CN113747680A - 短波段30sw功率放大器的制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种短波段30SW功率放大器的制作工艺，包括：步骤1、将元器件烧结到控制电路板及微波电路板上；步骤2、将步骤1加工后的电路板与航天插座、SMP单头线缆电装到腔体上；步骤3、对经过步骤2装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。该制作工艺流程科学、操作简便，生产成品的合格率高，满足信号传输的连续性、稳定性和可靠性要求。
Description
技术领域
本发明涉及微波模块制作加工工艺技术领域，具体地，涉及一种短波段30SW功率放大器的制作工艺。
背景技术
短波是指频率为3-30MHz的无线电波。近年来，随着短波通信行业的快速发展，短波有源相控阵雷达放大模块已成为当前发展各种雷达、和通信系统的重要支柱，并广泛应用于各种先进的雷达、通信系统以及各种地面有源相控阵雷达中。
在短波有源相控阵雷达中，短波有源是收发组件的主要组成单元，功率放大器可以较好地解决信号的增益小和功耗大的问题。随着有源相控阵雷达技术和通信技术的飞速发展，短波段有源相控阵雷达核心30SW功率放大电路在各个领域都得到了越来越广泛的应用，比如，地面雷达采用短波段有源相控阵雷达核心30SW功率放大电路后可使其发射出较高的功率，以提高识别的距离和；通信设备用短波有源相控阵雷达核心30SW功率放大电路来增大发射通道功率。
因此，需要提供一种操作简便，生产成品更可靠的短波段30SW功率放大器的制作工艺来满足其使用需求。
发明内容
本发明的目的是提供一种短波段30SW功率放大器的制作工艺，该制作工艺流程科学、操作简便，生产成品的合格率高，满足信号传输的连续性、稳定性和可靠性要求。
为了实现上述目的，本发明提供了一种短波段30SW功率放大器的制作工艺，包括：
步骤1、将元器件烧结到控制电路板及微波电路板上；
步骤2、将步骤1加工后的电路板与航天插座、SMP单头线缆电装到腔体上；
步骤3、对经过步骤2装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。
优选地，步骤1包括：
步骤1.1、打开点胶机，采用连续点胶模式，将点胶机压力设置为40-60psi，在电路板待贴元器件焊盘处点涂183℃成分为SN63PB37焊锡膏；
步骤1.2、用镊子夹取元器件正确放置在对应的焊盘上；
步骤1.3、将加热平台温度设置为210-220℃，将经过步骤1.2安放好元器件的控制电路板及微波电路板依次放在加热平台上进行烧结，在显微镜下观察，如元器件发生移位、翘起，用镊子拨正；烧结完成后，取下烧结完成后的电路板放在滤纸上，自然冷却后存放在培养皿中备用；
步骤1.4、使用汽相清洗机清洗，将烧结有元器件的电路板组件放置在盛有60℃成分为ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡15-25min；取出后放置盛有60℃无水乙醇的培养皿中进行刷洗，再将清洗后的组件放置在40-60℃的烘箱内烘烤4-6min，自然冷却至22-25℃后待用。
优选地，步骤2包括：
步骤2.1、用宽嘴镊子夹取浸有纯酒精的酒精棉清洗待装配的腔体，清洗完成后待用；
步骤2.2、将控制贴片组件及微波贴片组件使用配套盘头组合螺钉螺接至腔体内，将SMP单头线缆使用配套盘头组合螺钉螺接至腔体上，将航天插座使用盘头组合螺钉螺接至腔体上；
步骤2.3、对照航天插座电源接口定义图，结合电装焊接图，进行航天插座焊接，将导线使用热剥钳剥出1.0-1.5mm,打开电烙铁，温度设置为345-355℃，使用183℃成分为SN63CR32的焊锡丝进行焊接，将航天插座引脚根据定义分别焊接至电路板内丝印对应标识处；
步骤2.4、对照SMP单头线缆电装焊接图，进行SMP单头线缆焊接：将单头线缆根据实际焊接空间及待焊接焊点位置进行预弯曲形状，为了避免焊接隐患，将线缆弯曲至待焊接位置时呈弧形或者L型，预弯曲线缆形状走向固定，使用斜口钳剪去多余部分并将内针芯焊接端剥出，将线缆进行绝缘保护套上热缩套管预留接地长度1.5-2.0mm；打开加热平台，将温度设置为95-105℃，打开电烙铁，将温度设置为345-355℃，将线缆接地外层注射低残留助焊剂，使用183℃成分为SN63CR32的焊锡丝进行搪锡，先保证线缆良好接地再进行内针芯焊接，依次将单头线缆焊接完成；
步骤2.5、使用汽相清洗机清洗，将已电装焊接完成的组件放置于清洗机设备的清洗篮内，再将清洗篮放入汽相清洗槽内，以清洗剂淹没腔体为准将清洗蓝挂在清洗机挂臂上，关闭清洗机设备盖板，设置时间为10-15min，再将清洗后的组件放置在40-60℃的烘箱内烘烤4-6min，自然冷却至22-25℃后待用。
优选地，步骤3包括：电装焊接完成后，连接好外围电路和仪器仪表对短波段30SW功率放大器进行调试和测试，调试、测试完成后对短波段30SW功率放大器进行螺接封盖和打标。
根据上述技术方案，本发明首先将元器件烧结到控制电路板及微波电路板上，其次将加工后的电路板与航天插座、SMP单头线缆电装到腔体上；最后对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标；生产出的产品合格率大大提高，满足信号传输的连续性、稳定性和可靠性要求，整个操作过程科学简便，容易掌握。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明提供的短波段30SW功率放大器的制作工艺的流程图；
图2是本发明提供的短波段30SW功率放大器的制作工艺中控制电路板元器件贴装图；
图3是本发明提供的短波段30SW功率放大器的制作工艺中微波电路板元器件贴装图；
图4是本发明提供的短波段30SW功率放大器的制作工艺中电装焊接示意图；
图5是本发明提供的短波段30SW功率放大器的制作工艺中航天接口定义图；
图6的本发明提供的短波段30SW功率放大器的制作工艺中SMP单头线缆电装焊接局部放大图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
在本发明中，在未作相反说明的情况下，“上、下、内、外”等包含在术语中的方位词仅代表该术语在常规使用状态下的方位，或为本领域技术人员理解的俗称，而不应视为对该术语的限制。
参见图1，本发明提供一种短波段30SW功率放大器的制作工艺，包括：
步骤1、将元器件烧结到控制电路板及微波电路板上；
步骤1.1、打开点胶机，采用连续点胶模式，将点胶机压力设置为40-60psi，在电路板待贴元器件焊盘处点涂183℃成分为SN63PB37焊锡膏；
步骤1.2、用镊子夹取元器件正确放置在对应的焊盘上，控制电路板元器件贴装图如图2所示。待烧结的元器件清单为，电阻：R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R18，陶瓷电容：C1、C9、C11，坦电容：C2，稳压块：U1，MOS管：U2；微波电路板元器件贴装图如图3所示。待烧结的元器件清单为电阻：R1、R13、R15、R16、R17、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28，陶瓷电容：C1、C 18、C20、C21、C22、C23、C25、C26、C30，片电容：C3、C4、C5、C6、C7、C8，ATC贴片电容：C10、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C19，检波器：U3，功率放大器：U5、U6，功分器：U7。
步骤1.3、将加热平台温度设置为210-220℃，将经过步骤1.2安放好元器件的控制电路板及微波电路板依次放在加热平台上进行烧结，在显微镜下观察，如元器件发生移位、翘起，用镊子拨正；烧结完成后，取下烧结完成后的电路板放在滤纸上，自然冷却后存放在培养皿中备用；
步骤1.4、使用汽相清洗机清洗，将烧结有元器件的电路板组件放置在盛有60℃成分为ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡15-25min；取出后放置盛有60℃无水乙醇的培养皿中进行刷洗，再将清洗后的组件放置在40-60℃的烘箱内烘烤4-6min，自然冷却至22-25℃后待用。
步骤2、将步骤1加工后的电路板与航天插座、SMP单头线缆电装到腔体上；
步骤2.1、用宽嘴镊子夹取浸有纯酒精的酒精棉清洗待装配的腔体，清洗完成后待用；
步骤2.2、将控制贴片组件及微波贴片组件使用配套M1.6×4盘头组合螺钉螺接至腔体内，将SMP单头线缆使用配套M2×5盘头组合螺钉螺接至腔体上，将航天插座使用M3×6盘头组合螺钉螺接至腔体上，电装焊接示意图如图4所示；
步骤2.3、如图5，对照航天插座电源接口定义图，结合电装焊接图(图4)，进行航天插座焊接，将导线使用热剥钳剥出1.0-1.5mm,打开电烙铁，温度设置为345-355℃，使用183℃成分为SN63CR32的焊锡丝进行焊接，将航天插座引脚根据定义分别焊接至电路板内丝印对应标识处；
步骤2.4、对照SMP单头线缆电装焊接图(图6)，进行SMP单头线缆焊接：将单头线缆根据实际焊接空间及待焊接焊点位置进行预弯曲形状，由于线缆硬度大弯曲时切勿直接过渡至焊点处，会使焊接时，由于张力大导致线缆一直处于紧绷状态有焊接隐患从而产品性能有一定的影响。为了避免焊接隐患，将线缆弯曲至待焊接位置时呈弧形或者L型，预弯曲线缆形状走向固定，使用斜口钳剪去多余部分并将内针芯焊接端剥出，将线缆进行绝缘保护套上热缩套管预留接地长度1.5-2.0mm；打开加热平台，将温度设置为95-105℃，打开电烙铁，此处，由于焊接空间小，使用TSS02-1.7D型号烙铁头，将温度设置为345-355℃，将线缆接地外层注射低残留助焊剂，使用183℃成分为SN63CR32的焊锡丝进行搪锡，先保证线缆良好接地再进行内针芯焊接，依次将单头线缆1、2、3焊接完成；
步骤2.5、使用汽相清洗机清洗，将已电装焊接完成的组件放置于清洗机设备的清洗篮内，再将清洗篮放入汽相清洗槽内，以清洗剂淹没腔体为准将清洗蓝挂在清洗机挂臂上，关闭清洗机设备盖板，设置时间为10-15min，再将清洗后的组件放置在40-60℃的烘箱内烘烤4-6min，自然冷却至22-25℃后待用。
步骤3、对经过步骤2装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。
具体的，电装焊接完成后，连接好外围电路和仪器仪表对短波段30SW功率放大器进行调试和测试，调试、测试完成后对短波段30SW功率放大器进行螺接封盖和打标。
通过上述技术方案，为了信号的稳定传输采用线缆电装后直接剥线缆头焊接，由于线缆硬度高且要接地可靠，焊接难度大及力度不好控制，对照图纸预先将线缆弯曲至焊点固定位置，使焊接时张力小排除焊接隐患；将线缆一头剥出预留焊盘焊接一端，线缆表皮接地焊接为了避免短路预留接地焊接长度，线缆外层套上热缩套管保护，在接地外层蘸取适量助焊剂浸润，焊接空间小，换上TSS02-1.7D型号烙铁头进行接地外层搪锡，温度设置345-355℃，加热平台设置95-105℃进行接地焊接。经过测试、调试、环境试验，以及整机现场调试，各项性能指标完全达到整机要求。该制作工艺具有信号传输的连续性、稳定性、可靠性，生产此功率放大器的工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较高，适合批量生产。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (4)
1.一种短波段30SW功率放大器的制作工艺，其特征在于，包括：
步骤1、将元器件烧结到控制电路板及微波电路板上；
步骤2、将步骤1加工后的电路板与航天插座、SMP单头线缆电装到腔体上；
步骤3、对经过步骤2装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。
2.根据权利要求1所述的短波段30SW功率放大器的制作工艺，其特征在于，步骤1包括：
步骤1.1、打开点胶机，采用连续点胶模式，将点胶机压力设置为40-60psi，在电路板待贴元器件焊盘处点涂183℃成分为SN63PB37焊锡膏；
步骤1.2、用镊子夹取元器件正确放置在对应的焊盘上；
步骤1.3、将加热平台温度设置为210-220℃，将经过步骤1.2安放好元器件的控制电路板及微波电路板依次放在加热平台上进行烧结，在显微镜下观察，如元器件发生移位、翘起，用镊子拨正；烧结完成后，取下烧结完成后的电路板放在滤纸上，自然冷却后存放在培养皿中备用；
步骤1.4、使用汽相清洗机清洗，将烧结有元器件的电路板组件放置在盛有60℃成分为ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡15-25min；取出后放置盛有60℃无水乙醇的培养皿中进行刷洗，再将清洗后的组件放置在40-60℃的烘箱内烘烤4-6min，自然冷却至22-25℃后待用。
3.根据权利要求1所述的短波段30SW功率放大器的制作工艺，其特征在于，步骤2包括：
步骤2.1、用宽嘴镊子夹取浸有纯酒精的酒精棉清洗待装配的腔体，清洗完成后待用；
步骤2.2、将控制贴片组件及微波贴片组件使用配套盘头组合螺钉螺接至腔体内，将SMP单头线缆使用配套盘头组合螺钉螺接至腔体上，将航天插座使用盘头组合螺钉螺接至腔体上；
步骤2.3、对照航天插座电源接口定义图，结合电装焊接图，进行航天插座焊接，将导线使用热剥钳剥出1.0-1.5mm,打开电烙铁，温度设置为345-355℃，使用183℃成分为SN63CR32的焊锡丝进行焊接，将航天插座引脚根据定义分别焊接至电路板内丝印对应标识处；
步骤2.4、对照SMP单头线缆电装焊接图，进行SMP单头线缆焊接：将单头线缆根据实际焊接空间及待焊接焊点位置进行预弯曲形状，为了避免焊接隐患，将线缆弯曲至待焊接位置时呈弧形或者L型，预弯曲线缆形状走向固定，使用斜口钳剪去多余部分并将内针芯焊接端剥出，将线缆进行绝缘保护套上热缩套管预留接地长度1.5-2.0mm；打开加热平台，将温度设置为95-105℃，打开电烙铁，将温度设置为345-355℃，将线缆接地外层注射低残留助焊剂，使用183℃成分为SN63CR32的焊锡丝进行搪锡，先保证线缆良好接地再进行内针芯焊接，依次将单头线缆焊接完成；
步骤2.5、使用汽相清洗机清洗，将已电装焊接完成的组件放置于清洗机设备的清洗篮内，再将清洗篮放入汽相清洗槽内，以清洗剂淹没腔体为准将清洗蓝挂在清洗机挂臂上，关闭清洗机设备盖板，设置时间为10-15min，再将清洗后的组件放置在40-60℃的烘箱内烘烤4-6min，自然冷却至22-25℃后待用。
4.根据权利要求1所述的短波段30SW功率放大器的制作工艺，其特征在于，步骤3包括：电装焊接完成后，连接好外围电路和仪器仪表对短波段30SW功率放大器进行调试和测试，调试、测试完成后对短波段30SW功率放大器进行螺接封盖和打标。
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