CN113767455A - 陶瓷基板及陶瓷基板制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种陶瓷基板制造方法，其包括如下步骤：在金属层的一面形成掩膜；对借助掩膜露出的所述金属层进行蚀刻，从而形成倾斜凸出部；以及将形成有倾斜凸出部的所述金属层接合于陶瓷基底，根据本发明，在与陶瓷基底接合的金属层的外周形成倾斜凸出部，从而使得陶瓷基底和金属层之间的接合强度增加，使得金属层的蚀刻工艺变得容易。

Description

陶瓷基板及陶瓷基板制造方法
技术领域
本发明涉及一种陶瓷基板及陶瓷基板制造方法，更详细地，涉及一种在温度急剧变化时也能牢固地保持陶瓷基底和金属膜之间的结合状态的陶瓷基板及陶瓷基板制造方法。
背景技术
陶瓷基板通过将铜箔等金属箔以一体的形式附着于陶瓷基底而构成。陶瓷基板通过AMB(活性金属钎焊，Active Metal Brazing)、DBC(直接敷铜,Direct Bond Copper)等制造工艺生成，也可以根据制造工艺上的差异分为陶瓷AMB基板、陶瓷DBC基板等。
陶瓷AMB基板通过将金属直接钎焊到陶瓷基底的表面的AMB方式而制造，无需在陶瓷基底的表面进行金属化(或者金属配线化)。
因为陶瓷AMB基板具有高散热特性及可靠性，所以适用于汽车、风力轮机、高电压DC传输等应用。
参照图1，现有的陶瓷AMB基板(以下，称为基本型陶瓷AMB基板)通过如下形式制造：将铜等金属钎焊到陶瓷基底10的表面，从而形成金属层20，在金属层20表面配置掩膜(例如，干膜)30之后，用蚀刻液对金属层20周围的一定部分进行蚀刻。
此时，基本型陶瓷AMB基板形成为金属层20的角落越往下面越向内侧方向倾斜的形态，因此当温度急剧变化时，存在在金属层20内发生龟裂或者金属层20从陶瓷基底10分离出来的问题。
作为一个例子，如果执行用于检查陶瓷AMB基板的特性的热冲击试验(试验条件：陶瓷基板的材料是铝、ZTA(HPS)、A1N，一个周期是大约30分钟左右，每个周期温度在-50℃至150℃范围内变化)，则大约在100周期左右发生内部龟裂及层分离。
因为将陶瓷AMB基板主要用作电力相关基板，所以需要长期寿命，为了推迟内部龟裂及层分离的发生，正在研讨将具有高强度的Si3N4、SiC适用于陶瓷基板。
然而，Si3N4、SiC虽然具有高强度，但是价格昂贵，因此产品单价增加，从而存在降低产品竞争力的问题。
因此，在使用现有的陶瓷材料的同时，开发了沿着金属层20的角落形成多个凹窝(或者孔)22的凹窝型陶瓷AMB基板。
参照图2，凹窝型陶瓷AMB基板通过如下形式制造：将铜等金属钎焊到陶瓷基底10的表面，从而形成金属层20，在金属层20表面配置形成有多个凹窝22的掩膜30之后，用蚀刻液对金属层20周围的一定部分和孔部分进行蚀刻。
因此，凹窝型陶瓷AMB基板沿着金属层20的周围形成有多个凹窝22，在温度急剧变化时也能防止金属层20的龟裂及层分离的发生。
但是，由于凹窝型陶瓷AMB基板形成有多个凹窝22，从而减小了金属层20的面积，从而存在导电率、热电阻等电气特性降低的问题。换句话说，陶瓷AMB基板的电气特性与金属层20的面积成比例，但是凹窝型陶瓷AMB基板在金属层20形成有多个凹窝22，由此减小了金属层20的面积，从而减少了电气特性。
此外，如图3所示，凹窝型陶瓷AMB基板存在如下问题，为了防止电气特性的降低，仅在金属层20的一部分形成凹窝22的情况，在没有形成凹窝22的区域，当温度急剧变化时，在金属层20内发生龟裂或者金属层20从陶瓷基底10分离出来。
此外，凹窝型陶瓷AMB基板存在如下问题，凹窝22的面积占有率提高，电阻变高，强度及陶瓷基底10和金属层20的接合强度降低，从而无法满足应用中所需的电气特性。
此外，凹窝型陶瓷AMB基板存在如下问题，因为凹窝22的面积占有率提高，所以无法适用于微细图案。
另外，根据规格，当金属层20的厚度大于一定厚度时，难以进行蚀刻及凹窝形成工艺，还存在过度消耗时间及损坏基板的顾虑。
上面背景技术中记载的事项是为了帮助理解发明的背景，可包括并非在本技术所属的领域具有通常知识的技术人员已知晓的现有技术的事项。
先行技术文献
(专利文献1)韩国专利公开第10-2010-0068593号(名称：使得铜箔层叠于陶瓷材料基板的方法)
发明内容
本发明是为了解决上述现有问题而提出的，其目的在于提供一种陶瓷基板制造方法，在接合于陶瓷基底的金属层的外周形成倾斜凸出部，使得陶瓷基底和金属层之间的接合强度增加。
并且，本发明的另一目的在于提供一种陶瓷基板及陶瓷基板制造方法，在接合于陶瓷基底的金属层的外周中短边、顶点、角落等压力集中的外周形成与陶瓷基底具有设定角度范围内的倾斜的倾斜凸出部，从而使得陶瓷基底和金属层之间的接合强度增加。
此外，同时可以使得金属层的蚀刻及凹窝形成工艺变得更加容易。
根据本发明的一个观点的陶瓷基板制造方法，包括如下步骤：在金属层的一面形成掩膜；对借助掩膜露出的所述金属层进行蚀刻，从而形成倾斜凸出部；以及将形成有倾斜凸出部的所述金属层接合于陶瓷基底。
此时，形成倾斜凸出部的步骤包括在金属层的外周中压力集中的一部分区域形成多级倾斜凸出部的步骤，形成多级倾斜凸出部的步骤包括在金属层的短边、角落及顶点中至少一个形成形成有多个凹陷部的多级倾斜凸出部的步骤，形成多级倾斜凸出部的步骤包括形成与陶瓷基底具有大于27度小于33度的倾斜度的多级倾斜凸出部的步骤，倾斜度可以是对多级倾斜凸出部与陶瓷基底相接的点和凹陷部之间形成的凸出部的顶点进行连接的线和陶瓷基底的表面之间的角度。
另外，形成倾斜凸出部的步骤还包括在金属层的其余外周形成锥形倾斜凸出部的步骤，形成锥形倾斜凸出部的步骤包括在金属层的外周形成具有曲线形态的倾斜的锥形倾斜凸出部的步骤以及形成与陶瓷基底具有大于27度小于33度的倾斜度的锥形倾斜凸出部的步骤，倾斜度可以是对锥形倾斜凸出部与金属层及陶瓷基底相接的两点进行连接的线和陶瓷基底的表面之间的角度。
形成倾斜凸出部的步骤可包括形成与金属层的外周相连接并与直交于陶瓷基板的虚线相比更向陶瓷基底的外周方向凸出的倾斜凸出部的步骤、形成凸出长度越向陶瓷基底方向越增加的倾斜凸出部的步骤、形成向陶瓷基底方向凹陷的倾斜凸出部的步骤。
此外，金属层和陶瓷层可通过填料层接合。
根据本发明，陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，与现有的凹窝型陶瓷AMB基板相比，增加了金属层的面积，从而提高导电率、热电阻等电气特性的同时，可实现与现有的凹窝型陶瓷AMB基板同等的水准的耐龟裂性及耐分离性。
此外，陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，与现有的凹窝型陶瓷AMB基板相比，以相对宽广的面积形成，因此形成同等的电气特性的情况，可实现相对高的耐龟裂性及耐分离性。
此外，陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，与现有的凹窝型陶瓷AMB基板相比，以相对宽广的面积形成，因此可以保持强大的强度、接合强度，也可适用于微细图案。
此外，陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，与现有的陶瓷AMB基板相比，可延长使用寿命的同时，确保可靠性。
此外，陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，在形成倾斜凸出部时，调节掩膜(即，干膜)的蚀刻形态，从而不进行2～3次的额外蚀刻作业，因此可减少后工艺费用。
此外，陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，在金属层形成倾斜凸出部，因此使得能量分散到金属层外周，从而可提高AMB绝缘栅双极型晶体管(IGBT，insulated gatebipolar mode transistor)基板的长期可靠性。
此外，就陶瓷基板及陶瓷基板制造方法而言，在金属层的外周中短边、顶点、角落等压力集中的外周形成与陶瓷基底具有设定角度范围内的倾斜的多级倾斜凸出部，在金属层的其余外周形成锥形倾斜凸出部，因此形成在保持接合强度的同时使得接合压力最小化的厚度，从而可防止金属层从陶瓷基底分离出来。
附图说明
图1至图3是用于说明现有的陶瓷基板的图。
图4是用于说明根据本发明的实施例的陶瓷基板的图。
图5至图8是用于说明图4的金属层的图。
图9及图10是用于说明根据本发明的实施例的陶瓷基板制造方法的图。
标号说明
100：陶瓷基板 120：陶瓷基底
140：金属层 142：锥形倾斜凸出部
144：多级倾斜凸出部 146：凹陷部
具体实施方式
下面，为了详细说明以使在本发明所属的技术领域具有通常知识的技术人员能够容易地实施本发明的技术思想，参照附图对本发明的最优选的实施例进行说明。首先，在为各图的构成要素附加参照标号时，应留意，即使在不同的附图上显示相同的构成要素，也尽可能给予相同的标号。此外，在说明本发明时，判断为针对相关的公知构成或者功能的具体说明可能模糊本发明的要旨的情况，省略其详细的说明。
参照图4，根据本发明的实施例的陶瓷基板100包括陶瓷基底120及金属层140。
陶瓷基底120由ZTA(氧化锆增韧氧化铝，Zirconia Toughened Alumina)、氮化铝(AlN)、氧化铝(矾土，Al2O3)、氮化硅(SiN、Si3N4)中一个陶瓷材料形成。陶瓷基底120也可以由包括ZTA、氮化铝、氧化铝、氮化硅中一个以上的合成陶瓷材料形成。
例如，陶瓷基底120可形成为ZTA具有大约9％或者15％的组成比，氮化铝、氧化铝、氮化硅中至少一个具有其余组成比(大约91％、85％)的形式。
此外，陶瓷基底120可变形实施为由可用于电力模块等的陶瓷材料形成。
陶瓷基底120可根据组成比以具有大约0.32mm至0.635mm的厚度的形式形成。此时，为了增强与金属层140的接合力，陶瓷基底120也可以通过化学药品或者物理研磨在表面形成微细凸起部。
金属层140由金属薄膜构成。此时，金属层140可以由用铜(Cu)粉末形成的铜箔形成。金属层140可以由包括铜(Cu)粉末、银(Ag)粉末、铝(Al)粉末、镍(Ni)粉末、锡(Sn)粉末、铟(In)粉末中任意一个的金属薄膜或者混合金属薄膜形成。金属层140也可以由TiCu、NiTi、TiCu、NiNb、CuMo、TiAg等之类的混合金属薄膜形成。
金属层140接合于陶瓷基底120的至少一面。换句话说，金属层140通过钎焊工艺直接接合于陶瓷基底120的一面。此时，金属层140也可以通过在与陶瓷基底120之间所介入的接合层而接合于陶瓷基底120。
金属层140以具有比陶瓷基底120更小的面积的形式形成，金属层140的外周与陶瓷基底120的外周隔开规定间隔，并接合于陶瓷基底120的一面内侧。
金属层140在外周形成有越往下部越向陶瓷基底120的外周方向倾斜的倾斜凸出部。此时，金属层140在外周可以形成有锥形(Taper)倾斜凸出部及多级倾斜凸出部中至少一个。
如图5所示，可形成有锥形倾斜凸出部142，其具有形成于金属层140的曲线形态的倾斜。
锥形倾斜凸出部142以与金属层140的外周上部相连接且与直交于陶瓷基底100的虚线相比更向陶瓷基底120的外周方向凸出的形式形成。锥形倾斜凸出部142是具有曲线形态的倾斜的形状，可以形成为向陶瓷基底120方向凹陷的形状。
如图6所示，金属层140也可以形成有多级倾斜凸出部144，该多级倾斜凸出部144形成有多个凹陷部146。换句话说，金属层140可以形成有多级倾斜凸出部144，该多级倾斜凸出部144形成有2个凹陷部146。
当然，金属层140也可以形成有多级倾斜凸出部144，该多级倾斜凸出部144形成有3个凹陷部146。此时，多级倾斜凸出部144在凹陷部146和凹陷部146相接的部分可形成有尖尖的形状的凸出部。
金属层140外周的厚度越厚，与陶瓷基底120的接合压力就越大。如果接合压力增加，则在温度急剧变化时，金属层140可以从陶瓷基底120分离出来。
为了防止金属层140从陶瓷基底120分离出来，需要保持接合强度的同时，使得接合压力最小化，因此在金属层140的外周形成与陶瓷基底120具有设定角度范围内的倾斜度的倾斜凸出部(锥形倾斜凸出部142、多级倾斜凸出部144)，从而使得外周的厚度最小化。在此，作为一个例子，倾斜度是对倾斜凸出部与金属层140及陶瓷基底120相接的两点进行连接的线和陶瓷基底120的表面之间的角度。
此时，参照图7，为了使得接合压力最小化，倾斜凸出部142、144以与陶瓷基底120具有大约小于33度的倾斜度θ的形式形成。在此，如果倾斜度形成得太低，则接合强度降低，从而可能导致倾斜凸出部142、144从陶瓷基底120分离出来，因此优选地，为了使得接合压力最小化，倾斜凸出部142、144以与陶瓷基底120具有大约大于27度小于33度的倾斜度θ的形式形成。
另外，参照图8，金属层140可以在接合压力集中的外周的一部分区域148形成有多级倾斜凸出部144，在另一部分形成有倾斜凸出部142。
换句话说，接合压力集中在金属层140的短边、顶点、角落等一部分区域148，因此，在与金属层140的外周中短边、顶点、角落等对应的一部分形成能够以相对薄的厚度的形式形成的多级倾斜凸出部144，在其余外周的一部分形成锥形倾斜凸出部142。
此时，锥形倾斜凸出部142及多级倾斜凸出部144可形成为与陶瓷基底120具有设定角度范围(例如，大约大于27度小于33度)内的倾斜度的形式。
在此，倾斜度可以是对锥形倾斜凸出部142与金属层140及陶瓷基底120相接的两点进行连接的线和陶瓷基底120的表面之间的角度，或者是对多级倾斜凸出部144与陶瓷基底120相接的点和凹陷部166之间形成的凸出部的顶点进行连接的线和陶瓷基底120的表面之间的角度。
参照图9及图10，根据本发明的实施例的陶瓷基板制造方法，在金属层140另外形成倾斜凸出部142、144之后，使其与陶瓷基底120接合。
换句话说，当金属层140的厚度大于一定厚度时，如果在陶瓷基底120形成金属层140之后对金属层140进行蚀刻，则对蚀刻工艺不利，难以形成设计好的倾斜凸出部142、144，因此，本发明根据如下工艺进行：在金属层140另外形成倾斜凸出部142、144之后，使其与陶瓷基底120接合。
换句话说，包括金属层140准备步骤S110、掩膜160形成步骤S130、倾斜凸出部形成步骤S150、掩膜160去除步骤S170及与陶瓷基底120接合步骤S190。
金属层140准备步骤S110的金属层由包括铜(Cu)粉末、银(Ag)粉末、铝(Al)粉末、镍(Ni)粉末、锡(Sn)粉末、铟(In)粉末中任意一个的金属薄膜或者混合金属薄膜形成，可以是TiCu、NiTi、TiCu、NiNb、CuMo、TiAg等之类的混合金属薄膜。
掩膜160形成步骤S130中，在金属层140的一面形成掩膜160。换句话说，掩膜160形成步骤S130中，为了形成锥形倾斜凸出部142，将具有比金属层140的面积小的面积的掩膜(例如，干膜)160配置于金属层140的一面。掩膜160形成步骤S130中，金属层140的外周和掩膜160的外周以相互隔开的形式配置，从而使得掩膜160配置于金属层140的一面内侧。
另外，掩膜160形成步骤S130中，在金属层140的一面也可以形成有多个掩膜160。换句话说，掩膜160形成步骤S130中，为了形成多级倾斜凸出部144，也可以将两个以上的掩膜160形成于金属层140的一面。
掩膜160形成步骤S130中，通过曝光使得配置的掩膜160硬化，从而在金属层140的一面形成掩膜160。此时，掩膜160形成步骤S130中，在金属层140的外周中短边、顶点、角落等一部分形成掩膜160，该掩膜160用于形成能够以相对薄的厚度的形式形成的多级倾斜凸出部144，在其余外周的一部分可形成有用于形成锥形倾斜凸出部142的掩膜160。
倾斜凸出部形成步骤S150中，通过对金属层140进行蚀刻而在外周形成倾斜凸出部。此时，倾斜凸出部形成步骤S150中，用蚀刻液(例如，三氯化铁(FeCl3))对借助掩膜160露出的金属层140的一部分(即，金属层140的外周部)进行蚀刻，从而形成倾斜凸出部，该倾斜凸出部的形态为越往金属层140的下部，外周比上部更加扩张。
倾斜凸出部形成步骤S150中，在金属层140的外部形成有锥形倾斜凸出部142及多级倾斜凸出部144中至少一个。换句话说，倾斜凸出部形成步骤S150中，形成锥形倾斜凸出部142或者多级倾斜凸出部142，锥形倾斜凸出部142或者多级倾斜凸出部142与金属层140的外周上部相连接，并以直交于陶瓷基板100的虚线为基准向陶瓷基底120的外周方向凸出，锥形倾斜凸出部142具有曲线形态的倾斜，多级倾斜凸出部142形成有多个凹陷部146。
此时，倾斜凸出部形成步骤S150中，可以在接合压力集中的外周一部分形成多级倾斜凸出部144，在其余外周形成锥形倾斜凸出部142。换句话说，接合压力集中在金属层140的短边、顶点、角落等一部分区域148，因此，倾斜凸出部形成步骤S150中，在与金属层140的外周中短边、顶点、角落等对应的一部分形成多级倾斜凸出部144，该多级倾斜凸出部144能够以相对薄的厚度的形式形成。倾斜凸出部形成步骤S150中，在其余外周的受到相对较小接合压力的一部分(例如，长边)形成锥形倾斜凸出部142。
倾斜凸出部形成步骤S150中，当以与基本型陶瓷AMB基板相同的浓度、时间、速度(程度)进行蚀刻时，金属层140的外周部形成为向内侧呈弧形的形态。
由此，优选地，倾斜凸出部形成步骤S150中，用比制造基本型陶瓷AMB基板时所使用的蚀刻液浓度更低的蚀刻液对金属层140的外周部进行蚀刻，或缩短蚀刻时间，或者减慢蚀刻速度(程度)。
因此，假设在制造现有的基本型陶瓷AMB基板时蚀刻加工度为100％，倾斜凸出部形成步骤S150中，以大约85％左右的蚀刻加工度形成倾斜凸出部。
当然，倾斜凸出部形成步骤S150中，也可以以比制造基本型陶瓷AMB基板时的蚀刻速度慢的蚀刻速度对金属层140的外周部进行蚀刻，或用比制造基本型陶瓷AMB基板时的蚀刻时间短的蚀刻时间对金属层140的外周部进行蚀刻。
倾斜凸出部形成步骤S150中，形成与将要接合的陶瓷基底120具有设定角度范围内的倾斜度的倾斜凸出部。在此，倾斜度可以是对锥形倾斜凸出部142与金属层140及陶瓷基底120相接的两点进行连接的线和陶瓷基底120的表面之间的角度，或者可以是对多级倾斜凸出部144与陶瓷基底120相接的点和凹陷部166之间形成的凸出部的顶点进行连接的线和陶瓷基底120的表面之间的角度。
金属层140的外周的厚度越厚，与陶瓷基底120的接合压力就越大。如果接合压力增加，当温度急剧变化时，可能导致金属层140从陶瓷基底120分离出来。
为了防止金属层140从陶瓷基底120分离出来，需要保持接合强度的同时，使得接合压力最小化，因此在金属层140的外周形成与陶瓷基底120具有设定角度范围内的倾斜度的倾斜凸出部142、144，从而使得厚度最小化。
此时，为了使得接合压力最小化，倾斜凸出部142、144以与陶瓷基底120具有大约小于33度的倾斜度θ的形式形成。在此，如果倾斜度形成得太低，则接合强度下降，可能导致倾斜凸出部142、144从陶瓷基底120分离出来，因此优选地，为了使得接合压力最小化，倾斜凸出部142、144以与陶瓷基底120具有大约大于27度小于33度的倾斜度θ的形式形成。
掩膜160去除步骤S170中，在金属层140形成倾斜凸出部之后，通过蚀刻液对配置于金属层140的一面的掩膜160进行蚀刻。借此，掩膜160去除步骤S170中，去除掩膜160，从而制作出最终状态的陶瓷基板100。
如此，在金属层140形成倾斜凸出部142、144之后，使其接合于陶瓷基底120S190。
准备陶瓷基底120，该陶瓷基底120由ZTA、氮化铝、氧化铝(矾土)、氮化硅中一种陶瓷材料形成。此时，陶瓷基底120可以是包括ZTA、氮化铝、氧化铝、氮化硅中一个以上的合成陶瓷材料。
例如，准备陶瓷基底120，该陶瓷基底120中ZTA具有大约9％或者15％的组成比、氮化铝、氧化铝、氮化硅中至少一个具有其余组成比(大约91％、85％)。
陶瓷基底120准备步骤S190中，根据组成比准备具有大约0.32mm至0.635mm的厚度的陶瓷基底120。
此时，陶瓷基底120准备步骤S190中，为了增强与金属层140的接合力，在陶瓷基底120的表面也可以形成微细凸起部。换句话说，通过利用药品的化学处理或者利用研磨、喷沙等的物理处理，对陶瓷基底120的表面进行粗糙处理，从而在陶瓷基底120形成微细凸起部。此外，也可以变形实施为对陶瓷基底120的表面进行粗糙处理的任何例子。
金属层140形成于陶瓷基底120的至少一面。此时，就金属层140而言，通过将金属薄膜接合于陶瓷基底120的至少一面而形成金属层140，以全部覆盖陶瓷基底120的至少一面的形式形成金属层140。
就金属层140而言，通过钎焊工艺将金属薄膜接合于陶瓷基底120的一面，从而可形成金属层140，或通过将接合层介入于陶瓷基底120和金属薄膜之间，从而形成金属层140。
就金属层140而言，可以将包括铜(Cu)粉末、银(Ag)粉末、铝(Al)粉末、镍(Ni)粉末、锡(Sn)粉末、铟(In)粉末中任意一个的金属薄膜或者混合金属薄膜接合于陶瓷基底120的一面，从而形成金属层140。
就金属层140而言，也可以将TiCu、NiTi、TiCu、NiNb、CuMo、TiAg等之类的混合金属薄膜接合于陶瓷基底120的一面，从而形成金属层140。
如上所述，本发明的陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，与现有的凹窝型陶瓷AMB基板相比，增加了金属层的面积，从而提高导电率、热电阻等电气特性的同时，可实现与现有的凹窝型陶瓷AMB基板同等的水准的耐龟裂性及耐分离性。
此外，陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，与现有的凹窝型陶瓷AMB基板相比，以相对宽广的面积形成，因此形成同等的电气特性的情况，可实现相对高的耐龟裂性及耐分离性。
此外，陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，与现有的凹窝型陶瓷AMB基板相比，以相对宽广的面积形成，因此可以保持强大的强度、接合强度，也可适用于微细图案。
此外，陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，与现有的陶瓷AMB基板相比，可延长使用寿命的同时，确保可靠性。
此外，陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，在形成倾斜凸出部时，调节掩膜(即，干膜)的蚀刻形态，从而不进行2～3次的额外蚀刻作业，因此可减少后工艺费用。
此外，陶瓷基板及陶瓷基板制造方法的效果在于，在金属层形成倾斜凸出部，因此使得能量分散到金属层外周，从而可提高AMB绝缘栅双极型晶体管(IGBT，insulated gatebipolar mode transistor)基板的长期可靠性。
此外，就陶瓷基板及陶瓷基板制造方法而言，在金属层的外周中短边、顶点、角落等压力集中的外周形成与陶瓷基底具有设定角度范围内的倾斜的多级倾斜凸出部，在金属层的其余外周形成锥形倾斜凸出部，因此形成在保持接合强度的同时使得接合压力最小化的厚度，从而可防止金属层从陶瓷基底分离出来。
并且，即使金属层的厚度大于一定厚度，也可以使得蚀刻工艺变得容易，从而更加有利于工艺。
以上，对根据本发明的优选实施例进行了说明，但是可变形为多种形态，并且应理解为，如果是在本技术领域具有通常知识的技术人员，在不脱离本发明的专利权利要求书的情况下，可以实施各种变形例及修改例。

Claims (11)

1.一种陶瓷基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
在金属层的一面形成掩膜；
对借助掩膜露出的所述金属层进行蚀刻，从而形成倾斜凸出部；以及
将形成有倾斜凸出部的所述金属层接合于陶瓷基底。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板制造方法，其特征在于，
形成倾斜凸出部的步骤包括在金属层的外周中压力集中的一部分区域形成多级倾斜凸出部的步骤。
3.根据权利要求2所述的陶瓷基板制造方法，其特征在于，
形成多级倾斜凸出部的步骤包括在金属层的短边、角落及顶点中至少一个形成形成有多个凹陷部的多级倾斜凸出部的步骤。
4.根据权利要求2所述的陶瓷基板制造方法，其特征在于，
形成多级倾斜凸出部的步骤包括形成与陶瓷基底具有大于27度小于33度的倾斜度的多级倾斜凸出部的步骤，
所述倾斜度是对多级倾斜凸出部与陶瓷基底相接的点和凹陷部之间形成的凸出部的顶点进行连接的线和陶瓷基底的表面之间的角度。
5.根据权利要求2所述的陶瓷基板制造方法，其特征在于，
形成倾斜凸出部的步骤还包括在金属层的其余外周形成锥形倾斜凸出部的步骤。
6.根据权利要求5所述的陶瓷基板制造方法，其特征在于，
形成锥形倾斜凸出部的步骤包括在金属层的外周形成具有曲线形态的倾斜的锥形倾斜凸出部的步骤。
7.根据权利要求5所述的陶瓷基板制造方法，其特征在于，
形成锥形倾斜凸出部的步骤包括形成与陶瓷基底具有大于27度小于33度的倾斜度的锥形倾斜凸出部的步骤，
所述倾斜度是对锥形倾斜凸出部与金属层及陶瓷基底相接的两点进行连接的线和陶瓷基底的表面之间的角度。
8.根据权利要求1所述的陶瓷基板制造方法，其特征在于，
形成倾斜凸出部的步骤包括形成与金属层的外周相连接并与直交于陶瓷基板的虚线相比更向陶瓷基底的外周方向凸出的倾斜凸出部的步骤。
9.根据权利要求1所述的陶瓷基板制造方法，其特征在于，
形成倾斜凸出部的步骤包括形成凸出长度越向陶瓷基底方向越增加的倾斜凸出部的步骤。
10.根据权利要求1所述的陶瓷基板制造方法，其特征在于，
形成倾斜凸出部的步骤包括形成向陶瓷基底方向凹陷的倾斜凸出部的步骤。
11.根据权利要求1所述的陶瓷基板制造方法，其特征在于，
金属层和陶瓷层通过填料层接合。
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