CN113861618B - 用于制造电子装置的绝缘膜 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 217
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 31
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 31
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 17
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims description 12
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 claims description 7
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 239000005026 oriented polypropylene Substances 0.000 claims description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 58
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 14
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N ctk1a7239 Chemical compound C12=CC=CC=C2N2CC=CC3=NC=CC1=C32 VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 239000000306 component Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 2
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 2-[3,3-bis(2-hydroxyphenyl)propyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CCC(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O CQOZJDNCADWEKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N cyclohexane;methanol Chemical compound OC.OC.C1CCCCC1 VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002632 lipids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004801 process automation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- B32—LAYERED PRODUCTS
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Abstract
本发明提供如下用于制造电子装置的绝缘膜:上述绝缘膜为组合物的固化物,上述组合物包含:热固性树脂,包含环氧成分;热塑性树脂;固化剂;以及填料,平均粒度(D50)为0.1μm至3μm,可以通过限定玻璃化转变温度(Tg)之前的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion)与玻璃化转变温度之后的热膨胀系数之间的关系,来防止在电子配件及绝缘膜的层叠成型过程中在基板上发生裂纹或者发生弯曲或翘曲,并且表现出优秀的柔韧性,从而不仅可以应用于柔性基板,还可以用作可以减薄多层印刷电路板的层间粘合膜。
Description
技术领域
本发明涉及用于制造电子装置的绝缘膜,更具体地,涉及如下绝缘膜:具有高耐热性及低热膨胀性,使电子装置基板发生的弯曲或翘曲最小化,可以减少电子装置基板的不良率。
背景技术
近来,为了薄板化及高集成化,印刷电路板(PCB)之类的电路板通过依次层叠及压接多种积层(build-up)绝缘膜的方式来制备。
但是,由于印刷电路板与绝缘膜之间互不相同的材质间的物性及热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion)的不均衡,在粘合绝缘膜的印刷电路板中会发生弯曲或翘曲。若印刷电路板发生弯曲或翘曲,则无法进行电路形成及激光加工等的后续作业,从而可能发生需要废弃制造的印刷电路板或进行手工作业的问题。之所以出现这些问题,是由于在印刷电路板制造工序中发生的绝缘膜的热膨胀系数与上述绝缘膜附着的印刷电路板的热膨胀系数的差异没有被精确地调节。为了解决上述问题,需要研究随上述绝缘膜的温度而变化的热膨胀系数的变化。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的目的在于提供如下用于制造电子装置的绝缘膜:通过限定包含于绝缘膜组合物的填料的平均粒度范围及根据绝缘膜的温度区间的热膨胀系数的范围来防止基板的弯曲或翘曲现象。
但本发明所要解决的技术问题不限于以上提及的问题,本发明所属技术领域的普通技术人员可以通过下述记载明确理解未提及的其他技术问题。
根据本发明的一实施例,本发明的用于制造电子装置的绝缘膜为组合物的固化物,上述组合物包含:热固性树脂,包含环氧成分;热塑性树脂;固化剂;以及填料,平均粒度(D50)为0.1μm至3μm,上述绝缘膜满足通式1。
通式1
0.5<log(α2/α1)<0.8
在上述通式1中,α1表示上述绝缘膜的玻璃化转变温度(Tg)之前的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion),α2表示上述绝缘膜的玻璃化转变温度之后的热膨胀系数。
本发明的用于制造电子装置的绝缘膜可以通过限定填料的平均粒度范围、玻璃化转变温度之前的热膨胀系数及玻璃化转变温度之后的热膨胀系数的范围,来防止内置于电子装置内部的配件与包围上述电子配件的绝缘膜之间发生热膨胀系数差异。其结果,可以在上述电子配件及绝缘膜的层叠成型过程中防止基板发生裂纹或发生弯曲或翘曲。
并且,本发明的用于制造电子装置的绝缘膜表现出优秀的柔韧性,从而不仅可以应用于柔性基板,还可以用作可以减薄多层印刷电路板的层间粘合膜。
附图说明
图1为示出本发明一实施例的绝缘膜的剖视图。
图2为示出层叠有本发明一实施例的绝缘膜的印刷电路板的剖视图。
具体实施方式
可通过与附图相关的以下详细说明和优选实施例更加明确理解本发明的目的、特定优点及新型特征。应当注意,在对各个附图的结构要素赋予附图标记的过程中,即使示出在不同的附图中,对于相同的结构要素也尽可能赋予了相同的附图标记。并且,“第一”、“第二”、“一面”、“另一面”等术语仅用于对一个结构要素与其他结构要素进行区分,并且结构要素不受上述术语的限制。以下,在说明本发明的过程中,将省略有可能不必要地混淆本发明主旨的相关公知技术的详细说明。
本发明的用于制造电子装置的绝缘膜为组合物的固化物,上述组合物包含:热固性树脂,包含环氧成分;热塑性树脂;固化剂;以及填料,平均粒度(D50)为0.1μm至3μm,上述绝缘膜满足通式1。
通式1
0.5<log(α2/α1)<0.8
在上述通式1中,α1表示上述绝缘膜的玻璃化转变温度之前的热膨胀系数,α2表示上述绝缘膜的玻璃化转变温度之后的热膨胀系数。
首先,本发明的用于制造电子装置的绝缘膜的组合物包含含有环氧成分的热固性树脂。
上述包含环氧成分的热固性树脂可以赋予绝缘膜的耐热性、电子装置产品之间的结合可靠性、粘合性功能。上述包含环氧成分的热固性树脂作为绝缘性树脂材质,优选地,可以例举双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、三酚环氧树脂、萘酚酚醛环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、叔丁基邻苯二酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、线型脂肪族环氧树脂、脂环族环氧树脂、杂环环氧树脂、含螺环的环氧树脂、环己烷二甲醇型环氧树脂、萘醚型环氧树脂以及三羟甲基型环氧树脂等,上述环氧树脂可以单独使用或并用两种以上。
更具体地,上述热固性树脂可以包含在常温(25℃)下的粘度为500cps至4000cps的低粘度环氧树脂。优选地,上述热固性树脂可以包含在常温下的粘度为1000cps至3500cps的低粘度环氧树脂。更优选地,上述热固性树脂可以包含在常温下的粘度为1500cps至3500cps的低粘度环氧树脂。若上述热固性树脂包含粘度小于500cps的环氧树脂,则蒸镀于基板上的绝缘膜向基板外溢出(overflow),因而可能发生渗出(bleed)面积增加的问题。本发明的热固性树脂包含在常温下的粘度为500cps至4000cps的低粘度环氧树脂,由于其优秀的流动性,可以提高能够快速渗透到电子装置产品与基板之间的间隙的填充性及流动性。
并且,上述热固性树脂可以包含在常温(25℃)下的性状为固体的环氧树脂。若上述热固性树脂只包含液体环氧树脂,则会随着绝缘膜粘性(Tacky)的增加,基板与绝缘膜之间空隙(void)的发生率可能增加,由此,电子装置产品之间的接合可靠性可能降低。并且,还可能发生绝缘膜组合物的固化速度降低的问题。因此,优选地,上述热固性树脂包含20重量百分比至80重量百分比的性状为固体的环氧树脂。
然后,本发明的用于制造电子装置的绝缘膜的组合物包含热塑性树脂。
在将绝缘膜组合物形成为膜状时,上述热塑性树脂可以赋予不易撕裂、破碎或粘合的机械特性。并且,由于在绝缘膜内均匀地分散,使施加在基板的反复弯曲疲劳(flexingfatigue)的条件下在绝缘膜内部发生的应力均匀地分散及缓解,从而赋予其对裂纹发生的抵抗性。作为上述热塑性树脂,可以例举聚酯树脂、聚醚树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯醇缩甲醛树脂、苯氧树脂、聚羟基聚醚树脂、聚苯乙烯树脂、丁二烯树脂、丙烯腈丁二烯共聚物、丙烯腈丁二烯苯乙烯树脂、苯乙烯丁二烯共聚物等,上述热塑性树脂可单独使用或并用两种以上。优选地,上述热塑性树脂可以通过包含丙烯腈-丁二烯橡胶(acrylonitrile butadiene rubber,NBR)及苯氧树脂中的一种,来更为有效地实现绝缘膜所需的物性。
然后,本发明的用于制造电子装置的绝缘膜的组合物包含固化剂。
上述固化剂可以提高绝缘膜的耐热性。上述固化剂只要是具有固化热固性树脂的功能,就不受特别限制,优选地,可以使用胺类固化剂(amine type hardener)、苯酚类固化剂(phenol type hardener)及酸酐类固化剂(Anhydride type hardener)中的至少一种。
然后,本发明的用于制造电子装置的绝缘膜的组合物包含平均粒度(D50)为0.1μm至3μm的填料。
上述填料可以提高绝缘膜的机械物性并实现低应力化,并降低因非表面积的粘度上升引起的渗出。尤其,本发明的填料的平均粒度(D50)为0.1μm至3μm。优选地,上述填料的平均粒度(D50)可以为0.2μm至3μm。更优选地,上述填料的平均粒度(D50)可以为0.5μm至2μm。上述填料的平均粒度(D50)可以使用例如激光衍射法(laser diffraction method)来测定。上述激光衍射法通常能够测定从亚微细米(submicron)区域到数毫米左右的粒度,可以得到高再现性及高分解性的结果。本发明的平均粒度(D50)为0.1μm至3μm的填料可以实现绝缘膜的低热膨胀系数,可以通过降低绝缘膜在高温下的热膨胀系数的增加率来减少内置于电子装置内部的配件与包围上述电子配件的绝缘膜之间的热膨胀系数的不均衡。其结果,可以在上述电子配件及绝缘膜的层层叠成型过程中防止基板发生裂纹或者发生弯曲或翘曲。
上述填料的种类可以例举二氧化硅、氧化铝、硫酸钡、滑石、黏土、云母粉末、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、氧化镁、氮化硼、硼酸铝、钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、钛酸铋、氧化钛、锆酸钡及锆酸钙等,上述填料可以单独使用或并用两种以上。优选地,上述填料为无定形二氧化硅、熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、合成二氧化硅、中空二氧化硅等二氧化硅,尤其更优选地,上述填料可以为球形二氧化硅。
然后,相对于100重量份的上述热固性树脂,本发明的用于制造电子装置的绝缘膜的组合物可以包含10重量份至60重量份的上述热塑性树脂、5重量份至50重量份的上述固化剂、50重量份至400重量份的上述填料。
若相对于100重量份的上述热固性树脂,上述热塑性树脂小于10重量份,则绝缘膜会在未完全固化的状态下发生脆性,从而发生绝缘膜与基板之间的接触面破碎的问题。并且,若相对于100重量份的上述热固性树脂,上述热塑性树脂大于60重量份,则会在电子设备的制造或使用中发生绝缘膜从基板分离的问题。
若相对于100重量份的上述热固性树脂,上述固化剂小于5重量份,则可能发生绝缘膜的耐热性降低的问题。并且,若相对于100重量份的上述热固性树脂,上述固化剂大于50重量份,则可能发生粘合力降低的问题。
若相对于100重量份的上述热固性树脂,上述填料小于50重量份,则可能导致阻燃性降低或绝缘膜的热膨胀系数变高。由此,发生绝缘膜的热膨胀系数和与上述绝缘膜接触的电子设备配件之间的热膨胀系数的差异,从而可能发生裂纹、弯曲或翘曲,以及上述绝缘膜从电子装置配件剥离的问题。并且,若相对于100重量份的上述热固性树脂,上述填料大于400重量份,则会因绝缘膜的粘合性降低而在制造基板时可能发生界面分离的问题。
然后,本发明的用于制造电子装置的绝缘膜还可以包含覆盖上述绝缘膜的一面的载体膜及覆盖上述绝缘膜的另一面的覆盖膜。
图1示出本发明一实施例的附着有载体膜及覆盖膜的绝缘膜的剖视图。如图1所示,本发明的绝缘膜100的一面被载体膜120覆盖,绝缘膜100的另一面被覆盖膜110覆盖。上述载体膜120起到从外部环境因素中保护绝缘膜100的作用。并且,当绝缘膜100蒸镀于基板200及第一电路210上时,上述载体膜120可以从上述绝缘膜100分离。载体膜120的种类虽不受限制,但从与绝缘膜100的离型力及经济性考虑,优选包含定向聚丙烯(OPP:Orientedpolypropylene)。
上述覆盖膜110从外部环境因素中保护绝缘膜100,当制造印刷电路板时,可通过从固化的绝缘膜100分离来防止上述绝缘膜100的损坏。覆盖膜110的种类虽不受特别限制,但从固化后与绝缘膜100的离型力及经济性考虑,优选包含聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET:Polyethylene terepthalate)。
上述绝缘膜100的剖面厚度虽不受特别限制,但从应用于印刷电路板的用途考虑,若绝缘膜100的剖面厚度小于25μm,则难以应用于工序自动化,若绝缘膜100的剖面厚度大于50μm,则降低经济性,因此,优选地,绝缘膜100的剖面厚度为25μm至50μm。
尤其,本发明的用于制造电子装置的绝缘膜的玻璃化转变温度之前的热膨胀系数及玻璃化转变温度之后的热膨胀系数满足下述通式1。
通式1
0.5<log(α2/α1)<0.8
在上述通式1中,α1表示上述绝缘膜的玻璃化转变温度之前的热膨胀系数,α2表示上述绝缘膜的玻璃化转变温度之后的热膨胀系数。
通常,绝缘膜的热膨胀系数是决定耐热性、形成于绝缘膜的电路图案的尺寸稳定性等的重要因素。上述绝缘膜热膨胀系数可以通过热机械分析(TMA,thermomechanicalanalysis)方法测定。
印刷电路板之类的电子装置制造工序中包括依次层叠及压接上述绝缘膜的工序,尤其,绝缘膜在附着于基板上后经过固化工序。即,包含有机高分子物质的绝缘膜由于固化工序引起的高分子物质内分子的运动而发生膨胀现象,这可能导致绝缘膜的热膨胀特性的变形。
作为一例,图2示出层叠有本发明一实施例的绝缘膜110a、110b的印刷电路板10。如图2所示,可以确认绝缘膜110a与所有层叠的绝缘膜110b、基板200、第一电路210及第二电路220接触。在印刷电路板10的制造中,包含有机高分子的绝缘膜110a、110b的热膨胀系数在高温的固化过程中增加,由此发生与固体的基板200、第一电路210孔第二电路220的热膨胀系数之间的不均衡。即,由于绝缘膜110a分别与基板200、第一电路210及第二电路220接触的界面(未图示)中的热膨胀系数的不均衡,制造的印刷电路板10可能发生裂纹或者发生弯曲或翘曲。
如上所述,由于绝缘膜、110a、110b在印刷电路板制造工序中必须经过高温的固化过程,因此,除了固化之前的绝缘膜110a、110b的热膨胀系数之外,高温的固化过程中的绝缘膜110a、110b的热膨胀系数也会影响产品的可靠性。例如,即使固化之前的绝缘膜的热膨胀系数与基板的热膨胀系数的不均衡不大,若高温的固化工序中的绝缘膜的热膨胀系数显著增加,则绝缘膜热膨胀系数与基板的热膨胀系数的不均衡可能变大。并且,即使固化之前的绝缘膜的热膨胀系数的不均衡存在一些差异,若在高温的固化工序中的绝缘膜的热膨胀系数不显著增加,则也可以减少绝缘膜的热膨胀系数与基板的热膨胀系数的不均衡。即,在印刷电路板之类的电子装置的制造工序中可知,固化之前的绝缘膜的热膨胀系数与高温固化过程中的绝缘膜的热膨胀系数相互具有密切的关系。
本发明导出玻璃化转变温度之前的热膨胀系数和玻璃化转变温度之后的热膨胀系数满足下述通式1的用于制造电子装置的绝缘膜,从而本发明的用于制造电子装置的绝缘膜具有如下效果:可以防止电子装置中内置的配件与包围上述电子配件的绝缘膜之间的热膨胀系数的不均衡的增加,并且在上述电子配件及绝缘膜的层叠成型过程中防止基板发生裂纹或者发生弯曲或翘曲的效果。
通式1
0.5<log(α2/α1)<0.8
在上述通式1中,α1表示上述绝缘膜的玻璃化转变温度之前的热膨胀系数,α2表示上述绝缘膜的玻璃化转变温度之后的热膨胀系数。
本发明的绝缘膜包含诸如热固性树脂及热塑性树脂之类的有机高分子物质,上述热固性树脂包含环氧成分。绝缘膜所包含的有机高分子物质随着温度的上升,其分子具有活性并开始移动,将分子具有活性并开始移动的时间点称为玻璃化转变温度。上述玻璃化转变温度可以通过热机械分析方法测定。
更具体地,在上述通式1中,玻璃化转变温度可以为100℃至190℃,在上述通式1中,α1可以表示从50℃到100℃温度下的热膨胀系数,α2可以表示从190℃到210℃温度下的热膨胀系数。
在上述通式1中,绝缘膜的玻璃化转变温度之前的热膨胀系数α1与上述绝缘膜的玻璃化转变温度之后的热膨胀系数α2的关系满足0.5<log(α2/α1)<0.8,优选地,可以满足0.514≤log(α2/α1)≤0.744。
在上述通式1中,若log(α2/α1)≤0.5,则由于玻璃化转变温度之前的热膨胀系数相对高于玻璃化转变温度之后的热膨胀系数,绝缘膜的物性可能改变,并且耐热可靠性可能降低。并且,在上述通式1中,若0.8≤log(α2/α1),则由于玻璃化转变温度之后的热膨胀系数比玻璃化转变温度之前的热膨胀系数显著增加,因而内置于电子装置内部的配件与包围上述电子配件的绝缘膜之间的热膨胀系数的不均衡显著增加,从而在电子配件及绝缘膜的层叠成型过程中,基板可能发生裂纹或者发生弯曲或翘曲。
作为一例,在通式1中,α1所表示的热膨胀系数可以为45ppm/℃以上,或者α2所表示的热膨胀系数可以为250ppm/℃以下。若α1所表示的热膨胀系数小于45ppm/℃,或者α2所表示的热膨胀系数大于250ppm/℃,则会降低绝缘膜与基板的剥离强度,从而可能使绝缘膜与基板分离,或者因绝缘膜随着温度变化的热膨胀而降低耐热可靠性。
为了能够具有柔性而应用于柔性基板及多层印刷电路板的薄型化,本发明的用于制造电子装置的绝缘膜在常温(25℃)下的拉伸弹性模量可以为0.5GPa至5GPa。优选地,上述绝缘膜在常温(25℃)下的拉伸弹性模量可以为0.5GPa至4.5GPa。上述绝缘膜的拉伸弹性模量是在50%的湿度(RH)条件下以10mm/分钟的速度拉伸时测定的值。若上述绝缘膜在常温下的拉伸弹性模量小于0.5GPa,则由于绝缘膜的刚性低,因而可能易于受到外部冲击而被破碎,若上述绝缘膜在常温下的拉伸弹性模量大于5.0GPa,则可能发生绝缘膜的刚性虽然优秀,但无法确保足够的柔韧性的问题。
本发明的用于制造电子装置的绝缘膜可以在狭小的空间内也易于内置的印刷电路板中使用,也可以在能够小型化及高密度化并具有反复弯曲性的柔性印刷电路板中使用。
并且,上述印刷电路板作为电子产品的核心配件,可以用在移动电话、摄像机、笔记本电脑、计算机及周边设备、可穿戴设备、视频及音频设备、摄录机、打印机、高密度数字视频光盘(DVD)播放器、薄膜场效应晶体管(TFT)-液晶显示器(LCD)装置、卫星装备、军事装备及医疗设备中的至少一种,优选地,可以用在移动电话、摄像机、笔记本电脑及可穿戴设备中的至少一种。
以下,将提供优选实施例以帮助理解本发明。但提供下述实施例仅仅是为了更容易理解本发明,本发明的内容不受下述实施例的限制。
实施例
1.实施例1
(1)绝缘膜组合物的制备
将40重量份的粘度为2500cps至2800cps的液体环氧树脂(制备公司:KUKDO化学公司,产品名:KDS8161)、40重量份的固体环氧树脂40重量份(制备公司:NIPPON KAYAKU公司,产品名:NC-3000)、20重量份的苯氧树脂(制备公司:Gabriel公司,产品名:PKHH)、4重量份的丙烯腈-丁二烯橡胶(制备公司:ZEON公司,产品名:NIPOL 1072CGX)与50重量份的溶剂石脑油搅拌后,通过加热来使其溶解。在室温下冷却上述混合物后,混合40重量份的固化剂(制备公司:DIC公司,产品名:LA-7052)、0.1重量份的咪唑类固化促进剂(制备公司:SHIKOKU公司,产品名:2E4MZ)、120重量份的使用平均粒度为0.5μm的环氧硅烷处理表面的球形二氧化硅(制备公司:ADMATEC公司,产品名:SC-2050MB),使用搅拌机均匀地分散来制备绝缘膜组合物。
(2)绝缘膜的制备
将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(制备公司:YOULCHON化学公司,产品名:P38-S-3)作为覆盖膜来准备,使用涂布机将上述绝缘膜组合物均匀地涂敷在上述覆盖膜的表面后,在80℃至110℃的温度下干燥4分钟,从而在覆盖膜上形成绝缘膜。绝缘膜的剖面厚度为35μm。在上述绝缘膜的表面将定向聚丙烯膜(制备公司:Ojitokushu Co.,Ltd,产品名:MA-411)用作载体膜,在70℃、常压的条件下,通过层压处理来制备附着有覆盖膜和载体膜的绝缘膜。
(3)在硅晶片基板上附着绝缘膜
使去除覆盖膜的绝缘膜与直径为8英寸、厚度为500μm、两面具有Sn/Ag材质的凸块(高60μm,间距150μm)的硅晶片基板的第一面(基板及半导体器件连接的面)接触后,使用真空涂布机在涂布速度0.1mm/分钟(min)、压力0.3Mpa、温度200℃的条件下贴合来制备附着有绝缘膜的硅晶片基板。
2.实施例2
除使用120重量份的平均粒度为0.5μm的使用氨基硅烷处理表面的球形二氧化硅(制备公司:ADMATEC公司,产品名:SC-2050MNS)代替在上述实施例1的绝缘膜的组合物的制备过程中使用环氧硅烷处理表面的球形二氧化硅外,以与实施例1相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
3.实施例3
除将上述实施例1的绝缘膜的组合物的制备过程中的固化剂的含量调节为30重量份,将平均粒度为0.5μm的球形二氧化硅的含量调节为110重量份以外,以与实施例1相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
4.实施例4
除将上述实施例1的绝缘膜的组合物的制备过程中的固化剂(制备公司:DIC公司,产品名:KA-1165)的含量调节为40重量份以外,以与实施例1相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
5.实施例5
除将上述实施例4的绝缘膜的组合物的制备过程中的苯氧树脂(制备公司:JER,产品名:YX8100BH30)的含量调节为20重量份以外,以与实施例4相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
6.实施例6
除将上述实施例1的绝缘膜的组合物的制备过程中的苯氧树脂的含量调节为40重量份以外,以与实施例1相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
7.实施例7
除将上述实施例1的绝缘膜的组合物的制备过程中的丙烯腈-丁二烯橡胶的含量调节为2重量份以外,以与实施例1相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
8.实施例8
除将上述实施例1的绝缘膜的组合物的制备过程中的粘度为2500cps至2800cps的液相环氧树脂(制备公司:KUKDO化学公司,产品名:KDS8161)的含量调节为30重量份,固体环氧树脂(制备公司:NIPPON KAYAKU,产品名:NC-3000)的含量调节为50重量份以外,以与实施例1相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
9.比较例1
除使用平均粒度为3.2μm的氧化铝代替在上述实施例1的绝缘膜的组合物的制备过程中使用的平均粒度为0.5μm的球形二氧化硅以外,以与实施例1相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
10.比较例2
除使用平均粒度为0.08μm的球形二氧化硅代替在上述实施例1的绝缘膜的组合物的制备过程中使用的平均粒度为0.5μm的球形二氧化硅以外,以与实施例1相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
11.比较例3
除使用平均粒度为0.08μm的氧化钛代替在上述实施例1的绝缘膜的组合物的制备过程中使用的平均粒度为0.5μm的球形二氧化硅以外,以与实施例1相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
12.比较例4
除使用平均粒度为3.15μm的球形二氧化硅代替在上述实施例1的绝缘膜的组合物的制备过程中使用的平均粒度为0.5μm的球形二氧化硅以外,以与实施例1相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
13.比较例5
除使用平均粒度为3.2μm的氧化钛代替在上述实施例1的绝缘膜的组合物的制备过程中使用的平均粒度为0.5μm的球形二氧化硅以外,以与实施例1相同的方法制备绝缘膜及附着有上述绝缘膜的硅晶片基板。
实验例1.绝缘膜的热膨胀系数(α1、α2)的测定
将实施例1至实施例8及比较例1至比较例5中制备的绝缘膜制成用于评价的条纹形态的试片。首先,分别将上述试片搁置在支架上使它们的长度达到10mm,在两端施加0.05N的力,在从50℃到250℃的升温速度为10℃/分钟的条件下,测定试片的拉伸长度。将在升温区间看到的弯曲点特定为玻璃化转变温度。然后,通过测定上述玻璃化转变温度来测定同时所需的热膨胀系数。比玻璃化转变温度低的温度下的热膨胀系数α1通过从50℃到100℃下被拉伸的试片的斜率来计算,比玻璃化转变温度高的温度下的热膨胀系数α2则通过从190℃到210℃下被拉伸的试片的斜率来计算。
实验例2.绝缘膜的拉伸弹性模量的测定
将实施例1至实施例8及比较例1至比较例5中制备的绝缘膜制成宽10mm、长100mm的试片。分别将上述试片安装于拉伸强度测定仪,在25℃、50%的湿度的条件下以10mm/分钟的速度拉伸来测定直至断裂的强度,通过下述通式2测定拉伸弹性模量。
通式2
拉伸弹性模量=(F/S)/(△L/L)
*上述F表示拉伸强度,S表示试片的横截面积,△L表示初始变性率,L表示试样标准距离20mm。
实验例3.基板的弯曲或翘曲测定
使用激光测定装置测定附着有实施例1至实施例8及比较例1至比较例5中制备的绝缘膜的硅晶片基板的弯曲或翘曲的最大值。
实验例4.基板的裂纹或剥离与否的测定
将附着有实施例1至实施例8及比较例1至比较例5中制备的绝缘膜的硅晶片基板分别取100个共取1300个来使其在-45℃的温度下保持30分钟,并升温至125℃后保持30分钟进行热冲击温度循环试验,共进行1000次上述试验后,通过肉眼确认基板的裂纹或剥离。
在肉眼观察不到基板的裂纹或剥离的情况下,将其判断为合格。
上述实验例1至实验例4的评价结果如下表1所示。
表1
*在上述log(α2/α1)中,α1表示从50℃到100℃下的热膨胀系数,α2表示从190℃到210℃下的热膨胀系数。
通过上述表1可以确认,在不满足通式1(0.5<log9(2/α1)<0.8)的比较例1至比较例5的情况下,因绝缘膜基板之间的热膨胀系数差异而导致在基板显著发生弯曲或翘曲。并且,可以确认比较例1至比较例3的基板多数发生裂纹或剥离。满足通式1(0.5<log(α2/α1)<0.8)的实施例1至实施例8的绝缘膜几乎未在基板上发生弯曲或翘曲,在大多数基板中未观察到裂纹及剥离。并且,可以确认由于弹性率优异,不仅可以应用于柔性基板,还可以用作可以减薄多层印刷电路板的层间粘合膜。
尽管以如上所述的方式说明了本发明,但本发明不受本说明书中公开的实施例的限制,显而易见的是,本发明所属技术领域的普通技术人员可以在本发明的技术思想范围内进行多种变形。并且,即使在前述说明本发明的实施例的过程中未明确记载由本发明的结构带来的作用效果,由相关结构带来的可预测的效果也应得到认可。
Claims (17)
1.一种用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,
其为组合物的固化物,
上述组合物包含:
热固性树脂,包含环氧成分;
热塑性树脂;
固化剂;以及
填料,平均粒度为0.1μm至3μm,
上述绝缘膜满足下述通式1,
通式1:
0.5<log(α2/α1)<0.8;
在上述通式1中,α1表示上述绝缘膜的玻璃化转变温度之前的热膨胀系数,α2表示上述绝缘膜的玻璃化转变温度之后的热膨胀系数,
在上述通式1中,α2表示的热膨胀系数为190ppm/℃~250ppm/℃。
2.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述玻璃化转变温度为100℃至190℃。
3.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,在上述通式1中,α1表示在50℃至100℃温度下的热膨胀系数,α2表示在190℃至210℃温度下的热膨胀系数。
4.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,在上述通式1中,α1表示的热膨胀系数为45ppm/℃以上。
5.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述绝缘膜在25℃常温下的拉伸弹性模量为0.5GPa至5GPa。
6.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述绝缘膜截面的厚度为25μm至50μm。
7.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述热固性树脂包含在25℃常温下的粘度为500cps至4000cps的低粘度环氧树脂。
8.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述环氧成分包含在25℃常温下的性状为固体的环氧成分。
9.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述热塑性树脂包含丙烯腈-丁二烯橡胶及苯氧树脂中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述固化剂包含胺类固化剂、苯酚类固化剂及酸酐类固化剂中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述填料为球形二氧化硅。
12.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,相对于100重量份的上述热固性树脂,上述组合物包含10重量份至60重量份的上述热塑性树脂、5重量份至50重量份的上述固化剂、50重量份至400重量份的上述填料。
13.根据权利要求1所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,还包含:
载体膜,覆盖上述绝缘膜的一面;以及
覆盖膜,覆盖上述绝缘膜的另一面。
14.根据权利要求13所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述载体膜包含定向聚丙烯。
15.根据权利要求13所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述覆盖膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述用于制造电子装置的绝缘膜用于印刷电路板。
17.根据权利要求16所述的用于制造电子装置的绝缘膜,其特征在于,上述印刷电路板用于移动电话、摄像机、笔记本电脑以及可穿戴设备中的至少一种。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20200080561 | 2020-06-30 | ||
KR10-2020-0080561 | 2020-06-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113861618A CN113861618A (zh) | 2021-12-31 |
CN113861618B true CN113861618B (zh) | 2023-11-07 |
Family
ID=78989978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110696705.1A Active CN113861618B (zh) | 2020-06-30 | 2021-06-23 | 用于制造电子装置的绝缘膜 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102516291B1 (zh) |
CN (1) | CN113861618B (zh) |
TW (1) | TWI792364B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103665760A (zh) * | 2012-08-29 | 2014-03-26 | 三星电机株式会社 | 用于印刷电路板的环氧树脂组合物、绝缘膜、半固化片以及多层印刷电路板 |
CN103849118A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | 三星电机株式会社 | 一种印刷电路板用树脂组合物、绝缘薄膜、半固化片和印刷电路板 |
WO2015146816A1 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物および静電容量型指紋センサー |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140037646A (ko) * | 2012-09-19 | 2014-03-27 | 삼성전기주식회사 | 절연용 에폭시 수지 조성물, 절연 필름, 프리프레그 및 인쇄회로기판 |
JP6123243B2 (ja) * | 2012-11-12 | 2017-05-10 | 味の素株式会社 | 絶縁樹脂材料 |
TWI629306B (zh) * | 2013-07-19 | 2018-07-11 | Ajinomoto Co., Inc. | Resin composition |
JP6320239B2 (ja) * | 2013-09-24 | 2018-05-09 | 日東電工株式会社 | 半導体チップ封止用熱硬化性樹脂シート及び半導体パッケージの製造方法 |
WO2018003590A1 (ja) | 2016-06-28 | 2018-01-04 | 住友ベークライト株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリント配線基板および半導体装置 |
KR102051375B1 (ko) * | 2018-05-11 | 2019-12-04 | 삼성전자주식회사 | 인쇄회로기판 및 ic 패키지용 수지 조성물, 및 이를 이용한 제품 |
-
2021
- 2021-04-23 KR KR1020210053309A patent/KR102516291B1/ko active IP Right Grant
- 2021-06-23 CN CN202110696705.1A patent/CN113861618B/zh active Active
- 2021-06-23 TW TW110123010A patent/TWI792364B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103665760A (zh) * | 2012-08-29 | 2014-03-26 | 三星电机株式会社 | 用于印刷电路板的环氧树脂组合物、绝缘膜、半固化片以及多层印刷电路板 |
CN103849118A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | 三星电机株式会社 | 一种印刷电路板用树脂组合物、绝缘薄膜、半固化片和印刷电路板 |
WO2015146816A1 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物および静電容量型指紋センサー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220002080A (ko) | 2022-01-06 |
CN113861618A (zh) | 2021-12-31 |
TW202216894A (zh) | 2022-05-01 |
KR102516291B1 (ko) | 2023-03-31 |
TWI792364B (zh) | 2023-02-11 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
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