CN113831356B

CN113831356B - 一种包含稠环的化合物及其有机发光器件

Info

Publication number: CN113831356B
Application number: CN202111122225.0A
Authority: CN
Inventors: 孙月; 陆影; 苗玉鹤; 李梦茹
Original assignee: Changchun Hyperions Technology Co Ltd
Current assignee: Changchun Hyperions Technology Co Ltd
Priority date: 2021-09-24
Filing date: 2021-09-24
Publication date: 2022-12-27
Anticipated expiration: 2041-09-24
Also published as: CN113831356A

Abstract

本发明公开了一种包含稠环的化合物及其有机发光器件，涉及有机光电材料技术领域。将本发明包含稠环的化合物作为电子传输材料应用于有机发光器件中，该有机发光器件具有高的发光性能。具体表现在，本发明化合物具有较高的稳定性，作为电子传输材料或空穴阻挡材料应用于器件中，提高了电子在器件中的传输效率，并能将空穴有效地阻挡在发光层内，使电子和空穴在发光层中的复合几率升高，器件表现出高的发光效率和使用寿命。另外，将该化合物作为覆盖层应用于有机发光器件中，能有效抑制外光反射和消光反应，提高光取出性能，从而提高有机发光器件的发光效率和寿命。

Description

一种包含稠环的化合物及其有机发光器件

技术领域

本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种包含稠环的化合物及其有机发光器件。

背景技术

二十一世纪是电子信息的时代，也就是所谓的“3C”时代，在这样的环境中，到处充斥着琳琅满目的电子产品。伴随着人与电子产品的接触越来越频繁，人们也对显示器提出越来越苛刻的要求，例如体积小巧、灵敏度要高、发光效率高、功耗低等，而OLED(OrganicLight Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示器就是可以将这一系列的特性集于一身的显示器，是显示器未来发展的趋势。

OLED发光器件包括电极材料以及夹在不同电极材料之间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。其发光的本质是实现光电转换的过程，外加电场作用下，阴极材料产生电子，阳极材料产生空穴，这些电子与空穴在外电压作用下分别注入到电子传输层的HOMO能级和空穴传输层的LUMO能级，由于能极差的存在，在HOMO能级的电子和在LUMO能级的空穴持续迁移到有机发光层，相互复合形成“空穴-电子”对，而这些“空穴-电子”对就是具有较高能量的激子，在发光层中自由迁移和自由跃迁，从激发态跃迁到基态产生光子能量，并且根据能量的大小展现出不同颜色，此过程就实现了电能向光能的转变。

应用于OLED发光器件的光电功能材料从用途上分为可分为：电荷注入传输材料、发光材料以及光提取材料。电荷注入传输材料又可分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，而发光材料包括主体发光材料和掺杂材料。为了制作高性能的OLED发光器件，各种有机功能材料必须具备良好的光电特性。作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，作为发光层的主体材料必须具备良好的双极性，作为光提取材料具备抑制外光反射和消光反应功能等。

目前，对于有机发光器件的研究主要集中在降低驱动电压、提高发光效率以及增加使用寿命等，为了实现OLED器件的性能的不断提升，不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新，更需要OLED光电功能材料不断研究和创新，因此，研制出更高性能的OLED功能材料是很有必要的。

发明内容

发明目的：针对上述问题，本发明提供了一种包含稠环的化合物及其有机发光器件。

本发明提供的一种包含稠环的化合物，具有如通式I所示的结构，

所述X选自O、S中的一种；

所述Y选自C或N，且至少一个Y选自N；

所述R1选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C20的杂芳基中的一种，所述i1选自1、2或3，当i1大于1时，多个R1彼此相同或不同，或者相邻两个R1之间可以连接成环；

所述A选自取代或未取代的C14～C18的稠环芳基；

所述B与A相同或不同，选自取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C3～C20的环烯基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C20的杂芳基中的一种，且B不选自以下所示基团，

所述L0选自单键、取代或未取代的C6～C25的亚芳基中的一种；

所述L1～L2独立地选自单键、取代或未取代的C6～C25的亚芳基、取代或未取代的C2～C20的亚杂芳基中的一种。

本发明提供了一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极、有机物层，所述有机物层位于阳极和阴极之间，所述有机物层包括本发明所述的包含稠环的化合物。

本发明还提供了一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极、有机物层，所述有机物层位于阳极或阴极中至少一个电极的外侧，所述有机功能层包括覆盖层，所述覆盖层包括本发明所述的包含稠环的化合物。

有益效果：本发明提供的包含稠环的化合物应用于有机发光器件中，该有机发光器件具有较高的发光性能。具体表现在，本发明包含稠环的化合物具有较高的稳定性，作为电子传输材料或空穴阻挡材料应用于器件中，提高了电子在器件中的传输效率，并能将空穴有效地阻挡在发光层内，使电子和空穴在发光层中的复合几率升高，器件表现出高的发光效率和使用寿命。另外，将该化合物作为覆盖层应用于有机发光器件中，能有效抑制外光反射和消光反应，提高光取出性能，从而提高有机发光器件的发光效率。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

在本发明中，烷基可以为线性的或支化的，优选具有1～40个碳原子，再优选1～20个碳原子，特别优选1～12个碳原子，最优选1～6个碳原子。烷基的具体实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基丁基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、2-丙基戊基、己基、异己基、1-甲基己基、4-甲基己基、5-甲基己基、2-乙基己基、庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、辛基、叔辛基、壬基等。

在本发明中，环烷基没有特别限制，但优选具有3～60个碳原子，再优选3～15个碳原子，最优选3～12个碳原子。环烷基的具体实例包括但不限于环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基等。

在本发明中，环烯基没有特别限制，但优选具有3～60个碳原子更优选3～20个碳原子。环烯基的具体实例包括但不限于环丙烯、环丁烯、环戊烯、环己烯、环丁二烯、环戊二烯、环庚烯、1,3-环己二烯、1,4-环己二烯等。

在本发明中，芳基可以为单环芳基、多环芳基或稠环芳基，优选具有6～60个碳原子，更优选6～25个碳原子，特别优选6～18个碳原子，最优选6～12个碳原子。芳基的实例包括但不限于苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺二芴基、萉基、三亚苯基等。

在本发明中，杂芳基可以为单环杂芳基、多环杂芳基或稠环杂芳基，优选的碳原子数目为2～60，更优选2～20个碳原子，特别优选2～15个碳原子，最优选2～12个碳原子。其中杂原子包括但不限于S、O、N、Si、P、B等。杂芳基的实例包括但不限于吡啶基、吡咯基、嘧啶基、哒嗪基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、二唑基、吡喃基、噻喃基、吡嗪基、噻嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、吖啶基、吲哚基、二氢吲哚基、酞嗪基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、菲咯啉基、吩噻嗪基等。

在本发明中，亚芳基可以为单环亚芳基、多环亚芳基或稠环亚芳基，优选具有6～60个碳原子，更优选6～25个碳原子，特别优选6～18个碳原子，最优选6～12个碳原子。亚芳基的实例包括但不限于亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚菲基、亚蒽基、亚三亚苯基、亚芘基、亚芴基、亚苯并芴基、亚螺二芴基、亚苯并螺二芴基等。

在本发明中，亚杂芳可以为单环亚杂芳基、多环亚杂芳基或稠环亚杂芳基，优选具有2～60个碳原子，更优选2～20个碳原子，特别优选2～15个碳原子，最优选2～12个碳原子。亚芳基的实例包括但不限于亚吡啶基、亚嘧啶基、亚三嗪基、亚呋喃基、亚噻吩基、亚联吡啶基、亚联嘧啶基、亚苯基吡啶基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚吲哚基、亚苯并噻吩基、亚苯并呋喃基、亚苯并噁唑基、亚苯并咪唑基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚咔唑基、亚苯并咔唑基、亚吖啶基、亚吩噁嗪基等。

在本发明结构中，“*”表示连接位点。

在本发明中，当取代基在芳香环上的位置不固定时，表示其可连接于所述芳香环的相应可选位点中的任意一个。例如，

可表示

以此类推。

在本发明中，“取代或未取代”中的“未取代”表示基团上氢原子未被其他基团替换。

在本发明中，“取代或未取代”中的“取代”表示基团上氢原子被其他基团替换，且取代位置是任意的，当为多取代时，各个基团相同或不同，且相邻取代基团可以结合成环。取代基团包括氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C3～C20的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基，具体的实例包括但不限于氘、卤素、氰基、氨基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、三亚苯基、蒽基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、苯并芴基、螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、咔唑基、噁唑基、苯并噁唑基、噻唑基、苯并噻唑基、咪唑基、苯并咪唑基等。

本发明中所述的可以连接成环是指两个基团通过化学键彼此连接并任选地进行芳构化，如下所示：

在本发明中，连接形成地环可以为五元环、六元环或稠合环，实例包括但不限于苯、萘、芴、环戊烷、环己烷并苯、菲、笓、喹啉、异喹啉或二苯并呋喃等。

本发明所述的卤素包括氟、氯、溴、碘。

本发明提供一种包含稠环的化合物，具有如通式I所示的结构，

所述X选自O、S中的一种；

所述Y选自C或N，且至少一个Y选自N；

所述A选自取代或未取代的C14～C18的稠环芳基；

所述L0选自单键、取代或未取代的C6～C25的亚芳基中的一种；

优选的，所述包含稠环的化合物选自以下所示结构中的一种，

所述R2彼此相同或不同，独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C20的杂芳基中的一种，所述i2选自1、2、3、4、5、6、7、8或9，所述i3选自1、2、3、4、5、6、或7，所述i4选自1、2、3或4。

优选的，所述R2选自氢、氘、卤素、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、金刚烷基、降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的哒嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的喹唑啉基中的一种。

优选的，所述A选自以下所示结构中的一种，

优选的，所述

选自以下所示结构中的一种，

所述R1相同或不同，独立地选自氢、氘、卤素、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、戊基、己基、庚基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、金刚烷基、降冰片基、取代或为取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基中的一种，或者相邻两个R1之间可以连接成环，所述i5选自1、2或3，所述i6选自1或2。

优选的，所述B选自取代或未取代的C3～C15的环烷基、取代或未取代的C3～C20的环烯基或以下所示结构中的一种，

所述Z选自C或N；

所述E选自O、S、C(R4)₂、N(R5)中的一种，所述R4、R5独立地选自取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C6～C25的芳基、取代或未取代的C2～C20的杂芳基中的一种；

所述R3彼此相同或不同，独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的异丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的异丁基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的仲丁基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的环庚基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的萘啶基中的一种，或者相邻两个R3之间可以连接成环，所述i7选自1、2、3、4或5，所述i8选自1、2、3、4、5、6或7，所述i9选自1、2、3、4、5、6、7、8或9，所述i10选自1、2、3或4。

优选的，所述B选自以下所示结构中的一种，

优选的，所述L0选自单键或以下所示结构中的一种，

优选的，所述L1～L2选自单键或以下所示结构中的一种，

所述R6彼此相同或不同，独立地选自氢、氘、卤素、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、金刚烷基、降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的吡啶基中的一种，所述i11选自1、2、3、或4，所述i12选自1、2、或3，所述i13选自1或2。

优选的，所述L1～L2选自单键或以下所示结构中的一种，

优选的，所述包含稠环的化合物选自如下所示结构中的一种，

另外，本发明提供一种有机发光器件，包括阳极、阴极以及有机物层，所述有机物层位于阳极和阴极之间，所述有机物层包括本发明所述的包含稠环的化合物。

优选的，所述有机物层包含电子传输层或空穴阻挡层中至少一层，所述电子传输层或空穴阻挡层中的至少一层包括本发明所述的包含稠环的化合物。

本发明还提供一种有机发光器件，包括阳极、阴极、有机物层，所述有机物层位于阳极或阴极中至少一个电极的外侧，所述有机功能层包括覆盖层，所述覆盖层包括本发明所述的包含稠环的化合物。

本发明提供的有机发光器件中的有机功能层包括覆盖层、空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层/发光辅助层/电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层、电子注入层中的一种或多种。各个功能层可为单层或多层，每层可包含一种或多种材料。

本发明所述的有机发光器件其结构优选为：

基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；

基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极；

基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；

基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极；

基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极；

基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/第二电子传输层/第一电子传输层/电子注入层/阴极；

基板/阳极/空穴注入层/第一空穴传输层/第二空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/第二电子传输层/第一电子传输层/电子注入层/阴极；

基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；

基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；

基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；

基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；

下面对上述器件中可能涉及到的各层及其材料进行介绍：

本发明所述的基板作为有机发光器件与外部电路的连接点，是电荷能否顺利注入的重要因素。在本发明中可使用的基板材料包括但不限于玻璃、硅、树脂、金属箔等。

本发明所述的阳极材料具有高导电率、高透光率、高功函数等特点，在本发明中可使用的阳极材料包括但不限于氧化铟锡(ITO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)、铝/银(Al/Ag))等。

本发明所述的空穴注入材料是可以降低空穴注入势垒，增加界面间电荷注入的材料，在本发明中可使用的空穴注入材料包括但不限于二氧化钛(TiO₂)、酞菁铜(CuPc)、N,N'-二苯基-N,N'-二-[4-(N,N-二苯基胺)苯基]联苯胺(NPNPB)、N,N'-双[4-(二苯基氨基)苯基]-N,N'-二-1-萘基-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺(2T-NATA)等。

本发明所述的空穴传输材料是具有较强给电子特性的化合物，并且具有适当的HOMO轨道能级。在本发明中可使用的空穴传输材料包括但不限于N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)等。

本发明所述的电子阻挡材料具有较高的LUMO能级、较高的空穴迁移率等特点，在本发明中可使用的电子阻挡材料包括但不限于4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)等。

本发明所述的发光材料应具备比较好的载流子传输性、半导体特性、热稳定性和成膜性，一般地，有机电致发光材料分为荧光发光材料和磷光发光材料。在本发明中可使用的荧光发光材料包括但不限于4,4'-双(2,2-二苯基-乙烯-1-基)联苯(DPVBI)、2-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(MADN)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)等；在本发明中可使用的磷光发光材料包括但不限于三[1-苯基异喹啉-C2,N]铱、三(2-苯基吡啶)合铱、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)铱等。

本发明所述的空穴阻挡材料通常具有较低的HOMO轨道能级，较宽的带隙、较高的氧化电位，同时空穴阻挡材料要有较好的稳定性、较好的成膜性、较好的迁移率等特点。除了本发明式I所示的包含稠环的化合物外，在本发明中还可使用的空穴阻挡材料包括但不限于1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBI)、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlQ)等，优选本发明所述的包含稠环的化合物。

本发明所述的电子传输材料具有平衡载流子，增强电子注入，降低工作电压，激子阻挡等作用，除了本发明式I所示的包含稠环的化合物外，在本发明中还可使用的电子传输材料包括但不限于3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶(TmPyPB)、4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-苯基嘧啶(B3PyPPM)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、2,9-(二甲基)-4,7-联苯-1,10-邻二氮菲(BCP)、2-(萘-2-基)-4,7-(二苯基)-1,10-邻二氮菲(HNBPHEN)、4,4'-双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-1,1'-联苯(BTB)等，优选本发明所述的包含稠环的化合物。

本发明所述的电子注入材料是辅助电子从阴极注入到有机层的材料，在本发明中可使用的电子传输材料包括但不限于氧化锂(Li₂O)、氧化锂硼(LiBO₂)、碳酸铯(Cs₂CO₃)、硅酸钾(K₂SiO₃)、氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化钾(KF)、氟化铯(CsF)、氟化铷(RbF)等。

本发明所述的阴极材料首要的是降低电子注入的能垒，最有效的是选择较低功函数的金属以及金属合金材料，可应用于本发明的阴极材料包括但不限于钡(Ba)、钙(Ca)、锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铟(In)、银(Ag)、镁银合金(Mg:Ag)、锂铝合金(Li:Al)等。

本发明所述的覆盖层材料具有较高的玻璃化转变温度，光取出性能优异，除了本发明式I所示的包含稠环的化合物外，在本发明中还可使用的覆盖层材料包括但不限于咪唑衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、芳胺类衍生物等，优选本发明所述的包含稠环的化合物。

本发明所述的有机发光器件可应用于显示领域，如手机、数码相机、笔记本电脑、电子书、穿戴智能设备、柔性OLED指示灯牌等。

以下具体实施例更详细的说明了本发明，但应理解的是，本发明不限于这些实施例。

本发明通式Ⅰ所示的化合物可采用本领域技术人员熟知的化学反应制备，以下列举了一种合成路线，

所述Xn相同或者不同，选自F、Cl、Br、I；所述Bn相同或者不同，选自

原料与试剂：本发明对以下合成实施例中所采用的原料或试剂没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到，原料及试剂均为试剂纯。

仪器：质谱仪为英国沃特斯公司生产的G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨率质谱仪；元素分析仪为德国Elementar公司生产的Vario EL cube型有机元素分析仪。

[合成实施例1]化合物2的合成

制备中间体2-1：

氮气保护下，将a-2(120.00mmol，39.99g)，b-2(122.40mmol，19.14g)，Pd(PPh₃)₄(2.40mmol，2.77g)和360mL甲苯、120mL乙醇加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将120mL浓度为2M的K₂CO₃水溶液通过注射器注入到上述溶液中，加热回流反应2小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝5：1重结晶，得到中间体2-1(38.10g，收率87％)；HPLC纯度≥99.66％。质谱m/z：364.1028(理论值：364.1019)。

制备中间体2-2：

将中间体2-1(102.00mmol，38.31g)，c-2(112.20mmol，28.49g)和KOAc(306.00mmol，30.03g)溶于DMF(840mL)中，氮气置换后，加入Pd(dppf)Cl₂(2.04mmol，1.49g)加热回流反应3小时。待反应结束后，冷却至室温并加入900mL水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水MgSO₄干燥，浓缩，使用乙酸乙酯重结晶，得到中间体2-2(39.10g，收率84％)；HPLC纯度≥99.68％。质谱m/z：456.2250(理论值：456.2261)。

制备中间体2-3：

氮气保护下，将中间体2-2(85.00mmol38.79g)，d-2(83.33mmol，28.56g)，Pd(PPh₃)₄(1.67mmol，1.93g)和270mL甲苯、90mL乙醇加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将90mL浓度为2M的K₂CO₃水溶液通过注射器注入到上述溶液中，加热回流反应3小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝20：3重结晶，得到中间体2-3(36.67g，收率83％)；HPLC纯度≥99.70％。质谱m/z：518.0445(理论值：518.0437)。

制备中间体2-4：

将中间体2-3(70.00mmol，36.39g)，c-2(77.00mmol，19.55g)和KOAc(210.00mmol，20.61g)溶于DMF(560mL)中，氮气置换后，加入Pd(dppf)Cl₂(1.40mmol，1.02g)加热回流反应3.5小时。待反应结束后，冷却至室温并加入700mL水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水MgSO₄干燥，浓缩，使用乙酸乙酯重结晶，得到中间体2-4(32.54g，收率82％)；HPLC纯度≥99.75％。质谱m/z：566.2176(理论值：566.2184)。

制备中间体2-5：

氮气保护下，将中间体2-4(56.10mmol，31.80g)，e-2(55.00mmol，8.64g)，Pd(dppf)Cl₂(1.10mmol，0.80g)、和165mL甲苯、55mL乙醇加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将55mL浓度为2M的K₂CO₃水溶液通过注射器注入到上述溶液中，加热回流反应4小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝10：1重结晶，得到中间体2-5(22.18g，收率78％)；HPLC纯度≥99.77％。质谱m/z：516.1635(理论值：516.1645)。

制备中间体2-6：

将中间体2-5(40.00mmol，20.68g)，c-2(44.00mmol，11.17g)和KOAc(120.00mmol，11.78g)溶于DMF(320mL)中，氮气置换后，加入Pd(dppf)Cl₂(0.80mmol，0.59g)加热回流反应5小时。待反应结束后，冷却至室温并加入400mL水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水MgSO₄干燥，浓缩，使用乙酸乙酯重结晶，得到中间体2-6(18.26g，收率75％)；HPLC纯度≥99.82％。质谱m/z：608.2878(理论值：608.2887)。

制备化合物2：

氮气保护下，将中间体2-6(28.56mmol，17.24g)，f-2(28.00mmol，4.32g)，Pd₂(dba)₃(0.28mmol，0.26g)、P(t-Bu)₃(2.24mmol，0.45g)和四氢呋喃70mL，加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将23mL浓度为2M的K₂CO₃水溶液通过注射器注入到上述溶液中，加热回流反应5小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，最后将滤饼用甲苯重结晶，得到化合物2(12.11g，收率72％)；HPLC纯度≥99.87％。质谱m/z：600.2210(理论值：600.2202)。理论元素含量(％)C₄₄H₂₈N₂O：C,87.97；H,4.70；N,4.66。实测元素含量(％)：C,87.98；H,4.75；N,4.65。

[合成实施例2]化合物4的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-4，将b-2替换为等摩尔的b-4，将e-2替换为等摩尔的e-4，将f-2替换为等摩尔的f-4，合成化合物4(14.33g)，HPLC检测固体纯度≧99.86％。质谱m/z：730.2933(理论值：730.2922)。理论元素含量(％)C₅₄H₃₀D₄N₂O：C,88.74；H,5.24；N,3.83。实测元素含量(％)：C,88.78；H,5.26；N,3.81。

[合成实施例3]化合物13的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-13，将b-2替换为等摩尔的b-13，合成化合物13(14.27g)，HPLC检测固体纯度≧99.88％。质谱m/z：727.2639(理论值：727.2624)。理论元素含量(％)C₅₃H₃₃N₃O：C,87.46；H,4.57；N,5.77。实测元素含量(％)：C,87.44；H,4.63；N,5.75。

[合成实施例4]化合物20的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-20，将d-2替换为等摩尔的d-20，将f-2替换为等摩尔的f-20，合成化合物20(13.74g)，HPLC检测固体纯度≧99.87％。质谱m/z：701.2481(理论值：701.2467)。理论元素含量(％)C₅₁H₃₁N₃O：C,87.28；H,4.45；N,5.99。实测元素含量(％)：C,87.30；H,4.49；N,5.95。

[合成实施例5]化合物24的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-24，将f-2替换为等摩尔的f-24，合成化合物24(14.76g)，HPLC检测固体纯度≧99.86％。质谱m/z：752.2837(理论值：752.2828)。理论元素含量(％)C₅₆H₃₆N₂O：C,89.33；H,4.82；N,3.72。实测元素含量(％)：C,89.36；H,4.80；N,3.75。

[合成实施例6]化合物26的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将b-2替换为等摩尔的b-26，将e-2替换为等摩尔的e-26，将f-2替换为等摩尔的f-26，合成化合物26(13.47g)，HPLC检测固体纯度≧99.86％。质谱m/z：677.2476(理论值：677.2467)。理论元素含量(％)C₄₉H₃₁N₃O：C,86.83；H,4.61；N,6.20。实测元素含量(％)：C,86.80；H,4.63；N,6.24。

[合成实施例7]化合物39的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-39，将e-2替换为等摩尔的e-39，将f-2替换为等摩尔的f-39，合成化合物39(14.87g)，HPLC检测固体纯度≧99.87％。质谱m/z：758.2996(理论值：758.2984)。理论元素含量(％)C₅₄H₃₀D₄N₄O：C,85.46；H,5.05；N,7.38。实测元素含量(％)：C,85.48；H,5.10；N,7.39。

[合成实施例8]化合物42的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-42，将e-2替换为等摩尔的e-42，将f-2替换为等摩尔的f-20，合成化合物42(17.24g)，HPLC检测固体纯度≧99.88％。质谱m/z：918.3629(理论值：918.3610)。理论元素含量(％)C₆₉H₄₆N₂O：C,90.17；H,5.04；N,3.05。实测元素含量(％)：C,90.18；H,5.08；N,3.02。

[合成实施例9]化合物48的合成

制备中间体48-1：

氮气保护下，将a-48(91.80mmol，27.37g)，d-2(90.00mmol，28.56g)，Pd(PPh₃)₄(1.80mmol，2.08g)和270mL甲苯、90mL乙醇加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将90mL浓度为2M的K₂CO₃水溶液通过注射器注入到上述溶液中，加热回流反应3小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝20：3重结晶，得到中间体48-1(34.75g，收率87％)；HPLC纯度≥99.71％。质谱m/z：442.0133(理论值：442.0124)。

制备中间体48-2：

将中间体48-1(70.00mmol，31.06g)，c-2(77.00mmol，19.55g)和KOAc(210.00mmol，20.61g)溶于DMF(560mL)中，氮气置换后，加入Pd(dppf)Cl₂(1.40mmol，1.02g)加热回流反应3.5小时。待反应结束后，冷却至室温并加入700mL水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水MgSO₄干燥，浓缩，使用乙酸乙酯重结晶，得到中间体48-2(28.17g，收率82％)；HPLC纯度≥99.74％。质谱m/z：490.1864(理论值：490.1871)。

制备中间体48-3：

氮气保护下，将中间体48-2(56.10mmol，27.54g)，e-48(55.00mmol，17.78g)，Pd(dppf)Cl₂(1.10mmol，0.80g)、和165mL甲苯、55mL乙醇加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将55mL浓度为2M的K₂CO₃水溶液通过注射器注入到上述溶液中，加热回流反应4小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝10：1重结晶，得到中间体48-3(26.05g，收率78％)；HPLC纯度≥99.77％。质谱m/z：606.1763(理论值：606.1750)。

制备中间体48-4：

将中间体48-3(40.00mmol，24.29g)，c-2(44.00mmol，11.17g)和KOAc(120.00mmol，11.78g)溶于DMF(320mL)中，氮气置换后，加入Pd(dppf)Cl₂(0.80mmol，0.59g)加热回流反应5小时。待反应结束后，冷却至室温并加入400mL水，用二氯甲烷萃取，有机层用无水MgSO₄干燥，浓缩，使用乙酸乙酯重结晶，得到中间体48-4(20.96g，收率75％)；HPLC纯度≥99.82％。质谱m/z：698.2981(理论值：698.2992)。

制备化合物48：

氮气保护下，将中间体48-4(28.56mmol，19.95g)，f-48(28.00mmol，9.11g)，Pd₂(dba)₃(0.28mmol，0.26g)、P(t-Bu)₃(2.24mmol，0.45g)和四氢呋喃70mL，加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，随后将23mL浓度为2M的K₂CO₃水溶液通过注射器注入到上述溶液中，加热回流反应5小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，最后将滤饼用甲苯重结晶，得到化合物48(15.55g，收率68％)；HPLC纯度≥99.85％。质谱m/z：816.2767(理论值：816.2777)。理论元素含量(％)C₆₀H₃₆N₂O₂：C,88.21；H,4.44；N,3.43。实测元素含量(％)：C,88.27；H,4.42；N,3.46。

[合成实施例10]化合物57的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-57，将b-2替换为等摩尔的b-57，将e-2替换为等摩尔的e-57，将f-2替换为等摩尔的f-57，合成化合物57(15.48g)，HPLC检测固体纯度≧99.88％。质谱m/z：812.3533(理论值：812.3515)。理论元素含量(％)C₅₈H₄₄N₄O：C,85.69；H,5.46；N,6.89。实测元素含量(％)：C,85.74；H,5.44；N,6.84。

[合成实施例11]化合物59的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将b-2替换为等摩尔的b-26，将e-2替换为等摩尔的e-59，合成化合物59(14.36g)，HPLC检测固体纯度≧99.87％。质谱m/z：730.2969(理论值：730.2984)。理论元素含量(％)C₅₄H₃₈N₂O：C,88.74；H,5.24；N,3.83。实测元素含量(％)：C,88.77；H,5.21；N,3.85。

[合成实施例12]化合物68的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将b-2替换为等摩尔的b-68，将e-2替换为等摩尔的e-68，将f-2替换为等摩尔的f-39，合成化合物68(18.97g)，HPLC检测固体纯度≧99.90％。质谱m/z：1041.3733(理论值：1041.3719)。理论元素含量(％)C₇₈H₄₇N₃O：C,89.89；H,4.55；N,4.03。实测元素含量(％)：C,89.87；H,4.59；N,4.05。

[合成实施例13]化合物86的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-86，将d-2替换为等摩尔的d-86，将e-2替换为等摩尔的e-86，将f-2替换为等摩尔的f-86，合成化合物86(13.78g)，HPLC检测固体纯度≧99.86％。质谱m/z：693.2255(理论值：693.2239)。理论元素含量(％)C₄₉H₃₁N₃S：C,84.82；H,4.50；N,6.06。实测元素含量(％)：C,84.86；H,4.51；N,6.04。

[合成实施例14]化合物109的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-109，将e-2替换为等摩尔的e-109，将f-2替换为等摩尔的f-109，合成化合物109(15.71g)，HPLC检测固体纯度≧99.88％。质谱m/z：824.3032(理论值：824.3022)。理论元素含量(％)C₅₉H₃₂D₅N₃S：C,85.89；H,5.13；N,5.09。实测元素含量(％)：C,85.93；H,5.18；N,5.08。

[合成实施例15]化合物124的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将b-2替换为等摩尔的b-124，将e-2替换为等摩尔的e-4，将f-2替换为等摩尔的f-124，合成化合物124(16.09g)，HPLC检测固体纯度≧99.88％。质谱m/z：832.2563(理论值：832.2548)。理论元素含量(％)C₆₀H₃₆N₂OS：C,86.51；H,4.36；N,3.36。实测元素含量(％)：C,86.54；H,4.32；N,3.34。

[合成实施例16]化合物164的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将e-2替换为等摩尔的e-164，将f-2替换为等摩尔的f-164，合成化合物164(15.05g)，HPLC检测固体纯度≧99.87％。质谱m/z：778.2745(理论值：778.2733)。理论元素含量(％)C₅₆H₃₄N₄O：C,88.74；H,5.24；N,3.83。实测元素含量(％)：C,88.78；H,5.26；N,3.80。

[合成实施例17]化合物186的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-186，将f-2替换为等摩尔的f-26，合成化合物186(10.72g)，HPLC检测固体纯度≧99.85％。质谱m/z：524.1903(理论值：524.1889)。理论元素含量(％)C₃₈H₂₄N₂O：C,87.00；H,4.61；N,5.34。实测元素含量(％)：C,87.05；H,4.60；N,5.31。

[合成实施例18]化合物192的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-192，将f-2替换为等摩尔的f-192，合成化合物192(13.47g)，HPLC检测固体纯度≧99.85％。质谱m/z：677.2482(理论值：677.2467)。理论元素含量(％)C₄₉H₃₁N₃O：C,86.83；H,4.61；N,6.20。实测元素含量(％)：C,86.87；H,4.60；N,6.17。

[合成实施例19]化合物226的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-186，将e-2替换为等摩尔的e-226，将f-2替换为等摩尔的f-226，合成化合物226(13.29g)，HPLC检测固体纯度≧99.86％。质谱m/z：677.2484(理论值：677.2467)。理论元素含量(％)C₄₉H₃₁N₃O：C,86.83；H,4.61；N,6.20。实测元素含量(％)：C,86.88；H,4.58；N,6.17。

[合成实施例20]化合物228的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-228，将b-2替换为等摩尔的b-228，将e-2替换为等摩尔的e-4，将f-2替换为等摩尔的f-20，合成化合物228(13.74g)，HPLC检测固体纯度≧99.87％。质谱m/z：700.2530(理论值：700.2515)。理论元素含量(％)C₅₂H₃₂N₂O：C,89.12；H,4.60；N,4.00。实测元素含量(％)：C,89.14；H,4.63；N,3.98。

[合成实施例21]化合物237的合成

采用与合成实施例9合成化合物48相同的方法，其中，将a-48替换为等摩尔的a-237，将e-48替换为等摩尔的e-237，将f-48替换为等摩尔的f-237，合成化合物237(14.29g)，HPLC检测固体纯度≧99.86％。质谱m/z：728.2588(理论值：728.2576)。理论元素含量(％)C₅₂H₃₂N₄O：C,85.69；H,4.43；N,7.69。实测元素含量(％)：C,85.71；H,4.47；N,7.67。

[合成实施例22]化合物251的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-251，将e-2替换为等摩尔的e-251，将f-2替换为等摩尔的f-251，合成化合物251(15.80g)，HPLC检测固体纯度≧99.88％。质谱m/z：841.3112(理论值：841.3093)。理论元素含量(％)C₆₂H₃₉N₃O：C,88.44；H,4.67；N,4.99。实测元素含量(％)：C,88.49；H,4.64；N,5.00。

[合成实施例23]化合物259的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-259，将e-2替换为等摩尔的e-259，将f-2替换为等摩尔的f-39，合成化合物259(14.82g)，HPLC检测固体纯度≧99.87％。质谱m/z：766.2999(理论值：766.2984)。理论元素含量(％)C₅₇H₃₈N₂O：C,89.27；H,4.99；N,3.65。实测元素含量(％)：C,89.23；H,5.04；N,3.67。

[合成实施例24]化合物263的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-263，将f-2替换为等摩尔的f-263，合成化合物263(14.82g)，HPLC检测固体纯度≧99.86％。质谱m/z：617.1946(理论值：617.1926)。理论元素含量(％)C₄₃H₂₇N₃S：C,83.60；H,4.41；N,6.80。实测元素含量(％)：C,83.58；H,4.40；N,6.86。

[合成实施例25]化合物323的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-323，将e-2替换为等摩尔的e-323，将f-2替换为等摩尔的f-26，合成化合物323(14.29g)，HPLC检测固体纯度≧99.87％。质谱m/z：728.2561(理论值：728.2576)。理论元素含量(％)C₅₂H₃₂N₄O：C,85.69；H,4.43；N,7.69。实测元素含量(％)：C,85.71；H,4.40；N,7.67。

[合成实施例26]化合物334的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-323，将e-2替换为等摩尔的e-334，将f-2替换为等摩尔的f-20，合成化合物334(14.47g)，HPLC检测固体纯度≧99.87％。质谱m/z：727.2638(理论值：727.2624)。理论元素含量(％)C₅₃H₃₃N₃O：C,87.46；H,4.57；N,5.77。实测元素含量(％)：C,87.48；H,4.54；N,5.76。

[合成实施例27]化合物347的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-323，将e-2替换为等摩尔的e-347，将f-2替换为等摩尔的f-39，合成化合物347(15.54g)，HPLC检测固体纯度≧99.88％。质谱m/z：815.2947(理论值：815.2937)。理论元素含量(％)C₆₀H₃₇N₃O：C,88.32；H,4.57；N,5.15。实测元素含量(％)：C,88.36；H,4.53；N,5.14。

[合成实施例28]化合物349的合成

采用与合成实施例9合成化合物48相同的方法，其中，将a-48替换为等摩尔的a-349，将e-48替换为等摩尔的e-349，将f-48替换为等摩尔的f-39，合成化合物349(15.57g)，HPLC检测固体纯度≧99.88％。质谱m/z：817.2746(理论值：817.2729)。理论元素含量(％)C₅₉H₃₅N₃O₂：C,86.64；H,4.31；N,5.14。实测元素含量(％)：C,86.68；H,4.35；N,5.11。

[合成实施例29]化合物352的合成

采用与合成实施例1合成化合物2相同的方法，其中，将a-2替换为等摩尔的a-323，将e-2替换为等摩尔的e-352，将f-2替换为等摩尔的f-39，合成化合物352(15.17g)，HPLC检测固体纯度≧99.87％。质谱m/z：784.3470(理论值：784.3454)。理论元素含量(％)C₅₈H₄₄N₂O：C,88.74；H,5.65；N,3.57。实测元素含量(％)：C,88.77；H,5.66；N,3.52。

[合成实施例30]化合物377的合成

采用与合成实施例9合成化合物48相同的方法，其中，将a-48替换为等摩尔的a-377，将e-48替换为等摩尔的e-377，将f-48替换为等摩尔的f-377，合成化合物377(16.95g)，HPLC检测固体纯度≧99.85％。质谱m/z：828.2584(理论值：828.2599)。理论元素含量(％)C₆₁H₃₆N₂S：C,88.38；H,4.38；N,3.38。实测元素含量(％)：C,88.34；H,4.39；N,3.41。

[器件实施例1]

将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤20分钟，再用蒸馏水清洗2次，超声波洗涤20分钟，蒸馏水洗涤结束后，依次采用异丙酮、丙酮、甲醇超声波清洗后干燥，将干燥后的基板转移到蒸镀机里。在已经清洗好的基板上依次蒸镀空穴注入层HI，厚度为65nm；空穴传输层HT，厚度为30nm；发光主体材料GH和5％掺杂发光材料GD，厚度为30nm；电子传输层本发明化合物2，厚度为35nm；电子注入层LiF，厚度为1nm；阴极Al，厚度为110nm。

[器件实施例2-15]

根据与实施例1相同的方法，区别在于使用化合物4、化合物20、化合物24、化合物42、化合物57、化合物86、化合物124、化合物164、化合物186、化合物228、化合物251、化合物323、化合物349、化合物377作为电子传输层。

[对比实施例1-2]

根据与实施例1相同的方法，区别在于使用化合物A、化合物B作为电子传输层。

相关材料的分子结构式如下所示：

将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机发光器件的发光效率；采用McScience公司的M6000OLED寿命测试系统来测试有机发光器件的寿命。测试的环境为大气环境，温度为室温。

表1为本发明实施例制备的化合物以及比较物质制备的有机发光器件的发光特性测试结果：

表1器件的发光性能测试结果

从表1可以看出，与对比实施例1～3相比，用本发明化合物用作电子传输层制备的有机发光器件具有更高的发光效率和更长的寿命。

[器件实施例16]

将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤20分钟，再用蒸馏水清洗2次，超声波洗涤20分钟，蒸馏水洗涤结束后，依次采用异丙酮、丙酮、甲醇超声波清洗后干燥，将干燥后的基板转移到蒸镀机里。在已经清洗好的基板上依次蒸镀空穴注入层HI，厚度为65nm；空穴传输层HT，厚度为30nm；发光主体材料GH和5％掺杂发光材料GD，厚度为30nm；空穴阻挡层本发明化合物13，厚度为6nm；电子传输层ET，厚度为35nm；电子注入层LiF，厚度为1nm；阴极Al，厚度为110nm。

[器件实施例17-27]

根据与实施例16相同的方法，区别在于使用化合物26、化合物39、化合物59、化合物68、化合物86、化合物226、化合物259、化合物263、化合物334、化合物347、化合物349作为空穴阻挡层。

[对比实施例3]

根据与实施例16相同的方法，区别在于使用化合物B作为空穴阻挡层。

表2为本发明实施例制备的化合物以及比较物质制备的有机发光器件的发光特性测试结果：

表2器件的发光性能测试结果

从表2的可以得出，本发明化合物作为空穴传输层引入有机发光器件中，与对比实施例相比，表现出发光效率和寿命高的优点，是性能良好的有机发光材料。

[器件实施例28]

将ITO/Ag/ITO基板放在蒸馏水中清洗2次，将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤20分钟，再用蒸馏水清洗2次，超声波洗涤20分钟，蒸馏水洗涤结束后，依次采用异丙酮、丙酮、甲醇超声波清洗后干燥，将干燥后的基板转移到蒸镀机里。在已经清洗好的基板上依次蒸镀空穴注入层HI，厚度为65nm；空穴传输层HT，厚度为30nm；发光主体材料GH和5％掺杂发光材料GD，厚度为30nm；电子传输层ET，厚度为35nm；电子注入层LiF，厚度为0.5nm；阴极Mg/Ag，厚度15nm；覆盖层化合物2，厚度为60nm。

[器件实施例29-37]

根据与实施例28相同的方法，区别在于使用化合物26、化合物48、化合物109、化合物192、化合物237、化合物251、化合物263、化合物352、化合物377作为覆盖层。

[对比实施例4]

根据与实施例28相同的方法，区别在于使用化合物C作为覆盖层。

表3为本发明实施例制备的化合物以及比较物质制备的有机发光器件的发光特性测试结果：

表3器件的发光性能测试结果

从表3可以得出，将本发明化合物作为覆盖层应用于有机发光器件中，在相同的电流密度下，器件的发光效率有明显的提高；同时，使用本发明化合物制备的器件具有更长的寿命。

以上所述仅对本发明进行详细的说明，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。