CN113727259B - 发声装置和电子设备 - Google Patents
发声装置和电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113727259B CN113727259B CN202111009313.XA CN202111009313A CN113727259B CN 113727259 B CN113727259 B CN 113727259B CN 202111009313 A CN202111009313 A CN 202111009313A CN 113727259 B CN113727259 B CN 113727259B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetic circuit
- sound generating
- circuit system
- generating apparatus
- folded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 89
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 28
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 14
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 7
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 10
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229920006346 thermoplastic polyester elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R9/00—Transducers of moving-coil, moving-strip, or moving-wire type
- H04R9/02—Details
- H04R9/025—Magnetic circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/16—Mounting or tensioning of diaphragms or cones
- H04R7/24—Tensioning by means acting directly on free portions of diaphragm or cone
Abstract
本发明公开一种发声装置和电子设备,所述发声装置包括外壳、磁路系统及振动系统,所述外壳设有容腔,所述磁路系统设于所述容腔,所述振动系统包括与所述磁路系统相对设置的振膜,所述振膜包括中央部、环绕所述中央部设置的折环部以及连接于所述折环部外侧的固定部,所述固定部与所述外壳连接,所述固定部面向所述外壳的一侧设有容胶槽,所述固定部背向所述外壳的一侧呈平面设置。本发明旨在解决振膜与外壳之间的溢胶问题,避免胶水溢出挤压振膜,从而有效抑制因溢胶导致的偏振,提高产品的可靠性能。
Description
技术领域
本发明涉及电声转换技术领域,特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的电子设备。
背景技术
众所周知,扬声器通常包括盆架、收容在盆架内的振动系统和驱动振动系统振动的磁路系统,振动系统通常包括振膜和驱动振膜振动的音圈,振膜与盆架打胶粘接连接,然而这种结构在安装振膜时,振膜与盆架之间的胶水容易溢出,溢出的胶水挤压以后容易挤压振膜的折环上导致振膜偏振的现象严重,影响产品的声学性能。
为解决上述问题,在相关技术中提出一种扬声器模组,其包括向下凹陷设置的第一折环和向上凸出设置的反折环,反折环的外侧为固定部,固定部设在前盖与盆架之间,其中,前盖的内侧壁上设有溢胶槽。上述结构虽然可以在一定程度上起到防止溢胶的作用,但是,由于溢胶槽设于盆架上方的前盖上,由于重力作用,一部分胶水会越过溢胶槽流到反折环上,从而大大影响了扬声器模组的声学性能。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种发声装置和电子设备,旨在解决振膜与外壳之间的溢胶问题,避免胶水溢出挤压振膜,从而有效抑制因溢胶导致的偏振,提高产品的可靠性能。
为实现上述目的,本发明提出一种发声装置,所述发声装置包括:
外壳,所述外壳设有容腔;
磁路系统,所述磁路系统设于所述容腔;及
振动系统,所述振动系统包括与所述磁路系统相对设置的振膜,所述振膜包括中央部、环绕所述中央部设置的折环部以及连接于所述折环部外侧的固定部,所述固定部与所述外壳连接,所述固定部面向所述外壳的一侧设有容胶槽,所述固定部背向所述外壳的一侧呈平面设置。
在一实施例中,定义所述容胶槽的深度为h,定义所述固定部的厚度为d,h≤d*1/2。
在一实施例中,定义所述容胶槽的底壁至所述固定部背向所述外壳一侧的距离为L,L≥0.06mm。
在一实施例中,所述容胶槽位于所述外壳和所述折环部之间;
且/或,所述容胶槽邻近所述折环部一侧的侧壁与所述折环部之间呈平滑过渡设置;
且/或,所述折环部朝向所述磁路系统一侧凹陷形成凹陷结构;或,所述折环部朝向背向所述磁路系统的一侧凸起形成凸起结构。
在一实施例中,沿从所述中央部至所述固定部的方向,所述折环部的厚度不完全相同,所述折环部的最小厚度大于或等于0.06mm。
在一实施例中,所述折环部设有加强筋结构,所述加强筋结构为设于所述折环部的凹陷或凸起结构。
在一实施例中,所述振膜还包括由所述固定部远离所述折环部的一侧朝向所述外壳弯折延伸形成的弯折部,所述弯折部与所述外壳的外侧壁连接。
在一实施例中,所述折环部朝向所述磁路系统一侧凹陷,所述磁路系统对应所述折环部设有向下凹陷设置的避位槽。
在一实施例中,所述中央部包括与所述折环部内侧连接的内环部和球顶,所述内环部围合形成有开口,所述球顶的周缘与所述内环部连接,以遮盖所述开口。
在一实施例中,所述球顶设有朝向所述磁路系统一侧凸起的凸起部,所述磁路系统对应所述凸起部设有凹陷部;
所述球顶采用冷冲或热压成型方式加工形成所述凸起部;且/或,所述凸起部的横截面形状和大小与所述凹陷部的横截面形状和大小相适配。
在一实施例中,所述振动系统还包括音圈,所述球顶对应所述音圈设有延伸部,所述延伸部与所述音圈的一端连接;
所述磁路系统设有磁间隙,所述音圈的另一端悬设于所述磁间隙内。
在一实施例中,所述延伸部与所述球顶为一体成型结构;
且/或,所述延伸部是通过对所述球顶朝向所述音圈一侧进行冲压弯折形成的凹槽结构,所述凹槽结构的深度小于0.35mm;
且/或,所述延伸部的截面呈V型或U型。
在一实施例中,所述球顶包括平板部和骨架,所述骨架设有所述延伸部,所述骨架的两端分别与所述平板部和所述内环部面向所述磁路系统的一侧连接,且所述平板部和/或所述内环部对应所述骨架的端部设有压边。
在一实施例中,所述磁路系统包括中心磁路系统和边磁路系统,所述中心磁路系统与所述边磁路系统间隔设置以限定出所述磁间隙,所述中心磁路系统包括导磁轭,所述发声装置还包括定心结构,所述定心结构包括呈对称设置的两个定心支片,每一所述定心支片的两端分别与所述外壳和所述音圈相连,所述导磁轭对应所述定心支片的位置设有避让空间。
在一实施例中,所述发声装置还包括钢网,所述导磁轭背向所述振膜一侧设有限位槽,所述避让空间贯穿所述限位槽的底壁,至少部分所述钢网限位于所述限位槽内,并遮盖所述避让空间,所述钢网对应所述避让空间设有透气孔。
本发明还提出一种电子设备,包括设备壳体和上述所述的发声装置,所述发声装置设于所述设备壳体。
本发明技术方案的发声装置通过将磁路系统和振动系统设于外壳的容腔,从而构成发声装置的主体结构,通过将振膜的固定部与外壳连接,从而实现振膜的固定,并在固定部面向外壳的一侧设有容胶槽,从而利用容胶槽解决固定部与外壳之间的溢胶问题,避免固定部与外壳之间的胶水溢出挤压振膜导致偏振变动问题,提高产品的可靠性能;同时,通过将固定部背向外壳的一侧设置呈平面,从而在发声装置装设于模组壳体内时,使得振膜与模组壳体接触面积增大,减小因粘接不良导致的气密性不良风险,提高安装便利性和稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中发声装置的结构示意图;
图2为本发明一实施例中发声装置另一视角的结构示意图;
图3为本发明一实施例中发声装置的分解示意图;
图4为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图;
图5为图4中A处的放大示意图;
图6为本发明一实施例中振膜的部分剖面示意图。
附图标号说明:
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
同时,全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为,包括三个方案,以“A和/或B”为例,包括A方案,或B方案,或A和B同时满足的方案。
另外,在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
众所周知,扬声器通常包括盆架、收容在盆架内的振动系统和驱动振动系统振动的磁路系统,振动系统通常包括振膜和驱动振膜振动的音圈,振膜与盆架打胶粘接连接,然而这种结构在安装振膜时,振膜与盆架之间的胶水容易溢出,溢出的胶水挤压以后容易挤压振膜的折环上导致振膜偏振的现象严重,影响产品的声学性能。
为解决上述问题,在相关技术中提出一种扬声器模组,其包括向下凹陷设置的第一折环和向上凸出设置的反折环,反折环的外侧为固定部,固定部设在前盖与盆架支架,其中,前盖的内侧壁上设有溢胶槽。上述结构虽然可以在一定程度上起到防止溢胶的作用,但是,由于溢胶槽位于溢胶位置的上方,由于重力作用,一部分胶水会越过溢胶槽流到反折环上,从而大大影响了扬声器模组的声学性能。
基于上述构思和问题,本发明提出一种发声装置100,可以理解的,该发声装置100应用于电子设备,电子设备可以是手机、音响、电脑、耳机、手表或电视等,在此不做限定。
请结合参照图1至图6所示,在本发明实施例中,该发声装置100包括外壳1、磁路系统2及振动系统3,其中,外壳1设有容腔11,磁路系统2设于容腔11,振动系统3包括与磁路系统2相对设置的振膜31,振膜31包括中央部311、环绕中央部311设置的折环部312以及连接于折环部312外侧的固定部313,固定部313与外壳1连接,固定部313面向外壳1的一侧设有容胶槽3131,固定部313背向外壳1的一侧呈平面设置。
在本实施例中,外壳1用于安装固定和保护磁路系统2、振动系统3以及发声装置100的其他部件,外壳1的结构可以具有容腔11的壳体、盒体、箱体、安装壳、安装支架等结构,在此不做限定。可以理解的,外壳1是金属件时,磁路系统2与外壳1采用粘接固定。在另外的实施例中,外壳1为塑料注塑成型时,磁路系统2的边导磁板先作为嵌件注塑在外壳1中,然后其他部分再粘接固定。
可以理解的,通过在外壳1内设置容腔11,并将磁路系统2设于容腔11内,使得振动系统3与磁路系统2相对设置,并与外壳1连接,从而形成发声装置100的主体部分。
在本实施例中,振动系统3包括振膜31以及驱动振膜31振动的音圈32,音圈32远离振膜31的一端悬设于磁路系统2的磁间隙24内。当音圈32与外部电路导通,利用音圈32将电能传递至磁路系统2的磁间隙24,并在磁间隙24产生的磁力线作用下,使得音圈32、振膜31作上下运动,也即利用磁路系统2产生的磁场将电能转换为机械能,从而使得音圈32发生振动,并带动振动系统3的振膜31实现振动发声,进一步将机械能转换为声能。也即设置于磁间隙24内的音圈32接收到外部变化的交流电信号后,在磁路系统2的磁场力的驱动下做往复切割磁力线的运动,带动振动系统3的振膜31振动发声。
可以理解的,振膜31包括中央部311、折环部312及固定部313,振膜31的固定部313与外壳1连接,中央部311和固定部313位于折环部312的两侧,振膜31的中央部311与音圈32连接,如此音圈32发生振动时,并带动振膜31的中央部311振动,以利用折环部312进行伸缩和振动,避免振动传递至振膜31的固定部313,使得固定部313与外壳1分离或裂开,从而影响发声装置100的性能。
可选地,折环部312呈凸起或凹陷设置,折环部312为凹陷设置时,也即折环部312背向磁路系统2的一侧朝向磁路系统2凹陷,形成凹陷结构,此时该凹陷结构朝向磁路系统2呈凸起设置,也即折环部312朝向磁路系统2一侧凹陷形成凹陷结构;折环部312为凸起设置时,也即折环部312背向磁路系统2的一侧朝向远离磁路系统2的方向凸起,形成凸起结构,此时折环部312面向磁路系统2的一侧呈凹陷,也即折环部312朝向背向磁路系统2的一侧凸起形成凸起结构。
可以理解的,振膜31的中央部311、折环部312及固定部313可选为一体成型设置。当然,振膜31的中央部311与折环部312也可设置为分体设置,在此不做限定。可选地,振膜31的固定部313可通过粘结或焊接等方式与外壳1连接,在此不做限定。
在本实施例中,振膜31的固定部313通过胶水与外壳1连接,从而实现与磁路系统2相对设置的同时,实现振膜31与外壳1的连接稳定性和密封性。但是,采用胶水或胶粘方式固定振膜31时,振膜31与外壳1之间的胶水容易溢出,溢出的胶水挤压以后容易挤压至振膜31的折环部312上,导致振膜31偏振的变动很大,影响产品的声学性能。本实施例中,通过在固定部313面向外壳1的一侧设有容胶槽3131,从而利用容胶槽3131收集和收容振膜31与外壳1之间溢出的胶水,避免固定部313与外壳1之间的胶水溢出挤压至振膜31的折环部312上,导致振膜31偏振变动问题,从而有效提高产品的可靠性能。同时,通过将固定部313背向外壳1的一侧设置呈平面设置,从而在发声装置100装设于模组壳体内时,使得振膜31与模组壳体接触面积增大,减小因粘接不良导致的气密性不良风险,提高安装便利性和稳定性。
可以理解的,容胶槽3131设置于固定部313面向外壳1的一侧(如图5所示的下侧),当固定部313与外壳1采用打胶固定时,多余的胶水可以顺利地通过固定部313与外壳1之间流向容胶槽3131并收纳于容胶槽3131内,从而可以防止胶水流向折环部312而影响振膜31的发声效果。可选地,容胶槽3131可设置于固定部313上位于外壳1和折环部312之间的位置,容胶槽3131可以邻近外壳1设置;或者,容胶槽3131也可以邻近折环部312设置。当然,在其他实施例中,容胶槽3131的部分槽口面向与固定部313连接的外壳;或者,容胶槽3131设置于固定部313与外壳1连接的位置,此时容胶槽3131的槽口横截面宽度小于外壳1与固定部313的连接长度,在此不做限定。
本发明的发声装置100通过将磁路系统2和振动系统3设于外壳1的容腔11,从而构成发声装置100的主体结构,并将振膜31的固定部313与外壳1连接,从而实现振膜31的固定,并在固定部313面向外壳1的一侧设有容胶槽3131,从而利用容胶槽3131解决固定部313与外壳1之间的溢胶问题,避免固定部313与外壳1之间的胶水溢出挤压振膜31导致偏振变动问题,提高产品的可靠性能;同时,通过将固定部313背向外壳1的一侧设置呈平面,从而在发声装置100装设于模组壳体内时,使得振膜与模组壳体接触面积增大,减小因粘接不良导致的气密性不良风险,提高安装便利性和稳定性。
在一实施例中,如图6所示,定义容胶槽3131的深度为h,定义固定部313的厚度为d,h≤d*1/2。
可以理解的,固定部313的厚度d为垂直于固定部313所在平面的方向上的厚度,容胶槽3131的深度h为垂直于固定部313所在平面的方向上容胶槽3131的高度或深度。通过将容胶槽3131的深度h设置为小于或等于1/2的固定部313的厚度d,从而确保固定部313设置容胶槽3131处的结构强度,避免振膜31在振动过程中,导致固定部313在设置容胶槽3131的位置处发生断裂等问题。同时,容胶槽3131的深度h可有效避免固定部313与外壳1之间的溢胶问题。
在本实施例中,容胶槽3131为设置于固定部313的凹槽或沉槽结构,容胶槽3131的槽口位于固定部313面向外壳1的一侧。可选地,容胶槽3131的截面形状呈U型、V型、半圆形或楔形等,在此不做限定。
可选地,容胶槽3131可为环绕折环部312设置的环形槽;或者,容胶槽3131可为由环绕折环部312设置的多段凹槽,在此不做限定。
在一实施例中,如图6所示,定义容胶槽3131的底壁至固定部313背向外壳1一侧的距离为L,L≥0.06mm。
可以理解的,容胶槽3131的底壁可以是平面、弧面或V型尖头,通过将容胶槽3131的底壁至固定部313背向外壳1一侧的距离L设置为大于或等于0.06mm,从而进一步确保固定部313设置容胶槽3131处的结构强度,避免振膜31在振动过程中,导致固定部313在设置容胶槽3131的位置处发生断裂等问题。同时,容胶槽3131的深度h可有效确保和避免固定部313与外壳1之间的溢胶问题。
在本实施例中,固定部313位于折环部312远离中央部311的一侧,也即位于折环部312的外侧,固定部313与外壳1连接时,容胶槽3131设置于固定部313位于折环部312和外壳1之间的部分,也即容胶槽3131位于外壳1和折环部312之间,如此即可利用容胶槽3131解决固定部313与外壳1之间的溢胶问题,又可以有效抑制因溢胶导致的偏振。
在一实施例中,如图5和图6所示,容胶槽3131邻近折环部312一侧的侧壁与折环部312之间呈平滑过渡设置。可以理解的,如此设置可使得容胶槽3131的槽壁与折环部312之间呈平滑过渡,从而可以防止出现局部应力集中的现象,既可以保证振膜31的结构稳定性,又可以避免容胶槽3131影响振膜31的振动性能。
在一实施例中,沿从中央部311至固定部313的方向,折环部312的厚度不完全相同,折环部312的最小厚度大于或等于0.06mm。
如图5和图6所示,通过将振膜31的折环部312设置为不等厚度,例如折环部312的厚度从中央部311至固定部313可设置为由厚到薄或由薄到厚或两边薄中间厚或两边厚中间薄等不等厚设置,从而增加折环部312的形变能力,如此可增大振膜31的谐振频率,以减小偏振,如此有效提高发声装置100的振动性能和声学性能,减少发声装置100振动时的失真性。
在一实施例中,折环部312设有加强筋结构,加强筋结构为设于折环部312的凹陷或凸起结构。可以理解的,通过在折环部312设置加强筋结构,从而有效改善振膜31的振幅,还可以提高折环部312的结构强度。可选地,加强筋结构为设于折环部312的凹陷结构或凸起结构或筋条等,在此不做限定。
在一实施例中,如图2至图6所示,振膜31还包括由固定部313远离折环部312的一侧朝向外壳1弯折延伸形成的弯折部314,弯折部314与外壳1的外侧壁连接。
在本实施例中,弯折部314连接于固定部313远离折环部312的一端,弯折部314可由固定部313弯折形成,例如采用冲压弯折形成;弯折部314也可以通过模具注塑挤压形成,使得弯折部314与固定部313为一体成型结构。
可以理解的,通过设置弯折部314,可利用弯折部314与外壳1的外侧壁连接,一方面可提高振膜31与外壳1连接的稳定性和密封性,另一方面,又可以大振膜31的有效振动面积。当然,在其他实施例中,固定部313也可以是由折环部312的外侧边向下延伸形成,也即固定部313与外壳1的外壁通过粘结等方式连接。
在本实施例中,振膜31材料的选择中,中央部311通常采用刚性大,质地硬且密度相对较小的材料,对发声装置100的高频性能影响较大,其材料选择例如铝、铝合金、碳纤维、刚性塑料或者是上述材料与发泡材料的复合结构等等。折环部312通常采用顺性大,质地柔软且富有弹性的材料,对发声装置的中低频性能影响较大,其材料选择例如包含PEEK、TPU、TPEE、硅胶、橡胶等的单层或者复合结构。
在一实施例中,如图1至图6所示,折环部312朝向磁路系统2一侧凹陷,磁路系统2对应折环部312设有向下凹陷设置的避位槽233。可以理解的,通过在磁路系统2上对应折环部312设置避位槽233,可利用避位槽233对折环部312的振动提供避让,且有效增大振动空间,提升产品性能。
在一实施例中,如图1至图5所示,中央部311包括与折环部312内侧连接的内环部3111和球顶3113,内环部3111围合形成有开口3112,球顶3113的周缘与内环部3111连接,以遮盖开口3112。
可以理解的,振膜31的内环部3111、折环部312、固定部313及弯折部314为一体成型结构。中央部311的球顶3113与内环部3111可通过粘结或焊接等方式连接。可以理解的,球顶3113可设置于内环部3111背向磁路系统2的一侧,也可以设置于内环部3111面向磁路系统2的一侧,在此不做限定。
在本实施例中,中央部311背向磁路系统2的一侧和固定部313背向外壳1的一侧位于同一平面。内环部3111围合形成有开口3112,球顶3113的周缘与内环部3111连接,以遮盖开口3112。此时内环部3111具有相对设置的上侧和下侧,球顶3113的周缘与内环部3111的上侧或下侧连接,从而利用球顶3113加强振膜31的中央部。可选地,内环部3111为镂空结构。
在另一实施例中,内环部3111可以是连接为一体的平板结构,如此所述内环部3111具有相对设置的上侧和下侧,此时球顶3113与内环部3111的上侧或下侧连接,从而利用球顶3113加强振膜31的中央部。
可以理解的,通过将中央部311设置为内环部3111以及连接于内环部311的球顶3113,从而提高振膜31中央部311的结构稳定性,提升高频性能。
在一实施例中,如图1至图4所示,球顶3113设有朝向磁路系统2一侧凸起的凸起部3114,磁路系统2对应凸起部3114设有凹陷部223。
可以理解的,通过在磁路系统2上设置凹陷部223,使得凹陷部223对应球顶3113的凸起部3114设置,从而使得磁路系统2上的凹陷部223为凸起部3114提供的避让空间(也即凸起部3114与凹陷部223)吻合,既节省了振动空间,同时可以提升FR高频。
可选地,凸起部3114的横截面形状和大小与凹陷部223的横截面形状和大小相适配。可以理解的,球顶3113若设置为平板结构则不能发挥其高频优势,球顶3113通过设置凸起部3114,并在磁路系统2设置避让结构,使得凸起部3114与磁路系统2的底部位移通常设置为最大振幅+0.12mm(振幅≤0.6时),或0.15mm(振幅>0.6时),从而确保发声装置100的声学性能。
在本实施例中,如此设置,使得发声装置100可以提升中频及高频8K之后的灵敏度,扩展高频,FR曲线更平滑,乐器播放更加丰富。发声装置100在播放高频信号时,可以减少谐波分量,有效改善THD(总谐波失真),主观听感更加清晰。
在一实施例中,球顶3113采用冷冲或热压成型方式加工形成凸起部3114。可以理解的,球顶3113采用冷冲方式成型凸起部3114时,需要先将球顶3113复合后的料带固化成型,复合料带直接冲裁并成型凸起部3114。球顶3113采用热压成型方式成型凸起部3114时,采用阴阳膜成型的方式,使得球顶3113复合后的料带放入凸包模具中,升温并合模加压,保温一定时间后冷却起模,然后冲裁成凸起部3114。采用上述两种方式成型凸起部3114,可有效避免球顶3113的多层结构发生分层现象,也避免在高频振动时导致分层。
在一实施例中,如图1至图5所示,振动系统3还包括音圈32,球顶3113对应音圈32设有延伸部3115,延伸部3115与音圈32的一端连接;磁路系统2设有磁间隙24,音圈32的另一端悬设于磁间隙24内。
在本实施例中,通过在中央部311面向音圈32的一侧设有延伸部3115,利用延伸部3115与音圈32远离磁间隙24的一端连接,进一步调节音圈32的高度。
可以理解的,在振膜31位置不变的情况下,通过调节延伸部3115的高度可以自由调节音圈32在磁间隙24中的位置,使音圈32结构尽量位于磁感线密集区域,提高磁场利用率特别是音圈32向上振动时的磁场利用率,改善了BL曲线的对称性,使音圈32上下振动时的驱动力更加趋于平衡,进而提高了振动系统3的振幅对称性,有效降低了发声装置100的失真特别是低频失真,提高了发声装置100的灵敏度,整体提升了发声装置100的声学性能。
需要说明的是,延伸部3115同样需要选择具有一定刚性,且质量轻的材料,一方面能够可靠连接中央部311和音圈32,同时又不会对振动系统3的整体质量产生太大影响。因此,延伸部3115适于设置在中央部311的球顶3113上。可选地,延伸部3115与球顶3113一体成型,一体成型结构不会额外增加零部件及增加组装工序,制作成本低。当然可以理解的是,延伸部3115也可以设置成分体件,由此可以根据实际的使用需求设置延伸部3115的长度。
在本实施例中,球顶3113和延伸部3115的材质为金属材料。具体可以选择铝、铝镁合金、铝锂合金、钛合金中的一种,或者是其他可实现的公知金属材料。在中央部311为金属材料的情况下,一体成型延伸部3115的工艺较为容易且可行性高,为了实现轻质量,金属材料中央部311的厚度一般很薄,较薄结构的中央部311上一体成型的延伸部3115同样能够满足延伸部的性能要求。
在一实施例中,如图1、图3和图5所示,延伸部3115环绕开口3112设置。可以理解的,延伸部3115呈环形设置,如此使得球顶3113通过环形延伸部3115与音圈32顶部连接,以提高连接稳定性。
可选地,延伸部3115与球顶3113为一体成型结构。如此设置,不仅简化了球顶3113的加工步骤,还提高了延伸部3115与球顶3113之间的连接强度。可选地,延伸部3115的截面呈V型或U型。
在一实施例中,如图4和图5所示,延伸部3115是通过对球顶3113朝向音圈32一侧进行冲压弯折形成的凹槽结构。
可以理解的,球顶3113具有与内环部3111进行固定的外边缘部;延伸部3115是通过对球顶3113上位于该外边缘部内侧的部分进行冲压弯折形成。该种结构,延伸部3115通过两侧的弯折部分成型连接在球顶3113上,整体强度较高,可以对音圈32形成可靠支撑。
在本实施例中,凹槽结构可选为凹槽,也即凹槽的开口朝向球顶3113背向音圈32的一侧,凹槽的深度为凹槽的开口至凹槽的底壁之间的距离,可选地,凹槽结构的深度小于0.35mm。可选地,凹槽结构的深度可以为0.2mm、0.25mm、0.3mm等。
可以理解的,凹槽结构的截面可选为V型或U型,也即凹槽的截面形成为V型或U型,在此不做限定。
在一实施例中,球顶3113包括平板部和骨架,骨架设有延伸部3115,骨架的两端分别与平板部和内环部3111面向磁路系统2的一侧连接,且平板部和/或内环部3111对应骨架的端部设有压边。
可以理解的,通过将球顶3113设置为分体结构,使得球顶3113的平板部通过骨架与内环部3111连接,从而进一步提高中央部311的结构稳定性,以提升高频性能。
在一实施例中,如图3至图5所示,磁路系统2包括中心磁路系统和边磁路系统,中心磁路系统与边磁路系统间隔设置以限定出磁间隙24,中心磁路系统包括导磁轭21,发声装置100还包括定心结构4,定心结构4包括呈对称设置的两个定心支片,每一定心支片的两端分别与外壳1和音圈32相连,导磁轭21对应定心支片的位置设有避让空间211。
在本实施例中,磁路系统2的中心磁路系统包括导磁轭21和中心磁路部22,导磁轭21与外壳1连接,中心磁路部22设于导磁轭21面向振膜31的一侧,边磁路系统包括边磁路部23,边磁路部23设于导磁轭21面向振膜31的一侧,并环绕中心磁路部22设置,边磁路部23与中心磁路部22之间形成磁间隙24。
可以理解的,导磁轭21固定于外壳1,中心磁路部22和边磁路部23设于导磁轭21面向振动系统3的一侧,且边磁路部23环绕中心磁路部22设置,并与中心磁路部22之间形成磁间隙24,从而方便振动系统3的音圈32悬设于磁间隙24内,也即中心磁路部22和边磁路部23之间。振膜31的中央部311对应磁路系统2的中心磁路部22设置,振膜31的折环部312对应磁路系统2的边磁路部23设置。
在一实施例中,边磁路部23呈环形设置,也即不做打断设计的边磁路部23体积更大,使得磁场强度更高,从而提高发声装置100的声学性能。
在另一实施例中,边磁路部23包括多个,多个边磁路部23间隔设置,并环绕中心磁路部22设置,使得每一边磁路部23与中心磁路部22之间形成磁间隙24,且相邻两个边磁路部23间隔设置。
在一实施例中,如图3至图5所示,中心磁路部22包括中心磁铁221和中心华司222,中心磁铁221设于导磁轭21,中心华司222设于中心磁铁221背向导磁轭21的一侧,中心华司222背向中心磁铁221的一侧设有凹陷部223,凹陷部223为凹槽结构或通槽结构。边磁路部23包括边磁铁231和边华司232,边磁铁231设于导磁轭21,并环绕中心磁路部22设置,边华司232设于边磁铁231背向导磁轭21的一侧,避位槽233设于边华司232背向边磁铁231的一侧。可选地,凹陷部223可以设在中心磁铁221的中心位置。
在本实施例中,中心磁铁221和中心华司222的结构轮廓相同,中心磁铁221和中心华司222可选为板状结构。边磁铁231和边华司232的结构轮廓相同,边磁铁231和边华司232的可选为环状结构或多个条形结构,在此不做限定。
可以理解的,边华司232可固定于导磁轭21,并与边磁铁231相对抵接。在本实施例中,如图3至图5所示,边华司232连接于外壳1,使得边华司232与外壳1设置为一体结构,从而简化发声装置100的加工工艺。在本实施例中,外壳1与边华司232的材质均为金属材料,从而有利于提高导热散热效果。
在一实施例中,发声装置100还包括定心结构4,定心结构4包括呈对称设置的两个定心支片,每一定心支片的两端分别与外壳1和音圈32相连,导磁轭21对应定心支片的位置设有避让空间211。
可以理解的,为了避免音圈32振动时发生左右摆动,从而带动振膜31发生左右摆动,以影响发声装置100的高频性能、输出音质及总谐波等性能。在本实施例中,发声装置100还设置有定心结构4,定心结构4包括呈对称设置的两个定心支片,使得定心支片的一端与外壳1连接,定心支片的另一端与音圈32远离振膜31的一端连接,从而对音圈32实现定心左右,有效避免音圈32和振膜31在振动过程时发生左右摆动的情况,大大提升了发声装置100的结构牢固性能。
在本实施例中,定心支片包括外固定部和弹性部,外固定部通过连接部与弹性部连接。可以理解的,定心支片的外固定部与外壳1连接,定心支片的弹性部位于间隙内,弹性部的端部伸入磁间隙24内,并与磁间隙24内的音圈32连接。
通过将定心支片设置为外固定部和弹性部,使得外固定部和弹性部通过直线段的连接部连接,且外固定部、弹性部及连接部位于同一平面,从而使得定心支片中的弹性部仅在环形的拐弯处有折弯,可以大大减少弹性部的折弯的数量,且环形拐弯处的弧度较大,可以有效降低弹性部工作中的应力分布,更不易发生形变,降低产品可靠性风险。
在本实施例中,定心支片可选为FPCB材料制成,定心支片的弹性部设有焊盘,如此方便音圈32的引线与弹性部的焊盘连接,使得音圈32通过定心支片与外部电路实现电连接和电路导通。同时,有效保护了音圈32的引线,避免引线在音圈32振动过程中发生断裂等现象。
可以理解的,通过在导磁轭21对应定心支片的弹性部的位置设有避让空间211,从而可以增大定心支片上下振动的幅度,进而可以增大振动系统3的振幅。
在一实施例中,如图2至5所示,发声装置100还包括钢网5,导磁轭21背向振膜31一侧设有限位槽212,避让空间211贯穿限位槽212的底壁,至少部分钢网5限位于限位槽212内,并遮盖避让空间211,钢网5对应避让空间211设有透气孔51。
在本实施例中,通过设置钢网5,利用钢网5遮盖避让空间211,在发声装置100装设于模组壳体内时,可利用钢网5阻隔吸音颗粒等进入发声装置100内,以可实现模组壳体内的吸音颗粒的全灌装设计,实现后腔虚拟体积的最大化,提高发声装置的低音性能。
可以理解的,导磁轭21背向振膜31一侧设有限位槽212,避让空间211贯穿限位槽212的底壁,从而利用限位槽212限位安装钢网5。通过在钢网5设置透气孔51,可利用透气孔51实现出音和透气功能。
本发明还提出一种电子设备,该电子设备包括设备壳体和上述的发声装置100,发声装置100设于设备壳体。该发声装置100的具体结构参照前述实施例,由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
在本实施例中,设备壳体内设有腔体,发声装置100设于腔体内。可以理解的,电子设备可以是手机、音响、电脑、耳机、手表、电视或平板电脑等,在此不做限定。
以上所述仅为本发明的可选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (16)
1.一种发声装置,其特征在于,所述发声装置包括:
外壳,所述外壳设有容腔;
磁路系统,所述磁路系统设于所述容腔;及
振动系统,所述振动系统包括与所述磁路系统相对设置的振膜,所述振膜包括中央部、环绕所述中央部设置的折环部以及连接于所述折环部外侧的固定部,所述固定部与所述外壳连接,所述固定部面向所述外壳的一侧设有容胶槽,所述容胶槽位于所述外壳和所述折环部之间,所述容胶槽为环绕所述折环部设置的环形槽,所述容胶槽邻近所述折环部一侧的侧壁与所述折环部之间呈平滑过渡设置,所述固定部背向所述外壳的一侧呈平面设置。
2.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,定义所述容胶槽的深度为h,定义所述固定部的厚度为d,h≤d*1/2。
3.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,定义所述容胶槽的底壁至所述固定部背向所述外壳一侧的距离为L,L≥0.06mm。
4.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述折环部朝向所述磁路系统一侧凹陷形成凹陷结构;或,所述折环部朝向背向所述磁路系统的一侧凸起形成凸起结构。
5.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,沿从所述中央部至所述固定部的方向,所述折环部的厚度不完全相同,所述折环部的最小厚度大于或等于0.06mm。
6.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述折环部设有加强筋结构,所述加强筋结构为设于所述折环部的凹陷或凸起结构。
7.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述振膜还包括由所述固定部远离所述折环部的一侧朝向所述外壳弯折延伸形成的弯折部,所述弯折部与所述外壳的外侧壁连接。
8.如权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述折环部朝向所述磁路系统一侧凹陷,所述磁路系统对应所述折环部设有向下凹陷设置的避位槽。
9.如权利要求1至8中任一项所述的发声装置,其特征在于,所述中央部包括与所述折环部内侧连接的内环部和球顶,所述内环部围合形成有开口,所述球顶的周缘与所述内环部连接,以遮盖所述开口。
10.如权利要求9所述的发声装置,其特征在于,所述球顶设有朝向所述磁路系统一侧凸起的凸起部,所述磁路系统对应所述凸起部设有凹陷部;
所述球顶采用冷冲或热压成型方式加工形成所述凸起部;且/或,所述凸起部的横截面形状和大小与所述凹陷部的横截面形状和大小相适配。
11.如权利要求9所述的发声装置,其特征在于,所述振动系统还包括音圈,所述球顶对应所述音圈设有延伸部,所述延伸部与所述音圈的一端连接;
所述磁路系统设有磁间隙,所述音圈的另一端悬设于所述磁间隙内。
12.如权利要求11所述的发声装置,其特征在于,所述延伸部与所述球顶为一体成型结构;
且/或,所述延伸部是通过对所述球顶朝向所述音圈一侧进行冲压弯折形成的凹槽结构,所述凹槽结构的深度小于0.35mm;
且/或,所述延伸部的截面呈V型或U型。
13.如权利要求11所述的发声装置,其特征在于,所述球顶包括平板部和骨架,所述骨架设有所述延伸部,所述骨架的两端分别与所述平板部和所述内环部面向所述磁路系统的一侧连接,且所述平板部和/或所述内环部对应所述骨架的端部设有压边。
14.如权利要求11所述的发声装置,其特征在于,所述磁路系统包括中心磁路系统和边磁路系统,所述中心磁路系统与所述边磁路系统间隔设置以限定出所述磁间隙,所述中心磁路系统包括导磁轭,所述发声装置还包括定心结构,所述定心结构包括呈对称设置的两个定心支片,每一所述定心支片的两端分别与所述外壳和所述音圈相连,所述导磁轭对应所述定心支片的位置设有避让空间。
15.如权利要求14所述的发声装置,其特征在于,所述发声装置还包括钢网,所述导磁轭背向所述振膜一侧设有限位槽,所述避让空间贯穿所述限位槽的底壁,至少部分所述钢网限位于所述限位槽内,并遮盖所述避让空间,所述钢网对应所述避让空间设有透气孔。
16.一种电子设备,其特征在于,包括设备壳体和如权利要求1至15中任一项所述的发声装置,所述发声装置设于所述设备壳体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111009313.XA CN113727259B (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 发声装置和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111009313.XA CN113727259B (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 发声装置和电子设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113727259A CN113727259A (zh) | 2021-11-30 |
CN113727259B true CN113727259B (zh) | 2024-03-08 |
Family
ID=78679398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111009313.XA Active CN113727259B (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 发声装置和电子设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113727259B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114449419A (zh) | 2022-01-26 | 2022-05-06 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 发声器 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN204518057U (zh) * | 2015-02-03 | 2015-07-29 | 四川和音电子科技有限公司 | 平板扬声器的振膜结构 |
CN206302555U (zh) * | 2016-11-30 | 2017-07-04 | 歌尔科技有限公司 | 发声装置的振动组件和发声装置 |
CN207603908U (zh) * | 2017-06-16 | 2018-07-10 | 江西联创宏声电子股份有限公司 | 一种振膜 |
CN208462041U (zh) * | 2018-08-06 | 2019-02-01 | 歌尔科技有限公司 | 发声装置及电子设备 |
CN109803198A (zh) * | 2018-12-30 | 2019-05-24 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 发声装置 |
CN111669686A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-09-15 | 歌尔股份有限公司 | 一种发声装置 |
CN212628393U (zh) * | 2020-06-23 | 2021-02-26 | 歌尔股份有限公司 | 振膜及设置有该振膜的扬声器 |
CN212752625U (zh) * | 2020-08-31 | 2021-03-19 | 歌尔股份有限公司 | 扬声器 |
CN212811995U (zh) * | 2020-06-30 | 2021-03-26 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 发声器件 |
CN213213849U (zh) * | 2020-09-25 | 2021-05-14 | 歌尔股份有限公司 | 发声装置及电子设备 |
WO2021114152A1 (zh) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种扬声器振动件 |
-
2021
- 2021-08-30 CN CN202111009313.XA patent/CN113727259B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN204518057U (zh) * | 2015-02-03 | 2015-07-29 | 四川和音电子科技有限公司 | 平板扬声器的振膜结构 |
CN206302555U (zh) * | 2016-11-30 | 2017-07-04 | 歌尔科技有限公司 | 发声装置的振动组件和发声装置 |
CN207603908U (zh) * | 2017-06-16 | 2018-07-10 | 江西联创宏声电子股份有限公司 | 一种振膜 |
CN208462041U (zh) * | 2018-08-06 | 2019-02-01 | 歌尔科技有限公司 | 发声装置及电子设备 |
CN109803198A (zh) * | 2018-12-30 | 2019-05-24 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 发声装置 |
WO2021114152A1 (zh) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种扬声器振动件 |
CN111669686A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-09-15 | 歌尔股份有限公司 | 一种发声装置 |
CN212628393U (zh) * | 2020-06-23 | 2021-02-26 | 歌尔股份有限公司 | 振膜及设置有该振膜的扬声器 |
CN212811995U (zh) * | 2020-06-30 | 2021-03-26 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 发声器件 |
CN212752625U (zh) * | 2020-08-31 | 2021-03-19 | 歌尔股份有限公司 | 扬声器 |
CN213213849U (zh) * | 2020-09-25 | 2021-05-14 | 歌尔股份有限公司 | 发声装置及电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113727259A (zh) | 2021-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN215499559U (zh) | 发声装置和电子设备 | |
US10117018B2 (en) | Speaker module | |
US10469953B2 (en) | Speaker box | |
US11057712B2 (en) | Speaker | |
CN108882123B (zh) | 发声器件和便携终端 | |
EP3648472B1 (en) | Thin receiver | |
WO2021135690A1 (zh) | 扬声器模组和电子设备 | |
CN111654790A (zh) | 发声器件及电子设备 | |
CN108632727A (zh) | 便携终端 | |
CN212696206U (zh) | 扬声器单体和电子终端 | |
CN113727259B (zh) | 发声装置和电子设备 | |
CN214381373U (zh) | 扬声器和电子设备 | |
CN214228471U (zh) | 扬声器和电子设备 | |
CN208386925U (zh) | 便携终端 | |
CN210183528U (zh) | 一种发声装置 | |
CN211019215U (zh) | 一种发声装置 | |
CN217216874U (zh) | 扬声器装置及电子设备 | |
CN211531316U (zh) | 扬声器箱 | |
CN212211376U (zh) | 一种新型扬声器 | |
CN210725326U (zh) | 扬声器模组和电子设备 | |
CN212183743U (zh) | 一种扬声器 | |
CN208241842U (zh) | 耳机以及电子设备 | |
CN216122878U (zh) | 发声装置和电子设备 | |
CN215121173U (zh) | 发声装置和电子设备 | |
CN111654791A (zh) | 扬声器模组及电子设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |