CN214228471U - 扬声器和电子设备 - Google Patents

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CN214228471U CN202120354669.6U CN202120354669U CN214228471U CN 214228471 U CN214228471 U CN 214228471U CN 202120354669 U CN202120354669 U CN 202120354669U CN 214228471 U CN214228471 U CN 214228471U
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李美玲
郑泽东
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • H04R7/02Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
    • H04R7/04Plane diaphragms
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    • H04R7/10Plane diaphragms comprising a plurality of sections or layers comprising superposed layers in contact

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  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
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Abstract

本实用新型公开一种扬声器和电子设备,该扬声器包括盆架、磁路系统及振动系统,磁路系统收容于盆架内,磁路系统具有磁间隙;振动系统收容于盆架内,并与磁路系统相对设置,振动系统包括球顶、振膜及音圈,振膜外周沿与盆架固定相连,振膜的内周沿与球顶相连,音圈的一端与振膜或球顶连接,音圈的另一端悬置于磁间隙内;球顶包括层叠设置的多层金属层和至少一层胶层,每相邻两层金属层之间设有一胶层,磁路系统设有凹陷部,球顶设有朝向靠近凹陷部方向延伸的凸包结构。本实用新型旨在提升球顶的结构强度、表面平滑度及抗冲击性,且有效减轻了球顶的重量,使得扬声器不仅加工方便,且结构强度高,发声质量好。

Description

扬声器和电子设备
技术领域
本实用新型涉及扬声器技术领域,特别涉及一种扬声器和应用该扬声器的电子设备。
背景技术
受市场需求的影响,手机等电子设备正逐渐向薄型化的方向发展,而且对声音质量的要求也越来越高,这也对声学器件提出了小型、薄型、高音质的要求。扬声器是音响设备和通信设备中一个重要的部件,它是把电信号转变为声信号的换能器件,其性能的优劣对音质影响很大。扬声器的球顶主要影响扬声器的高频性能,其声学性能直接影响声学器件的性能。
相关技术中,扬声器的球顶通常采用平板状设计,球顶的结构一般较为复杂,且球顶的强度不够,选用的材料成本较高,加工不方便,大大增加了企业的生产成本。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种扬声器和电子设备,旨在提升球顶的结构强度、表面平滑度及抗冲击性,且有效减轻了球顶的重量,使得扬声器不仅加工方便,且结构强度高,发声质量好。
为实现上述目的,本实用新型提出一种扬声器,该扬声器包括:
盆架;
磁路系统,所述磁路系统收容于所述盆架内,所述磁路系统具有磁间隙;
振动系统,所述振动系统收容于所述盆架内,并与所述磁路系统相对设置,所述振动系统包括球顶、振膜及音圈,所述振膜外周沿与所述盆架固定相连,所述振膜的内周沿与所述球顶相连,所述音圈的一端与所述振膜或所述球顶连接,所述音圈的另一端悬置于所述磁间隙内;
其中,所述球顶包括层叠设置的多层金属层和至少一层胶层,每相邻两层所述金属层之间设有一所述胶层,所述磁路系统设有凹陷部,所述球顶设有朝向靠近所述凹陷部方向延伸的凸包结构。
在一实施例中,定义所述球顶的厚度为d,15μm≤d≤150μm;
且/或,所述球顶的密度在1.5g/cm3~2.7g/cm3范围内;
且/或,所述球顶的拉伸模量在10GPa~70GPa范围内。
在一实施例中,定义每一所述金属层的厚度为d1,5μm≤d1≤40μm;
且/或,每一所述金属层的抗拉强度≥120MPa;
且/或,多层所述金属层的厚度均相同;或,至少一所述金属层的厚度与另一所述金属层的厚度不同。
在一实施例中,定义所述球顶的厚度为d,定义所述胶层的厚度为d2;
5μm≤d2≤60μm;且/或,0<d2≤0.87d。
在一实施例中,所述金属层为铝箔或铜箔或钛箔;
或,所述金属层为铝箔,所述铝箔为H态或O态铝箔。
在一实施例中,所述胶层为热固环氧胶、酚醛胶、双马树脂、热熔胶PE、热熔胶PBT、反应型硅胶中的一种;
且/或,所述胶层的模量要求≥0.2GPa;
且/或,所述胶层的粘接力≥300g/20mm。
在一实施例中,所述球顶采用冷冲或热压成型方式加工形成所述凸包结构。
在一实施例中,所述振膜包括内环部、环绕所述内环部设置的折环部以及设于所述折环部外周的固定部,所述固定部与所述盆架连接,所述球顶的周缘与所述内环部连接,所述音圈与所述球顶背向所述内环部的一侧连接,并围绕所述凸包结构设置。
在一实施例中,所述凸包结构的横截面形状和大小与所述凹陷部的横截面形状和大小相适配;
且/或,所述振膜为工程塑料、弹性体材料、胶膜中的一种或多种材料复合组成;
且/或,所述振膜的厚度在0.01mm~0.5mm范围内。
在一实施例中,所述磁路系统包括:
导磁轭,所述导磁轭设于所述盆架内;
中心磁路部,所述中心磁路部设于所述导磁轭,所述中心磁路部背向所述导磁轭的一侧设有所述凹陷部;及
边磁路部,所述边磁路部设于所述导磁轭,并环绕所述中心磁路部设置,所述边磁路部与所述中心磁路部之间形成所述磁间隙。
在一实施例中,所述中心磁路部包括中心磁铁和中心华司,所述中心磁铁设于所述导磁轭,所述中心华司设于所述中心磁铁背向所述导磁轭的一侧,所述中心华司背向所述中心磁铁的一侧设有所述凹陷部,所述凹陷部为凹槽结构或通槽结构。
本实用新型还提出一种电子设备,包括设备壳体和上述所述的扬声器,所述扬声器设于所述设备壳体内。
本实用新型技术方案的扬声器通过将球顶采用层叠设置的多层金属层和胶层结构,可利用胶层将相邻两层金属层很好地粘接到一起,同时简化了球顶,使得球顶厚度减薄,提高灵敏度,从而改善了扬声器高频的频响特性;同时,胶层提供了一定的阻尼性,同时也起到减重效果,金属层不仅使得球顶的表面平滑性高,抗冲击,也有效提高了球顶的强度;进一步通过在球顶形成凸包结构,该凸包结构进一步增强了球顶的结构强度,并在磁路系统上设置凹陷部,从而为凸包结构提供避让空间,既节省了振动空间,同时可以提升扬声器的FR高频。本实用新型提出的扬声器不仅结构简单,加工方便,能够承受高温,使用寿命长,有效提高了声学性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型一实施例中扬声器的结构示意图;
图2为本实用新型一实施例中球顶的剖面示意图;
图3为本实用新型另一实施例中球顶的剖面示意图;
图4为本实用新型中球顶与现有铝合金振动板的FR曲线对比图。
附图标号说明:
标号 名称 标号 名称
100 扬声器 232 边华司
1 盆架 3 振动系统
11 容腔 31 球顶
2 磁路系统 311 金属层
2a 磁间隙 312 胶层
21 导磁轭 313 凸包结构
22 中心磁路部 32 振膜
221 中心磁铁 321 内环部
222 中心华司 322 折环部
223 凹陷部 323 固定部
23 边磁路部 33 音圈
231 边磁铁
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
需要说明,本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
同时,全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为,包括三个方案,以“A和/或B”为例,包括A方案,或B方案,或A和B同时满足的方案。
另外,在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本实用新型要求的保护范围之内。
基于目前行业发展趋势,手机等电子设备正逐渐向薄型化的方向发展,而且对声音质量的要求也越来越高,甚至出现折叠机设计,这也对声学器件提出了小型、薄型、高音质的要求。但是为了保证整机使用体验越来越优,声学器件的性能必须是越来越好,包括高频性能。
扬声器是音响设备和通信设备中一个重要的部件,它是把电信号转变为声信号的换能器件,其性能的优劣对音质影响很大。扬声器的球顶主要影响扬声器的高频性能,其声学性能直接影响声学器件的性能。
现有扬声器的球顶部分采用铝箔+泡沫体+铝箔、铝箔等构成,碳纤维由于其高模质轻的优势取代铝箔也开始应用做扬声器的球顶部分。目前,铝箔+泡沫体+铝箔结构的球顶,由于其质轻高强的特性,广泛应用于扬声器中,但是受其中间层泡沫体(或发泡体)加工的限制,球顶的厚度很难做薄,并且由于其泡沫体泡孔等问题,使其成型结构不稳定。碳纤维复合泡沫的球顶由于碳纤维展纱及泡沫的加工水平有限,导致目前该种类型球顶也无法做到很薄的厚度,且成型困难。铝箔类球顶可以成型但是由于其密度较大,中频难以满足其要求。工程塑料类振膜可成型,但是由于其模量较低,所以高频难以满足。如此导致相关技术中,扬声器的球顶通常采用平板状设计,球顶的结构一般较为复杂,且球顶的强度不够,选用的材料成本较高,加工不方便,大大增加了企业的生产成本。
基于上述构思和问题,本实用新型提出一种扬声器100。可以理解的,该扬声器100应用于电子设备,电子设备可以是电子终端,例如手机、音响、电脑、耳机、手表、电视或平板电脑等,在此不做限定。
请结合参照图1至图3所示,在本实用新型实施例中,该扬声器100包括盆架1、磁路系统2及振动系统3,其中,磁路系统2收容于盆架2内,磁路系统2具有磁间隙;振动系统3收容于盆架2内,并与磁路系统2相对设置,振动系统3包括球顶31、振膜32及音圈33,振膜32外周沿与盆架1固定相连,振膜32的内周沿与球顶31相连,音圈33的一端与振膜32或球顶31连接,音圈33的另一端悬置于磁间隙2a内。
在本实施例中,球顶31包括层叠设置的多层金属层311和至少一层胶层312,每相邻两层金属层311之间设有一胶层312,磁路系统2设有凹陷部223,球顶31设有朝向靠近凹陷部223方向延伸的凸包结构313。
在本实施例中,盆架1用于安装固定和保护磁路系统2、振动系统3以及扬声器100的其他部件,盆架1的结构可以具有容腔11的壳体、盒体、箱体、安装壳、安装支架等结构,在此不做限定。可以理解的,盆架1是金属件时,磁路系统2与盆架1采用粘接固定。在另外的实施例中,盆架1为塑料注塑成型时,磁路系统2的边导磁板先作为嵌件注塑在盆架1中,然后其他部分再粘接固定。
可以理解的,通过在盆架1内设置容腔11,并将磁路系统2设于容腔11内,使得振动系统3与磁路系统2相对设置,并与盆架1连接,从而形成扬声器100的主体部分。
在本实施例中,球顶31综合了现有铝箔+发泡体+铝箔结构质轻的优势,同步兼顾铝箔成型的特点,采用金属层311+胶层312+金属层311的形式,然后在球顶31上成型凸包结构313来满足球顶31的性能要求。
可以理解的,胶层312提供一定的阻尼性,同时可以起到减重效果,金属层311提供强度,同时结合凸包结构313,有效增强了球顶31的强度,且容易成型,使得球顶31具有良好的耐热性及耐恒定湿热特性,耐水性极好,相对于现有铝箔结构,阻尼性较好,使FR高频更平缓,如图4所示。可选地,凸包结构313设于球顶31的中间位置。
可选地,金属层311为铝箔、铜箔或钛箔等。金属层311为铝箔时,铝箔为H态或O态铝箔,在此不做限定。胶层312可选为热固环氧胶、酚醛胶、双马树脂、热熔胶PE、热熔胶PBT、反应型硅胶中的一种,在此不做限定。
在本实施例中,球顶31可采用两层金属层311和一层胶层312,通过复合工艺复合成紧密贴合的三层结构,也可以采用三层金属层311和两层胶层312,使得每相邻两层金属层311之间设有一胶层312,通过复合工艺复合成紧密贴合的五层结构。当然,球顶31也可采用多层金属层311和多层胶层312,通过复合工艺复合成紧密贴合的多层结构,此时球顶31的多层结构中金属层311的数量比胶层312的数量多一层,在此不做限定。
在一实施例中,如图1所示,磁路系统2设有磁间隙2a和凹陷部223,振动系统3还包括振膜32和音圈33,其中,振膜32与磁路系统2相对设置,球顶31设于振膜32,球顶31的凸包结构313与磁路系统2的凹陷部223对应设置;音圈33的一端与振膜32或球顶31连接,并位于振膜32面向磁路系统2的一侧,音圈33的另一端悬设于磁间隙2a内。
当音圈33与外部电路导通,利用音圈33将电能传递至磁路系统2的磁间隙2a,并在磁间隙2a产生的磁力线作用下,使得音圈33、振膜32及球顶31作上下运动,也即利用磁路系统2产生的磁场将电能转换为机械能,从而使得音圈33发生振动,并带动振动系统3的振膜32和球顶31实现振动发声,进一步将机械能转换为声能。也即设置于磁间隙2a内的音圈33接收到外部变化的交流电信号后,在磁路系统2的磁场力的驱动下做往复切割磁力线的运动,带动振动系统3的振膜32振动发声。
在本实施例中,通过在磁路系统2上设置凹陷部223,使得凹陷部223对应球顶31的凸包结构313设置,从而使得凸包结构313与磁路系统2为凸包结构313提供的避让空间(也即凹陷部223)吻合,既节省了振动空间,同时可以提升FR高频。
可选地,凸包结构313的横截面形状和大小与凹陷部223的横截面形状和大小相适配。
可以理解的,球顶31若设置为平板结构则不能发挥其高频优势,顶结构31通过设置凸包结构313,并在磁路系统2设置避让结构,使得凸包结构313与磁路系统2的底部位移通常设置为最大振幅+0.12mm(振幅≤0.6时),或0.15mm(振幅>0.6时),从而确保扬声器100的声学性能。
在本实施例中,使用该球顶31的扬声器100可以提升中频及高频8K之后的灵敏度,扩展高频,FR曲线更平滑,乐器播放更加丰富。使用该球顶31的扬声器100在播放高频信号时,可以减少谐波分量,有效改善THD(总谐波失真),主观听感更加清晰。
可选地,振膜32为工程塑料(如peek、par等)、弹性体材料(如tpu、tpee、硅橡胶等)、胶膜(如丙烯酸酯类胶、有机硅类胶等)中的一种或多种材料复合组成。振膜32的厚度在0.01mm~0.5mm范围内。
本实用新型的扬声器100通过将球顶31采用层叠设置的多层金属层311和胶层312结构,可利用胶层312将相邻两层金属层311很好地粘接到一起,同时简化了球顶31,使得球顶31厚度减薄,提高灵敏度,从而改善了扬声器100高频的频响特性;同时,胶层312提供了一定的阻尼性,同时也起到减重效果,金属层311不仅使得球顶31的表面平滑性高,抗冲击,也有效提高了球顶31的强度;进一步通过在球顶31形成凸包结构313,该凸包结构313进一步增强了球顶31的结构强度,并在磁路系统2上设置凹陷部223,从而为凸包结构313提供避让空间,既节省了振动空间,同时可以提升扬声器100的FR高频。本实用新型提出的扬声器100不仅结构简单,加工方便,能够承受高温,使用寿命长,有效提高了扬声器100的声学性能。
在一实施例中,如图2和图3所示,定义球顶31的厚度为d,15μm≤d≤150μm。
可以理解的,球顶31的厚度d是指整个球顶31的厚度,也即是指球顶31的多层金属层311和胶层312的厚度之和。在本实施例中,通过将球顶31的厚度d限定在15μm~150μm的范围内,从而使得球顶31的结构更加轻薄化,有利于广泛应用于目前的薄型化电子设备中,同时能确保扬声器的声学性能。
可选地,球顶31的厚度d可选为15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm、65μm、70μm、75μm、80μm、85μm、90μm、95μm、100μm、105μm、110μm、115μm、120μm、125μm、130μm、135μm、140μm、145μm、150μm等,在此不做限定。
在一实施例中,球顶31的密度在1.5g/cm3~2.7g/cm3范围内。可以理解的,球顶31采用多层金属层311和胶层312组成,使得多层金属层311和胶层312通过复合工艺复合成紧密贴合的多层结构后,确保球顶31的密度在1.5g/cm3~2.7g/cm3范围内,从而有效确保球顶31的灵敏度,并改善了高频的频响特性。
可选地,球顶31的密度在1.5g/cm3、1.6g/cm3、1.7g/cm3、1.8g/cm3、1.9g/cm3、2.0g/cm3、2.1g/cm3、2.2g/cm3、2.3g/cm3、2.4g/cm3、2.5g/cm3、2.6g/cm3、2.7g/cm3等,在此不做限定。
在一实施例中,球顶31的拉伸模量在10GPa~70GPa范围内。可以理解的,通过将球顶31的拉伸模量限定在10GPa~70GPa范围内,从而有效确保球顶31的结构强度,以及提高灵敏度,并改善了高频的频响特性。可选地,球顶31的拉伸模量可以为20Gpa、30Gpa和50Gpa等。
在一实施例中,如图2和图3所示,定义每一金属层311的厚度为d1,5μm≤d1≤40μm。可以理解的,通过将金属层311的厚度d1限定在5μm~40μm范围内,一方面通过金属层311提高球顶31的结构强度,另一方面保证球顶31的轻薄化设计。
可选地,金属层311的厚度d1为5μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm等,在此不做限定。
在一实施例中,每一金属层311的抗拉强度≥120MPa。可以理解的,金属层311的抗拉强度体现为金属层311的结构强度,通过将金属层311的抗拉强度限定为大于或等于120MPa,从而提高球顶31的结构强度。进一步地,每一金属层311的抗拉强度可以为200Mpa。
在一实施例中,如图2和图3所示,多层金属层311的厚度均相同。当然,在其他实施例中,至少一金属层311的厚度与另一金属层311的厚度不同,也即至少一金属层311的厚度与其他金属层311的厚度不同,或者所有金属层311的厚度均不同,在此不做限定。可以理解的,采用复合工艺复合成紧密贴合的多层结构的球顶31,球顶31中上下两层金属层311的厚度可相同也可以存在差异。
在一实施例中,如图2和图3所示,定义胶层312的厚度为d2,5μm≤d2≤60μm。可以理解的,若将胶层312的厚度设置太薄,则两层金属层311之间的连接强度太低,在振动过程中容易出现分层的现象;若将胶层312的厚度设置太厚,则球顶31的整体厚度太大,影响球顶31的发声灵敏性。通过将胶层312的厚度d2限定在5μm~60μm范围内,一方面通过胶层312将相邻两层金属层311连接牢固,从而提高球顶31的结构强度,另一方面保证胶层312的阻尼性能,从而提高球顶31的阻尼性能。
可选地,胶层312的厚度d2为5μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm等,在此不做限定。
在一实施例中,球顶31的胶层312的厚度为d2大于0,小于球顶31的厚度d,也即0<d2≤0.87d。如此设置保证了相邻两层金属层311之间的连接牢固性,以提高球顶31的结构强度,也保证了胶层312的阻尼性能,从而提高球顶31的阻尼性能。
在一实施例中,胶层312的模量要求≥0.2Gpa。可以理解的,通过将胶层312的模量要求限定为大于或等于0.2Gpa,从而保证球顶31的刚性和高频性能。胶层312的模量越高,整个复合球顶31的刚性越好,高频性能相对较好。可选地,胶层312的模量可以为1Gpa、1.5Gpa和2Gpa。
在一实施例中,胶层312的粘接力≥300g/20mm。可以理解的,粘接力的好坏决定复合结构的弯曲强度,粘结力越高,胶层312上下两层金属层311在振动过程中的协调一致性越好,音质较纯,且长时间振动后仍可以保持初始状态,性能稳定性优。同时,胶层312的粘接力较低时,在球顶31上成型凸包结构313的状态很可能导致分层,或者在高频振动时导致分层。
在一实施例中,球顶31采用冷冲或热压成型方式加工形成凸包结构313。可以理解的,球顶31采用冷冲方式成型凸包结构313时,需要先将球顶31复合后的料带固化成型,复合料带直接冲裁并成型凸包结构313。球顶31采用热压成型方式成型凸包结构313时,采用阴阳膜成型的方式,使得球顶31复合后的料带放入凸包模具中,升温并合模加压,保温一定时间后冷却起模,然后冲裁成凸包结构313。采用上述两种方式成型凸包结构313,可有效避免球顶31的多层结构发生分层现象,也避免在高频振动时导致分层。
在一实施例中,如图1所示,振膜32包括内环部321、环绕内环部321设置的折环部322以及设于折环部322外周的固定部323,固定部323与盆架1连接,球顶31的周缘与内环部321连接,音圈33与球顶31背向内环部321的一侧连接,并围绕凸包结构313设置。
在本实施例中,振膜32包括内环部321、环绕内环部321设置的折环部322以及设于折环部322外周的固定部323,振膜32的内环部321、折环部322及固定部323可选为一体成型设置。振膜32通过固定部323与盆架1连接,振膜32通过内环部321与球顶31连接。可选地,振膜32的内环部321与球顶31之间通过胶水或胶带进行粘结。
可以理解的,振膜32的内环部321围合形成有开口,球顶31对应内环部321围合形成的开口设置,此时内环部321具有相对设置的上侧和下侧,球顶31的周缘与内环部321的上侧或下侧连接,从而利用球顶31加强振膜32的中央部。可选地,内环部321为镂空结构。
在另一实施例中,内环部321可以是连接为一体的平板结构,如此所述内环部321具有相对设置的上侧和下侧,此时所述球顶31与内环部321的上侧或下侧连接,从而利用球顶31加强振膜32的中央部。
在本实施例中,折环部322呈凸起或凹陷设置,固定部323由折环部322的外侧边向外延伸形成。固定部323可通过粘结或焊接等方式与盆架1连接,在此不做限定。
可以理解的,为了增大振膜32的有效振动面积,固定部323也可以是由折环部322的外侧边向下延伸形成,也即固定部323与盆架1的外壁通过粘结等方式连接。
在一实施例中,如图1所示,磁路系统2包括导磁轭21、中心磁路部22及边磁路部23,其中,导磁轭21设于盆架1内;中心磁路部22设于导磁轭21,中心磁路部22背向导磁轭21的一侧设有凹陷部223;边磁路部23设于导磁轭21,并环绕中心磁路部22设置,边磁路部23与中心磁路部22之间形成磁间隙2a。
在本实施例中,导磁轭21固定于盆架1,中心磁路部22和边磁路部23设于导磁轭21面向振动系统3的一侧,且边磁路部23环绕中心磁路部22设置,并与中心磁路部22之间形成磁间隙2a,从而方便振动系统3的音圈33悬设于磁间隙2a内,也即中心磁路部22和边磁路部23之间。可以理解的,通过设置边磁路部23,也即不做打断设计的边磁路部23体积更大,使得磁场强度更高,从而提高扬声器100的声学性能。
在一实施例中,如图1所示,中心磁路部22包括中心磁铁221和中心华司222,中心磁铁221设于导磁轭21,中心华司222设于中心磁铁221背向导磁轭21的一侧,中心华司222背向中心磁铁221的一侧设有凹陷部223,凹陷部223为凹槽结构或通槽结构。边磁路部23包括边磁铁231和边华司232,边磁铁231设于导磁轭21,并环绕中心磁路部22设置,边华司232设于边磁铁231背向导磁轭21的一侧。可选地,凹陷部223可以设在中心磁铁221的中心位置。
在本实施例中,中心磁铁221和中心华司222的结构轮廓相同,中心磁铁221和中心华司222可选为板状结构。边磁铁231和边华司232的结构轮廓相同,边磁铁231和边华司232的可选为环状结构或多个条形结构,在此不做限定。
可以理解的,边华司232可固定于导磁轭21,并与边磁铁231相对抵接。当然,在其他实施例中,边华司232也可设置于盆架1,使得边华司232与盆架1设置为一体结构,从而简化扬声器100的加工工艺。在本实施例中,盆架1与边华司232的材质均为金属材料,从而有利于提高导热散热效果。
本实用新型还提出一种电子设备,该电子设备包括设备壳体和上述的扬声器100,扬声器100设于设备壳体内。该扬声器100的具体结构参照前述实施例,由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
在本实施例中,壳体内设有腔体,扬声器100设于腔体内。可以理解的,电子设备可以是电子设备,例如手机、音响、电脑、耳机、手表、电视或平板电脑等,在此不做限定。
以上所述仅为本实用新型的可选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的构思下,利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (12)

1.一种扬声器,其特征在于,包括:
盆架;
磁路系统,所述磁路系统收容于所述盆架内,所述磁路系统具有磁间隙;
振动系统,所述振动系统收容于所述盆架内,并与所述磁路系统相对设置,所述振动系统包括球顶、振膜及音圈,所述振膜外周沿与所述盆架固定相连,所述振膜的内周沿与所述球顶相连,所述音圈的一端与所述振膜或所述球顶连接,所述音圈的另一端悬置于所述磁间隙内;
其中,所述球顶包括层叠设置的多层金属层和至少一层胶层,每相邻两层所述金属层之间设有一所述胶层,所述磁路系统设有凹陷部,所述球顶设有朝向靠近所述凹陷部方向延伸的凸包结构。
2.如权利要求1所述的扬声器,其特征在于,定义所述球顶的厚度为d,15μm≤d≤150μm;
且/或,所述球顶的密度在1.5g/cm3~2.7g/cm3范围内;
且/或,所述球顶的拉伸模量在10GPa~70GPa范围内。
3.如权利要求1所述的扬声器,其特征在于,定义每一所述金属层的厚度为d1,5μm≤d1≤40μm;
且/或,每一所述金属层的抗拉强度≥120MPa;
且/或,多层所述金属层的厚度均相同;或,至少一所述金属层的厚度与另一所述金属层的厚度不同。
4.如权利要求1所述的扬声器,其特征在于,定义所述球顶的厚度为d,定义所述胶层的厚度为d2;
5μm≤d2≤60μm;且/或,0<d2≤0.87d。
5.如权利要求1所述的扬声器,其特征在于,所述金属层为铝箔或铜箔或钛箔;
或,所述金属层为铝箔,所述铝箔为H态或O态铝箔。
6.如权利要求1所述的扬声器,其特征在于,所述胶层为热固环氧胶、酚醛胶、双马树脂、热熔胶PE、热熔胶PBT、反应型硅胶中的一种;
且/或,所述胶层的模量要求≥0.2GPa;
且/或,所述胶层的粘接力≥300g/20mm。
7.如权利要求1所述的扬声器,其特征在于,所述球顶采用冷冲或热压成型方式加工形成所述凸包结构。
8.如权利要求1至7中任一项所述的扬声器,其特征在于,所述振膜包括内环部、环绕所述内环部设置的折环部以及设于所述折环部外周的固定部,所述固定部与所述盆架连接,所述球顶的周缘与所述内环部连接,所述音圈与所述球顶背向所述内环部的一侧连接,并围绕所述凸包结构设置。
9.如权利要求1至7中任一项所述的扬声器,其特征在于,所述凸包结构的横截面形状和大小与所述凹陷部的横截面形状和大小相适配;
且/或,所述振膜为工程塑料、弹性体材料、胶膜中的一种或多种材料复合组成;
且/或,所述振膜的厚度在0.01mm~0.5mm范围内。
10.如权利要求1至7中任一项所述的扬声器,其特征在于,所述磁路系统包括:
导磁轭,所述导磁轭设于所述盆架内;
中心磁路部,所述中心磁路部设于所述导磁轭,所述中心磁路部背向所述导磁轭的一侧设有所述凹陷部;及
边磁路部,所述边磁路部设于所述导磁轭,并环绕所述中心磁路部设置,所述边磁路部与所述中心磁路部之间形成所述磁间隙。
11.如权利要求10所述的扬声器,其特征在于,所述中心磁路部包括中心磁铁和中心华司,所述中心磁铁设于所述导磁轭,所述中心华司设于所述中心磁铁背向所述导磁轭的一侧,所述中心华司背向所述中心磁铁的一侧设有所述凹陷部,所述凹陷部为凹槽结构或通槽结构。
12.一种电子设备,其特征在于,包括设备壳体和如权利要求1至11中任一项所述的扬声器,所述扬声器设于所述设备壳体内。
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