CN113809098A - 显示基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

显示基板、显示面板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113809098A
CN113809098A CN202110975936.6A CN202110975936A CN113809098A CN 113809098 A CN113809098 A CN 113809098A CN 202110975936 A CN202110975936 A CN 202110975936A CN 113809098 A CN113809098 A CN 113809098A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal layer
reset signal
signal line
voltage line
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110975936.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113809098B (zh
Inventor
马扬昭
乐琴
代好
陈盛雄
唐杨玲
王美红
牟鹏程
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202110975936.6A priority Critical patent/CN113809098B/zh
Publication of CN113809098A publication Critical patent/CN113809098A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113809098B publication Critical patent/CN113809098B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示基板、显示面板和显示装置，该显示基板包括衬底和像素电路，像素电路包括依次远离衬底的第一金属层、第二金属层和第三金属层；相邻金属层之间均设置有绝缘层；像素电路还包括：传输节点电压重置信号的第一重置信号线、数据信号线、第一电源电压线和与第一电源电压线电连接的第二电源电压线；第一电源电压线和第二电源电压线提供用于发光的电源信号；其中，第一重置信号线，位于第三金属层，且沿第一方向延伸；第一电源电压线位于第二金属层，第二电源电压线与第一电源电压线异层设置；第三金属层的金属电导率大于第二金属层的金属电导率。本发明能够解决现有技术导致显示面板在低灰阶时显示均匀性差的问题。

Description

显示基板、显示面板和显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示面板和显示装置。
背景技术
显示面板中设置有重置信号线，其对应的金属层最为靠近驱动晶体管栅极层，重置信号线发出的传输节点电压重置信号是从面板显示区域两端向中间输入。但实际使用时，信号越到显示区域中间位置，阻抗越大，因此显示区域两端与中间区域的电压差异大。在电压复位时，由于存在不同区域电压差异现象，因此容易出现复位不完全，进而导致显示面板在低灰阶时显示均匀性差的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示基板、显示面板和显示装置，能够解决现有技术导致显示面板在低灰阶时显示均匀性差的问题。
第一方面，提供一种显示基板，显示基板包括衬底和像素电路，像素电路包括依次远离衬底的第一金属层、第二金属层和第三金属层；第一金属层、第二金属层以及第三金属层的相邻层之间均设置有绝缘层；
像素电路还包括：传输节点电压重置信号的第一重置信号线、数据信号线、第一电源电压线和与第一电源电压线电连接的第二电源电压线；第一电源电压线和第二电源电压线提供用于发光的电源信号；
其中，第一重置信号线，位于第三金属层；第一电源电压线位于第二金属层，第二电源电压线与第一电源电压线异层设置；第三金属层的金属电导率大于第二金属层的金属电导率。
第二方面，提供一种显示面板，显示面板包括第一方面的显示基板。
第三方面，提供一种显示装置，显示装置包括第二方面的显示面板。
与现有技术相比，本申请实施例提供的显示基板、显示面板和显示装置中，显示基板包括第一电源电压线、第二电源电压线、数据信号线和传输节点电压重置信号的第一重置信号线，第一电源电压线与第二电源电压线异层设置且均用于提供用于发光的电源信号，第一电源电压线与第二电源电压线电连接。而因为将第一重置信号线设置在第三金属层，第三金属层的金属电导率大于第二金属层的金属电导率，因此第一重置信号线的阻抗相比设置在第二金属层时减小，从而解决了显示面板在低灰阶时显示均匀性差的问题，利于提高低灰阶显示的均一性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术的显示基板中像素电路的布线示意图。
图2是本发明一实施例的显示基板中像素电路的布线示意图。
图3是本发明另一实施例的显示基板中像素电路的布线示意图。
图4是本发明又一实施例的显示基板中像素电路的布线示意图。
图5是本发明再一实施例的显示基板中像素电路的布线示意图。
图6是本发明再一实施例的显示基板中像素电路的布线示意图。
图7是本发明再一实施例的显示基板中像素电路的布线示意图。
图8是本发明再一实施例的显示基板中像素电路的布线示意图。
图9是本发明再一实施例的显示基板中像素电路的布线示意图。
图10是本发明再一实施例的显示基板中像素电路的布线示意图。
附图中：
第一金属层M1，第二金属层MC，第三金属层M2，第四金属层M3，多晶硅层Poly，扫描线Scan，数据信号线Data，重置信号线Vref，第一重置信号线Vref1，第二重置信号线Vref2，第三重置信号线Vref3，第四重置信号线Vref4，第五重置信号线Vref5，第六重置信号线Vref6，电源电压线PVDD，第一电源电压线PVDD1，第二电源电压线PVDD2，第三电源电压线PVDD3，第四电源电压线PVDD4，第五电源电压线PVDD5，连接部11，第一引线孔①、第一过孔②、第二过孔③、第三过孔④、第四过孔⑤、第五过孔⑥、第二引线孔⑦、第六过孔⑧。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
需说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
为了说明本申请的技术方案，以下结合具体附图及实施例进行详细说明。
图1示出了现有技术的显示基板中像素电路的布线示意图。该显示基板包括衬底(图未示)和像素电路，该像素电路包括第一金属层M1、第二金属层MC、第三金属层M2和第四金属层M3，第一金属层M1、第二金属层MC、第三金属层M2和第四金属层M3依次远离衬底设置。其中第一金属层M1包括扫描线Scan，第二金属层MC可以为重置信号线Vref所在层，该重置信号线Vref用于传输节点电压重置信号。电源电压线PVDD位于第三金属层M2，该电源电压线PVDD用于为显示面板的发光元件光提供电源信号，该发光元件可以是LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)、OLED(Organic Electroluminescence Display，有机发光半导体)或者其他。数据线Data可以与电源电压线PVDD同层。
由于显示面板的显示区域中节点电压重置信号从显示区域边缘向中间区域输入，但实际使用时，信号越到显示区域中间位置，由于阻抗的原因，会有电压损耗，因此显示区域两端与中间区域的电压差异大。在电压复位时，由于不同像素区域存在电压差异的现象，致使部分像素单元的节点电压重置信号复位不完全，进而使得显示基板所在显示面板在低灰阶显示均匀性差的问题。
为了解决上述问题，图2示出了本申请一实施例所涉及的显示基板中像素电路的可选布线示意图。图2以及后续附图中方向X即是第一方向；方向Y即是第二方向。
需要说明的是，图2所涉及的显示基板可以应用于OLED(OrganicElectroluminescence Display，有机发光半导体)面板，显示基板可以包括衬底(图未示)和像素电路，该像素电路可以为7T1C电路。参见图2，像素电路包括第一金属层M1、第二金属层MC和第三金属层M2；其中，第三金属层M2的金属电导率大于第二金属层MC的金属电导率。即，第三金属层M2中的金属的电阻小于第二金属层Mc中的金属的电阻，也就是说，第三金属层M2具有更好的导电能力。
第一金属层M1、第二金属层MC和第三金属层M2可以依次远离衬底设置。第一金属层M1、第二金属层MC以及第三金属层M2的相邻层之间均设置有绝缘层(图未示)，绝缘层的设置能够减少或避免金属层之间的信号干扰。
其中，像素电路中驱动晶体管的栅极可以位于第一金属层M1，扫描线Scan也可以位于第一金属层M1，第二金属层MC可以是电容金属层，第三金属层M2可以包括触控电极线所在的金属层或者当显示基板中还包括以IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，铟镓锌氧化物)作为半导体时的IGZO晶体管的栅极所在的金属层，或者第三金属层M2还可以是源极层或者漏极层。如此设计，可以提高对显示面板的空间利用率，无需额外设计导电率较高的金属层。
像素电路还包括：第一重置信号线Vref1、数据信号线Data、第一电源电压线PVDD1和第二电源电压线PVDD2。
需要说明的是，上述第一重置信号线Vref1可以用于传输节点电压重置信号。第一电源电压线PVDD1和第二电源电压线PVDD2可以提供用于发光的电源信号，例如像素电路还可以包括发光元件，该电源信号可以使发光元件发光。
其中，第一重置信号线Vref1可以位于第三金属层M2，且第一重置信号线Vref1可以沿第一方向延伸。
第一电源电压线PVDD1可以位于第二金属层MC，且第一电源电压线PVDD1与第二电源电压线PVDD2电连接，第一电源电压线PVDD1与第二电源电压线PVDD2异层设置。
由于第一电源电压线PVDD1与第二电源电压线PVDD2异层设置，其可以通过贯穿二者之间绝缘层的第一引线孔①电连接。
本申请实施例通过将第一重置信号线Vref1设置在第三金属层M2，而因为第三金属层M2的金属电导率大于第二金属层MC的金属电导率，相比第一重置信号线Vref1设置在第二金属层MC时阻抗降低。此外，对于大尺寸显示面板，特别是高频显示面板，电压阈值抓取时间较短，重置信号线延迟越小，电压阈值抓取越准确。因此利于提高低灰阶显示的均一性，从而解决了显示面板在低灰阶时显示均匀性差的问题。
请继续参看图2，显示面板还可以包括第四金属层M3，第四金属层M3可以位于第三金属层M2远离衬底的一侧，或，第四金属层M3位于第三金属层M2靠近衬底的一侧。第四金属层M3的金属电导率大于第二金属层MC的金属电导率。第四金属层可以包括IGZO作为半导体时开关晶体管的栅极，第四金属层还可以是源极层或者漏极层。
第二电源电压线PVDD2和数据信号线Data可以同层设置，例如均位于第四金属层M3。需要说明的是，在其他实施例中，第二电源电压线PVDD2和数据信号线Data也可以异层设置，如第二电源电压线PVDD2位于第三金属层M2，数据信号线Data位于第四金属层M3。
仍以第二电源电压线PVDD2和数据信号线Data均位于第四金属层M3进行说明。数据信号线Data与第二电源电压线PVDD2间隔布置，其均可以沿第二方向延伸设置，第二方向与第一方向相交。
需要说明的是，当上述像素电路应用于显示面板时，显示面板的结构可以包括衬底、多个像素电路和发光元件。像素电路包括初始化晶体管、第一晶体管、存储电容和驱动晶体管。
其中，第一晶体管的第一极电连接于第一电源电压线PVDD1和驱动晶体管之间；初始化晶体管的第一极与第一重置信号线Vref1电连接，初始化晶体管的第二极与驱动晶体管的栅极耦接/电连接。
需要说明的是，初始化晶体管的第二极与驱动晶体管的栅极之间还可以设置其他晶体管，只要能够实现某一时刻的电连接即可。
第一电源电压线PVDD1还可以与第二电源电压线PVDD2电连接，第一电源电压线PVDD1可以与第二电源电压线PVDD2异层设置。
驱动晶体管的栅极位于第一金属层M1，第一电源电压信号线PVDD1位于第二金属层MC，第二金属层MC与存储电容的第一极板同层；第一重置信号线Vref1可以位于第三金属层M2且沿第一方向延伸；其中，第三金属层M2的金属电导率大于第二金属层Mc的金属电导率。
在另一可选示例中，请一并参看图2和图3，显示基板还包括沿第二方向延伸的第二重置信号线Vref2。第二重置信号线Vref2也可以位于第三金属层M2，且第二重置信号线Vref2与第一重置信号线Vref1电连接。
需要说明的是，在第一重置信号线Vref1位于第三金属层M2的基础上，在第三金属层M2上还设置了第二重置信号线Vref2，能够使重置信号线在第三金属层M2上形成网状结构，网状结构的设计实现了重置信号线的并联，降低了重置信号线的负载，利于显示面板低灰阶显示均一性。
请一并参看图2至图6，其中图4至图6示出了重置信号线位于两个不同金属层时像素电路可选的布线示意图。在图4至图6中第二金属层MC还包括第三重置信号线Vref3。
在图4至图6中，该第三重置信号线Vref3可以沿第一方向延伸，还可以与第一电源电压线PVDD1间隔布置。第三重置信号线Vref3与第一重置信号线Vref1电连接。例如图4和图5中，第一重置信号线Vref1与第三重置信号线Vref3可以通过贯穿二者之间的绝缘层的第一过孔②连接。
还需要说明的是，请参看图6，第三重置信号线Vref3也可以不与第一重置信号线Vref1电连接，由此第三重置信号线Vref3与第一重置信号能够实现不同节点的分别控制。
请继续参看图4至图6，其中第一重置信号线Vref1在衬底的正投影可以与第三重置信号线Vref3在衬底的正投影至少部分交叠。例如图4中第一重置信号线Vref1在衬底的正投影与第三重置信号线Vref3在衬底的正投影完全交叠。例如参看图5和图6，第一重置信号线Vref1可以沿第二方向延伸，第一重置信号线Vref1在衬底的正投影与第三重置信号线Vref3在衬底的正投影部分交叠。
通过保留原本第二金属层MC的第三重置信号线Vref3，并在第三金属层M2上设置第一重置信号线Vref1，整体上降低了重置信号线Vref的电阻值，即有利于降低重置信号线Vref的负载，降低压差，优化显示面板低灰阶显示的均一性。
需要说明的是，当重置信号线Vref在第三金属层M2沿第二方向延伸设置时，例如重置信号线Vref可以是重置信号线Vref1，第三金属层M2可以位于第四金属层M3远离衬底的一侧，重置信号线Vref在衬底的正投影可以与补偿晶体管的栅极在衬底的正投影交叠，甚至可以覆盖补偿晶体管的栅极在衬底的正投影区域。该补偿晶体管可以是双栅晶体管。由此与下方的多晶硅层Poly的区域交叠形成电容，改善双栅晶体管之间的漏电流，避免对驱动晶体管的栅极电位造成影响。
还需要说明的是，在其它实施例中，还可以设置第一重置信号线Vref1、第二重置信号线Vref2和第三重置信号线Vref3，其中第二金属层MC包括第三重置信号线Vref3，第三金属层M2包括沿第一方向延伸的第一重置信号线Vref1和沿第二方向延伸的第二重置信号线Vref2，只要将数据信号线Data和第二电源电压线PVDD2设置在其他层，例如第四金属层即可。
参看图2至图7，图7示出了本申请显示基板再一可选实施例的布线示意图。在图7示出的显示基板的像素电路中，第四金属层M3上相比前述实施例，还包括沿第二方向延伸的第四重置信号线Vref4，增加第四重置信号线Vref4后，第四金属层M3上设置有数据信号线Data、第四重置信号线Vref4和第二电源电压线PVDD2，其均可以沿第二方向延伸，并沿第一方向排布。
第四重置信号线Vref4与第一重置信号线Vref1电连接，可以是第四重置信号线Vref4与第一重置信号线Vref1通过贯穿二者之间的绝缘层的第二过孔③连接。
可以理解的是，增加了第四重置信号线Vref4后，位于第二金属层MC的第三重置信号线Vref3、位于第三金属层M2的第一重置信号线Vref1和位于第四金属层M3的第四重置信号线Vref4，或者还可以包括位于第三金属层M2的第二重置信号线，并联形成了三层重置信号线结构。在将第一重置信号线Vref1设置在第三金属层M2的基础上，进一步减小了重置信号线负载，提升了显示面板低灰阶显示的均一性。
请继续参看图4，为了减小扫描线Scan的负载，还可以调整扫描线Scan层的位置。图4所示的像素电路所在显示基板还包括多晶硅层Poly、介质层(图未示)、连接部11和扫描线Scan。其中，多晶硅层Poly可以设置在衬底和第一金属层M1之间，介质层可以设置在多晶硅层Poly和第一金属层M1之间。
连接部11位于第一金属层M1；扫描线Scan则位于第三金属层M2，扫描线Scan与第一重置信号线Vref1可以间隔设置。扫描线Scan与第一重置信号线Vref1可以均沿第一方向延伸。扫描线Scan可以通过贯穿连接部11、介质层与多晶硅层Poly连接形成栅极。
在本实施例中，仅在原本的扫描线靠近栅极的位置，使用连接部11换线搭接到第一金属层M1形成栅极，由金属电导率大的第三金属层M2代替金属电导率小的第一金属层M1作为扫描线Scan走线，减少了扫描线的负载。
请继续参看图2至7，在另一可选的示例中，第三金属层M2还可以包括第三电源电压线PVDD3，第三电源电压线PVDD3可以沿第一方向延伸，第三电源电压线PVDD3与第二电源电压线PVDD2电连接，可以是通过贯穿二者之间的绝缘层的第三过孔④连接。
第三电源电压线PVDD3在衬底的正投影可以与存储电容和第一电源电压线PVDD1在衬底的正投影交叠。其中图4的位置A为存储电容在衬底的正投影区域。
上述存储电容是通过第一金属层M1包括的第一极板(图未示)，第二金属层MC包括的第二极板(图未示)在垂直于衬底所在平面的方向交叠形成。第一极板与第二极板可以相对设置，第二极板可以与第一电源电压线PVDD1连接。
本申请实施例中第三电源电压线PVDD3位于第三金属层M2，且设置区域与存储电容形成投影交叠，能够增加显示基板的透光面积，提高了显示面板，特别是FHD(Full HighDefinition，全高清)及以上的面板产品的穿透率。
还需要说明的是，在该实施例中，数据信号线Data、第二电源电压线PVDD2位于第四金属层M3，第三电源电压线PVDD3位于第三金属层M2，第一电源电压线PVDD1位于第二金属层MC，由第一电源电压线PVDD1、第二电源电压线PVDD2与第三电源电压线PVDD3并联，形成三层网状结构，降低了电源电压线的总体阻抗，有利于改善IR-压降，提升屏幕亮度均一性。
此外，第三重置信号线Vref3位于第二金属层MC、第一重置信号线Vref1、第二重置信号线Vref2位于第三金属层M2，由此重置信号线形成双层并联设计，整体上降低了重置信号线的电阻，提升了显示面板低灰阶均一性。
在此基础上，还增加了第四重置信号线Vref4，第四重置信号线Vref4位于第四金属层M3，使第二金属层MC至第四金属层M3上的重置信号线并联形成了三层网状设计，进一步减小了重置信号线Vref的负载。
请一并参看图图2至图8，特别是图7和图8，图8示出了本申请再一实施例中显示基板的像素电路的布线示意图。图7和图8的主要区别在于，设置有第五重置信号线Vref5，第五重置信号线Vref5位于第三金属层M2，可以沿第一方向延伸，第五重置信号线Vref5与第四重置信号线Vref4电连接，可以是通过贯穿二者之间的绝缘层的第四过孔⑤连接。第四重置信号线Vref4可以与第一重置信号线Vref1间隔设置。
第五重置信号线Vref5在衬底的正投影与存储电容在衬底的正投影交叠。由此，第四金属层M3包括数据信号线Data、第二电源电压线PVDD2、第四重置信号线Vref4；第三金属层M2包括可以与第二重置信号线Vref2在衬底的正投影至少部分投影交叠的第一重置信号线Vref1，以及与存储电容形成投影交叠的第五重置信号线Vref5；第二金属层MC包括第三重置信号线Vref3，通过至少四条重置信号线Vref的并联设计，进一步减少了重置信号线Vref的负载，提升了显示面板低灰阶显示均一性。
后续将以数据信号线和第二电源电压线异层设置进行举例说明。请参看图9，其示出了数据信号线Data和第二电源电压线PVDD2异层设置时的可选布线示意图。
图9所示出的实施例与前述实施例的主要区别在于，第二电源电压线PVDD2位于第三金属层M2，数据信号线Data位于第四金属层M3。该第三金属层M2和第四金属层M3的位置设置与前述一致，在此不过多赘述。本申请实施例通过将数据信号线Data和第二电源电压线PVDD2异层设置，可以降低信号之间互相干扰。
在本实施例中，第三重置信号线Vref3可以类似图4的位置设置，即也位于第二金属层MC。第三重置信号线Vref3与第一电源电压线PVDD1间隔布置，且第三重置信号线Vref3与第一重置信号线Vref1电连接。
第三重置信号线Vref3可以沿第一方向延伸；第三重置信号线Vref3在衬底的正投影与第一重置信号线Vref1在衬底的正投影至少部分交叠。如图9所示，第一重置信号线Vref1可以沿第二方向延伸设置，并通过第一过孔②电连接。
通过保留原本第二金属层MC的第三重置信号线Vref3，并在第三金属层M2上设置第一重置信号线Vref1，整体上降低了重置信号线的电阻值，即有利于降低重置信号线的负载，优化显示面板低灰阶显示的均一性。
请继续参看图9，第四金属层M3还可以包括第四电源电压线PVDD4；第四电源电压线PVDD4与第二电源电压线PVDD2通过二者之间绝缘层的第五过孔⑥连接。
第四电源电压线PVDD4可以沿第二方向延伸。第四电源电压线PVDD4在衬底的正投影与第二电源电压线PVDD2在衬底的正投影至少部分交叠。例如第四电源电压线PVDD4在衬底的正投影与第二电源电压线PVDD2在衬底的正投影可以完全交叠。
第四金属层M3还可以包括第六重置信号线Vref6，第六重置信号线Vref6可以沿第二方向延伸，第六重置信号线Vref6与第一重置信号线Vref1电连接。例如第六重置信号线Vref6与第一重置信号线Vref1通过贯穿二者之间绝缘层的第二引线孔⑦电连接。
基于此，第四金属层M3包括第四电源电压线PVDD4、数据信号线Data和第六重置信号线Vref6，第三金属层M2包括第二电源电压线PVDD2、第一重置信号线Vref1，第二金属层MC包括第三重置信号线Vref3和第一电源电压线PVDD1。
由此第六重置信号线Vref6、第三重置信号线Vref3和第一重置信号线Vref1并联，构成三层网状结构，降低了重置信号线的负载，提升了低灰阶均一性。第一电源电压线PVDD1、第二电源电压线PVDD2和第四电源电压线PVDD4并联，构成三层网状结构，降低了电源电压线的IR-压降，提升了屏幕亮度均一性。
请一并参看图9和图10，图10所示出的显示基板的像素电路与图9所示出的像素电路的主要区别在于，第四金属层M3包括第五电源电压线PVDD5，第五电源电压线PVDD5在衬底的正投影与存储电容在衬底的正投影交叠，第五电源电压线PVDD5可以沿第一方向延伸。第五电源电压线PVDD5与第二电源电压线PVDD2电连接，可以是通过第五电源电压线PVDD5和第二电源电压线PVDD2二者之间的绝缘层的第六过孔⑧连接。
在本实施例中，第四金属层M3包括第五电源电压线PVDD5，第五电源电压线PVDD5位于存储电容在衬底的正投影区域；第三金属层M2包括第二电源电压线PVDD2、第一重置信号线Vref1，第二金属层MC包括第一电源电压线PVDD1。第一电源电压线PVDD1、第二电源电压线PVDD2和第五电源电压线PVDD5并联，构成三层网状结构，降低了电源电压线的阻抗，提升屏幕的亮度均一性。且由于第五电源电压线PVDD5的位置设置，避免第四金属层M3中第五电源电压线PVDD5与数据信号线Data形成投影交叠，降低了数据线的负载。
还需要说明的是，基于上述实施例，在其他实施例中，像素电路还可以包括第五金属层(图未示)，该第五金属层位于衬底和第一金属层之间，第五金属层可以是遮光金属层。第五金属层还可以设置第六电源电压线，该第六电源电压线可以与第一电源电压线至第五电源电压线中的至少一条电连接。由此实现第六电源电压线与其他电源电压线的并联，起到降低电源电压线负载的作用。
上文中结合图1至图10，详细描述了本发明实施例的显示基板。在此基础上，本申请实施例还保护一种显示面板和显示装置，该显示装置包括显示面板，显示装置可以是可穿戴设备、相机、手机、平板电脑、显示屏、电视机以及车载显示终端中的至少一项。该显示面板包括上述实施例所提供的显示基板，因此显示装置和显示面板具有上述显示基板的全部有益效果。
另外，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应理解，在本发明实施例中，“与A相应的B”表示B与A相关联，根据A可以确定B。但还应理解，根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其它信息确定B。
以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括衬底和像素电路，所述像素电路包括依次远离所述衬底的第一金属层、第二金属层和第三金属层；所述第一金属层、所述第二金属层以及所述第三金属层的相邻层之间均设置有绝缘层；
所述像素电路还包括：传输节点电压重置信号的第一重置信号线、数据信号线、第一电源电压线和与所述第一电源电压线电连接的第二电源电压线；所述第一电源电压线和所述第二电源电压线提供用于发光的电源信号；
其中，所述第一重置信号线，位于所述第三金属层；所述第一电源电压线位于所述第二金属层，所述第二电源电压线与所述第一电源电压线异层设置；所述第三金属层的金属电导率大于所述第二金属层的金属电导率。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第四金属层，所述第四金属层位于所述第三金属层远离所述衬底的一侧，
或，所述第四金属层位于所述第三金属层靠近所述衬底的一侧；
所述第二电源电压线和所述数据信号线位于所述第四金属层。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括沿第二方向延伸的第二重置信号线，所述第二重置信号线位于所述第三金属层，且所述第二重置信号线与所述第一重置信号线电连接，所述第二方向与所述第一方向相交。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二金属层还包括第三重置信号线；所述第三重置信号线与所述第一电源电压线间隔布置，且所述第三重置信号线与所述第一重置信号线电连接。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第三重置信号线沿所述第一方向延伸；
所述第一重置信号线在所述衬底的正投影与所述第三重置信号线在所述衬底的正投影至少部分交叠。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一重置信号线与所述第三重置信号线通过贯穿二者之间的绝缘层的第一过孔连接。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第四金属层上还包括沿第二方向延伸的第四重置信号线，所述第四重置信号线与所述第一重置信号线通过贯穿二者之间的绝缘层的第二过孔连接，所述第二方向与所述第一方向相交。
8.根据权利要求6或7所述的显示基板，其特征在于，所述第三金属层还包括沿所述第一方向延伸的第三电源电压线，所述第三电源电压线与所述第二电源电压线通过贯穿二者之间的绝缘层的第三过孔连接。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一金属层包括第一极板，所述第二金属层包括第二极板，所述第一极板与所述第二极板在垂直于所述衬底所在平面的方向交叠形成存储电容；所述第二极板与所述第一电源电压线连接；
所述第三电源电压线在所述衬底的正投影与所述存储电容和所述第一电源电压线在所述衬底的正投影交叠。
10.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一金属层包括第一极板，所述第二金属层包括第二极板，所述第一极板与所述第二极板在垂直于所述衬底所在平面的方向交叠形成存储电容；所述第二极板与所述第一电源电压线连接；
所述第三金属层还包括沿所述第一方向延伸的第五重置信号线；所述第五重置信号线在所述衬底的正投影与所述存储电容在所述衬底的正投影交叠；
所述第五重置信号线与所述第四重置信号线通过贯穿二者之间的绝缘层的第四过孔连接。
11.根据权利要求5～10中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括多晶硅层、介质层、连接部和扫描线；
所述多晶硅层设置在所述衬底和所述第一金属层之间，所述介质层设置在所述多晶硅层和所述第一金属层之间；
所述连接部位于所述第一金属层；
所述扫描线位于所述第三金属层，所述扫描线与所述第一重置信号线间隔设置；所述扫描线贯穿所述连接部、所述介质层与所述多晶硅层连接形成栅极。
12.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第四金属层，所述第四金属层位于所述第三金属层远离所述衬底的一侧，
或，所述第四金属层位于所述第三金属层靠近所述衬底的一侧；
所述第二电源电压线位于所述第三金属层，所述数据信号线位于所述第四金属层；
所述第二金属层还包括第三重置信号线；所述第三重置信号线与所述第一电源电压线间隔布置，且所述第三重置信号线与所述第一重置信号线电连接。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述第四金属层还包括第四电源电压线；所述第四电源电压线与所述第二电源电压线通过二者之间绝缘层的第五过孔连接；
所述第四电源电压线沿第二方向延伸；所述第二方向与所述第一方向相交，所述第四电源电压线在所述衬底的正投影与所述第二电源电压线在所述衬底的正投影至少部分交叠；
和/或，
所述第四金属层还包括沿所述第二方向延伸的第六重置信号线，所述第六重置信号线与所述第一重置信号线电连接。
14.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，
所述第一金属层包括第一极板，所述第二金属层包括第二极板，所述第一极板和所述第二极板在垂直于所述衬底所在平面的方向交叠形成存储电容；所述第二极板与所述第一电源电压线连接；
所述第四金属层上还包括沿第一方向延伸的第五电源电压线；所述第五电源电压线与所述第二电源电压线通过二者之间的绝缘层的第六过孔连接；
所述第五电源电压线在所述衬底的正投影与所述存储电容在所述衬底的正投影交叠。
15.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1～14中任一项所述的显示基板。
16.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求15所述的显示基板。
CN202110975936.6A 2021-08-24 2021-08-24 显示基板、显示面板和显示装置 Active CN113809098B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110975936.6A CN113809098B (zh) 2021-08-24 2021-08-24 显示基板、显示面板和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110975936.6A CN113809098B (zh) 2021-08-24 2021-08-24 显示基板、显示面板和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113809098A true CN113809098A (zh) 2021-12-17
CN113809098B CN113809098B (zh) 2024-04-09

Family

ID=78941552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110975936.6A Active CN113809098B (zh) 2021-08-24 2021-08-24 显示基板、显示面板和显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113809098B (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140353616A1 (en) * 2013-05-31 2014-12-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
EP3343633A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20180197932A1 (en) * 2017-01-12 2018-07-12 Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited Array substrate and display panel
CN108615019A (zh) * 2018-04-28 2018-10-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110970469A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 三星显示有限公司 显示装置
CN111584610A (zh) * 2020-06-10 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112038381A (zh) * 2020-09-10 2020-12-04 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112103316A (zh) * 2020-09-15 2020-12-18 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112614871A (zh) * 2020-11-30 2021-04-06 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
WO2021102791A1 (zh) * 2019-11-28 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN113035925A (zh) * 2021-03-09 2021-06-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140353616A1 (en) * 2013-05-31 2014-12-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
EP3343633A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20180197932A1 (en) * 2017-01-12 2018-07-12 Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited Array substrate and display panel
CN108615019A (zh) * 2018-04-28 2018-10-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110970469A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 三星显示有限公司 显示装置
WO2021102791A1 (zh) * 2019-11-28 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN111584610A (zh) * 2020-06-10 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112038381A (zh) * 2020-09-10 2020-12-04 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN112103316A (zh) * 2020-09-15 2020-12-18 合肥维信诺科技有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112614871A (zh) * 2020-11-30 2021-04-06 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN113035925A (zh) * 2021-03-09 2021-06-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113809098B (zh) 2024-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106952940B (zh) 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置
KR20170124065A (ko) 백플레인 기판 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
CN110416226B (zh) 一种显示面板及其制作方法和显示装置
WO2022088959A9 (zh) 显示面板及其制作方法和显示装置
CN113096588B (zh) 辅助像素电路、显示面板和显示装置
CN110047895B (zh) 有机发光显示面板和显示装置
JP2023531339A (ja) 表示パネル及び表示装置
CN110299386B (zh) 显示面板以及显示装置
JP7515701B2 (ja) 表示パネルおよび端末デバイス
US20210193650A1 (en) Display panel and display device
CN116598320A (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN114743504B (zh) 像素电路、显示面板及显示装置
CN111403468A (zh) 显示面板和显示装置
CN113809098A (zh) 显示基板、显示面板和显示装置
CN114171565A (zh) 阵列基板及显示面板
CN115148776B (zh) 一种显示面板及显示装置
US20230337493A1 (en) Display panel and display device
CN115938284B (zh) 一种显示面板及显示装置
US20240074266A1 (en) Display panel and display device
CN216015421U (zh) 一种显示面板及显示装置
CN113764438B (zh) 显示面板及显示装置
CN210607258U (zh) 一种阵列基板和显示面板
CN116322176A (zh) 显示面板和显示装置
US20230380217A1 (en) Display panel
CN117479650A (zh) 显示面板和电子终端

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant