CN113725365A - 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池,依次包括电极、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和ITO玻璃衬底,钙钛矿层中含有氟化镉。本发明还公开了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:a、清洗ITO玻璃衬底,吹干后进行紫外臭氧处理;b、将钛酸四丁酯的乙醇溶液旋涂在ITO玻璃衬底上,退火形成c‑TiO2膜层,将二氧化钛胶状物的乙醇溶液旋涂在c‑TiO2膜层上,退火形成mp‑TiO2膜层,紫外臭氧处理,制得电子传输层;c、制备钙钛矿膜层;d、制备空穴传输层;e、制备电极。本发明能够有效提升钙钛矿薄膜的成膜性,有利于提升钙钛矿电池的稳定性,在钙钛矿模组的商业化等方面具有良好的指导意义。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池及其制法,具体为一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
背景技术
作为一种清洁的能源,太阳能可以满足日益增长的全球能源需求。在众多光电器件中,钙钛矿太阳能电池由于具有较高的功率转换效率以及较低的制造成本而备受关注。
现有技术中,钙钛矿电池商业化的瓶颈主要在于电池稳定性不足,不能满足商业化电池工作的要求。现有技术中,多采用有机小分子进行膜层的钝化(ACS Nano8,9815–9821(2014),Nat.Commun.6,7081(2015).),但小分子易于挥发,不能长时间地停留在膜层中起钝化效果,因此,其他类型的添加剂需要被开发来提升钙钛矿电池的稳定性。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明的目的是提供一种稳定性好的钙钛矿太阳能电池,本发明的另一目的是提供一种简单方便的钙钛矿太阳能电池的制备方法。
技术方案:本发明所述的一种钙钛矿太阳能电池,依次包括电极、空穴传输层、钙钛矿膜层、电子传输层和ITO玻璃衬底,钙钛矿膜层中含有氟化镉。
进一步地,电极的厚度为30~300nm,空穴传输层的厚度是100~170nm,钙钛矿膜层的厚度为400~800nm,电子传输层的厚度为330~400nm。
进一步地,电子传输层包括c-TiO2膜层和mp-TiO2膜层。
上述钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
(a)前驱体溶液的制备:清洗ITO玻璃衬底,吹干后进行紫外臭氧处理,能够清除衬底表面的残留的油污,增强亲水性;
(b)衬底的预处理:将钛酸四丁酯的乙醇溶液旋涂在ITO玻璃衬底上,在350~550℃下退火形成c-TiO2膜层,将二氧化钛胶状物的乙醇溶液旋涂在c-TiO2膜层上,在350~550℃下退火形成mp-TiO2膜层,紫外臭氧处理,制得电子传输层;
(c)钙钛矿膜层的制备:将含有氟化镉的碘化铅溶液旋涂在电子传输层上,在保护气氛下干燥,在其表面再旋涂FAI/MABr/MACl溶液,在120~170℃下退火,制得钙钛矿膜层;
(d)空穴传输层的制备:将2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴溶液旋涂在钙钛矿膜层上,制得空穴传输层;
(e)电极的制备:在空穴传输层表面蒸镀导电金属,作为电极。
进一步地,步骤(a)中,ITO玻璃衬底依次用去离子水、丙酮、异丙醇(IPA)清洗。
进一步地,步骤(b)中,钛酸四丁酯的乙醇溶液的浓度为0.25-0.5g/mL,旋涂速率为1500~6000rpm,时间为20~120s,退火时间为10~60min。低于350℃退火,会导致退火不完全,影响传输;高于550℃退火,会造成膜层开裂。旋涂速率低于1500rpm,会使得膜层厚度较大,传导性受阻;旋涂速率高于6000rpm,会使得膜层很薄,不能完全覆盖。
进一步地,步骤(c)中,氟化镉的碘化铅溶液的浓度为1.0~1.5M,旋涂速率为1000~4000rpm,时间为10~120s,旋涂完有机盐后形成的钙钛矿薄膜退火时间为3~50min,保护气氛为氮气。旋涂速率低于1000rpm,会使得膜层厚度较大,电荷难以导出;旋涂速率高于5000rpm,会形成低质量的膜层。氟化镉的碘化铅溶液的浓度低于0.5M,会使得膜层很薄,不能完全覆盖,产生孔洞,造成自身复合速率的增加;氟化镉的碘化铅溶液的浓度高于1.5M,会难以形成平整的膜层。
进一步地,步骤(d)中,2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴溶液的浓度为70~80mg/mL。旋涂速率为2000~4000rpm,时间为20~60s。2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴溶液的浓度低于70mg/mL,会形成带有孔洞的不平整的薄膜;2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴溶液的浓度高于80mg/mL,会使得膜层过厚,导电性能下降。旋涂速率低于2000rp或旋涂速率高于4000rpm,形成膜层的厚度都不适合。
进一步地,步骤(e)中,导电金属为金、银、铜、铝中的任意一种。
工作原理:钙钛矿电池不稳定性来源是钙钛矿膜层中的缺陷态和低分解能。通过引入高效的钝化基团,对缺陷态进行有效的钝化,从而降低缺陷态的密度,提升电荷的抽取和传输能力,从而提升电池的稳定性和转化效率。引入高效的添加剂氟化镉(CdF2)来降低缺陷态密度,同时增强晶格间的相互作用。CdF2中的具有Cd2+和F-,Cd离子半径小于钙钛矿中的Pb离子,可以有效释放晶格的应力,提升缺陷的形成能,降低缺陷密度。同时,高电负性的F离子,可以与有机阳离子形成强氢键以及与Pb离子形成强离子键的效果,从而有效消除离子的空位缺陷,提升了电池的长期稳定性。
有益效果:本发明和现有技术相比,具有如下显著性特点:能够有效提升钙钛矿薄膜的成膜性,有利于提升钙钛矿电池的稳定性,在钙钛矿模组的商业化等方面具有良好的指导意义;添加剂氟化镉可降低缺陷态密度,同时增强晶格间的相互作用,有效消除离子的空位缺陷,提升了电池的长期稳定性;本发明工艺简单,易于规模化生产,且添加剂为无机成分,挥发性弱,稳定性强,能够长期存留在钙钛矿膜层内,起到钝化和提升稳定性的效果。
附图说明
图1是本发明的钙钛矿电池结构图;
图2是本发明实施例1与对比例1的钙钛矿电池I-V曲线;
图3是本发明实施例1与对比例1的稳定性曲线。
具体实施方式
实施例1
(1)前驱体溶液的制备:
前驱体溶液包括钛酸四丁酯的乙醇溶液,碘化铅(PbI2)与氟化镉(CdF2)混合溶液,甲眯碘/甲胺溴/甲胺氯(FAI/MABr/MACl)溶液,2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-OMeTAD)溶液,双三氟甲烷磺酰亚胺锂(Li-TFSI)溶液。
将0.5g的钛酸四丁酯溶解在2.0mL的乙醇中,震荡搅拌,并使用0.45μm的过滤芯过滤备用。
1g的二氧化钛(TiO2)胶状物溶解在5.5g的无水乙醇中,充分搅拌后备用。
553mg的PbI2溶解在0.95mL的N-N二甲基甲酰胺(DMF)和0.1mL的二甲基亚砜(DMSO)中,其中此溶液中添加CdF2的摩尔比为0.05%,加热100℃搅拌30min至完全溶解,并使用0.45μm的过滤芯过滤后,制得含有氟化镉的1.2M碘化铅溶液备用。
1100mg的FAI、105mg的MABr、和100mg的MACl粉末溶解在15mL的异丙醇溶液中,充分搅拌至溶液澄清,并使用0.45μm的过滤芯过滤后备用。
520mg的Li-TFSI溶解在1mL乙腈中,浓度为520mg/mL。72.3mg spiro-OMeTAD溶解在1mL的氯苯溶液中,将17.5μL的Li-TFSI溶液和28.8μL的四叔丁基吡啶加入到1mL的spiro溶液中,并使用0.45μm的过滤芯过滤后备用。
(2)衬底的预处理:
ITO玻璃衬底5首先在提去离子水中超声清洗30分钟,随后在丙酮中超声清洗30分钟,最后在异丙醇中超声清洗30分钟,随后用氮气枪吹干,并放在紫外臭氧处理器中处理30分钟备用。
(3)电子传输层4的制备:
将过滤后的钛酸四丁酯的乙醇溶液旋涂在ITO玻璃衬底5上,旋涂速率为3000rpm,时间为30s,随后在450℃下退火30min,形成c-TiO2膜层。
随后将溶解的TiO2胶状物乙醇溶液旋涂在c-TiO2膜层上,旋涂速率为3000rpm,时间为30s,随后在450℃下退火30min,形成mp-TiO2膜层,冷却后置于紫外臭氧处理器中处理20分钟备用。c-TiO2膜层和mp-TiO2膜层共同构成电子传输层4。
(4)钙钛矿膜层3的制备:
将配好的碘化铅溶液(含有氟化镉)旋涂在mp-TiO2膜层上,速率为2200rpm,时间为40s。随后在氮气氛围下,自然干燥3分钟。随后将配制好的FAI/MABr/MACl溶液旋涂至PbI2膜层上,速度是1800rpm,时间是30s,随后在140℃下退火15min,冷却后备用。
(5)空穴传输层2的制备:
将掺杂的spiro溶液旋涂在修饰过的钙钛矿膜层3上,旋涂速率为3000rpm,时间为30s。
(6)电极1的制备:
利用热蒸发的方式在spiro的表面蒸镀一层100nm金作为电极1。
如图1,所制得的钙钛矿太阳能电池自上而下依次包括固连的100nm电极11,140nm空穴传输层22,650nm钙钛矿膜层33,370nm电子传输层44,ITO玻璃衬底55。
对比例
本对比例其余步骤与实施例1均相同,区别仅仅在于:碘化铅溶液中不加CdF2。
表1实例1与对比例钙钛矿太阳能电池光电参数
将实施例1和对比例1所制得的钙钛矿太阳能电池分别按照上表1的参数进行测试,由表1、图2、图3可以看出:实施例1所制得的钙钛矿太阳能电池比对比例的综合性能更好。引入高效的添加剂CdF2降低缺陷态密度,同时增强晶格间的相互作用。CdF2中的具有Cd2 +和F-,Cd离子半径小于钙钛矿中的Pb离子,可以有效释放晶格的应力,提升缺陷的形成能,降低缺陷密度。同时,高电负性的F离子,可以与有机阳离子形成强氢键以及与Pb离子形成强离子键的效果,从而有效消除离子的空位缺陷,提升了电池的长期稳定性。
通过引入高效的钝化基团,对缺陷态进行有效的钝化,从而降低缺陷态的密度,提升电荷的抽取和传输能力,从而提升电池的稳定性和转化效率。
实施例2
(1)前驱体溶液的制备:
前驱体溶液包括钛酸四丁酯的乙醇溶液,碘化铅(PbI2)与氟化镉(CdF2)混合溶液,甲眯碘/甲胺溴/甲胺氯(FAI/MABr/MACl)溶液,2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-OMeTAD)溶液,双三氟甲烷磺酰亚胺锂(Li-TFSI)溶液。
将0.8g的钛酸四丁酯溶解在2.0mL的乙醇中,震荡搅拌,并使用0.45μm的过滤芯过滤备用。
1g的二氧化钛(TiO2)胶状物溶解在5.5g的无水乙醇中,充分搅拌后备用。
691mg的PbI2溶解在0.95mL的N-N二甲基甲酰胺(DMF)和0.1mL的二甲基亚砜(DMSO)中,其中此溶液中添加CdF2的摩尔比为0.05%,加热100℃搅拌30min至完全溶解,并使用0.45μm的过滤芯过滤后,制得含有氟化镉的1.5M碘化铅溶液备用。。
1100mg的FAI、105mg的MABr、和120mg的MACl粉末溶解在15mL的异丙醇溶液中,充分搅拌至溶液澄清,并使用0.45μm的过滤芯过滤后备用。
520mg的Li-TFSI溶解在1mL乙腈中,浓度为520mg/mL。75mg spiro-OMeTAD溶解在1mL的氯苯溶液中,将17.5μL的Li-TFSI溶液和28.8μL的四叔丁基吡啶加入到1mL的spiro溶液中,并使用0.45μm的过滤芯过滤后备用。
(2)衬底的预处理:
ITO玻璃衬底5首先在提去离子水中超声清洗30分钟,随后在丙酮中超声清洗30分钟,最后在异丙醇中超声清洗30分钟,随后用氮气枪吹干,并放在紫外臭氧处理器中处理30分钟备用。
(3)电子传输层4的制备:
将过滤后的钛酸四丁酯的乙醇溶液旋涂在ITO玻璃衬底5上,旋涂速率为1500rpm,时间为120s,随后在350℃下退火60min,形成c-TiO2膜层。
随后将溶解的TiO2胶状物乙醇溶液旋涂在c-TiO2膜层上,旋涂速率为1500rpm,时间为120s,随后在350℃下退火60min,形成mp-TiO2膜层,冷却后置于紫外臭氧处理器中处理20分钟备用。c-TiO2膜层和mp-TiO2膜层共同构成电子传输层4。
(4)钙钛矿膜层3的制备:
将配好的碘化铅溶液(含有氟化镉)旋涂在mp-TiO2膜层上,速率为1000rpm,时间为120s。随后在氮气氛围下,自然干燥3分钟。随后将配制好的FAI/MABr/MACl溶液旋涂至PbI2膜层上,速度是1000rpm,时间是120s,随后在120℃下退火50min,冷却后备用。
(5)空穴传输层2的制备:
将掺杂的spiro溶液旋涂在修饰过的钙钛矿膜层3上,旋涂速率为2000rpm,时间为60s。
(6)电极1的制备:
利用热蒸发的方式在spiro的表面蒸镀一层30nm银,作为电极1。
所制得的钙钛矿太阳能电池自上而下依次包括固连的30nm电极1,200nm空穴传输层2,800nm钙钛矿膜层3,400nm电子传输层4,ITO玻璃衬底5。
实施例3
(1)前驱体溶液的制备:
前驱体溶液包括钛酸四丁酯的乙醇溶液,碘化铅(PbI2)与氟化镉(CdF2)混合溶液,甲眯碘/甲胺溴/甲胺氯(FAI/MABr/MACl)溶液,2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-OMeTAD)溶液,双三氟甲烷磺酰亚胺锂(Li-TFSI)溶液。
将0.75g的钛酸四丁酯溶解在2.0mL的乙醇中,震荡搅拌,并使用0.45μm的过滤芯过滤备用。
1g的二氧化钛(TiO2)胶状物溶解在5.5g的无水乙醇中,充分搅拌后备用。
599mg的PbI2溶解在0.95mL的N-N二甲基甲酰胺(DMF)和0.1mL的二甲基亚砜(DMSO)中,其中此溶液中添加CdF2的摩尔比为0.07%,加热100℃搅拌30min至完全溶解,并使用0.45μm的过滤芯过滤后,制得含有氟化镉的1.3M碘化铅溶液备用。。
1300mg的FAI、110mg的MABr、和110mg的MACl粉末溶解在15mL的异丙醇溶液中,充分搅拌至溶液澄清,并使用0.45μm的过滤芯过滤后备用。
520mg的Li-TFSI溶解在1mL乙腈中,浓度为520mg/mL。72.3mg spiro-oMeTAD溶解在1mL的氯苯溶液中,将17.5μL的Li-TFSI溶液和28.8μL的四叔丁基吡啶加入到1mL的spiro溶液中,并使用0.45μm的过滤芯过滤后备用。
(2)衬底的预处理:
ITO玻璃衬底5首先在提去离子水中超声清洗30分钟,随后在丙酮中超声清洗30分钟,最后在异丙醇中超声清洗30分钟,随后用氮气枪吹干,并放在紫外臭氧处理器中处理30分钟备用。
(3)电子传输层4的制备:
将过滤后的钛酸四丁酯的乙醇溶液旋涂在ITO玻璃衬底5上,旋涂速率为6000rpm,时间为20s,随后在550℃下退火10min,形成c-TiO2膜层。
随后将溶解的TiO2胶状物乙醇溶液旋涂在c-TiO2膜层上,旋涂速率为6000rpm,时间为20s,随后在550℃下退火10min,形成mp-TiO2膜层,冷却后置于紫外臭氧处理器中处理20分钟备用。c-TiO2膜层和mp-TiO2膜层共同构成电子传输层4。
(4)钙钛矿膜层3的制备:
将配好的碘化铅溶液(含有氟化镉)旋涂在mp-TiO2膜层上,速率为5000rpm,时间为10s。随后在氮气氛围下,自然干燥3分钟。随后将配制好的FAI/MABr/MACl溶液旋涂至PbI2膜层上,速度是4000rpm,时间是10s,随后在160℃下退火5min,冷却后备用。
(5)空穴传输层2的制备:
将掺杂的spiro溶液旋涂在修饰过的钙钛矿膜层3上,旋涂速率为4000rpm,时间为20s。
(6)电极1的制备:
利用热蒸发的方式在spiro的表面蒸镀一层300nm铜,作为电极1。
所制得的钙钛矿太阳能电池自上而下依次包括固连的300nm电极1,100nm空穴传输层2,400nm钙钛矿膜层3,330nm电子传输层4,ITO玻璃衬底5。
实施例4
(1)前驱体溶液的制备:
前驱体溶液包括钛酸四丁酯的乙醇溶液,碘化铅(PbI2)与氟化镉(CdF2)混合溶液,甲眯碘/甲胺溴/甲胺氯(FAI/MABr/MACl)溶液,2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-OMeTAD)溶液,双三氟甲烷磺酰亚胺锂(Li-TFSI)溶液。
将1.0g的钛酸四丁酯溶解在2.0mL的乙醇中,震荡搅拌,并使用0.45μm的过滤芯过滤备用。
1g的二氧化钛(TiO2)胶状物溶解在5.5g的无水乙醇中,充分搅拌后备用。
461mg的PbI2溶解在0.95mL的N-N二甲基甲酰胺(DMF)和0.1mL的二甲基亚砜(DMSO)中,其中此溶液中添加CdF2的摩尔比为0.065%,加热100℃搅拌30min至完全溶解,并使用0.45μm的过滤芯过滤后,制得含有氟化镉的1.0M碘化铅溶液备用。。
1200mg的FAI、105mg的MABr、和100mg的MACl粉末溶解在15mL的异丙醇溶液中,充分搅拌至溶液澄清,并使用0.45μm的过滤芯过滤后备用。
520mg的Li-TFSI溶解在1mL乙腈中,浓度为520mg/mL。80mg spiro-OMeTAD溶解在1mL的氯苯溶液中,将17.5μL的Li-TFSI溶液和28.8μL的四叔丁基吡啶加入到1mL的spiro溶液中,并使用0.45μm的过滤芯过滤后备用。
(2)衬底的预处理:
ITO玻璃衬底5首先在提去离子水中超声清洗30分钟,随后在丙酮中超声清洗30分钟,最后在异丙醇中超声清洗30分钟,随后用氮气枪吹干,并放在紫外臭氧处理器中处理30分钟备用。
(3)电子传输层4的制备:
将过滤后的钛酸四丁酯的乙醇溶液旋涂在ITO玻璃衬底5上,旋涂速率为3800rpm,时间为70s,随后在400℃下退火50min,形成c-TiO2膜层。
随后将溶解的TiO2胶状物乙醇溶液旋涂在c-TiO2膜层上,旋涂速率为3800rpm,时间为70s,随后在400℃下退火50min,形成mp-TiO2膜层,冷却后置于紫外臭氧处理器中处理20分钟备用。c-TiO2膜层和mp-TiO2膜层共同构成电子传输层4。
(4)钙钛矿膜层3的制备:
将配好的碘化铅溶液(含有氟化镉)旋涂在mp-TiO2膜层上,速率为4000rpm,时间为50s。随后在氮气氛围下,自然干燥3分钟。随后将配制好的FAI/MABr/MACl溶液旋涂至PbI2膜层上,速度是3800rpm,时间是50s,随后在170℃下退火3min,冷却后备用。
(5)空穴传输层2的制备:
将掺杂的spiro溶液旋涂在修饰过的钙钛矿膜层3上,旋涂速率为2500rpm,时间为50s。
(6)电极1的制备:
利用热蒸发的方式在spiro的表面蒸镀一层100nm铝,作为电极1。
所制得的钙钛矿太阳能电池自上而下依次包括固连的100nm电极1,170nm空穴传输层2,500nm钙钛矿膜层3,365nm电子传输层4,ITO玻璃衬底5。
实施例5
(1)前驱体溶液的制备:
前驱体溶液包括钛酸四丁酯的乙醇溶液,碘化铅(PbI2)与氟化镉(CdF2)混合溶液,甲眯碘/甲胺溴/甲胺氯(FAI/MABr/MACl)溶液,2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-OMeTAD)溶液,双三氟甲烷磺酰亚胺锂(Li-TFSI)溶液。
将0.5g的钛酸四丁酯溶解在2.0mL的乙醇中,震荡搅拌,并使用0.45μm的过滤芯过滤备用。
1g的二氧化钛(TiO2)胶状物溶解在5.5g的无水乙醇中,充分搅拌后备用。
645mg的PbI2溶解在0.95mL的N-N二甲基甲酰胺(DMF)和0.1mL的二甲基亚砜(DMSO)中,其中此溶液中添加CdF2的摩尔比为0.035%,加热100℃搅拌30min至完全溶解,并使用0.45μm的过滤芯过滤后备用。
1200mg的FAI、120mg的MABr、和100mg的MACl粉末溶解在15mL的异丙醇溶液中,充分搅拌至溶液澄清,并使用0.45μm的过滤芯过滤后备用。
520mg的Li-TFSI溶解在1mL乙腈中,浓度为520mg/mL。70mg spiro-oMeTAD溶解在1mL的氯苯溶液中,将17.5μL的Li-TFSI溶液和28.8μL的四叔丁基吡啶加入到1mL的spiro溶液中,并使用0.45μm的过滤芯过滤后备用。
(2)衬底的预处理:
ITO玻璃衬底5首先在提去离子水中超声清洗30分钟,随后在丙酮中超声清洗30分钟,最后在异丙醇中超声清洗30分钟,随后用氮气枪吹干,并放在紫外臭氧处理器中处理30分钟备用。
(3)电子传输层4的制备:
将过滤后的钛酸四丁酯的乙醇溶液旋涂在ITO玻璃衬底5上,旋涂速率为5000rpm,时间为100s,随后在500℃下退火20min,形成c-TiO2膜层。
随后将溶解的TiO2胶状物乙醇溶液旋涂在c-TiO2膜层上,旋涂速率为5000rpm,时间为100s,随后在500℃下退火20min,形成mp-TiO2膜层,冷却后置于紫外臭氧处理器中处理20分钟备用。c-TiO2膜层和mp-TiO2膜层共同构成电子传输层4。
(4)钙钛矿膜层3的制备:
将配好的碘化铅溶液(含有氟化镉)旋涂在mp-TiO2膜层上,速率为3000rpm,时间为60s。随后在氮气氛围下,自然干燥3分钟。随后将配制好的FAI/MABr/MACl溶液旋涂至PbI2膜层上,速度是2700rpm,时间是40s,随后在150℃下退火10min,冷却后备用。
(5)空穴传输层2的制备:
将掺杂的spiro溶液旋涂在修饰过的钙钛矿膜层3上,旋涂速率为3500rpm,时间为40s。
(6)电极1的制备:
利用热蒸发的方式在spiro的表面蒸镀一层200nm金,作为电极1。
所制得的钙钛矿太阳能电池自上而下依次包括固连的200nm电极1,135nm空穴传输层2,600nm钙钛矿膜层3,360nm电子传输层4,ITO玻璃衬底5。
Claims (10)
1.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于:依次包括电极(1)、空穴传输层(2)、钙钛矿膜层(3)、电子传输层(4)和ITO玻璃衬底(5),所述钙钛矿膜层(3)中含有氟化镉。
2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述电极(1)的厚度为30~300nm,所述空穴传输层(2)的厚度是100~170nm,所述钙钛矿膜层(3)的厚度为400~800nm,所述电子传输层(4)的厚度为330~400nm。
3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述电子传输层(4)包括c-TiO2膜层和mp-TiO2膜层。
4.根据权利要求1~3任一所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(a)清洗ITO玻璃衬底(5),吹干后进行紫外臭氧处理;
(b)将钛酸四丁酯的乙醇溶液旋涂在ITO玻璃衬底(5)上,在350~550℃下退火形成c-TiO2膜层,将二氧化钛胶状物的乙醇溶液旋涂在c-TiO2膜层上,在350~550℃下退火形成mp-TiO2膜层,紫外臭氧处理,制得电子传输层(4);
(c)将含有氟化镉的碘化铅溶液旋涂在电子传输层(4)上,在保护气氛下干燥,在其表面再旋涂FAI/MABr/MACl溶液,在120~170℃下退火,制得钙钛矿膜层(3);
(d)将2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴溶液旋涂在钙钛矿膜层(3)上,制得空穴传输层(2);
(e)在空穴传输层(2)表面蒸镀导电金属,作为电极(1)。
5.根据权利要求4所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(a)中,ITO玻璃衬底(5)依次用去离子水、丙酮、异丙醇清洗。
6.根据权利要求4所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(b)中,钛酸四丁酯的乙醇溶液的浓度为0.25~0.5g/mL,旋涂速率为1500~6000rpm,时间为20~120s,退火时间为10~60min。
7.根据权利要求4所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(c)中,氟化镉的碘化铅溶液的浓度为1.0~1.5M,旋涂速率为1000~5000rpm,时间为10~120s,退火时间为3~50min,保护气氛为氮气。
8.根据权利要求4所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(d)中,2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴溶液的浓度为70~80mg/mL。
9.根据权利要求4所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(d)中,旋涂速率为2000~4000rpm,时间为20~60s。
10.根据权利要求4所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(e)中,导电金属为金、银、铜、铝中的任意一种。
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Cited By (2)
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CN115322216A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-11-11 | 山西大学 | 一种用于制备有机-无机杂化钛矿太阳能电池的锂盐溶剂 |
CN116395978A (zh) * | 2023-04-17 | 2023-07-07 | 南通大学 | 一种调控蠕虫状孔隙二氧化钛的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108649127A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-10-12 | 北京大学 | 一种基于种子层辅助生长的连续多层钙钛矿薄膜制备方法 |
WO2019141044A1 (zh) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种具有界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN110854276A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-02-28 | 华东理工大学 | 一种四氟化钛钝化钙钛矿电池界面的制备方法及应用 |
KR102260293B1 (ko) * | 2020-05-27 | 2021-06-04 | 성균관대학교산학협력단 | 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019141044A1 (zh) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种具有界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN108649127A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-10-12 | 北京大学 | 一种基于种子层辅助生长的连续多层钙钛矿薄膜制备方法 |
CN110854276A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-02-28 | 华东理工大学 | 一种四氟化钛钝化钙钛矿电池界面的制备方法及应用 |
KR102260293B1 (ko) * | 2020-05-27 | 2021-06-04 | 성균관대학교산학협력단 | 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115322216A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-11-11 | 山西大学 | 一种用于制备有机-无机杂化钛矿太阳能电池的锂盐溶剂 |
CN115322216B (zh) * | 2022-05-09 | 2024-03-12 | 山西大学 | 一种用于制备有机-无机杂化钛矿太阳能电池的锂盐溶剂 |
CN116395978A (zh) * | 2023-04-17 | 2023-07-07 | 南通大学 | 一种调控蠕虫状孔隙二氧化钛的制备方法 |
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