CN113773231B - 化合物羟基四氟化三硼酸二胍和羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体及制备方法和用途 - Google Patents

化合物羟基四氟化三硼酸二胍和羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体及制备方法和用途 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种化合物羟基四氟化三硼酸二胍及羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]，分子量为293.61，采用蒸发法、水热法或室温溶液法制备；该晶体的化学式为[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]，分子量为293.61，晶体属三斜晶系，空间群P1，晶胞参数为a=6.9215(8)Å，b=7.0980(9)Å，c=7.2608(9)Å，α=97.600(4)，β=107.689(4)，γ=117.273(4)，Z=1，V=286.12(6)Å3，采用蒸发法、水热法或室温溶液法生长晶体，通过该方法获得的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体，具有较宽的透光波段，物化性能稳定，机械硬度适中，不易碎裂，易于切割、抛光加工和保存等优点。

Description

化合物羟基四氟化三硼酸二胍和羟基四氟化三硼酸二胍非线 性光学晶体及制备方法和用途
技术领域
本发明涉及一种化合物羟基四氟化三硼酸二胍及羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体及制备方法和用途。
背景技术
随着193nm光刻技术、微纳米精细激光加工,以及超高能量分辨率光电子能谱仪和光电子发射显微镜等现代化仪器对深紫外激光源(一般指波长短于200nm)的强烈需求发展全固态深紫外激光光源已经成为国际激光科学界近期研究的一个热点。发展全固态深紫外激光光源，深紫外非线性光学晶体是十分关键的一个元件。
目前产业应用的紫外、深紫外非线性光学晶体主要包括LiB3O5(LBO)、CsB3O5(CBO)、CsLiB6O10(CLBO)、BaB2O4(BBO)和KBe2BO3F2(KBBF)晶体。LBO晶体具有宽的透光范围，高的光学均匀性，具有较大的有效倍频系数(3KDP)和高的损伤阈值(18.9GW/cm2)。但是由于其相对较小的双折射(Δn＝0.04-0.05)，使其不能在深紫外区实现相位匹配，最短倍频波长为276nm。与LBO晶体类似，CBO与CLBO晶体也是由于其相对较小的双折射，限制了在深紫外区的应用。BBO晶体虽然具有较大的倍频系数和双折射，但是由于其相对较高的紫外吸收截止边(189nm)，其最短倍频波长为204.8nm，从而限制了其在深紫外区的应用。KBBF可以实现对1064nm基频光直接六倍频输出，但是由于KBBF具有层状生长习性，生长大尺寸晶体难度大，在一定程度上限制了它的应用。因此迫切需要开发出综合性能优异的新型深紫外非线性光学晶体。
发明内容
本发明目的在于提供一种化合物羟基四氟化三硼酸二胍，该化合物的化学式为[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]，分子量为293.61。采用蒸发法、水热法或室温溶液法制备。
本发明的另一个目的在于提供羟基四氟化三硼酸二胍[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶，该晶体的化学式为[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]，分子量为293.61，晶体属三斜晶系，空间群P1，晶胞参数为
Figure BDA0003259013260000011
α＝97.600(4)，β＝107.689(4)，γ＝117.273(4)，Z＝1，
Figure BDA0003259013260000012
本发明又一个目的在于提供羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体的制备方法，采用蒸发法、水热法或室温溶液法生长晶体。
本发明再一个目的是提供羟基四氟化三硼酸二胍[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体的用途。
本发明所述的一种化合物羟基四氟化三硼酸二胍，该化合物的化学式为[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]，分子量为293.61，采用蒸发法、水热法或室温溶液法制备。
所述化合物羟基四氟化三硼酸二胍制备方法，按下列步骤进行：
所述蒸发法制备化合物羟基四氟化三硼酸二胍，具体操作按下列步骤进行：
a、将含[C(NH2)3]基团的化合物、含B化合物、含F化合物按摩尔比[C(NH2)3]∶B∶F＝0.5-2∶1.5-6∶0.5-2混合均匀，加入0-50mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，所述含[C(NH2)3]基团化合物为二氟化氢胍、碳酸胍、氯化胍或硝酸胍，含B化合物为H3BO3或HBO2，含F化合物为二氟化氢胍、氟化氢铷、氟化氢铯或氟化氢氨；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为50-300mL的聚四氟乙烯烧杯中，按10-30℃/h的速率升温至40-60℃，恒温2-5天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
所述水热法制备化合物羟基四氟化三硼酸二胍，具体操作按下列步骤进行：
a、将含[C(NH2)3]基团的化合物、含B化合物、含F化合物按摩尔比[C(NH2)3]∶B∶F＝0.5-2∶1.5-6∶0.5-2混合均匀，加入0-50mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，所述含[C(NH2)3]基团化合物为二氟化氢胍、碳酸胍、氯化胍或硝酸胍，含B化合物为H3BO3或HBO2，含F化合物为二氟化氢胍、氟化氢铷、氟化氢铯或氟化氢氨；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为23-100mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按10-30℃/h的速率升温至150-220℃，恒温1-3天，再以1-10℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
所述室温溶液法制备化合物羟基四氟化三硼酸二胍，具体操作按下列步骤进行：
a、将含[C(NH2)3]基团的化合物、含B化合物、含F化合物按摩尔比[C(NH2)3]∶B∶F＝0.5-2∶1.5-6∶0.5-2混合均匀，加入0-50mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，所述含[C(NH2)3]基团化合物为二氟化氢胍、碳酸胍、氯化胍或硝酸胍，含B化合物为H3BO3或HBO2，含F化合物为二氟化氢胍、氟化氢铷、氟化氢铯或氟化氢氨；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为50-300mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
一种羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体，该晶体的化学式为[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]，分子量为293.61，晶体属三斜晶系，空间群P1，晶胞参数为
Figure BDA0003259013260000021
Figure BDA0003259013260000022
α＝97.600(4)，β＝107.689(4)，γ＝117.273(4)，Z＝1，
Figure BDA0003259013260000023
Figure BDA0003259013260000024
所述羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体的制备方法，采用蒸发法、水热法或室温溶液法生长晶体：
所述蒸发法制备羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：
a、将含[C(NH2)3]基团的化合物、含B化合物、含F化合物加入到体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5-20mL水，搅拌混合均匀，得到混合液；所述含[C(NH2)3]基团化合物为二氟化氢胍、碳酸胍、氯化胍或硝酸胍，含B化合物为H3BO3或HBO2，含F化合物为二氟化氢胍、氟化氢铷、氟化氢铯或氟化氢氨；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至45-50℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
所述水热法生长羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：
a、将含[C(NH2)3]基团的化合物、含B化合物、含F化合物加入体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入1-2mL水，搅拌混合均匀，得到混合液；所述含[C(NH2)3]基团化合物为二氟化氢胍、碳酸胍、氯化胍或硝酸胍，含B化合物为H3BO3或HBO2，含F化合物为二氟化氢胍、氟化氢铷、氟化氢铯或氟化氢氨；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为23-100mL的高压反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按10-30℃/h的速率升温至150-220℃，恒温2-5天，再以1-3℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，无色的澄清溶液中获得厘米级的大尺寸羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体。
所述室温溶液法生长羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：
a、将含[C(NH2)3]基团的化合物、含B化合物、含F化合物加入体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，搅拌混合均匀，得到混合液；所述含[C(NH2)3]基团化合物为二氟化氢胍、碳酸胍、氯化胍或硝酸胍，含B化合物为H3BO3或HBO2，含F化合物为二氟化氢胍、氟化氢铷、氟化氢铯或氟化氢氨；
b、将步骤a中的混合溶液进行超声波处理，用定性滤纸过滤，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待生长结束，即得到尺寸为厘米级的羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体。
所述羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体在制备多波段的倍频器件或光学元件中的用途。
所述羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体在制备Nd:YAG激光器所输出的1064nm的基频光进行2倍频或3倍频或4倍频或5倍频的谐波光输出的用途。
所述羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体在制备产生低于200nm的深紫外倍频光输出中的用途。
所述羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体在制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器中的用途。
本发明所述的化合物羟基四氟化三硼酸二胍及羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体及制备方法和用途，其中，所述方法中容器为聚四氟乙烯烧杯，内衬为聚四氟乙烯内衬或装有铂金套管的不锈钢内衬的水热釜。使用容器前，须先用酸将容器清洗干净，再用去离子水润洗，晾干。
所用的电阻炉为马弗炉或干燥箱。
采用本发明所述的羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体的制备方法，通过该方法获得的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体，无明显层状生长习性，使用大尺寸容器，并延长晶体的生长周期，则可获得相应大尺寸的非线性光学晶体[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]，在该[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体的生长中晶体易长大透明无包裹，具有生长速度快，成本低，容易获得大尺寸晶体等优点。
采用本发明所述的羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体的制备方法，获得的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体，根据晶体的结晶学数据，将晶体毛胚定向，按所需角度、厚度和截面尺寸切割晶体，将晶体的通光面抛光，即可作为非线性光学器件使用，该[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体具有较宽的透光波段，物化性能稳定，机械硬度适中，不易碎裂，易于切割、抛光加工和保存等优点。
附图说明
图1为本发明化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]的粉末XRD谱图，谱图与理论XRD图谱一致，证明了化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]的存在；
图2为本发明[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体的结构图；
图3为本发明[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体制作的非线性光学器件的工作原理图，其中1为激光器，2为发出光束，3为[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体，4为出射光束，5为滤波片。
具体实施方式
实施例1
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]HF2+3H3BO3→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O，采用蒸发法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]HF2、H3BO3按摩尔比2∶3混合均匀，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为50mL的聚四氟乙烯烧杯中，按10℃/h的速率升温至50℃，恒温2天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例2
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2RbNO3，采用蒸发法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入50mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为80mL的聚四氟乙烯烧杯中，按15℃/h的速率升温至40℃，恒温3天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例3
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2CsNO3，采用蒸发法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入10mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中，按20℃/h的速率升温至45℃，恒温4天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例4
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]2CO3+6H3BO3+8NH4HF2→2[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+11H2O+8NH4F+2CO2↑，采用蒸发法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]2CO3、H3BO3、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4混合均匀，加入20mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为150mL的聚四氟乙烯烧杯中，按25℃/h的速率升温至55℃，恒温4天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例5
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]HF2+3HBO2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O，采用蒸发法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]HF2、HBO2按摩尔比2∶3混合均匀，加入1mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中，按30℃/h的速率升温至60℃，恒温2-5天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例6
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2RbNO3，采用蒸发法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、RbHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入8mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为180mL的聚四氟乙烯烧杯中，按12℃/h的速率升温至42℃，恒温2天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例7
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2CsNO3，采用蒸发法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、CsHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入22mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为250mL的聚四氟乙烯烧杯中，按30℃/h的速率升温至60℃，恒温5天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例8
制备化合物：
按反应式：[C(NH2)3]2CO3+3HBO2+4NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+3H2O+4NH4F+CO2↑，采用蒸发法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]2CO3、HBO2、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4混合均匀，加入50mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中，按30℃/h的速率升温至40℃，恒温4天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例9
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2RbCl，采用蒸发法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入48mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为200mL的聚四氟乙烯烧杯中，按25℃/h的速率升温至52℃，恒温3天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例10
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]+5H2O+2CsCl，采用蒸发法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入35mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为220mL的聚四氟乙烯烧杯中，按28℃/h的速率升温至40℃，恒温5天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例11
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2NH4HF2→[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]+5H2O+2NH4Cl，采用蒸发法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、NH4HF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入50mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为50mL的聚四氟乙烯烧杯中，按10℃/h的速率升温至60℃，恒温2天静置，待溶剂挥发完毕，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例12
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]HF2+3H3BO3→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O，采用水热法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]HF2、H3BO3按摩尔比2∶3混合均匀，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为23mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按10℃/h的速率升温至220℃，恒温1天，再以1℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例13
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2RbNO3，采用水热法合成化合物[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入1mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为50mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按15℃/h的速率升温至150℃，恒温2天，再以5℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例14
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2CsNO3，采用水热法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入10mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为80mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按20℃/h的速率升温至18℃，恒温3天，再以8℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例15
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]2CO3+6H3BO3+8NH4HF2→2[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+11H2O+8NH4F+2CO2↑，采用水热法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]2CO3、H3BO3、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4混合均匀，加入30mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为100mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按30℃/h的速率升温至200℃，恒温3天，再以10℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例16
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2RbCl，采用水热法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入50mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为50mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按25℃/h的速率升温至160℃，恒温1天，再以7℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例17
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2CsCl，采用水热法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入8mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为25mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按16℃/h的速率升温至155℃，恒温2天，再以3℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例18
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2NH4Cl，采用水热法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、NH4HF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入18mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为40mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按22℃/h的速率升温至210℃，恒温1天，再以10℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例19
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]HF2+3HBO2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O，采用水热法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]HF2、HBO2按摩尔比2∶3混合均匀，加入1mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为100mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按30℃/h的速率升温至220℃，恒温3天，再以10℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例20
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2RbNO3，采用水热法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、RbHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入15mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为23mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按10℃/h的速率升温至150℃，恒温1天，再以5℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例21
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2CsNO3，采用水热法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、CsHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入50mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为50mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按18℃/h的速率升温至180℃，恒温2天，再以8℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例22
制备化合物：
按反应式：[C(NH2)3]2CO3+3HBO2+4NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+3H2O+4NH4F+CO2↑，采用水热法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]2CO3、HBO2、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4混合均匀，加入45mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为80mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将水热反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的水热反应釜放置在恒温箱内，按25℃/h的速率升温至200℃，恒温1天，再以1℃/h的降温速率降至室温；
d、打开水热反应釜，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯内衬中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]；
实施例23
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]HF2+3H3BO3→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O，采用室温溶液法合成化合物[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]：
a、将[C(NH2)3]HF2、H3BO3按摩尔比2∶3混合均匀，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为50mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
实施例24
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2RbNO3，采用室温溶液法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入1mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为80mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
实施例25
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2CsNO3，采用室温溶液法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入5mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
实施例26
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]2CO3+6H3BO3+8NH4HF2→2[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+11H2O+8NH4F+2CO2↑，采用室温溶液法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]2CO3、H3BO3、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4混合均匀，加入10mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为150mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
实施例27
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]HF2+3HBO2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O，采用室温溶液法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
所述[C(NH2)3]HF2可由碳酸胍与过量的氢氟酸反应蒸发溶剂制备。
a、将[C(NH2)3]HF2、HBO2按摩尔比2∶3混合均匀，加入15mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为200mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
实施例28
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2RbNO3，采用室温溶液法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、RbHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入20mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为250mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
实施例29
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2CsNO3，采用室温溶液法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、CsHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入30mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
实施例30
制备化合物：
a、按反应式：[C(NH2)3]2CO3+3HBO2+4NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+3H2O+4NH4F+CO2↑，采用室温溶液法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]2CO3、HBO2、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4混合均匀，加入40mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为180mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
实施例31
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2RbCl，采用室温溶液法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入35mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为220mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
实施例32
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2CsCl，采用室温溶液法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入45mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为280mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
实施例33
制备化合物：
按反应式：2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2NH4Cl，采用室温溶液法合成化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、NH4HF2按摩尔比2∶3∶2混合均匀，加入22mL去离子水使其充分混合溶解，得到混合液，
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为60mL的聚四氟乙烯烧杯中，进行超声波处理，使其充分混合溶解，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待反应结束，以去离子水快速清洗聚四氟乙烯烧杯中的产物，室温下晾干，即得到化合物[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]。
实施例34
按化学反应方程式：2[C(NH2)3]HF2+3H3BO3→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O，采用蒸发法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]HF2和H3BO3按摩尔比2∶3在体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至45℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到尺寸为Φ9mm×9mm×6mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例35
按化学反应方程式：2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2RbNO3，采用蒸发法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入10mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至50℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到尺寸为Φ1.4mm×0.9mm×0.6mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例36
按化学反应方程式：2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2CsNO3，采用蒸发法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入6mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至50℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到尺寸为Φ0.9mm×0.6mm×0.6mm的[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]非线性光学晶体。
实施例37
按化学反应方程式：[C(NH2)3]2CO3+3H3BO3+4NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+6H2O+4NH4F+CO2↑，采用蒸发法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]2CO3、H3BO3、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4在体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入8mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至45℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到尺寸为Φ0.7mm×0.6mm×0.6mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例38
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]HF2+3HBO2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O，采用蒸发法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]HF2、HBO2按摩尔比2∶3在体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入20mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至50℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到尺寸为Φ1.1mm×1.1mm×0.7mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例39
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2RbNO3，采用蒸发法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、RbHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入16mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至45℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到尺寸为Φ0.7mm×0.5mm×0.3mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例40
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2CsNO3，采用蒸发法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、CsHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入10mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至48℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到尺寸为Φ1.5mm×1.3mm×0.4mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例41
按化学反应方程式:[C(NH2)3]2CO3+3HBO2+4NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+3H2O+4NH4F+CO2↑，采用蒸发法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]2CO3、HBO2、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4在体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入15mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至45℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到尺寸为Φ1mm×0.9mm×0.6mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例42
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2RbCl，采用蒸发法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入12mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至49℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到尺寸为Φ1.7mm×1.5mm×0.6mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例43
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+4H2O+CsCl，采用蒸发法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至46℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到尺寸为Φ0.8mm×0.5mm×0.5mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例44
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2NH4Cl，采用蒸发法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、NH4HF2按摩尔比2∶3∶2在体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入9mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至50℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到尺寸为Φ1.1mm×0.8mm×0.3mm的[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]非线性光学晶体。
实施例45
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]HF2+3H3BO3→[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]+5H2O，采用水热法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]HF2和H3BO3按摩尔比2∶3在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入2mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为100mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按10℃/h的速率升温至190℃，恒温2天，再以1℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，溶液中获得Φ2mm×1.5mm×0.3mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例46
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2RbNO3，采用水热法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入1mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为80mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按10℃/h的速率升温至150℃，恒温2天，再以1℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，溶液中获得Φ1.1mm×0.8mm×0.5mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例47
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2CsNO3，采用水热法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入2mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为100mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按15℃/h的速率升温至160℃，恒温2天，再以1℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，溶液中获得Φ1.4mm×1.1mm×0.6mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例48
按化学反应方程式:[C(NH2)3]2CO3+3H3BO3+4NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+6H2O+4NH4F+CO2↑，采用水热法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]2CO3、H3BO3、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入1mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为23mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按18℃/h的速率升温至200℃，恒温3天，再以2℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，溶液中获得Φ0.4mm×0.3mm×0.2mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例49
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2RbCl，采用水热法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入2mL水，得到混合液；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为50mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按20℃/h的速率升温至220℃，恒温4天，再以3℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，溶液中获得Φ1mm×0.7mm×0.6mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例50
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2CsCl，采用水热法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入1mL水；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为100mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按13℃/h的速率升温至150℃，恒温5天，再以2℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，溶液中获得Φ0.7mm×0.4mm×0.4mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例51
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2NH4Cl，采用水热法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、NH4HF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入2mL水；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为40mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按22℃/h的速率升温至160℃，恒温3天，再以2℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，溶液中获得Φ0.6mm×0.4mm×0.3mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例52
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]HF2+3HBO2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O，采用水热法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]HF2、HBO2按摩尔比2∶3在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入1mL水；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为100mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按30℃/h的速率升温至220℃，恒温4天，再以3℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，溶液中获得Φ0.6mm×0.2mm×0.2mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例53
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2RbNO3，采用水热法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、RbHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入1.5mL水；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为60mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按25℃/h的速率升温至210℃，恒温2天，再以1℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，溶液中获得Φ1.1mm×1mm×0.7mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例54
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2CsNO3，采用水热法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、CsHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入2mL水；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为50mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按21℃/h的速率升温至190℃，恒温2天，再以1℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，溶液中获得Φ0.5mm×0.3mm×0.3mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例55
按化学反应方程式:[C(NH2)3]2CO3+3HBO2+4NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+3H2O+4NH4F+CO2
↑，采用水热法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]2CO3、HBO2、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入2mL水；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为100mL的水热反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按30℃/h的速率升温至150℃，恒温5天，再以3℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，溶液中获得Φ0.3mm×0.3mm×0.2mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例56
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]HF2+3H3BO3→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O,采用室温溶液法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]HF2和H3BO3按摩尔比2∶3在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、超声波处理步骤a中的混合溶液使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体析出并逐渐长大，待生长结束，即得到尺寸为Φ7mm×5mm×3mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例57
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2RbNO3,采用室温溶液法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、超声波处理步骤a中的混合溶液使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体析出并逐渐长大，待生长结束，即得到尺寸为Φ1.5mm×1.4mm×0.9mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例58
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]NO3+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2CsNO3,采用室温溶液法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、超声波处理步骤a中的混合溶液使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体析出并逐渐长大，待生长结束，即得到尺寸为Φ1mm×0.7mm×0.4mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例59
按化学反应方程式:[C(NH2)3]2CO3+3H3BO3+4NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+6H2O+4NH4F+CO2↑,采用室温溶液法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]2CO3、H3BO3、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、超声波处理步骤a中的混合溶液使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体析出并逐渐长大，待生长结束，即得到尺寸为Φ1.3mm×1.3mm×0.6mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例60
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]HF2+3HBO2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O,采用室温溶液法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]HF2、HBO2按摩尔比2∶3在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、超声波处理步骤a中的混合溶液使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体析出并逐渐长大，待生长结束，即得到尺寸为Φ1mm×0.7mm×0.5mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例61
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2RbNO3,采用室温溶液法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、RbHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、超声波处理步骤a中的混合溶液使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体析出并逐渐长大，待生长结束，即得到尺寸为Φ0.9mm×0.7mm×0.7mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例62
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]NO3+3HBO2+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+2H2O+2CsNO3,采用室温溶液法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]NO3、HBO2、CsHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、超声波处理步骤a中的混合溶液使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体析出并逐渐长大，待生长结束，即得到尺寸为Φ1mm×0.7mm×0.7mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例63
按化学反应方程式:[C(NH2)3]2CO3+3HBO2+4NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+3H2O+4NH4F+CO2↑,采用室温溶液法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]2CO3、HBO2、NH4HF2按摩尔比1∶3∶4在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、超声波处理步骤a中的混合溶液使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体析出并逐渐长大，待生长结束，即得到尺寸为Φ0.4mm×0.4mm×0.3mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例64
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2RbHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2RbCl,采用室温溶液法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、RbHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、超声波处理步骤a中的混合溶液使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]晶体析出并逐渐长大，待生长结束，即得到尺寸为Φ2mm×2mm×1.6mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例65
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2CsHF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2CsCl,采用室温溶液法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、CsHF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、超声波处理步骤a中的混合溶液使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体析出并逐渐长大，待生长结束，即得到尺寸为Φ1.3mm×1.1mm×1.1mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例66
按化学反应方程式:2[C(NH2)3]Cl+3H3BO3+2NH4HF2→[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]+5H2O+2NH4Cl,采用室温溶液法生长[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体：
a、将[C(NH2)3]Cl、H3BO3、NH4HF2按摩尔比2∶3∶2在体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，得到混合液；
b、超声波处理步骤a中的混合溶液使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体析出并逐渐长大，待生长结束，即得到尺寸为Φ1.7mm×1.2mm×1.1mm的[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体。
实施例67
将实施例34-66所得的任意[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体按相匹配方向加工，按附图3所示安置在3的位置上，在室温下，用调Q Nd:YAG激光器作光源，入射波长为1064nm，由调QNd:YAG激光器1发出波长为1064nm的红外光束2射入[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]单晶3，产生波长为532nm的绿色倍频光，输出强度约为同等条件KDP的1.4倍。
实施例68
将实施例34-66所得的任意[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]晶体按相匹配方向加工，按附图3所示安置在3的位置上，在室温下，用调Q Nd:YAG激光器作光源，入射波长为532nm，由调Q的Nd:YAG激光器1发出波长为532nm的红外光束2射入[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]单晶3，产生波长为266nm的倍频光，输出强度约为同等条件BBO的0.5倍。

Claims (5)

1.一种羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体，其特征在于该晶体的化学式为[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]，分子量为293.61，晶体属三斜晶系，空间群P1，晶胞参数为a =6.9215(8) Å，b = 7.0980(9) Å，c = 7.2608(9) Å，α = 97.600(4)，β = 107.689(4)，γ =117.273(4)，Z = 1，V = 286.12(6) Å3。
2.根据权利要求1所述的羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体的制备方法，其特征在于采用蒸发法、水热法或室温溶液法生长晶体：
所述蒸发法制备羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：
a、将含[C(NH2)3]基团的化合物、含B化合物、含F化合物加入到体积为300mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5-20mL水，搅拌混合均匀，得到混合液；所述含[C(NH2)3]基团化合物为二氟化氢胍、碳酸胍、氯化胍或硝酸胍，含B化合物为H3BO3或HBO2，含F化合物为二氟化氢胍、氟化氢铷、氟化氢铯或氟化氢氨；
b、将步骤a中的混合溶液超声波处理，使其充分混合溶解，用定性滤纸过滤，获得澄清溶液；
c、将步骤b中的混合溶液放置电阻炉中，按10℃/h的速率升温至45-50℃，恒温15天静置，挥发水分溶剂，有晶体析出并逐渐长大，待晶体生长结束，即得到[C(NH2)3]2[B3O3F4(OH)]非线性光学晶体；
所述水热法生长羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：
a、将含[C(NH2)3]基团的化合物、含B化合物、含F化合物加入体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入1-2mL水，搅拌混合均匀，得到混合液；所述含[C(NH2)3]基团化合物为二氟化氢胍、碳酸胍、氯化胍或硝酸胍，含B化合物为H3BO3或HBO2，含F化合物为二氟化氢胍、氟化氢铷、氟化氢铯或氟化氢氨；
b、将步骤a中的混合溶液转入到体积为23-100mL的高压反应釜的聚四氟乙烯内衬中，并将反应釜的口旋紧密封；
c、将步骤b中的高压反应釜放置在恒温箱内，按10-30℃/h的速率升温至150-220℃，恒温2-5天，再以1-3℃/h的降温速率降至室温；
d、打开高压反应釜，无色的澄清溶液中获得厘米级的大尺寸羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体；
所述室温溶液法生长羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体，具体操作按下列步骤进行：
a、将含[C(NH2)3]基团的化合物、含B化合物、含F化合物加入体积为100mL的聚四氟乙烯烧杯中混合均匀，加入5mL水，搅拌混合均匀，得到混合液；所述含[C(NH2)3]基团化合物为二氟化氢胍、碳酸胍、氯化胍或硝酸胍，含B化合物为H3BO3或HBO2，含F化合物为二氟化氢胍、氟化氢铷、氟化氢铯或氟化氢氨；
b、将步骤a中的混合溶液进行超声波处理，用定性滤纸过滤，再用聚氯乙烯薄膜封口，放在无晃动、无污染、无空气对流的静态环境中，将封口扎若干个小孔用以调节溶液中溶剂的挥发速率，在室温下静置，随后溶液中逐渐析出晶体，待生长结束，即得到尺寸为厘米级的羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体。
3.一种权利要求1所述的羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体在制备多波段的倍频器件或光学元件中的用途。
4.根据权利要求1所述的羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体在制备Nd: YAG激光器所输出的1064 nm的基频光进行2倍频或3倍频或4倍频的谐波光输出的用途。
5.根据权利要求1所述的羟基四氟化三硼酸二胍非线性光学晶体在制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器中的用途。
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