN层作为成核层可以解决SiC与GaN之间的晶格不匹配问题，减小界面失配、缺陷或陷阱效应引起的电流崩塌。在本实施例中，可以将SiC衬底一个一个放入PVD装置内，也可以多个SiC衬底一起放入PVD装置内，优选地，可将多片SiC衬底同时放在同一托盘上一次性多片批量进行PVD溅镀AlN层，进一步提升生产效率。
(2)将其中一个批次的形成有AlN层的SiC衬底从PVD装置内转移至MOCVD反应室内，并对AlN层进行回火处理，使溅镀完成的AlN层再结晶。回火处理在气氛为N2/H2混合气体下进行，回火处理的温度为1050-1200℃，时间为10min-20min。经过回火处理之后可以得到高质量的AlN层，使得PVD溅镀得到的AlN层与在MOCVD反应室内生长的AlN层的性能相当，可以有效改善SiC基GaN外延结构的射频性能。一个批次的形成有AlN层的SiC衬底可以是一个一个放入MOCVD反应室内，也可以是多个形成有AlN层的SiC衬底一起放入MOCVD反应室内。
(3)在所述AlN层上采用MOCVD工艺生长GaN层。其中所述GaN层包括依次设于所述AlN层上的第一GaN层、第二GaN层和第三GaN层。具体地，所述第一GaN层中Al含量为0-5％，所述第一GaN层的C含量为5E16-1E17 Atoms/cm3，所述第二GaN层的C含量小于5E16 Atoms/cm3，所述第三GaN层的C含量小于1E16 Atoms/cm3。在HEMT器件中GaN层与势垒层之间形成二维电子气。所述GaN层的具体生长条件如下：
首先，在MOCVD设备中生长厚度为100nm-300nm的第一GaN层，所述第一GaN层的生长温度为800-1000℃，压力为500-700mbar，生长速率为0.5-1um/h。
其次，在MOCVD设备中升温生长厚度为500nm-1000nm的第二GaN层，所述第二GaN层的生长温度为1050℃-1100℃，压力为200-300mbar，生长速率为1.2-2um/h。
最后，在MOCVD设备中继续生长厚度为100nm-200nm的第三GaN层，所述第三GaN层的生长温度为1000℃-1080℃，压力为200-300mbar，生长速率为1.2-2um/h。
(4)在所述GaN层上采用MOCVD工艺生长HEMT结构势垒层。生长HEMT结构势垒层后，即完成GaN基外延结构的生长，再将SiC衬底转移到下一个工序，MOCVD反应室无需清洗或更换石墨件，也就是每炉反应结束后无需对MOCVD反应室石墨件进行更换或原位Cl2清洁。将另一批次的形成有AlN层的SiC衬底放入MOCVD反应室内进行回火处理，并在AlN层上通过MOCVD工艺生长GaN基外延结构，再将SiC衬底转移到下一个工序，依次类推，其它每一批次的形成有AlN层的SiC衬底依次连续放入所述MOCVD反应室内完成连续多炉次生长GaN基外延结构。具体地，所述连续多炉次中的炉次数大于2小于20。
以上过程中所述AlN层与GaN基外延结构的生长分别在PVD和MOCVD两种设备中进行，MOCVD反应室内的石墨件表面不会存在AlN与GaN两种覆盖层，就可以避免由于AlN与GaN两种覆盖层之间存在的应力，导致出现起皮现象产生颗粒，从而影响下一炉次MOCVD工艺生长膜层的质量。因此也无需频繁更换石墨件或者对石墨件进行频繁清理，同一石墨件可连续使用10-20炉次，极大提升了MOCVD的生产效率。
在已经形成有AlN层的SiC衬底上采用MOCVD工艺进行GaN基外延结构的生长，最终制作得到的HEMT器件的外延结构的性能与传统MOCVD原位生长AlN层和GaN基外延结构的性能一样。并且将AlN层和GaN基外延结构分开在两种PVD装置和MOCVD反应室中制作，两种设备的运行可以实现连续，减少在MOCVD原位生长高质量AlN所需的时间，有效提升生产效率。由于在不同批次的SiC基GaN外延结构制作工序之间无需清理或更换石墨件，因此单台MOCVD设备的生产效率可以提升30％-50％。
本发明无需在MOCVD的反应腔室内生长AlN层，只需生长GaN基外延结构，因此无需对MOCVD的反应室内的石墨件进行更换或清洗，大大降低生产时间和成本，有效提高生产效率，本发明的SiC基GaN外延结构的制作方法可以推广至MOCVD生长SiC基GaN材料的制程中。
上述实施例仅用来进一步说明本发明的一种SiC基GaN外延结构的制作方法，但本发明并不局限于实施例，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本发明技术方案的保护范围内。

Claims (10)

1.一种SiC基GaN外延结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)将SiC衬底放置于PVD装置内生长AlN层；
2)将其中一批次的形成有AlN层的SiC衬底从所述PVD装置转移至MOCVD反应室内；
3)在所述MOCVD反应室内通过MOCVD工艺生长GaN基外延结构，生长结束后将所述SiC衬底转移至下一工序；
4)无需清洁所述MOCVD反应室内的石墨件，将其它每一批次的形成有AlN层的SiC衬底依次转移至所述MOCVD反应室内完成连续多炉次生长GaN基外延结构。
2.根据权利要求1所述的SiC基GaN外延结构的制作方法，其特征在于：所述步骤1的AlN层采用PVD溅射工艺完成，PVD溅射工艺的气氛为N2/Ar/微量O2，温度为150-500℃，压力为3-10mTorr，所述AlN层的生长速度为
Figure FDA0003229808870000011
3.根据权利要求1所述的SiC基GaN外延结构的制作方法，其特征在于：所述AlN层的厚度为10nm-50nm，C含量小于1E16Atoms/cm3。
4.根据权利要求1所述的SiC基GaN外延结构的制作方法，其特征在于：所述步骤3还包括在MOCVD反应室内对AlN层进行回火处理，回火处理的气氛为N2/H2混合气体，温度为1050-1200℃，时间为10min-20min。
5.根据权利要求1所述的SiC基GaN外延结构的制作方法，其特征在于：所述步骤4中所述连续多炉次中的炉次数大于2小于20。
6.根据权利要求1所述的SiC基GaN外延结构的制作方法，其特征在于：步骤4中所述无需清洁所述MOCVD反应室内的石墨件包括：每炉反应结束后无需对MOCVD反应室石墨件进行更换或原位Cl2清洁。
7.根据权利要求1所述的SiC基GaN外延结构的制作方法，其特征在于：所述GaN基外延结构包括GaN层和/或HEMT结构势垒层。
8.根据权利要求7所述的SiC基GaN外延结构的制作方法，其特征在于：所述GaN层包括依次设于所述AlN层上的第一GaN层、第二GaN层和第三GaN层。
9.根据权利要求8所述的SiC基GaN外延结构的制作方法，其特征在于：所述第一GaN层中Al含量为0-5％，所述第一GaN层的C含量为5E16-1E17Atoms/cm3，所述第二GaN层的C含量小于5E16 Atoms/cm3，所述第三GaN层的C含量小于1E16Atoms/cm3。
10.根据权利要求8所述的SiC基GaN外延结构的制作方法，其特征在于：所述第一GaN层的生长温度为800-1000℃，压力为500-700mbar，生长速率为0.5-1um/h；所述第二GaN层的生长温度为1050℃-1100℃，压力为200-300mbar，生长速率为1.2-2um/h；所述第三GaN层的生长温度为1000℃-1080℃，压力为200-300mbar，生长速率为1.2-2um/h。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105296948A (zh) * 2015-11-03 2016-02-03 湘能华磊光电股份有限公司 一种提高GaN基LED光电性能的外延生长方法
CN105633232A (zh) * 2014-10-30 2016-06-01 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法
JP2020188143A (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 スタンレー電気株式会社 半導体多層膜反射鏡を用いた垂直共振器型発光素子及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105633232A (zh) * 2014-10-30 2016-06-01 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法
CN105296948A (zh) * 2015-11-03 2016-02-03 湘能华磊光电股份有限公司 一种提高GaN基LED光电性能的外延生长方法
JP2020188143A (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 スタンレー電気株式会社 半導体多層膜反射鏡を用いた垂直共振器型発光素子及びその製造方法

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