CN113903844B - 倒装红光二极管芯片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了倒装红光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在支撑衬底上通过衬底键合金属层与外延键合金属层键合之后，支撑衬底对外延键合金属层上的外延结构起到支撑作。衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层，外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层，Ag材料将光线有效反射至出光面，In金属子层降低得到的红光二极管中由于高温产生的热应力提高红光二极管的质量以提高红光二极管的出光效率。

Description

倒装红光二极管芯片及其制备方法
技术领域
本公开涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种倒装红光二极管芯片及其制备方法。
背景技术
红光发光二极管是一种常见光源器件，广泛应用于远程遥控，车辆传感，闭路电视等方面，红光发光二极芯片则是用于制备红光发光二极管的基础结构。红光发光二极管芯片通常包括外延片与p、n电极。外延片包括支撑衬底及依次层叠在支撑衬底上的n-AlGaInP电流扩展层、n-AlGaInP欧姆接触层、n-AlInP限制层、有源层、p-AlInP限制层、布拉格反射镜、p-GaP欧姆接触层。p-GaP欧姆接触层上具有延伸至n-AlGaInP欧姆接触层的凹槽，红光发光二极芯片的p电极可设置在p-GaP欧姆接触层上，红光发光二极芯片的n电极可设置在n-AlGaInP欧姆接触层被凹槽暴露的表面上。
外延片中的在衬底上生长的外延层，限于衬底以及外延材料之间的晶格失配以及内部的应力，导致得到的红光发光二极管芯片的质量仍不够理想，影响最终得到的红光发光二极管的出光效率。
发明内容
本公开实施例提供了倒装红光二极管芯片及其制备方法，能够提高得到的红光发光二极管芯片的质量以提高红光发光二极管芯片的出光效率。所述技术方案如下：
本公开实施例提供了一种倒装红光二极管芯片，所述倒装红光二极管芯片包括外延片、p电极与n电极，
所述外延片包括支撑衬底及依次层叠在所述支撑衬底上的衬底键合金属层、外延键合金属层、反射层、p-GaP欧姆接触层、p-AlInP限制层、有源层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP窗口层与n-GaAs欧姆接触层，
所述衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层，所述外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层，
所述p电极位于所述支撑衬底远离所述n电极的一面上，所述n电极位于所述n-GaAs欧姆接触层上。
可选地，所述衬底Ag金属子层的厚度大于所述外延Ag金属子层的厚度，所述衬底In金属子层的厚度大于所述外延In金属子层的厚度。
可选地，所述衬底Ag金属子层的厚度小于所述衬底In金属子层的厚度。
可选地，所述反射层包括网状反射金属层与SiOF子层，所述SiOF子层填充在所述网状反射金属层的网格内。
可选地，所述SiOF子层中Si元素含量为51～62％，所述SiOF子层中O元素含量为32～38％，所述SiOF子层中F元素含量为6～11％。
可选地，所述反射金属层包括依次层叠的第一Au金属子层、金锌合金层与第二Au金属子层。
本公开实施例提供了一种倒装红光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：
提供一支撑衬底与一外延结构；
所述外延结构包括依次层叠的外延键合金属层、反射层、p-GaP欧姆接触层、p-AlInP限制层、有源层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP窗口层与n-GaAs欧姆接触层，所述外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层；
在所述支撑衬底上生长衬底金属键合层，所述衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层；
将所述外延键合金属层与所述衬底键合金属层键合；
在所述支撑衬底远离所述n-GaAs欧姆接触层的一面形成p电极；
在所述n-GaAs欧姆接触层的表面形成n电极。
可选地，所述提供一外延结构包括：
提供一砷化镓衬底；
在所述砷化镓衬底上依次生长AlAs牺牲层、GaInP截止层、n-GaAs欧姆接触层、n-AlGaInP窗口层、n-AlInP限制层、有源层、p-AlInP限制层、p-GaP欧姆接触层、反射层与外延键合金属层；
将所述砷化镓衬底与所述GaInP截止层放置在剥离溶液中，所述剥离溶液与所述AlAs牺牲层反应以分离所述砷化镓衬底与所述GaInP截止层；
去除所述GaInP截止层以得到所述外延结构。
可选地，所述剥离溶液包括氢氟酸，将所述砷化镓衬底与所述GaInP截止层放置在剥离溶液中10～30min。
可选地，使用具有粘性的蓝膜将所述GaInP截止层与所述n-GaAs欧姆接触层分离。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：
倒装红光二极管中，在支撑衬底上通过衬底键合金属层与外延键合金属层键合之后，支撑衬底可以对外延键合金属层上的外延结构起到支撑作用。衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层，外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层，衬底键合金属层与外延键合金属层中的Ag材料可以起到良好的反射作用，可以将光线有效反射至出光面，提高得到的红光二极管芯片的出光效率。同时由于直接键合接触的金属为In，In金属子层之间键合所需温度较低即刻可实现良好的粘连，可以降低得到的红光二极管中由于高温产生的热应力，热应力的减少可以减小由应力导致的形变缺陷，可以提高红光二极管的质量以提高红光二极管的出光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种倒装红光二极管芯片的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的另一种倒装红光二极管芯片的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的另一种倒装红光二极管芯片的俯视图；
图4是本公开实施例提供的一种倒装红光二极管芯片的制备方法流程图；
图5是本公开实施例提供的另一种倒装红光二极管芯片的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种倒装红光二极管芯片的结构示意图，参考图1可知，本公开实施例提供了一种倒装红光二极管芯片，倒装红光二极管芯片包括外延片1、p电极2与n电极3。
外延片1包括支撑衬底101及依次层叠在支撑衬底101上的衬底键合金属层102、外延键合金属层103、反射层104、p-GaP欧姆接触层105、p-AlInP限制层106、有源层107、n-AlInP限制层108、n-AlGaInP窗口层109与n-GaAs欧姆接触层110。
衬底键合金属层102包括依次层叠的衬底Cr金属子层1021、衬底Pt金属子层1022、衬底Ag金属子层1023与衬底In金属子层1024，外延键合金属层103包括依次层叠的外延In金属子层1031、外延Ag金属子层1032、外延Pt金属子层1033、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层1034。
p电极2位于支撑衬底101远离n电极3的一面上，n电极3位于n-GaAs欧姆接触层110上。
倒装红光二极管中，在支撑衬底101上通过衬底键合金属层102与外延键合金属层103键合之后，支撑衬底101可以对外延键合金属层103上的外延结构起到支撑作用。衬底键合金属层102包括依次层叠的衬底Cr金属子层1021、衬底Pt金属子层1022、衬底Ag金属子层1023与衬底In金属子层1024，外延键合金属层103包括依次层叠的外延In金属子层1031、外延Ag金属子层1032、外延Pt金属子层1033、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层1034，衬底键合金属层102与外延键合金属层103中的Ag材料可以起到良好的反射作用，可以将光线有效反射至出光面，提高得到的红光二极管芯片的出光效率。同时由于直接键合接触的金属为In，In金属子层之间键合所需温度较低即刻可实现良好的粘连，可以降低得到的红光二极管中由于高温产生的热应力，热应力的减少可以减小由应力导致的形变缺陷，可以提高红光二极管的质量以提高红光二极管的出光效率。
示例性地，衬底键合金属层102的厚度大于外延键合金属层103的厚度。
衬底键合金属层102的厚度大于外延键合金属层103的厚度，可以保证支撑衬底101对整个外延结构的良好支撑，且不会再外延结构中留下较多的热应力，也便于热量的释放。
可选地，衬底键合金属层102的厚度可为4.5um～5.5um。能够保证键合稳定性。
示例性地，衬底Cr金属子层1021的厚度与衬底Pt金属子层1022的厚度可相等。便于制备且整体成本不会过高，也可以实现与其他结构之间良好的粘连。
可选地，衬底Cr金属子层1021的厚度与衬底Pt金属子层1022的厚度均可为45～60nm。能够得到键合稳定性较强且连接性较好的外延片1。
可选地，衬底Ag金属子层1023的厚度小于衬底In金属子层1024的厚度。
衬底Ag金属子层1023的厚度小于衬底In金属子层1024的厚度，一方面可以减小成本，另一方面可以保证直接接触的In金属子层之间有效释放热量。
示例性地，衬底Ag金属子层1023的厚度为0.5um～1um，衬底In金属子层1024的厚度为1.5um～2.2um。可以保证键合稳定性并有效释放热量。
可选地，衬底Ag金属子层1023的厚度大于外延Ag金属子层1032的厚度，衬底In金属子层1024的厚度大于外延In金属子层1031的厚度。
可以保证热量从支撑衬底101一侧进行散热，键合得到的结构也较为稳定。
示例性地，外延键合金属层103的厚度为3～4.5um。可以控制键合的热量较好地释放且键合的稳定性较好。
示例性地，外延Cr金属子层1034的厚度与外延Pt金属子层1033的厚度可相等。便于制备且整体成本不会过高，也可以实现与其他结构之间良好的粘连。
可选地，外延Cr金属子层1034的厚度与外延Pt金属子层1033的厚度均可为45～60nm。能够得到键合稳定性较强且连接性较好的外延片1。
可选地，外延Ag金属子层1032的厚度小于外延In金属子层1031的厚度。
外延Ag金属子层1032的厚度小于外延In金属子层1031的厚度，一方面可以减小成本，另一方面可以保证直接接触的In金属子层之间有效释放热量。
示例性地，外延Ag金属子层1032的厚度为1um～1.5um，外延In金属子层1031的厚度为2.3um～2.8um。可以保证键合稳定性并有效释放热量。
可选地，反射层104包括网状反射金属层1041与SiOF子层1042，SiOF子层1042填充在网状反射金属层1041的网格内。
SiOF子层1042本身的折射率较低，可以与其他磷化镓材料之间形成高低折射率反射层104，有效提高光线的出光率，反射金属层可以直接发射光线，进一步提高光线的出射率。即使从SiOF子层1042折射进入支撑衬底101一侧的光线，也可以被键合金属层中的Ag材料反射，使得红光二极管的出光率可以得到大幅提高。
可选地，SiOF子层1042中Si元素含量为51～62％，SiOF子层1042中O元素含量为32～38％，SiOF子层1042中F元素含量为6～101％。
SiOF子层1042中各元素的含量分别在以上范围内时，可以得到折射率接近最低的SiOF子层1042，可以更有效地提高红光二极管的出光率。
可选地，反射金属层包括依次层叠的第一Au金属子层、金锌合金层与第二Au金属子层。
反射金属层这种结构可以有效保证反射效率，提高出光率。
示例性地，网状金属反射层104中网格的直径为6um，相邻的两个网格之间的最小间距为50um。可以有效保证光线的反射率。
图2是本公开实施例提供的另一种倒装红光二极管芯片的结构示意图，参考图2可知，红光发光二极管芯片包括外延片1、p电极2与n电极3。外延片1包括支撑衬底101及依次层叠在支撑衬底101上的衬底键合金属层102、外延键合金属层103、反射层104、p-GaP欧姆接触层105、p-AlInP限制层106、第一AlGaInP波导层111、有源层107、第二AlGaInP波导层112、n-AlInP限制层108、n-AlGaInP窗口层109、n-AlGaInP电流阻挡层113、n-AlGaInP粗化层114、n-GaAs欧姆接触层110与钝化保护层115。
衬底键合金属层102包括依次层叠的衬底Cr金属子层1021、衬底Pt金属子层1022、衬底Ag金属子层1023与衬底In金属子层1024，外延键合金属层103包括依次层叠的外延In金属子层1031、外延Ag金属子层1032、外延Pt金属子层1033、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层1034。
p电极2位于支撑衬底101远离n电极3的一面上，n电极3位于n-GaAs欧姆接触层110上。
图2中的衬底键合金属层102、外延键合金属层103与反射层104的结构，分别与图1中所示的衬底键合金属层102、外延键合金属层103与反射层104的结构相同，在前文中已进行说明，因此此处对此不再进行赘述。
为便于理解，以下详细提供红光二极管芯片中的一些层次结构。
可选地，支撑衬底101可为散热较好的Si衬底。可以减小键合过程中会导致的热应力。
可选地，p-GaP欧姆接触层105的厚度为0.6～1.2μm。
p-GaP欧姆接触层105的厚度，可以满足在p-GaP欧姆接触层105上进行p电极2的制备的要求，并且厚度在此范围内的p-GaP欧姆接触层105整体的质量较好，可以保证p电极2的稳定制备与连接，保证最终得到的红光发光二极管外延片1的发光效率。
可选地，p-AlInP限制层106的厚度为200～300nm。得到的红光发光二极管芯片的质量较好。
示例性地，第一AlGaInP波导层111的厚度为50～200nm。
可选地，有源层107设置为包括多个周期交替生长的AlGaInP阱层与AlGaInP垒层，AlGaInP阱层与AlGaInP垒层中Al的组分不同。
示例性地，有源层107的整体厚度可为150～200nm。
可选地，第二AlGaInP波导层112的厚度为50～90um。
可选地，n-AlInP限制层108的厚度为200～500nm。得到的红光发光二极管芯片的质量较好。
示例性地，n-AlGaInP窗口层109的厚度为0.2～0.5um。可以提供光线足够的出光空间。
可选地，n-AlGaInP电流扩展层的厚度为1～2um。得到的红光发光二极管芯片的质量较好。
示例性地，n-AlGaInP粗化层114的厚度为1～3um。得到的红光发光二极管芯片的质量较好。
示例性地，钝化保护层115包括依次层叠在透明导电层上的SiN材料。可以对红光二极管的内部结构起到有效保护。
示例性地，p电极2可包括Ti/Pt/Au。可以保证p电极2的质量较好。
示例性地，n电极3包括304Au/AuGeNi/Au/Pt/Au。可以保证n电极3的质量较好。
在本公开所提供的其他实现方式中，电极的材料也可包括Cr、Au、Ge、Ni中的一种或多种，本公开对此不做限制。
为便于理解，此处提供图3，图3是本公开实施例提供的倒装红光发光二极管芯片的俯视图，参考图3可知，n电极3可包括两个焊盘部分301、连接条部分302以及多个手指部分303，两个焊盘部分301相互间隔分部在n-GaAs欧姆接触层110上，连接条部分302的两端分别与两个焊盘部分301相连，多个手指部分303相互平行，且每个手指部分303的重点位于连接条部分302的对称面，对称面为连接条部分302沿长度方向延伸的对称面。
上述结构中的n电极3，可以有效提高电流的均匀分布程度，以提高红光二极管芯片的均匀出光度。
需要说明的是，图3中的较小的圆圈示意的是n-AlGaInP粗化层的表面的粗化凸起。
图4是本公开实施例提供的一种倒装红光二极管芯片的制备方法流程图，参考图4可知，该红光二极管芯片的制备方法包括：
S101：提供一支撑衬底与一外延结构。
S102：外延结构包括依次层叠的外延键合金属层、反射层、p-GaP欧姆接触层、p-AlInP限制层、有源层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP窗口层与n-GaAs欧姆接触层，外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层。
S103：在支撑衬底上生长衬底金属键合层，衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层。
S104：将外延键合金属层与衬底键合金属层键合。
S105：在支撑衬底远离n-GaAs欧姆接触层的一面形成p电极。
S106：在n-GaAs欧姆接触层的表面形成n电极。
图4中所示的红光发光二极管芯片的制备方法的技术效果可参考图1中所示的红光发光二极管芯片的结构技术效果，因此在此处不再对图4中红光发光二极管外延片制备方法的技术效果进行赘述。
执行完步骤S106之后的红光发光二极管芯片的结构可参考图1。
可选地，步骤S101中，提供一外延结构包括：
提供一砷化镓衬底；在砷化镓衬底上依次生长AlAs牺牲层、GaInP截止层、n-GaAs欧姆接触层、n-AlGaInP窗口层、n-AlInP限制层、有源层、p-AlInP限制层、p-GaP欧姆接触层、反射层与外延键合金属层；将砷化镓衬底与GaInP截止层放置在剥离溶液中，剥离溶液与AlAs牺牲层反应以分离砷化镓衬底与GaInP截止层；去除GaInP截止层以得到外延结构。
砷化镓上可以生长得到质量较好的红光外延结构，再通过浸泡玻璃溶液将砷化镓衬底与外延结构分离，可以得到外延结构，最后将外延结构移动至散热较好的支撑衬底上，提高红光二极管芯片的晶体质量。
可选地，剥离溶液包括氢氟酸，将砷化镓衬底与GaInP截止层放置在剥离溶液中10～30min。可以保证砷化镓衬底的充分剥离。
可选地，使用具有粘性的蓝膜将GaInP截止层与n-GaAs欧姆接触层分离。
可以便于GaInP截止层去除的同时避免对外延结构造成损伤。
示例性地，反射层包括网状反射金属层与SiOF子层，SiOF子层填充在网状反射金属层的网格内的前提下，SiOF子层可通过等离子体增强化学气相沉积方式得到，SiOF子层的质量较好。
可选地，SiOF子层的生长条件包括：沉积温度250度～300度、功率280～330W、压力19002000mTorr。能够得到质量较好的SiOF子层。
示例性地，SiOF子层生长时向反应腔通入100～300sccm的SiH4，800～1200sccm的N2O、1200～1800sccm的CF4。能够得到质量较好的SiOF子层。
图5是本公开实施例提供的另一种倒装红光二极管芯片的制备方法流程图，参考图5可知，该红光发光二极管芯片的制备方法包括：
S201：提供一支撑衬底与一砷化镓衬底。
步骤S201中，砷化镓衬底的材料可为砷化镓，支撑衬底的材料可为蓝宝石。
S202：在砷化镓衬底上依次生长AlAs牺牲层、GaInP截止层、n-GaAs欧姆接触层、n-AlGaInP粗化层、n-AlGaInP电流扩展层、n-AlGaInP窗口层、n-AlInP限制层、第一AlGaInP波导层、有源层、第二AlGaInP波导层、p-AlInP限制层、p-GaP欧姆接触层、反射层与外延键合金属层。
示例性地，GaInP层的生长条件包括：生长温度650-670度，厚度150-300nm，V/III为20-30，生长速率0.5-0.8nm/s。
示例性地，AlAs牺牲层的生长条件包括：生长温度500-670度，厚度100-300nm，V/III为20-30，生长速率0.5-0.8nm/s。
可选地，n-GaAs欧姆接触层的生长条件包括：生长温度650-670度，厚度150-300nm，V/III为20-30，生长速率0.5-0.8nm/s。
可选地，n-AlGaInP粗化层、n-AlGaInP电流扩展层与n-AlGaInP欧姆接触层的生长条件包括：生长温度670-680度，厚度3-3.5um，V/III为40-50，生长速率1.2-1.7nm/s，载流子浓度1～2e18。
可选地，n-AlInP限制层生长条件包括：生长温度670-680度，厚度250-350nm，V/III为40-50，生长速率1.2-1.7nm/s，载流子浓度1～2e18。
可选地，第一AlGaInP波导层生长条件包括：生长温度670-680度，厚度250-350nm，V/III为40-50，生长速率1.2-1.7nm/s，载流子浓度1～2e18。
可选地，有源层中AlGaInP阱层与AlGaInP垒层的生长条件包括：生长温度650-660度，厚度20-22nm，V/III为40-50，生长速率1-2nm/s。能够得到质量较好的有源层。
可选地，第二AlGaInP波导层的生长条件包括：生长温度670-680度，厚度250-350nm，V/III为40-50，生长速率1.2-1.7nm/s，载流子浓度1～2e18。
可选地，p-AlInP限制层生长条件包括：生长温度670-680度，厚度350-450nm，V/III为40-50，生长速率1.2-1.7nm/s，载流子浓度1～2e18。
S203：在支撑衬底上形成衬底键合金属层。
外延键合金属层与衬底键合金属层可通过沉积方式得到。
S204：键合衬底键合金属层与外延键合金属层。
可选地，在温度为200～220度、压力为2000Pa的条件下键合衬底键合金属层与外延键合金属层。能够保证键合效果且有效减小热应力。
S205：在n-GaAs欧姆接触层上形成n电极，在支撑衬底远离n电极的一面形成p电极。
S206：在外延结构的侧壁形成钝化保护层。
示例性地，钝化保护层可采用物理气相沉积的方式得到。
S207：对红光二极管芯片进行退火。
可以提高红光二极管芯片的质量。
示例性地，退火温度为180～200度，退火时间为5～10min。进一步提高质量。
执行完步骤S207之后的红光发光二极管芯片的结构则可参见图2。
需要说明的是，在本公开实施例中，采用VeecoK 465i or C4 or RB MOCVD(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现发光二极管外延层的生长。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N-掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P-掺杂剂。
以上所述，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述倒装红光二极管芯片包括外延片、p电极与n电极，
所述外延片包括支撑衬底及依次层叠在所述支撑衬底上的衬底键合金属层、外延键合金属层、反射层、p-GaP欧姆接触层、p-AlInP限制层、有源层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP窗口层与n-GaAs欧姆接触层，
所述衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层，所述外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层，
所述p电极位于所述支撑衬底远离所述n电极的一面上，所述n电极位于所述n-GaAs欧姆接触层上。
2.根据权利要求1所述的倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述衬底Ag金属子层的厚度大于所述外延Ag金属子层的厚度，所述衬底In金属子层的厚度大于所述外延In金属子层的厚度。
3.根据权利要求2所述的倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述衬底Ag金属子层的厚度小于所述衬底In金属子层的厚度。
4.根据权利要求1～3任一项所述的倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述反射层包括网状反射金属层与SiOF子层，所述SiOF子层填充在所述网状反射金属层的网格内。
5.根据权利要求4所述的倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述SiOF子层中Si元素含量为51～62％，所述SiOF子层中O元素含量为32～38％，所述SiOF子层中F元素含量为6～11％。
6.根据权利要求4所述的倒装红光二极管芯片，其特征在于，所述反射金属层包括依次层叠的第一Au金属子层、金锌合金层与第二Au金属子层。
7.一种倒装红光二极管芯片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一支撑衬底与一外延结构；
所述外延结构包括依次层叠的外延键合金属层、反射层、p-GaP欧姆接触层、p-AlInP限制层、有源层、n-AlInP限制层、n-AlGaInP窗口层与n-GaAs欧姆接触层，所述外延键合金属层包括依次层叠的外延In金属子层、外延Ag金属子层、外延Pt金属子层、外延Ti金属子层、外延Cr金属子层；
在所述支撑衬底上生长衬底金属键合层，所述衬底键合金属层包括依次层叠的衬底Cr金属子层、衬底Pt金属子层、衬底Ag金属子层与衬底In金属子层；
将所述外延键合金属层与所述衬底键合金属层键合；
在所述支撑衬底远离所述n-GaAs欧姆接触层的一面形成p电极；
在所述n-GaAs欧姆接触层的表面形成n电极。
8.根据权利要求7所述的倒装红光二极管芯片制备方法，其特征在于，提供一外延结构，包括：
提供一砷化镓衬底；
在所述砷化镓衬底上依次生长AlAs牺牲层、GaInP截止层、n-GaAs欧姆接触层、n-AlGaInP窗口层、n-AlInP限制层、有源层、p-AlInP限制层、p-GaP欧姆接触层、反射层与外延键合金属层；
将所述砷化镓衬底与所述GaInP截止层放置在剥离溶液中，所述剥离溶液与所述AlAs牺牲层反应以分离所述砷化镓衬底与所述GaInP截止层；
去除所述GaInP截止层以得到所述外延结构。
9.根据权利要求8所述的倒装红光二极管芯片制备方法，其特征在于，所述剥离溶液包括氢氟酸，将所述砷化镓衬底与所述GaInP截止层放置在剥离溶液中10～30min。
10.根据权利要求8所述的倒装红光二极管芯片制备方法，其特征在于，使用具有粘性的蓝膜将所述GaInP截止层与所述n-GaAs欧姆接触层分离。
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