CN113793573B - 一种低功耗的gip电路及其驱动方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种低功耗的GIP电路及其驱动方法，电路包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12和电容C1；将输出TFT的源极交流信号变为直流信号VGH，将CKL连接在较小TFT的源极上的方式，从而达到降低功耗的目的。
Description
技术领域
本发明涉及面板技术领域，尤其涉及一种低功耗的GIP电路及其驱动方法。
背景技术
随着时代的发展与技术的进步，人们对手机等产品的外观要求也日趋挑剔，这就促进了电子类产品朝着轻、薄和省功耗的方向不断的发展。全面屏显示器不仅提升了产品的颜值，让产品的看上去更有科技感，并且让产品正面的面积可以容纳更大的屏幕，提升用户的视觉体验。所以说全面屏技术已经成为目前显示装置的一种流行趋势
为了提高屏幕的屏占比，缩减屏幕的边框已经成为当前技术发展的必然趋势。在主动式矩阵液晶显示器(Active Matrix Liquid Crystal Display)中每个像素具有一个TFT，其栅极(Gate)连接至水平方向扫描线，源极(Drain)连接至垂直方向的资料线，而源极(Source)則连接至像素电极。若在水平方向的某一条扫描线上施加足够的正电压，会使得該条线上所有的TFT打开，此时该条线上的像素电极会与垂直方向的资料线连接，而将资料线上的视讯信号电压写入像素中，控制不同液晶的透光度进而达到控制色彩的效果。在对面板的扫描驱动进行设计时，传统技术采用的而是的COF和COG工艺，这种技术得到的产品不仅左右边框大，而且成本也高。而另一种新的GIP技术即Gate In Panel，基本概念是将LCD Panel的栅极驱动器集成在玻璃基板上，来代替由外接硅晶片的一种技术，不仅节省成本降低边框，同时也可以省去栅极方向绑定的工艺，对提升产能极为有利，并提高TFT-LCD面板的集成度。
GIP技术不仅减少了栅极驱动IC的使用量，同时能够缩减显示面板的边框，实现窄边框的设计，是一种值得重视技术。在目前的GIP电路面板中，GIP电路占有较大比率的功耗， GIP电路中主要的功耗来源于CKL高频交流信号所负载的电容，根据功率计算公式P=fCKL*CCKL*VCKL 2+VCKLI，fCKL*CCKL*VCKL 2为动态功率（fCKL为频率；CCKL为CKL上的寄生电容，VCKL为电压摆动），VCKLI为静态功率（I为电流），CKL讯号线负载的电容越大，频率越快，其功耗越大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低功耗的GIP电路及其驱动方法，将输出TFT的源极交流信号变为直流信号VGH，将CKL连接在较小TFT的源极上的方式，从而达到降低功耗的目的。
本发明采用的技术方案是：
一种低功耗的GIP电路，其包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12和电容C1；
T1的栅极连接KLn-1，T1的漏极连接Q点，T1的源极连接VGH；
T2的栅极连接KLn+1(RST)，T2的漏极连接VGL，T2的源极连接Q点；
T3的栅极连接P点，T3的漏极连接Q点，T3的源极连接VGL；
T4的栅极连接Q点，T4的漏极连接VGH，T4的源极连接Gn；
T5的栅极连接P点，T5的漏极连接Gn，T5的源极连接VGL；
T6的栅极连接P点，T6的漏极连接KLn，T6的源极连接VGL；
T7的栅极连接Q点，T7的漏极连接P点，T7的源极连接VGL；
T8的栅极和源极分别连接CKL，T8的漏极连接P点；
T9的栅极连接CKLB，T9的漏极连接P点，T9的源极连接VGL；
T10的栅极连接KLn+1，T10的漏极连接Gn，T10的源极连接VGL；
T11的栅极连接KLn+1，T11的漏极连接KLn，T11的源极连接VGL；
T12的栅极连接Q点，T12的漏极连接CKL，T12的源极连接KLn；
C1的一极板连接Q点，C1的另一极板连接KLn。
进一步地，GIP驱动电路阵列设置于显示面板上，且位于所述显示面板的一侧。
进一步地，显示面板为OLED显示面板或者LCD显示面板。
进一步地，还包括驱动IC，KLn-1、Gn和KLn +1与驱动IC连接。
进一步地，晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12均为薄膜晶体管。
一种低功耗的GIP电路的驱动方法，应用于所述的一种低功耗的GIP电路，方法包括以下步骤：
在预充期间t1，CKLB、KLn-1和VGH保持高电位，KLn+1、CKL和VGL保持低电位。
在输出期间t2，VGH、CKL保持高电位，KLn-1、KLn+1、CKLB和VGL保持低电位；
在下拉期间t3，VGH、CKLB和KLn+1为高电位，VGL、CKL和KLn-1为低电位；
在下拉维持期间t4，VGH和CKL为高电位，其余信号均为低电位。
本发明采用以上技术方案，为了降低GIP功耗，本发明的12T1C GIP电路结构，将输出TFT的源极交流信号变为直流信号VGH，将CKL连接在较小TFT的源极上的方式，从而达到降低功耗的目的。
附图说明
以下结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明；
图1为本发明一种低功耗的GIP电路的结构示意图；
图2为本发明一种低功耗的GIP电路的区块图
图3为本发明一种低功耗的GIP电路的时序图；
图4为本发明一种低功耗的GIP电路的预充阶段示意图；
图5为本发明一种低功耗的GIP电路的输出阶段示意图；
图6为本发明一种低功耗的GIP电路的下拉阶段示意图；
图7为本发明一种低功耗的GIP电路的下拉维持阶段示意图；
图8为本发明一种低功耗的GIP电路的仿真模拟结果。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
在目前的GIP电路面板中，GIP电路占有较大比率的功耗，GIP电路中主要的功耗来源于CKL高频交流信号所负载的电容，根据功率计算公式P=fCKL*CCKL*VCKL 2+VCKLI，fCKL*CCKL*VCKL 2为动态功率（fCKL为频率；CCKL为CKL上的寄生电容，VCKL为电压摆动），VCKLI为静态功率（I为电流），CKL讯号线负载的电容越大，频率越快，其功耗越大，而在GIP电路中，CKL的负载电容主要来自于输出TFT（其TFT大小较大，寄生电容大）。
如图1至8之一所示，为了降低GIP功耗，本发明公开了一种低功耗的GIP电路，其包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12和电容C1；
T1的栅极连接KLn-1，T1的漏极连接Q点，T1的源极连接VGH；
T2的栅极连接KLn+1(RST)，T2的漏极连接VGL，T2的源极连接Q点；
T3的栅极连接P点，T3的漏极连接Q点，T3的源极连接VGL；
T4的栅极连接Q点，T4的漏极连接VGH，T4的源极连接Gn；
T5的栅极连接P点，T5的漏极连接Gn，T5的源极连接VGL；
T6的栅极连接P点，T6的漏极连接KLn，T6的源极连接VGL；
T7的栅极连接Q点，T7的漏极连接P点，T7的源极连接VGL；
T8的栅极和源极分别连接CKL，T8的漏极连接P点；
T9的栅极连接CKLB，T9的漏极连接P点，T9的源极连接VGL；
T10的栅极连接KLn+1，T10的漏极连接Gn，T10的源极连接VGL；
T11的栅极连接KLn+1，T11的漏极连接KLn，T11的源极连接VGL；
T12的栅极连接Q点，T12的漏极连接CKL，T12的源极连接KLn；
C1的一极板连接Q点，C1的另一极板连接KLn。
进一步地，GIP驱动电路阵列设置于显示面板上，且位于所述显示面板的一侧。
进一步地，显示面板为OLED显示面板或者LCD显示面板。
进一步地，还包括驱动IC，KLn-1、Gn和KLn +1与驱动IC连接。
进一步地，晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12均为薄膜晶体管。
一种低功耗的GIP电路的驱动方法，应用于所述的一种低功耗的GIP电路，方法包括以下步骤：
在预充期间t1，CKLB、KLn-1和VGH保持高电位，KLn+1、CKL和VGL保持低电位。
在输出期间t2，VGH、CKL保持高电位，KLn-1、KLn+1、CKLB和VGL保持低电位；
在下拉期间t3，VGH、CKLB和KLn+1为高电位，VGL、CKL和KLn-1为低电位；
在下拉维持期间t4，VGH和CKL为高电位，其余信号均为低电位。
下面就本发明的具体工作原理做详细说明：
图1是本发明提出的12T1C GIP电路图： 在12T1C GIP电路中，共有12个TFT和1个电容组成，T4为提供输出信号Gn的输出TFT，所以T4的W/L比较大（即寄生电容较大），根据功率计算公式P=fCKL*CCKL*VCKL 2+VCKLI，fCKL*CCKL*VCKL 2为动态功率（fCKL为频率；CCKL为CKL上的寄生电容，VCKL为电压摆动），VCKLI为静态功率（I为电流），在本发明提出的12T1C电路中输出TFT T4源极连接直流电，CKL连接在T12源极上（T12远远小于T4），其交流信号CKL消耗的功率会大大的降低，有效的降低了GIP电路的功耗。
图2是本发明提出的12T1C GIP电路区块图： 在该GIP电路中，主要分由4个模块组成，即由T1组成的预充模块A，由T4和T12/C1组成的输出和输出稳压模块B，由T2/T10/T11组成的下拉模块C。由T3/T5/T6/T7/T8/T9稳压模块D。
图3是本发明GIP电路的时序图：在该时序图中，将其分割为四个时间段，即预充期间t1、输出期间t2、下拉期间t3、下拉维持期间t4，每个阶段对应的TFT工作状态不一，下面会有详细的图文介绍。
图4 12T1C预充阶段示意图：该示意图对应图3的t1时刻，此时CKLB、STV/KLn-1和VGH为高电位，KLn+1/RST、CKL和VGL此时为低电位。T1打开，Q点通过T1被VGH充至高电位，由于此时Q点为高电位， T4/T7/T12打开，Gn通过T4被VGH充至高电位V1，KLn通过T12被CKL下拉维持在低电位，同时由于CKLB为高电位T9被打开，P点通过T7和T9被VGL下拉维持在低电位。
图5 12T1C输出阶段示意图：该示意图对应图3的t2时刻，此时VGH、CKL和Q点为高电位，STV/KLn-1、KLn+1/RST 、CKLB和VGL此时为低电位。此时由于Q点高电位，对应的T4/T7/T12打开，P点通过T7被VGL下拉维持在低电位，由于此时CKL为高电位，KLn通过T12输出高电位，C1的Q点被耦合至2H的高电位。由于此时T4打开，Q点变为两倍压，此时的Gn通过T4电位由V1升至V2。
图6 12T1C下拉阶段示意图：该示意图对应图3的t3时刻，此时VGH、CKLB和KLn+1/RST为高电位，VGL、CKL和STV/KLn-1为低电位。此时由于KLn+1/RST为高电位，对应的T2/T10/T11打开，Q点通过T2被VGL下拉至低电位，KLn通过T11被VGL下拉至低电位。Gn通过T10被VGL下拉至低电位，P点通过T9被VGL下拉维持在低电位
图7 12T1C下拉维持阶段示意图：该示意图对应图3的t4时刻，此时VGH和CKL为高电位，其余信号均为低电位。此时由于CKL为高电位，T8被打开，P点通过T8被CKL上拉至高电位，由于此时P点为高电位，T3/T5/T6均被打开，使得Q点通过T3被VGL下拉维持在低电位，KLn和Gn分别通过T6和T5被VGL下拉维持在低电位。
图8 12T1C仿真模拟结果示意图：该图表示采用该GIP电路设计，各节点能够稳定维持在相应的工作状态，输出信号Gn和KLn能够稳定的输出。
本发明采用以上技术方案，为了降低GIP功耗，本发明的12T1C GIP电路结构，将输出TFT的源极交流信号变为直流信号VGH，将CKL连接在较小TFT的源极上的方式，从而达到降低功耗的目的。
显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
Claims (5)
1.一种低功耗的GIP电路，其特征在于：其包括晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12和电容C1；
T1的栅极连接KLn-1，T1的漏极连接Q点，T1的源极连接VGH；
T2的栅极连接KLn+1(RST)，T2的漏极连接VGL，T2的源极连接Q点；
T3的栅极连接P点，T3的漏极连接Q点，T3的源极连接VGL；
T4的栅极连接Q点，T4的漏极连接VGH，T4的源极连接Gn；
T5的栅极连接P点，T5的漏极连接Gn，T5的源极连接VGL；
T6的栅极连接P点，T6的漏极连接KLn，T6的源极连接VGL；
T7的栅极连接Q点，T7的漏极连接P点，T7的源极连接VGL；
T8的栅极和源极分别连接CKL，T8的漏极连接P点；
T9的栅极连接CKLB，T9的漏极连接P点，T9的源极连接VGL；
T10的栅极连接KLn+1，T10的漏极连接Gn，T10的源极连接VGL；
T11的栅极连接KLn+1，T11的漏极连接KLn，T11的源极连接VGL；
T12的栅极连接Q点，T12的漏极连接CKL，T12的源极连接KLn；
C1的一极板连接Q点，C1的另一极板连接KLn；
在预充期间t1，CKLB、KLn-1和VGH保持高电位，KLn+1、CKL和VGL保持低电位；
在输出期间t2，VGH、CKL保持高电位，KLn-1、KLn+1、CKLB和VGL保持低电位；
在下拉期间t3，VGH、CKLB和KLn+1为高电位，VGL、CKL和KLn-1为低电位；
在下拉维持期间t4，VGH和CKL为高电位，其余信号均为低电位。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗的GIP电路，其特征在于：GIP驱动电路阵列设置于显示面板上，且位于所述显示面板的一侧。
3.根据权利要求1所述的一种低功耗的GIP电路，其特征在于：显示面板为OLED显示面板或者LCD显示面板。
4. 根据权利要求1所述的一种低功耗的GIP电路，其特征在于：还包括驱动IC，KLn-1、Gn和KLn +1与驱动IC连接。
5.根据权利要求1所述的一种低功耗的GIP电路，其特征在于：晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12均为薄膜晶体管。
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| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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