CN113707702B - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其能够避免在制备上述显示基板过程中使用独立发光材料液滴形成发光层，使制备过程中不再出现独立发光材料液滴产生爬坡和咖啡环的问题，从而有效提高了膜层的厚度均匀性。本公开包括衬底基板，设置在衬底基板上的阳极、阴极，以及夹设在阳极和阴极之间的第一像素限定层、发光层和第二像素限定层。
Description
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前，显示器件常采用溶液加工方式形成器件内部各膜层，例如采用旋涂、喷墨打印、刷涂等溶液加工方式。虽然溶液加工方式具有成本低，工序简单等优点，但在喷涂溶液的过程中，液滴会因本身液体特性出现爬坡、咖啡环等问题，使膜层厚度不均匀。该问题在显示器件发光层的制备过程中尤为明显，当前，厂家多采用喷墨打印方法制备发光层，在制备过程中因喷墨打印机不同喷嘴喷出发光材料液滴的体积大小难以保证，导致不同像素间发光材料液滴体积存在差异，使不同像素间膜层厚度不能保持完全相同；同时，由于发光材料液滴干燥过程中不可避免的产生爬坡和咖啡环，会使像素内膜层厚度不均匀；此外，由于功能层的连续打印，使得后续功能层在本就厚度不均匀基底上进行打印，进一步加剧了显示器件膜层的不均匀性，最终导致形成膜层缺陷，降低了显示器件的性能与使用寿命。
发明内容
本公开旨在改进现有显示基板制备方法，为解决现有技术中喷墨打印过程中出现液滴爬坡和咖啡环，造成膜层厚度不均，降低显示器件性能的问题，本公开采用如下技术方案。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的多个发光器件；所述多个发光器件中的每个包括阴极、阳极和位于所述阴极和所述阳极之间的发光层；其特征在于，还包括：
多条所述第一像素限定带，设置在所述衬底基板，且沿所述第一方向延伸，并沿第三方向并排设置；
多条发光带，设置在所述衬底基板上，且沿所述第一方向延伸，并沿第三方向并排设置；相邻的两个所述第一像素限定带之间设置有一条所述发光带；
多条第二像素限定带，设置在所述衬底基板上，且沿所述第二方向延伸，并沿第四方向并排设置；所述第一方向与所述第二方向相交，所述第三方向与所述第四方向相交；其中，
所述多条第一像素限定带和所述多条第二像素限定带围成的最小区域为发光区；所述发光带在所述衬底基板上的正投影位于所述发光区中的部分作为所述发光器件的发光层。
所述阳极相较于所述阴极更靠近所述衬底基板；且所述阳极位于所述第一像素限定带靠近所述衬底基板的一侧；所述阴极位于所述第二像素限定带背离所述衬底基板的一侧。
所述发光器件还包括位于所述发光层和所述阴极之间的电子传输层。
沿第一方向并排设置的多个所述发光器件的电子传输层为一体结构，并形成一电子传输带；所述显示基板包括多个所述电子传输带，多个所述电子传输带在所述第三方向并排设置。
所述电子传输层位于所述发光层和所述阴极之间，且位于所述第二像素限定带所在层靠近所述衬底基板的一侧。
所述电子传输层位于所位于所述第二像素限定带所在层背离所述衬底基板的一侧。
所述阴极相较于所述阳极更靠近所述衬底基板，且所述阴极位于所述第一像素限定带靠近所述衬底基板的一侧；所述阳极位于所述第二像素限定带背离所述衬底基板的一侧。
所述发光器件还包括位于所述发光层所述阴极层之间的电子传输层，且位于所述第二像素限定带远离所述衬底基板的一侧。
所述第一像素限定带沿垂直于所述第一方向的纵截面为梯形；和/或，
所述第二像素限定带沿垂直于所述第二方向的纵截面为梯形。
第二方面，本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成多个发光器件的步骤；形成所述多个发光器件中的每个包括形成阴极、阳极和位于所述阴极和所述阳极之间的发光层；其特征在于，所述制备方法还包括：
通过构图工艺，在所述衬底基板上形成包括多条所述第一像素限定带的图形；所述多条第一像素限定带且沿所述第一方向延伸，并沿第三方向并排设置；
在衬底基板上形成多条发光带；所述多条发光带沿所述第一方向延伸，并沿第三方向并排设置；且相邻的两个所述第一像素限定带之间形成一条所述发光带；
通过构图工艺，在所述衬底基板上形成包括多条第二像素限定带的图形，且所述多条第二像素限定带沿所述第二方向延伸，并沿第四方向并排设置；所述第一方向与所述第二方向相交，所述第三方向与所述第四方向相交；其中，
所述多条第一像素限定带和所述多条第二像素限定带围成的最小区域为发光区；所述发光带在所述衬底基板上的正投影位于所述发光区中的部分作为所述发光器件的发光层。
所述阳极形成在所述第一像素限定带靠近所述衬底基板的一侧；所述阴极形成在所述第二像素限定带背离所述衬底基板的一侧。
形成所述发光器件的步骤，还包括：
在所述发光层和所述阴极之间形成电子传输层；所述电子传输层位于所述第二像素限定带靠近所述衬底基板一侧；其中，沿第一方向并排设置的多个发光器件的电子传输层为一体结构，并形成一电子传输带；所述显示基板包括多个所述电子传输带，多个所述电子传输带在所述第三方向并排设置。
形成所述发光器件的步骤，还包括：
在所述发光层和所述阴极之间形成电子传输层；且所述电子传输层形成在所述阴极层和所述第二像素限定带之间。
其特征在于，所述阴极形成在所述第一像素限定带靠近所述衬底基板的一侧；所述阳极位于所述第二像素限定带背离所述衬底基板的一侧。
形成所述发光器件的步骤，还包括：
在所述阴极和所述发光层之间形成所述电子传输层；所述电子传输层位于所述第一像素限定带靠近所述衬底基板一侧。
形成所述发光器件的步骤，还包括：
在所述发光层和所述阳极之间且靠近所述发光层一侧依次形成所述空穴传输层、所述空穴注入层。
第三方面，本公开实施例提供了一种显示装置，其上述任一所述的显示基板。
附图说明
图1为一种示例性的显示面板的平面示意图；
图2为一种示例性的像素驱动电路的示意图；
图3为一种示例性的像素驱动电路的截面图；
图4为本公开实施例的一种显示基板的结构示意图；
图5为本公开实施例的第一像素限定带的俯视图；
图6为本公开实施的发光带的俯视图；
图7为本公开实施例的第二像素限定带的俯视图；
图8为图4所示的显示基板中的电子传输层的俯视图；
图9为本公开实施例的另一种显示基板的结构示意图；
图10为本公开实施例的再一种显示基板的结构示意图
图11为本公开实施例的一种显示基板的制备方法的流程图；
图12为本公开实施例的另一种显示基板的制备方法的流程图；
图13为本公开实施例的再一种显示基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种示例性的显示面板的平面示意图，如图1所示，显示面板包括衬底基板，以及形成在衬底基板上多个像素单元0，每个像素单元0中均设置有一个像素驱动电路和一个QLED器件。该像素驱动电路可以包括7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构，例如包括驱动晶体管、数据写入晶体管、存储电容、阈值补偿晶体管、第一复位晶体管、第二复位晶体管、第一发光控制晶体管以及第二发光控制晶体管。图2为图1所示显示面板中像素驱动电路的电路图，参照图2，数据写入晶体管T4源极的与驱动晶体管T3的源极电连接，数据写入晶体管T4的漏极被配置为与数据线Vd电连接以接收数据信号，数据写入晶体管T4的栅极被配置为与第一扫描信号线Ga1电连接以接收扫描信号；存储电容Cst的第一极板CC1与第一电源电压端VDD电连接，存储电容Cst的第二极板CC2与驱动晶体管T3的栅极电连接；阈值补偿晶体管T2的源极与驱动晶体管T3的漏极电连接，阈值补偿晶体管T2的漏极与驱动晶体管T3的栅极电连接，阈值补偿晶体管T2的栅极被配置为与第二扫描信号线Ga2电连接以接收补偿控制信号；第一复位晶体管T1的源极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第一复位晶体管T1的漏极与驱动晶体管T3的栅极电连接，第一复位晶体管T1的栅极被配置为与第一复位控制信号线Rst1电连接以接收第一子复位控制信号；第二复位晶体管T7的源极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第二复位晶体管T7的漏极与发光器件D的第一电极D1电连接，第二复位晶体管T7的栅极被配置为与第二复位控制信号线Rst2电连接以接收第二子复位控制信号；第一发光控制晶体管T5的源极与第一电源电压端VDD电连接，第一发光控制晶体管T5的漏极与驱动晶体管T3的源极电连接，第一发光控制晶体管T5的栅极被配置为与第一发光控制信号线EM1电连接以接收第一发光控制信号；第二发光控制晶体管T6的源极与驱动晶体管T3的漏极电连接，第二发光控制晶体管T6的漏极与发光器件D的第一电极D1电连接，第二发光控制晶体管T6的栅极被配置为与第二发光控制信号线EM2电连接以接收第二发光控制信号；发光器件D的第二电极D3与第二电源电压端VSS电连接。
图3为图2所示像素驱动电路中第二发光控制晶体管与发光器件连接位置处的截面图，如图3所示，驱动电路层可形成在衬底基板上。举例而言，如图3所示，该驱动电路层可形成在缓冲层102上。其中，此驱动电路层可包括层间介质层103，此层间介质层103采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料，以达到阻水氧和阻隔碱性离子的效果。驱动电路层还包括薄膜晶体管和电容结构。
如图3所示，薄膜晶体管可为顶栅型，此薄膜晶体管可包括有源层104、第一栅绝缘层105、栅极106、第二栅绝缘层108、层间介质层103、源极110、漏极111。具体地，有源层104可形成在缓冲层102上，第一栅绝缘层105覆盖缓冲层102及有源层104，栅极106形成在第一栅绝缘层105背离有源层104的一侧，第二栅绝缘层108覆盖栅极106和第一栅绝缘层105，层间介质层103覆盖第二栅绝缘层108，源极110和漏极111形成在层间介质层103背离衬底基板的一侧并分别位于栅极106的相对两侧，该源极110和漏极111可分别通过过孔(例如：金属过孔)与有源层104的相对两侧接触。应当理解的是，此薄膜晶体管也可为底栅型。
如图3所示，电容结构可包括第一极板130和第二极板131，此第一极板130与栅极103同层设置，第二极板131位于第二栅绝缘层105与层间介质层103之间，并与第一极板130相对设置。
如图3所示，显示器件位于显示区，该显示器件可包括依次形成在层间介质层103上的第一电极112和像素界定部113，应当理解的是，该显示器件还可包括功能层114a和第二电极115。
详细说明，薄膜晶体管为顶栅型时，在制作显示器件之前还可制作平坦化层，此平坦化层可为单层结构，也可为多层结构；此平坦化层通常采用有机材料制作而成，例如：光刻胶、丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料；如图3所示，此平坦化层可包括平坦化部116，平坦化部116形成在层间介质层103与第一电极112之间。其中，第一电极112可通过金属过孔与漏极111电性连接，该第一电极112可为阳极，此阳极可为ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等材料制作而成；像素界定部113可覆盖平坦化部116，此像素界定部113可为有机材料制作而成，例如：光刻胶等有机材料，且像素界定部113可具有露出第一电极112的像素开口；功能层114a位于像素开口内并形成在第一电极112上，该功能层114a可包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光等；并且，根据实际不同需要，在不同的示例中，功能层114a还可以进一步包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层；第二电极115覆盖功能层114a，且该第二电极115的极性与第一电极112的极性相反；此第二电极115可为阴极，此阴极可为锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)等金属材料制作而成。
在实际应用中，显示器件常采用溶液加工方式形成显示器件内部各膜层，例如采用旋涂、刷涂、喷墨打印等溶液加工方式。虽然溶液加工方式具有成本低，工序简单等优点，但在喷涂溶液的过程中，液滴会因本身液体特性出现爬坡、咖啡环等问题，使膜层厚度不均匀。例如，当功能层114a采用量子点作为发光材料时，由于量子点是一种半导体纳米晶，因此无法通过蒸镀工艺进行加工，但因为量子点具有的溶解性，故采用溶液加工方式使用量子点溶液制备功能层114a。但在喷涂溶液的过程中，量子点液滴会因本身液体特性出现爬坡、咖啡环等问题，使膜层厚度不均匀。
需要说明的是，咖啡环指液滴在干燥过程中内部物质不断向边缘流动，最终造成液滴干燥后形成边缘位置比中央位置厚度更厚的膜层。
当前，厂家多采用喷墨打印方法制备功能层，在制备过程中因喷墨打印机不同喷嘴喷出墨滴的体积大小难以保证，导致不同像素间墨滴体积的差异，使不同像素间膜层厚度不能保持完全相同；同时，由于墨滴干燥过程中不可避免的产生爬坡和咖啡环，使像素内膜层厚度不均匀；此外，由于功能层的连续打印，使得后续功能层在本就厚度不均匀基底上进行打印，进一步加剧了显示器件膜层的不均匀性，最终导致形成膜层缺陷，降低了显示器件的性能与使用寿命。
基于上述问题，下面结合附图，对公开实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置的具体实施方式进行详细说明。
第一方面，图4为本公开实施例的一种显示基板的结构示意图；图5为本公开实施例的第一像素限定带的俯视图；图6为本公开实施的发光带的俯视图；
图7为本公开实施例的第二像素限定带的俯视图；结合图5-7所示，本公开实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板9，设置在衬底基板9上的多个发光器件，每个发光器件中的每个包括阴极8、阳极1和位于阴极8和阳极1之间的发光层50，例如：每个发光器件还包括电子传输层70、空穴传输层3、空穴注入层2。特别的是，上述发光器件还包括：设置在衬底基板9上的多条第一像素限定带4、多条发光带5、多条第二像素限定带6；多条第一像素限定带4沿第一方向延伸，沿第三方向并排设置；多条发光带5沿第一方向延伸，沿第三方向并排设置，每两个相邻的第一像素限定带4之间设置有一条发光带5；多条第二像素限定带6，设置在多条第一像素限定带4和多个发光带5背离衬底基板9的一侧；多条第二像素限定带6沿第二方向延伸、且沿第四方向并排设置；第一方向和第二方向交叉，第三方向与第四方向交叉。其中，多条第一像素限定带4和多条第二像素限定带6围成的对最小区域为发光区；发光带5在衬底基板9上的正投影位于发光区中的部分作为发光器件的发光层50。
第一像素限定带4第二像素限定带6发光带5衬底基板9发光层50
在本公开实施例中，第一方向与第四方向可以为相同方向，第二方向可以与第三方向为相同方向。当然，在实际产品中，第一方向与第四方向可以为不同方向，第二方向可以与第三方向为不同方向。在本公开实施例中也仅以第一方向与第四方向可以为相同方向，第二方向可以与第三方向为相同方向为例进行说明。在该种情况下，本公开实施例中的多个发光器件形成沿第一方向并排设置的多组，每组中的发光器件则沿第二方向并排设置。
现有技术在上述显示基板的过程中多使用多个独立发光材料液滴形成发光层50，但独立发光材料液滴干燥过程中会产生爬坡和咖啡环。由于本公开实施例的发光层50是由具有一定长度的发光带5被第一像素限定带4和第二像素限定带6分隔而成，在制备上述显示基板过程中不再需要使用独立发光材料液滴形成发光层50，因此不会出现独立发光材料液滴在干燥过程中产生爬坡和咖啡环的问题，从而有效提高了膜层的厚度均匀性，使发光器件具有良好的性能和较长的使用寿命。
以下给出三种示例，但本公开实施例并不局限于这三种显示基板的设置方案。
第一种示例，如图4所示，显示基板中的发光器件为正置型发光器件，该显示基板包括依次设置在衬底基板9上的各发光器件的阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、第一像素限定带4、发光带5、电子传输层70、第二像素限定带6、阴极8。其中，阳极1位于第一像素限定带4靠近衬底基板9的一侧，阴极8位于第二像素限定带6背离衬底基板9的一侧，阳极1相较于阴极8更靠近衬底基板9。空穴传输层3和空穴注入层2位于所述发光层50和阳极1之间，并位于第一像素限定带4靠近衬底基板9一侧，其中，空穴注入层2位于阳极1背离所述衬底基板9一侧，空穴传输层3位于空穴注入层2背离所述阳极1一侧。多条第一像素限定带4沿第一方向延伸，沿第二方向并排且设置在空穴传输层3背离空穴注入层2一侧；多条发光带5沿第一方向延伸，沿第二方向并排设置，每两相邻的第一像素限定带4之间设置有一条发光带5；多条第二像素限定带6，设置在多条第一像素限定带4和多个发光带5背离衬底基板9的一侧；多条第二像素限定带6沿第二方向延伸、且沿第一方向并排设置。电子传输层70位于发光层50和阴极8之间，且位于第二像素限定带6靠近衬底基板9的一侧。其中，多条第一像素限定带4和多条第二像素限定带6交叉设置限定出多个发光区；发光带5在衬底基板9上的正投影位于发光区中的部分作为发光器件的发光层50。
在一些示例中，如图8所示，沿第一方向并排设置的多个发光器件的电子传输层70为一体结构，并形成一电子传输带7；显示基板中的多个电子传输带7，多个电子传输带7在第二方向并排设置。也就是说，电子传输带7与发光带5一一对应设置。该种情况下，可以采用旋涂或刮涂工艺制备电子传输带7，并通过第二像素限定带6分割出各个发光器件的电子传输层70。
由于本公开实施例的发光层50是由具有一定长度的发光带5被第一像素限定带4和第二像素限定带6分隔而成，在制备上述显示基板过程中不再需要使用独立发光材料液滴形成发光层50，因此不会出现独立发光材料液滴在干燥过程中产生爬坡和咖啡环的问题，从而有效提高了膜层的厚度均匀性，使发光器件具有良好的性能和较长的使用寿命。
第二种示例，如图9所示，显示基板中的发光器件为正置型发光器件，该显示基板包括依次设置在衬底基板9上的各发光器件的阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、第一像素限定带4、发光带5、电子传输层70、第二像素限定带6、阴极8。其中，阳极1位于第一像素限定带4靠近衬底基板9的一侧，阴极8位于第二像素限定带6背离衬底基板9的一侧，阳极1相较于阴极8更靠近衬底基板9。空穴传输层3和空穴注入层2位于所述发光层50和阳极1之间，并位于第一像素限定带4靠近衬底基板9一侧，其中，空穴注入层2位于阳极1背离所述衬底基板9一侧，空穴传输层3位于空穴注入层2背离所述阳极1一侧。多条第一像素限定带4沿第一方向延伸，沿第二方向并排设置且位于在空穴传输层3背离空穴注入层2一侧；多条发光带5沿第一方向延伸，沿第二方向并排设置，每两相邻的第一像素限定带4之间设置有一条发光带5；多条第二像素限定带6，设置在多条第一像素限定带4和多个发光带5背离衬底基板9的一侧；多条第二像素限定带6沿第二方向延伸、且沿第一方向并排设置。电子传输层70位于发光层50和阴极8之间，且位于第二像素限定带6背离衬底基板9的一侧，阴极8位于电子传输层70背离第二像素限定带6一侧。其中，多条第一像素限定带4和多条第二像素限定带6交叉设置限定出多个发光区；发光带5在衬底基板9上的正投影位于发光区中的部分作为发光器件的发光层50。
该显示基板与第一种是的显示基板的区别主要在于，电子传输层70的位置不同，该显示基板中的电子传输层70位于第二像素限定带6背离衬底基板9的一侧，此时可以通过蒸镀的方式形成电子传输层70。在该种情况下，各个发光器件的电子传输层70可以为一体结构，也即形成一面状结构。
由于本公开实施例的发光层50是由具有一定长度的发光带5被第一像素限定带4和第二像素限定带6分隔而成，在制备上述显示基板过程中不再需要使用独立发光材料液滴形成发光层50，因此不会出现独立发光材料液滴在干燥过程中产生爬坡和咖啡环的问题，从而有效提高了膜层的厚度均匀性，使发光器件具有良好的性能和较长的使用寿命。将电子传输层70与阴极8相邻设置，能够使显示基板在制备过程中减少制备工序，有效降低制备工艺难度，提高制备效率。
第三种示例，如图10所示，显示基板中的发光器件为倒置型发光器件，该显示基板包括依次设置在衬底基板9上的各发光器件的阴极8、电子传输层70、第一像素限定带4、发光带5、第二像素限定带6、空穴传输层3、空穴注入层2、阳极1。其中，阴极8位于第一像素限定带4靠近衬底基板9一侧，阳极1设置在空穴注入层2背离衬底基板9一侧，阴极8相较于阳极1更靠近衬底基板9。电子传输层70设置在阴极8背离衬底基板9一侧。多条第一像素限定带4沿第一方向延伸，沿第二方向并排设置且位于在电子传输层70背离阴极8一侧；多个发光带5沿沿第一方向延伸，沿第二方向并排设置，每两相邻的第一像素限定带4之间设置有一个发光带5；多条第二像素限定带6，设置在多条第一像素限定带4和多个发光带5背离衬底基板9的一侧；多条第二像素限定带6沿第二方向延伸、且沿第一方向并排设置；第一方向和第二方向交叉。空穴注入层2、空穴传输层3位于阳极1和第二像素限定带6之间，空穴传输层3设置在第二像素限定层背离第一像素限定层一侧，空穴注入层2设置在空穴传输层3背离第二像素限定带6一侧，阳极1设置在空穴注入层2背离空穴传输层3一侧。其中，多条第一像素限定带4和多条第二像素限定带6交叉设置限定出多个发光区；发光带5在衬底基板9上的正投影位于发光区中的部分作为发光器件的发光层50。
由于本公开实施例的发光层50是由具有一定长度的发光带5被第一像素限定带4和第二像素限定带6分隔而成，在制备上述显示基板过程中不再需要使用独立发光材料液滴形成发光层50，因此不会出现独立发光材料液滴在干燥过程中产生爬坡和咖啡环的问题，从而有效提高了膜层的厚度均匀性，使发光器件具有良好的性能和较长的使用寿命。由于阴极8和电子传输层70设置在发光层50与衬底基板9之间，因此发光层50与衬底基板9之间的膜层数量相较于正置发光器件的发光层50与衬底基板9之间的膜层数量更少，有效减轻制备过程中发光层50的损伤，使发光层50更平整，提高了发光层50厚度均匀性，提高了发光器件的性能和使用寿命，使驱动电路的设计更加简单高效。
虽然本公开实施例仅公开了上述三种显示基板设置方案，但只要采用上述第一像素限定带4、发光带5、第二像素限定带6布局方案的显示基板，都能够使发光器件内部膜层的厚度更均匀，有效提高发光器件的性能和使用寿命，且能够采用上述第一像素限定带4、发光带5、第二像素限定带6布局方案的显示基板并不局限于上述三种设置方案。
在一些示例中，本公开实施例中的第一像素限定带4沿垂直于第一方向的纵截面为梯形，和/或，第二像素限定带6沿垂直于第二方向的纵截面为梯形。在本公开实施例中，以第一像素限定带4沿垂直于第一方向的纵截面为梯形，同时，第二像素限定带6沿垂直于第二方向的纵截面为梯形为例。由于工艺的原因导致第一像素限定带4沿垂直于第一方向的纵截面为梯形，以及第二像素限定带6沿垂直于第二方向的纵截面同样为梯形，如果改变工艺条件第一像素限定带4沿垂直于第一方向的纵截面，以及第二像素限定带6沿垂直于第一方向的纵截面也可以为矩形或者倒梯形等。
在一些示例中，空穴注入层2的材料为无机材料，例如钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物等。选用无机材料制备的空穴注入层2具有较好的抗水氧渗透性能、并且无机材料晶体结构稳定，可以通过高温工艺去除残留杂质，因此利用无机材料形成的空穴注入层2能够提高量子点发光二极管器件的整体效率和稳定性。
在一些示例中，空穴传输层3的材料为钼氧化物、钒氧化物、钨氧化物或镍氧化物等无机材料。采用无机材料制备的空穴传输层3具有较好的抗水氧渗透性能、并且无机材料晶体结构稳定，可以通过高温工艺去除残留杂质，因此利用无机材料形成的空穴传输层3能够提高量子点发光二极管器件的整体效率及稳定性。
在一些示例中，空穴传输层3具有孔隙，在具有孔隙的空穴传输层3上形成发光层50时，发光层50的材料例如量子点可以首先填充到空穴传输层3的孔隙中，然后再形成一层致密的发光层50，从而量子点发光材料可以与空穴传输层3充分接触，增大空穴传输层3与发光层50的接触面积，因此可以增加发光层50中空穴的注入量，使得发光层50中的载流子(例如电子和空穴)的数量更加平衡。
在一些示例中，发光层50的材料包括但不限于硅量子点材料、锗量子点材料、硫化镉量子点材料、硒化镉量子点材料、碲化镉量子点材料、硒化锌量子点材料、硫化铅量子点材料、硒化铅量子点材料、磷化铟量子点材料或砷化铟量子点材料等各种量子点材料。以量子点材料制成的发光层50具有光谱可调，发光强度大、色纯度高、单光源可激发多色荧光等优点。
在一些示例中，阴极8、阳极1为透明的导电材料，有利于在具有良好导电性能的同时保证出光亮度。上述电极材料包括但不限于氟掺氧化锡(FTO)、铟锌氧化物(IZO)、铝掺氧化锌(AZO)、锑掺氧化锌(ATO)、镓掺氧化锌、镉掺氧化锌、铜铟氧化物(ICO)、氧化锡(SnO2)、氧化锆(ZrO2)、铝(Al)、钙(Ca)、钡(Ba)、银(Ag)中的一种或多种。
由于本公开实施例的发光层50是由具有一定长度的发光带5被第一像素限定带4和第二像素限定带6分隔而成，因而避免了在制备上述显示基板的过程中由多个独立发光材料液滴干燥形成发光层50，故避免了发光材料液滴产生爬坡和咖啡环，形成厚度不均的膜层，降低器件性能和使用寿命。
第二方面，本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，该方法可用于制备上述的任一显示基板；该制备方法具体可以包括：在衬底基板9上形成多个发光器件；形成多个发光器件中的每个包括在衬底基板9上形成阴极8、阳极1和位于阴极8和阳极1之间的发光层50；其特征在于，制备方法还包括：在衬底基板9上形成多条第一像素限定带4，多条第一像素限定带4在沿第一方向延伸、且沿第二方向并排；在衬底基板9上，且位于相邻设置的第一像素限定带4之间形成发光带5；多条发光带5沿第一方向延伸、且沿第二方向并排；在发光带5和第一像素限定带4背离衬底基板9的一侧形成多条第二像素限定带6；多条第二像素限定带6沿第二方向延伸、且沿第一方向并排设置；第一方向和第二方向交叉；其中，多条第一像素限定带4和多条第二像素限定带6围成的最小区域为发光区；发光带5在衬底基板9上的正投影位于发光区中的部分作为发光器件的发光层50。
本公开实施例所提供的显示基板的制备方法将直接由发光材料液滴干燥形成发光层50改变为在两相邻第一像素限定带4间形成具有一定长度的发光带5，再由第一像素限定带4和第二像素限定带6将发光带5分隔成多个发光层50，避免了发光材料液滴产生爬坡和咖啡环的问题，使制备得到的发光器件厚度均匀，有效提高了发光器件的性能和使用寿命。
在一些示例中，阳极1形成在第一像素限定带4靠近衬底基板9的一侧；阴极8形成在第二像素限定带6背离衬底基板9的一侧。在阳极1和发光层50之间依次形成空穴注入层2和空穴传输层3；空穴注入层2和空穴传输层3位于第一像素限定带4靠近衬底基板9一侧；在发光层50和阴极8之间形成电子传输层70；电子传输层70位于第二像素限定带6靠近衬底基板9一侧。
在一个示例中，如图11所示，该显示基板的制备方法，具体可以包括以下步骤：
S101：在衬底基板9上形成阳极1。
在一些示例中，步骤S101具体可以包括：分别用乙醇和去离子水，超声清洗ITO(氧化铟锡，Indium tin oxide)玻璃基片各15分钟后烘干，再用紫外灯照射处理ITO玻璃基片10分钟，制备得到阳极1，紫外灯照射处理后，阳极1表面功函数高，表面化学稳定性良好。
S102：在阳极1上形成空穴注入层2。
在一些示例中，步骤S102具体可以包括：在阳极1背离衬底基板9一侧旋涂沉积PEDOT:PSS(导电聚合物水溶液)，在120℃环境下退火15分钟，得到平坦的空穴注入层2。
S103：在空穴注入层2上形成空穴传输层3。
在一些示例中，步骤S103具体可以包括：在空穴注入层2背离阳极1一侧旋涂TFB(氯苯)溶液，在120℃环境下退火处理15分钟，得到空穴传输层3。
S104：在空穴传输层上形成多条第一像素限定带4，如图5所示。
在一些示例中，步骤S104具体可以包括：在空穴传输层3背离衬底基板9一侧通过打印或印刷的方式形成沿第一方向延伸、且沿第二方向并排的多条第一像素限定带4，接着通过紫外光照射或退火处理使第一像素限定带4固化。
S105：在相邻第一像素限定带4间形成发光带5，如图6所示。
在一些示例中，步骤S105具体可以包括：在相邻第一像素限定带4间打印或刷印R、G、B发光材料墨水，并水平放置5分钟，使发光材料墨水充分流平，然后将基板转移至真空干燥腔室进行减压干燥，最后在100℃环境下加热退火处理15分钟，形成厚度均匀的多个发光带5。
S106：在发光带5上、相邻第一像素限定带4间形成电子传输层带70，如图8所示。也即，电子传输带7沿第一方向延伸。
在一些示例中，步骤S106具体可以包括：在发光带5背离衬底基板9一侧，相邻第一像素限定带4间打印或刷印氧化锌纳米粒子墨水，并水平放置5分钟，使氧化锌纳米粒子墨水充分流平，然后将基板转移至真空干燥腔室进行减压干燥，最后在100℃环境下退火处理15分钟，形成厚度均匀的电子传输层70。
S107：在第一像素限定带4上形成多条第二像素限定带6，如图7所示。此时，多条第二像素限定带6将发光带5分割成位于发光区的多个发光层50，以及将电子传输带7分割成位于发光区的多个电子传输层70。
在一些示例中，步骤S107具体可以包括：在第一像素限定带4背离衬底基板9一侧通过打印或印刷的方式形成沿第二方向延伸、且沿第一方向并排的多条第二像素限定带6，接着通过紫外光照射或退火处理使第二像素限定带6固化。多条第一像素限定带4和多条第二像素限定带6交叉设置限定出多个发光区；发光带5在衬底基板9上的正投影位于发光区中的部分作为发光器件的发光层50。
S108：在第二像素限定带6上形成阴极8。
在一些示例中，步骤S108具体可以包括：在第二像素限定带6背离所述衬底基板9一侧通过蒸镀工艺形成阴极8。
在一些示例中，阳极1形成在第一像素限定带4靠近衬底基板9的一侧；阴极8形成在第二像素限定带6背离衬底基板9的一侧。在阳极1和发光层50之间依次形成空穴注入层2和空穴传输层3；空穴注入层2和空穴传输层3位于第一像素限定带4靠近衬底基板9一侧；在发光层50和阴极8之间形成电子传输层70；电子传输层70位于第二像素限定带6靠近衬底基板9一侧。
S201：在衬底基板9上形成阳极1。
在一些示例中，步骤S201具体可以包括：分别用乙醇和去离子水，超声清洗ITO(氧化铟锡，Indium tin oxide)玻璃基片各15分钟后烘干，再用紫外灯照射处理ITO玻璃基片10分钟，制备得到阳极1，紫外灯照射处理后，阳极1表面功函数高，表面化学稳定性良好。
S202：在阳极1上形成空穴注入层2。
在一些示例中，步骤S202具体可以包括：在阳极1背离衬底基板9一侧旋涂沉积PEDOT:PSS(导电聚合物水溶液)，在120℃环境下退火15分钟，得到平坦的空穴注入层2。
S203：在空穴注入层2上形成空穴传输层3。
在一些示例中，步骤S203具体可以包括：在空穴注入层2背离阳极1一侧旋涂TFB(氯苯)溶液，在120℃环境下退火处理15分钟，得到空穴传输层3。
S204：在空穴传输层3上形成多条第一像素限定带4。
在一些示例中，步骤S204具体可以包括：在空穴传输层3背离衬底基板9一侧通过打印或印刷的方式形成沿第一方向延伸、且沿第二方向并排的多条第一像素限定带4，接着通过紫外光照射或退火处理使第一像素限定带4固化。
S205：在相邻第一像素限定带4间形成发光带5。
在一些示例中，步骤S205具体可以包括：在相邻第一像素限定带4间打印或刷印R、G、B发光材料墨水，并水平放置5分钟，使发光材料墨水充分流平，然后将基板转移至真空干燥腔室进行减压干燥，最后在100℃环境下加热退火处理15分钟，形成厚度均匀的多个发光带5。
S206：在发光带5和第一像素限定带4上形成多条第二像素限定带6。
在一些示例中，步骤S206具体可以包括：在发光带5和第一像素限定带4背离衬底基板9一侧通过打印或印刷的方式形成沿第二方向延伸、且沿第一方向并排的多条第二像素限定带6，接着通过紫外光照射或退火处理使第二像素限定带6固化。多条第一像素限定带4和多条第二像素限定带6交叉设置限定出多个发光区；发光带5在衬底基板9上的正投影位于发光区中的部分作为发光器件的发光层50。
S207：在第二像素限定带6上形成电子传输层70。
在一些示例中，步骤S207具体可以包括：在第二像素限定带6背离衬底基板9一侧打印或刷印氧化锌纳米粒子墨水，并水平放置5分钟，使氧化锌纳米粒子墨水充分流平，然后将基板转移至真空干燥腔室进行减压干燥，最后在100℃环境下退火处理15分钟，形成厚度均匀的电子传输层70。
S208：在电子传输层70上形成阴极8。
在一些示例中，步骤S208具体可以包括：在电子传输层70背离所述衬底基板9一侧通过蒸镀工艺形成阴极8。
在一些示例中，阴极8形成在第一像素限定带4靠近衬底基板9的一侧；阳极1位于第二像素限定带6背离衬底基板9的一侧。在阴极8和发光层50之间形成电子传输层70；电子传输层70位于第一像素限定带4靠近衬底基板9一侧；在发光层50和阳极1之间且靠近发光层50一侧依次形成空穴传输层3、空穴注入层2，空穴传输层3和空穴注入层2位于第二像素限定带6背离衬底基板9的一侧。
S301：形成阴极8。
在一些示例中，步骤S301具体可以包括：分别用乙醇和去离子水，超声清洗ITO(氧化铟锡，Indium tin oxide)玻璃基片各15分钟后烘干，再用紫外灯照射处理ITO玻璃基片10分钟，制备得到阴极8，紫外灯照射处理后，阴极8表面功函数高，表面化学稳定性良好。
S302：在阴极8上形成电子传输层70。
在一些示例中，步骤S302具体可以包括：在阴极8背离衬底基板9一侧旋涂氧化锌纳米粒子溶液，并在100℃的环境下退火处理15分钟，形成厚度均匀的电子传输层70。
S303：在电子传输层70上形成多条第一像素限定带4。
在一些示例中，步骤S303具体可以包括：在电子传输层70背离衬底基板9一侧通过打印或印刷的方式形成沿第一方向延伸、且沿第二方向并排的多条第一像素限定带4，接着通过紫外光照射或退火处理使第一像素限定带4固化。
S304：在电子传输层70上、相邻第一像素限定带4间形成多个发光带5。
在一些示例中，步骤S304具体可以包括：在电子传输层70背离衬底基板9一侧相邻第一像素限定带4间打印或刷印R、G、B发光材料墨水，并水平放置5分钟，使发光材料墨水充分流平，然后将基板转移至真空干燥腔室进行减压干燥，最后在100℃环境下加热退火处理15分钟，形成厚度均匀的多个发光带5。
S305：在发光带5、第一像素限定带4上形成多个第二像素限定带6。
在一些示例中，步骤S305具体可以包括：在发光带5和第一像素限定带4背离衬底基板9一侧通过打印或印刷的方式形成沿第二方向延伸、且沿第一方向并排的多条第二像素限定带6，接着通过紫外光照射或退火处理使第二像素限定带6固化。多条第一像素限定带4和多条第二像素限定带6交叉设置限定出多个发光区；发光带5在衬底基板9上的正投影位于发光区中的部分作为发光器件的发光层50。
S306：在第二像素限定带6上形成空穴传输层3。
在一些示例中，步骤S306具体可以包括：在第二像素限定带6背离衬底基板9一侧旋涂TFB(氯苯)溶液，在120℃环境下退火处理15分钟，得到空穴传输层3。
S307：在空穴传输层3上形成空穴注入层2。
在一些示例中，步骤S307具体可以包括：在空穴传输层3背离衬底基板9一侧旋涂沉积PEDOT:PSS(导电聚合物水溶液)，在120℃环境下退火15分钟，得到平坦的空穴注入层2。
S308：在空穴注入层2上形成阳极1。
在一些示例中，步骤S308具体可以包括：在空穴注入层2背离所述衬底基板9一侧通过蒸镀工艺形成阳极1。
由于本公开实施例的发光层50在制备过程中不是由多个独立发光材料液滴干燥形成的，而是在相邻第一像素限定带4间由发光材料液体干燥形成具有一定长度的发光带5，然后发光带5被第一像素限定带4和第二像素限定带6分隔形成多个发光层50，故发光层50在制备过程中避免了发光材料液滴产生爬坡和咖啡环，形成厚度不均的膜层，降低器件性能和使用寿命。
第三方面，本公开实施例提供了一种显示装置，其包括上述的任意一种量子点发光二极管，故本实施例的显示装置的具有很好的发光效率和使用寿命。该显示装置可以为：电子纸、QLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种显示基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的多个发光器件；所述多个发光器件中的每个包括阴极、阳极和位于所述阴极和所述阳极之间的发光层；其特征在于，还包括：
多条第一像素限定带，设置在所述衬底基板，且沿第一方向延伸，并沿第三方向并排设置；
多条发光带，设置在所述衬底基板上，且沿所述第一方向延伸，并沿第三方向并排设置；相邻的两个所述第一像素限定带之间设置有一条所述发光带；
多条第二像素限定带，设置在所述衬底基板上，且沿第二方向延伸，并沿第四方向并排设置；所述第一方向与所述第二方向相交，所述第三方向与所述第四方向相交；其中，
所述多条第一像素限定带和所述多条第二像素限定带围成的最小区域为发光区；所述发光带在所述衬底基板上的正投影位于所述发光区中的部分作为所述发光器件的发光层；
所述发光器件还包括位于所述发光层和所述阴极之间的电子传输层；沿第一方向并排设置的多个所述发光器件的电子传输层为一体结构，并形成一电子传输带；所述显示基板包括多个所述电子传输带，多个所述电子传输带在所述第三方向并排设置；其中 ，
所述电子传输层位于所述发光层和所述阴极之间，且位于所述第二像素限定带所在层靠近所述衬底基板的一侧；或
所述电子传输层位于所位于所述第二像素限定带所在层背离所述衬底基板的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阳极相较于所述阴极更靠近所述衬底基板；且所述阳极位于所述第一像素限定带靠近所述衬底基板的一侧；所述阴极位于所述第二像素限定带背离所述衬底基板的一侧。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阴极相较于所述阳极更靠近所述衬底基板，且所述阴极位于所述第一像素限定带靠近所述衬底基板的一侧；所述阳极位于所述第二像素限定带背离所述衬底基板的一侧。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述发光器件还包括位于所述发光层所述阴极层之间的电子传输层，且位于所述第二像素限定带远离所述衬底基板的一侧。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素限定带沿垂直于所述第一方向的纵截面为梯形；和/或，
所述第二像素限定带沿垂直于所述第二方向的纵截面为梯形。
6.一种显示基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成多个发光器件的步骤；形成所述多个发光器件中的每个包括形成阴极、阳极和位于所述阴极和所述阳极之间的发光层；其特征在于，所述制备方法还包括：
通过构图工艺，在所述衬底基板上形成包括多条第一像素限定带的图形；所述多条第一像素限定带且沿第一方向延伸，并沿第三方向并排设置；
在衬底基板上形成多条发光带；所述多条发光带沿所述第一方向延伸，并沿第三方向并排设置；且相邻的两个所述第一像素限定带之间形成一条所述发光带；
通过构图工艺，在所述衬底基板上形成包括多条第二像素限定带的图形，且所述多条第二像素限定带沿第二方向延伸，并沿第四方向并排设置；所述第一方向与所述第二方向相交，所述第三方向与所述第四方向相交；其中，
所述多条第一像素限定带和所述多条第二像素限定带围成的最小区域为发光区；所述发光带在所述衬底基板上的正投影位于所述发光区中的部分作为所述发光器件的发光层；
形成所述发光器件的步骤，还包括：
在所述发光层和所述阴极之间形成电子传输层；所述电子传输层位于所述第二像素限定带靠近所述衬底基板一侧；其中，沿第一方向并排设置的多个发光器件的电子传输层为一体结构，并形成一电子传输带；所述显示基板包括多个所述电子传输带，多个所述电子传输带在所述第三方向并排设置；或
形成所述发光器件的步骤，还包括：
在所述发光层和所述阴极之间形成电子传输层；且所述电子传输层形成在所述阴极层和所述第二像素限定带之间。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述阳极形成在所述第一像素限定带靠近所述衬底基板的一侧；所述阴极形成在所述第二像素限定带背离所述衬底基板的一侧。
8.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述阴极形成在所述第一像素限定带靠近所述衬底基板的一侧；所述阳极位于所述第二像素限定带背离所述衬底基板的一侧。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，形成所述发光器件的步骤，还包括：
在所述阴极和所述发光层之间形成电子传输层；所述电子传输层位于所述第一像素限定带靠近所述衬底基板一侧。
10.根据权利要求6-9中任一项所述的显示基板的制备方法，其特征在于，形成所述发光器件的步骤，还包括：
在所述发光层和所述阳极之间且靠近所述发光层一侧依次形成空穴传输层、空穴注入层。
11.一种显示装置，其包括权利要求1-5中任一项所述的显示基板。
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