CN112837647A - 一种低功耗显示屏的gip驱动电路及其控制方法 - Google Patents

一种低功耗显示屏的gip驱动电路及其控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及GIP驱动电路技术领域，特别涉及一种低功耗显示屏的GIP驱动电路及其控制方法，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10和电容C1，通过将晶体管T1的源极分别与晶体管T6的栅极、晶体管T7的漏极、晶体管T2的源极、晶体管T3的栅极和电容C1的一端电连接，晶体管T9的漏极分别与晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极电连接且晶体管T9的漏极、晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极均接栅极走线，这样使得晶体管T4漏极端可以接到直流电压准位，可以有效降低显示屏的功耗，提升显示设备的续航时间和使用寿命。

Description

一种低功耗显示屏的GIP驱动电路及其控制方法
技术领域
本发明涉及GIP驱动电路技术领域，特别涉及一种低功耗显示屏的GIP驱动电路及其控制方法。
背景技术
随着信息化社会的不断发展，人们对高分辨率显示屏的需求不断增加，相同尺寸下更高的分辨率往往代表着更加细腻的显示画面。然而更高的分辨率对于显示屏来说，意味着更高的功耗，这样子就减少了续航时间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种低功耗显示屏的GIP驱动电路及其控制方法，可以有效的降低显示屏GIP驱动电路的功耗，提升显示设备的续航时间和使用寿命。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种低功耗显示屏的GIP驱动电路，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10和电容C1，所述晶体管T1的源极分别与晶体管T6的栅极、晶体管T7的漏极、晶体管T2的源极、晶体管T3的栅极和电容C1的一端电连接，所述晶体管T6的漏极分别与晶体管T7的栅极、晶体管T8的漏极、晶体管T5的源极和晶体管T9的栅极电连接，所述晶体管T9的漏极分别与晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极电连接且晶体管T9的漏极、晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极均接栅极走线，所述晶体管T5的栅极与晶体管T5的漏极电连接，所述电容C1的另一端与晶体管T3的源极电连接，所述晶体管T6的源极分别与晶体管T7的源极、晶体管T8的源极、晶体管T9的源极和晶体管T10的源极电连接。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种低功耗显示屏的GIP驱动电路的控制方法，包括以下步骤：
S1、在第一时刻，控制晶体管T1的栅极输入高电平；
S2、在第二时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均由低电平切换至高电平；所述第二时刻晚于第一时刻；
S3、在第三时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均由高电平切换至低电平；所述第三时刻晚于第二时刻；
S4、在第四时刻，控制晶体管T2的栅极输入高电平；所述第四时刻晚于第三时刻；
S5、在第五时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均输入高电平；所述第五时刻晚于第四时刻。
本发明的有益效果在于：
通过将晶体管T1的源极分别与晶体管T6的栅极、晶体管T7的漏极、晶体管T2的源极、晶体管T3的栅极和电容C1的一端电连接，晶体管T6的漏极分别与晶体管T7的栅极、晶体管T8的漏极、晶体管T5的源极和晶体管T9的栅极电连接，晶体管T9的漏极分别与晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极电连接且晶体管T9的漏极、晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极均接栅极走线，晶体管T5的栅极与晶体管T5的漏极电连接，电容C1的另一端与晶体管T3的源极电连接，晶体管T6的源极分别与晶体管T7的源极、晶体管T8的源极、晶体管T9的源极和晶体管T10的源极电连接，这样使得晶体管T4漏极端可以接到直流电压准位，可以有效降低显示屏的功耗，提升显示设备的续航时间和使用寿命。
附图说明
图1为根据本发明的一种低功耗显示屏的GIP驱动电路的结构示意图；
图2为根据本发明的一种低功耗显示屏的GIP驱动电路的控制方法的步骤流程图；
图3为根据本发明的一种低功耗显示屏的GIP驱动电路的时序波形图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种低功耗显示屏的GIP驱动电路，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10和电容C1，所述晶体管T1的源极分别与晶体管T6的栅极、晶体管T7的漏极、晶体管T2的源极、晶体管T3的栅极和电容C1的一端电连接，所述晶体管T6的漏极分别与晶体管T7的栅极、晶体管T8的漏极、晶体管T5的源极和晶体管T9的栅极电连接，所述晶体管T9的漏极分别与晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极电连接且晶体管T9的漏极、晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极均接栅极走线，所述晶体管T5的栅极与晶体管T5的漏极电连接，所述电容C1的另一端与晶体管T3的源极电连接，所述晶体管T6的源极分别与晶体管T7的源极、晶体管T8的源极、晶体管T9的源极和晶体管T10的源极电连接。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过将晶体管T1的源极分别与晶体管T6的栅极、晶体管T7的漏极、晶体管T2的源极、晶体管T3的栅极和电容C1的一端电连接，晶体管T6的漏极分别与晶体管T7的栅极、晶体管T8的漏极、晶体管T5的源极和晶体管T9的栅极电连接，晶体管T9的漏极分别与晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极电连接且晶体管T9的漏极、晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极均接栅极走线，晶体管T5的栅极与晶体管T5的漏极电连接，电容C1的另一端与晶体管T3的源极电连接，晶体管T6的源极分别与晶体管T7的源极、晶体管T8的源极、晶体管T9的源极和晶体管T10的源极电连接，这样使得晶体管T4漏极端可以接到直流电压准位，可以有效降低显示屏的功耗，提升显示设备的续航时间和使用寿命。
进一步的，所述晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均接第一时钟信号，所述晶体管T8的栅极和晶体管T10的栅极均接第二时钟信号。
进一步的，所述晶体管T4的漏极接电源的正极。
进一步的，所述晶体管T6的源极、晶体管T7的源极、晶体管T8的源极、晶体管T9的源极和晶体管T10的源极均接电源的负极。
进一步的，所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9和晶体管T10均为N沟道MOS管。
由上述描述可知，通过N沟道的MOS管能够进一步稳定GIP电路的输出波形，节约了改善GIP制程的成本，优化显示屏的显示效果。
请参照图2，本发明提供的另一种技术方案：
一种低功耗显示屏的GIP驱动电路的控制方法，包括以下步骤：
S1、在第一时刻，控制晶体管T1的栅极输入高电平；
S2、在第二时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均由低电平切换至高电平；所述第二时刻晚于第一时刻；
S3、在第三时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均由高电平切换至低电平；所述第三时刻晚于第二时刻；
S4、在第四时刻，控制晶体管T2的栅极输入高电平；所述第四时刻晚于第三时刻；
S5、在第五时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均输入高电平；所述第五时刻晚于第四时刻。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过将晶体管T1的源极分别与晶体管T6的栅极、晶体管T7的漏极、晶体管T2的源极、晶体管T3的栅极和电容C1的一端电连接，晶体管T6的漏极分别与晶体管T7的栅极、晶体管T8的漏极、晶体管T5的源极和晶体管T9的栅极电连接，晶体管T9的漏极分别与晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极电连接且晶体管T9的漏极、晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极均接栅极走线，晶体管T5的栅极与晶体管T5的漏极电连接，电容C1的另一端与晶体管T3的源极电连接，晶体管T6的源极分别与晶体管T7的源极、晶体管T8的源极、晶体管T9的源极和晶体管T10的源极电连接，这样使得晶体管T4漏极端可以接到直流电压准位，可以有效降低显示屏的功耗，提升显示设备的续航时间和使用寿命。
进一步的，步骤S4还包括以下步骤：
控制晶体管T8的栅极和晶体管T10的栅极均输入高电平。
请参照图1和图3，本发明的实施例一为：
请参照图1，一种低功耗显示屏的GIP驱动电路，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10和电容C1，所述晶体管T1的源极分别与晶体管T6的栅极、晶体管T7的漏极、晶体管T2的源极、晶体管T3的栅极和电容C1的一端电连接，所述晶体管T6的漏极分别与晶体管T7的栅极、晶体管T8的漏极、晶体管T5的源极和晶体管T9的栅极电连接，所述晶体管T9的漏极分别与晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极电连接且晶体管T9的漏极、晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极均接栅极走线，所述晶体管T5的栅极与晶体管T5的漏极电连接，所述电容C1的另一端与晶体管T3的源极电连接，所述晶体管T6的源极分别与晶体管T7的源极、晶体管T8的源极、晶体管T9的源极和晶体管T10的源极电连接。
所述晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均接第一时钟信号，所述晶体管T8的栅极和晶体管T10的栅极均接第二时钟信号。
所述晶体管T4的漏极接电源的正极。
所述晶体管T6的源极、晶体管T7的源极、晶体管T8的源极、晶体管T9的源极和晶体管T10的源极均接电源的负极。
所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9和晶体管T10均为N沟道MOS管。
本方案的每一级GIP驱动电路共有10颗TFT，1个电容C1，FW和VGH是直流高电压，BW和VGL是直流低电压。在本方案中，CK(n)和CK(n+4)的高电位是VGH电位，低电位是VGL电位。本方案的GIP驱动电路中晶体管T4的尺寸远比晶体管T3的尺寸要大的多，参考功耗公式P＝1/2*F*C*V2可知，F为频率，C为电容，V为电压，由于尺寸大的晶体管T4的漏极端接的是直流电压VGH，因此晶体管T4的功耗得到极大的降低(相比于drain端接到高频交流信号CKn而言)，因此该GIP驱动电路的功耗很低。
以下介绍GIP驱动电路的驱动过程(请结合图3分析)：
在t1时刻，K(n-2)为高电位，晶体管T1打开，Q点电位充电到FW的高电位，此时晶体管T3和晶体管T4打开，K(n)接收到CKn的低电位，输出为低电位；G(n)接收到VGH的高电位，输出如图中虚线所示(此时Q点的电位还不够高，G(n)电位无法达到VGH)。
在t2时刻，CKn由低电位转为高电位，Q点由于耦合电容C1的存在，电位升高，此时K(n)通过晶体管T3的作用接收到CKn的高电位，K(n)输出高电位。由于Q点的电位相比于t1时刻来说更高，故晶体管T4打开的更彻底，因此G(n)输出为VGH电位如图所示。
在t3时刻，CKn由高电位转为低电位，Q点由于耦合电容C1的存在，电位下降，此时K(n)通过晶体管T5的作用接收到CKn的低电位，K(n)输出低电位。晶体管T4仍处于开启状态，因此G(n)的输出仍为VGH电位。
在t4时刻，K(n+4)为高电位，晶体管T2、晶体管T8和晶体管T10打开，Q点、P点、G(n)点分别下拉到VGL准位。
在t5时刻，CKn为高电位，此时晶体管T5处于开启状态，P点为高电位，晶体管T9打开，G(n)通过晶体管T9的作用下拉到VGL准位。
本方案设计的低功耗显示屏的GIP驱动电路通过将晶体管T4的漏极端接到直流电压准位，可以有效的降低显示屏GIP驱动电路的功耗，提升显示设备的续航时间和使用寿命。
请参照图1至图3，本发明的实施例二为：
请参照图2，一种低功耗显示屏的GIP驱动电路的控制方法，包括以下步骤：
S1、在第一时刻，控制晶体管T1的栅极输入高电平；
S2、在第二时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均由低电平切换至高电平；所述第二时刻晚于第一时刻；
S3、在第三时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均由高电平切换至低电平；所述第三时刻晚于第二时刻；
S4、在第四时刻，控制晶体管T2的栅极输入高电平；所述第四时刻晚于第三时刻；
S5、在第五时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均输入高电平；所述第五时刻晚于第四时刻。
步骤S4还包括以下步骤：
控制晶体管T8的栅极和晶体管T10的栅极均输入高电平。
请参照图1，本方案的每一级GIP驱动电路共有10颗TFT，1个电容C1，FW和VGH是直流高电压，BW和VGL是直流低电压。在本方案中，CK(n)和CK(n+4)的高电位是VGH电位，低电位是VGL电位。本方案的GIP驱动电路中晶体管T4的尺寸远比晶体管T3的尺寸要大的多，参考功耗公式P＝1/2*F*C*V2可知，F为频率，C为电容，V为电压，由于尺寸大的晶体管T4的漏极端接的是直流电压VGH，因此晶体管T4的功耗得到极大的降低(相比于drain端接到高频交流信号CKn而言)，因此该GIP驱动电路的功耗很低。
以下介绍GIP驱动电路的驱动过程(请结合图3分析)：
在t1时刻(即第一时刻)，K(n-2)为高电位，晶体管T1打开，Q点电位充电到FW的高电位，此时晶体管T3和晶体管T4打开，K(n)接收到CKn的低电位，输出为低电位；G(n)接收到VGH的高电位，输出如图中虚线所示(此时Q点的电位还不够高，G(n)电位无法达到VGH)。
在t2时刻(即第二时刻)，CKn由低电位转为高电位，Q点由于耦合电容C1的存在，电位升高，此时K(n)通过晶体管T3的作用接收到CKn的高电位，K(n)输出高电位。由于Q点的电位相比于t1时刻来说更高，故晶体管T4打开的更彻底，因此G(n)输出为VGH电位如图所示。
在t3时刻(即第三时刻)，CKn由高电位转为低电位，Q点由于耦合电容C1的存在，电位下降，此时K(n)通过晶体管T5的作用接收到CKn的低电位，K(n)输出低电位。晶体管T4仍处于开启状态，因此G(n)的输出仍为VGH电位。
在t4时刻(即第四时刻)，K(n+4)为高电位，晶体管T2、晶体管T8和晶体管T10打开，Q点、P点、G(n)点分别下拉到VGL准位。
在t5时刻(即第五时刻)，CKn为高电位，此时晶体管T5处于开启状态，P点为高电位，晶体管T9打开，G(n)通过晶体管T9的作用下拉到VGL准位。
本方案设计的低功耗显示屏的GIP驱动电路通过将晶体管T4的漏极端接到直流电压准位，可以有效的降低显示屏GIP驱动电路的功耗，提升显示设备的续航时间和使用寿命。
综上所述，本发明提供的一种低功耗显示屏的GIP驱动电路及其控制方法，通过将晶体管T1的源极分别与晶体管T6的栅极、晶体管T7的漏极、晶体管T2的源极、晶体管T3的栅极和电容C1的一端电连接，晶体管T6的漏极分别与晶体管T7的栅极、晶体管T8的漏极、晶体管T5的源极和晶体管T9的栅极电连接，晶体管T9的漏极分别与晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极电连接且晶体管T9的漏极、晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极均接栅极走线，晶体管T5的栅极与晶体管T5的漏极电连接，电容C1的另一端与晶体管T3的源极电连接，晶体管T6的源极分别与晶体管T7的源极、晶体管T8的源极、晶体管T9的源极和晶体管T10的源极电连接，这样使得晶体管T4漏极端可以接到直流电压准位，可以有效降低显示屏的功耗，提升显示设备的续航时间和使用寿命。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种低功耗显示屏的GIP驱动电路，其特征在于，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、晶体管T10和电容C1，所述晶体管T1的源极分别与晶体管T6的栅极、晶体管T7的漏极、晶体管T2的源极、晶体管T3的栅极和电容C1的一端电连接，所述晶体管T6的漏极分别与晶体管T7的栅极、晶体管T8的漏极、晶体管T5的源极和晶体管T9的栅极电连接，所述晶体管T9的漏极分别与晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极电连接且晶体管T9的漏极、晶体管T10的漏极和晶体管T4的源极均接栅极走线，所述晶体管T5的栅极与晶体管T5的漏极电连接，所述电容C1的另一端与晶体管T3的源极电连接，所述晶体管T6的源极分别与晶体管T7的源极、晶体管T8的源极、晶体管T9的源极和晶体管T10的源极电连接。
2.根据权利要求1所述的低功耗显示屏的GIP驱动电路，其特征在于，所述晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均接第一时钟信号，所述晶体管T8的栅极和晶体管T10的栅极均接第二时钟信号。
3.根据权利要求1所述的低功耗显示屏的GIP驱动电路，其特征在于，所述晶体管T4的漏极接电源的正极。
4.根据权利要求1所述的低功耗显示屏的GIP驱动电路，其特征在于，所述晶体管T6的源极、晶体管T7的源极、晶体管T8的源极、晶体管T9的源极和晶体管T10的源极均接电源的负极。
5.根据权利要求1所述的低功耗显示屏的GIP驱动电路，其特征在于，所述晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9和晶体管T10均为N沟道MOS管。
6.一种权利要求1所述的低功耗显示屏的GIP驱动电路的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在第一时刻，控制晶体管T1的栅极输入高电平；
S2、在第二时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均由低电平切换至高电平；所述第二时刻晚于第一时刻；
S3、在第三时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均由高电平切换至低电平；所述第三时刻晚于第二时刻；
S4、在第四时刻，控制晶体管T2的栅极输入高电平；所述第四时刻晚于第三时刻；
S5、在第五时刻，控制晶体管T5的栅极、晶体管T5的漏极和晶体管T3的漏极均输入高电平；所述第五时刻晚于第四时刻。
7.根据权利要求6所述的低功耗显示屏的GIP驱动电路的控制方法，其特征在于，步骤S4还包括以下步骤：
控制晶体管T8的栅极和晶体管T10的栅极均输入高电平。
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CN113793573A (zh) * 2021-10-14 2021-12-14 福建华佳彩有限公司 一种低功耗的gip电路及其驱动方法
CN114596828A (zh) * 2022-04-25 2022-06-07 福建华佳彩有限公司 一种降低负载的12t1c gip电路及其驱动方法

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