CN108878468A - 一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置，其中，显示基板的制作方法包括：提供一第一衬底；显示基板包括：设置在第一衬底上的多个像素区域；在第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极；在每个像素区域中：发光层包括多个间隔设置的发光单元，阳极和阴极均为整个连通的导电层，发光单元分别与阳极和阴极连接。本发明提供的技术方案通过将发光层设置为多个间隔设置的发光单元，当像素对应的阳极或发光层存在局部脏污或者灰尘时，部分键合良好的发光单元仍会发光，避免了当像素对应的阳极或发光层存在局部脏污或者灰尘时，造成的整个像素不亮的技术问题，提高了显示面板的良品率和显示效果。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术，具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术
Micro发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)技术，即LED微缩化和矩阵化技术，具体指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列。目前常用的发光二极管是氮化镓GaN基发光二极管LED，其实现了蓝光发光，完善了色谱，在彩色显示和照明领域得到了广泛的关注，市场前景越来越广。
现有的显示面板包括：阵列基板、发光层和阴极，其中，阵列基板包括：基底、设置在基底上的薄膜晶体管和设置在薄膜晶体管上，且与漏电极连接的阳极，其中，阳极和发光层通过键合连接。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够避免阳极与发光层键合不良导致的像素不亮的技术问题，提高了显示面板的良品率和显示效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，所述方法包括：
提供一第一衬底；显示基板包括：设置在第一衬底上的多个像素区域；
在所述第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极；
在所述每个像素区域中：所述发光层包括多个间隔设置的发光单元，所述阳极和所述阴极均为整个连通的导电层，所述发光单元分别与所述阳极和所述阴极连接。
可选地，所述在所述第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极包括：
在所述第一衬底的一侧形成阳极；所述阳极包括：间隔设置，且相互连接的子电极；
在第二衬底的一侧形成发光层；
将所述第一衬底形成阳极的一侧与所述第二衬底形成发光层的一侧键合；
移除所述第二衬底；
在所述发光层远离所述第一衬底的一侧形成绝缘层；其中，所述绝缘层包括与所述子电极对应的第一过孔；
以所述绝缘层为掩膜板，采用湿法刻蚀工艺进行刻蚀；
在所述绝缘层上形成阴极。
可选地，所述在第二衬底的一侧形成发光层包括：
在所述第二衬底的一侧形成N型半导体层；
在所述N型半导体层远离所述第二衬底的一侧形成多量子阱层；
在所述多量子阱层远离所述第二衬底的一侧形成P型半导体层；
在所述P型半导体层远离所述第二衬底的一侧形成欧姆接触层；
在所述欧姆接触层远离所述第二衬底的一侧形成扩散阻挡层；
在扩散阻挡层远离所述第二衬底的一侧形成反射层；
在所述反射层远离第二衬底的一侧形成粘附层。
可选地，所述将所述第一衬底形成阳极的一侧与所述第二衬底形成发光层的一侧键合包括：
采用倒装焊设备或者晶圆键合设备，在1-50千牛，温度低于300摄氏度下将所述第一衬底形成阳极的一侧与所述第二衬底形成发光层的一侧键合。
可选地，所述移除所述第二衬底包括：
采用混合指示剂对第二衬底进行减薄，使所述第二衬底的厚度小于或者等于100微米；
对减薄处理后的第二衬底进行移除。
可选地，所述第一过孔在第一衬底上的正投影与所述子电极在第一衬底上的正投影重合；
第二方面，本发明实施例还提供一种显示基板，包括：设置在第一衬底上的多个像素区域，所述显示基板包括：设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极；
在所述每个像素区域中：所述发光层包括多个间隔设置的发光单元，所述阳极和所述阴极均为整个连通的导电层，所述发光单元分别与所述阳极和所述阴极连接。
可选地，所述阳极包括：间隔设置，且相互连接的子电极；
所述显示基板还包括：设置在所述发光层远离第一衬底的一侧的绝缘层；
其中，所述绝缘层包括与所述子电极对应的第一过孔；
可选地，所述第一过孔在第一衬底上的正投影与所述子电极在第一衬底上的正投影重合。
可选地，所述阳极的形状为网状或面状。
可选地，所述绝缘层的材料包括：氧化硅、氮化硅或者光刻胶。
可选地，所述发光单元包括：金属层、P型半导体层、多量子阱层和N型半导体层；
所述金属层设置在所述阳极远离第一衬底的一侧；
所述P型半导体层设置在所述金属层远离第一衬底的一侧；
所述多量子阱层设置在所述P型半导体层远离第一衬底的一侧；
所述N型半导体层设置在所述多量子阱层远离第一衬底的一侧。
可选地，所述金属层包括：欧姆接触层、扩散阻挡层、反射层和黏附层；
所述黏附层设置在所述阳极远离第一衬底的一侧；
所述反射层设置在所述黏附层远离第一衬底的一侧；
所述扩散阻挡层设置在所述反射层远离第一衬底的一侧；
所述欧姆接触层设置在所述扩散阻挡层远离第一衬底的一侧。
第三方面，本发明实施例还提供一种显示面板，包括：上述显示基板。
第四方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括：上述显示面板。
本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置，其中，显示基板的制作方法包括：提供一第一衬底；显示基板包括：设置在第一衬底上的多个像素区域；在第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极；在每个像素区域中：发光层包括多个间隔设置的发光单元，阳极和阴极均为整个连通的导电层，发光单元分别与阳极和阴极连接。本发明提供的技术方案通过将发光层设置为多个间隔设置的发光单元，当像素对应的阳极或发光层存在局部脏污或者灰尘时，部分键合良好的发光单元仍会发光，避免了当像素对应的阳极或发光层存在局部脏污或者灰尘时，造成的整个像素不亮的技术问题，提高了显示面板的良品率和显示效果。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为现有显示基板的俯视图；
图2为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图3A为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的示意图一；
图3B为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的示意图二；
图3C为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的示意图三；
图3D为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的示意图四；
图3E为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的示意图五。
图3F为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的示意图六；
图3G为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的示意图七；
图4为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的显示基板的俯视图一；
图6为本发明实施例提供的显示基板的俯视图二；
图7为本发明实施例提供的显示基板的侧视图一；
图8为本发明实施例提供的键合不良时显示基板的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的显示基板的侧视图二；
图10为本发明实施例提供的显示基板的俯视图三；
图11为图10对应的侧视图；
图12为本发明实施例提供的显示基板的侧视图三。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
除非另外定义，本发明实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为现有的显示基板的俯视图，如图1所示，显示基板包括多个设置在衬底基板1上的像素区域，显示基板包括设置在每个像素区域中的阳极2和发光层3，现有技术中每个像素区域中发光层为面状结构。
经发明人研究发现，若像素对应的阳极或发光层存在局部脏污或者灰尘，会使得阳极或发光层键合不良，进而造成整个像素不亮，降低了显示面板的良品率和显示效果。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
实施例一
图2为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的流程图，如图2所示，本发明实施例提供的显示基板的制作方法，具体包括以下步骤：
步骤100、提供一第一衬底。
其中，显示基板包括：设置在第一衬底上的多个像素区域。
可选地，第一衬底包括：玻璃基底或石英基底。
步骤200、在第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极。
其中，在每个像素区域中，发光层包括多个间隔设置的发光单元，阳极和阴极均为整个连通的导电层，发光单元分别与阳极和阴极连接。
具体的，在第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极之前，本发明实施例提供的显示基板的制作方法，还包括：在第一衬底上形成薄膜薄膜晶体管。
具体的，在玻璃基板上依次形成栅极、栅绝缘层；有源层、层间介质层、源漏极和钝化层，或者在玻璃基板上依次形成有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极和钝化层，本发明实施例并不具体限定薄膜晶体管的结构。
可选地，栅极为厚度为200纳米，栅绝缘层的厚度为150nm；有源层的厚度为40nm，源漏极的厚度为200nm，钝化层的厚度为300nm。
可选地，阳极的材料为金属或者合金，可以为单层结构或者多层结构，例如阳极可以为三层的钛Ti/铝Al/钛Ti结构，本发明实施例并不对阳极的材料和结构进行具体限定。
可选地，阳极的厚度为400纳米。阳极的形状为网状或面状，本发明实施例对此不作任何限定。
可选地，阴极的材料为金属或者合金，可以为单层结构或者多层结构，本发明实施例并不对阴极的材料和结构进行具体限定。阴极的形状为网状或面状，本发明实施例对此不作任何限定。
本发明实施例提供的显示基板的制作方法包括：提供一第一衬底；显示基板包括：设置在第一衬底上的多个像素区域；在第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极；在每个像素区域中，发光层包括多个间隔设置的发光单元，阳极和阴极均为整个连通的导电层，发光单元分别与阳极和阴极连接。本发明提供的技术方案通过将发光层设置为多个间隔设置的发光单元，当像素对应的阳极或发光层存在局部脏污或者灰尘时，部分键合良好的发光单元仍会发光，避免了当像素对应的阳极或发光层存在局部脏污或者灰尘时，造成的整个像素不亮的技术问题，提高了显示面板的良品率和显示效果。
可选地，步骤200包括：在第一衬底的一侧形成阳极；阳极包括：间隔设置，且相互连接的子电极；在第二衬底的一侧形成发光层；将第一衬底形成阳极的一侧与第二衬底形成发光层的一侧键合；移除第二衬底；在发光层远离第一衬底的一侧形成绝缘层；以绝缘层为掩膜板，采用湿法刻蚀工艺进行刻蚀；在绝缘层上形成阴极。
其中，绝缘层包括与子电极对应的第一过孔，其中对应是指第一过孔和子电极在第一衬底上的正投影的位置对应，优选的，将第一过孔在在第一衬底上的正投影与子电极在第一衬底上的正投影设置为重合。
可选地，第二衬底为硅基底。
可选地，第一过孔只暴露出发光单元的局部，即第一过孔的尺寸小于发光单元的尺寸，也就是说，发光单元在第一衬底上的正投影覆盖第一过孔在第一衬底上的正投影。
可选地，绝缘层的制作材料包括：光刻胶、氧化硅或氮化硅，绝缘层的厚度为3微米。
需要说明的是，绝缘层能够用于在形成阴极之前对阳极进行刻蚀，将于发光单元键合不良的子电极消除，以避免阳极与阴极直接接触造成短路。
可选地，在第一衬底的一侧形成阳极之后，还可以在阳极上沉积厚度500纳米的镍/铟作为粘附层与发光层键合。
可选地，在第二衬底上形成发光层包括：在第二衬底的一侧形成N型半导体层；在N型半导体层远离第二衬底的一侧形成多量子阱层；在多量子阱层远离第二衬底的一侧形成P型半导体层；在P型半导体层远离第二衬底的一侧形成欧姆接触层；在欧姆接触层远离第二衬底的一侧形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层远离第二衬底的一侧形成反射层；在反射层远离第二衬底的一侧形成粘附层。
可选地，N型半导体层为掺硅Si的氮化镓，例如用硅烷对掺杂剂，本发明实施例并不限定掺杂剂，只要包括Si材料即可。
可选地，多量子阱层的制作材料包括：氮化铟镓InGaN/氮化镓/GaN。采用InGaN/GaN作为制作材料的多量子阱层具有高效、环保、节能、寿命长等显著特性。
可选地，P型半导体层为掺镁Mg的氮化镓，例如用二茂镁作为掺杂剂，本发明实施例并不限定掺杂剂，只要包括Si材料即可。
可选地，欧姆接触层的制作材料为Ni/Au，其厚度分别为5纳米/5纳米。
可选地，扩散阻挡层，用于避免电流扩散，扩散阻挡层的制作材料为钛Ti，其厚度为200纳米。
可选地，反射层，用于反射光，反射层的制作材料为银Ag，其厚度为200纳米。
可选地，黏附层，用于粘结阳极和发光层，其制作材料为铟或锡，厚度为500纳米。
可选地，将第一衬底形成阳极的一侧与第二衬底形成发光层的一侧键合包括：采用倒装焊设备或者晶圆键合设备，在1-50千牛，温度低于300摄氏度下将第一衬底形成阳极的一侧与第二衬底形成发光层的一侧键合。
本发明实施例中，在1-50千牛，温度低于300摄氏度下键合，能够保证粘附层和反射层不发生融化，保证显示面板的产品质量，
可选地，移除第二衬底包括：采用混合指示剂对第二衬底进行减薄，使第二衬底的厚度小于或者等于100微米；对减薄处理后的第二衬底进行移除。
具体的，采用包括硝酸、氢氟酸和醋酸的混合溶液对减薄处理后的第二衬底进行移除。
下面结合图3A-图3E，进一步地具体描述本发明实施例提供的显示基板的制作方法，其中，构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀以及光刻胶剥离等工艺。
步骤301、提供第一衬底10，在第一衬底上形成薄膜晶体管20和阳极11，具体如图3A所示。
可选地，第一衬底10为透明的玻璃基底或石英基底。在形成薄膜晶体管之前，需要对第一衬底进行清洗。
具体的，在第一衬底上形成薄膜晶体管包括：在第一衬底上依次形成栅极、栅绝缘层；有源层、层间介质层、源漏极和钝化层，或者在玻璃基板上依次形成有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极和钝化层。
可选地，栅极为厚度为200纳米，栅绝缘层的厚度为150nm；有源层的厚度为40nm，源漏极的厚度为200nm，钝化层的厚度为300nm。
可选地，阳极11与薄膜晶体管的漏电极连接，具体的，在薄膜晶体管上依次沉积第一金属薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺形成阳极11。
可选地，第一金属薄膜的材料为Ti/Al/Ti，其厚度为400nm，
可选地，第二金属薄膜的制作材料为Au，其厚度为500nm。
步骤302、提供一第二衬底30，在第二衬底30上依次形成包括：N型半导体层121、多量子阱层122、P型半导体层123、欧姆接触层124、扩散阻挡层125、反射层126和粘附层127的发光层，具体如图3B所示。
可选地，第二衬底为硅衬底。
具体的，在第二衬底30的一侧形成N型半导体层之前，需要将第二衬底30用硫酸H2SO4和双氧水H2O2清洗，再用2％氢氟酸溶液腐蚀5min左右，接着用去离子水清洗，然后用氮气N2吹干，在氢气H2气氛中高温进行处理，以去除硅衬底表面的氧化物，在第二衬底上形成缓冲层。
具体的，在第二衬底上形成缓冲层包括：将清洗后的硅衬底放入MOCVD反应室中，将MOCVD反应室升至600摄氏度，压力为100Torr，同时通入三甲基铝和氮气，生长10分钟，在硅衬底上发生反应，生成厚度为50纳米的氮化镓作为缓冲层。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示基板的制作方法可以以高纯氢气或氮气作为载气，以三甲基镓(TMGa)、三乙基嫁(TEGa)、三甲基铟(TMIn)和氨气(NH3)分别作为嫁源、铟源和氮源。
可选地，N型半导体层为掺硅Si的氮化镓，例如用硅烷对掺杂剂，本发明实施例并不限定掺杂剂，只要包括Si材料即可。
可选地，多量子阱层的制作材料包括：氮化铟镓InGaN/氮化镓/GaN。采用InGaN/GaN作为制作材料的多量子阱层具有高效、环保、节能、寿命长等显著特性。
可选地，P型半导体层为掺镁Mg的氮化镓，例如用二茂镁作为掺杂剂，本发明实施例并不限定掺杂剂，只要包括Si材料即可。
可选地，欧姆接触层的制作材料为Ni/Au，其厚度分别为5纳米/5纳米。
可选地，扩散阻挡层，用于避免电流扩散，扩散阻挡层的制作材料为钛Ti，其厚度为200纳米。
可选地，反射层，用于反射光，反射层的制作材料为银Ag，其厚度为200纳米。
可选地，黏附层，用于粘结阳极和发光层，其制作材料为铟或锡，厚度为500纳米。
步骤303、采用耦合等离子体刻蚀工艺将发光层分割成为多个发光单元120，具体如图3C所示。
可选地，发光单元的形状可以为矩形，本发明实施例对此不作任何限定。
步骤304、将步骤301形成的第一衬底形成阳极的一侧与步骤303形成的第二衬底形成发光层的一侧键合，具体如图3D所示。
具体的，采用倒装焊或者晶圆键合设备，在1-50千牛，温度低于300摄氏度的环境下进行键合。
步骤305、采用混合指示剂对第二衬底30进行减薄，使其低于100微米，并将第二衬底30进行移出，具体如图3E所示。
步骤306、在发光层远离第一衬底10的一侧形成绝缘层14；以绝缘层14为掩膜板，采用湿法刻蚀工艺刻蚀进行刻蚀，具体如图3F所示。
其中，绝缘层包括第一过孔，其中，第一过孔在第一衬底上的正投影与子电极在第一衬底上的正投影重合。
具体的，采用刻蚀液来刻蚀阳极，其中，刻蚀液可以为盐酸或者其他能够刻蚀阳极的材料，本发明实施例对此不作任何限定。
可选地，绝缘层的制作材料包括：光刻胶、氧化硅或氮化硅，绝缘层的厚度为3微米。
步骤307、在绝缘层14上形成阴极13，具体如图3G所示。
其中，阴极通过绝第二过孔与发光层连接。
步骤308、在阴极上形成彩膜。
其中，彩膜包括：红色、绿色或者蓝色彩膜。
实施例二
基于上述实施例的发明构思，图4为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图，如图4所示，本发明实施例提供的显示基板包括：设置在第一衬底10上的多个像素区域110，图5为本发明实施例提供的显示基板的俯视图一，图6为本发明实施例提供的显示基板的俯视图二，图7为本发明实施例提供的显示基板的侧视图一，如图5～7所示，本发明实施例提供的显示基板包括：设置在每个像素区域上的阳极11、发光层12和阴极13。
在本实施例中，在每个像素区域，发光层12包括多个间隔设置的发光单元120，阳极和阴极均为整个连通的导电层，发光单元分别与阳极和阴极连接。
具体的，如图7所示，显示基板还包括：设置在第一衬底10上的薄膜晶体管20，其中，薄膜晶体管20的漏电极与阳极11连接。
可选地，第一衬底10为透明的玻璃基底或者石英基底，本发明实施例对此不作任何限定。
可选地，发光单元120的形状可以为矩形，本发明实施例并不具体限定发光单元的形状。需要说明的是，图5和图6均为一个像素区域的结构图。
可选地，阳极11的材料为金属或者合金，可以为单层结构或者多层结构，例如阳极可以为三层的钛Ti/铝Al/钛Ti结构，本发明实施例并不对阳极的材料和结构进行具体限定。
可选地，阳极11的厚度为400纳米。阳极11的形状为网状或面状，需要说明的是，如图5是以阳极的形状为面状为例进行说明的，图6是以阳极的形状为网状为例进行说明的，本发明实施例对此不作任何限定。
可选地，阴极13的材料为金属或者合金，可以为单层结构或者多层结构，本发明实施例并不对阴极的材料和结构进行具体限定。阴极的形状可以为网状或面状，本发明实施例对此不作任何限定。
本发明实施例提供的显示基板包括：设置在第一衬底上的多个像素区域，显示基板包括：设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极；在每个像素区域，发光层包括多个间隔设置的发光单元，阳极和阴极均为整个连通的导电层，发光单元分别与阳极和阴极连接。本发明提供的技术方案通过将发光层设置为多个间隔设置的发光单元，当像素对应的阳极或发光层存在局部脏污或者灰尘时，部分键合良好的发光单元仍会发光，避免了当像素对应的阳极或发光层存在局部脏污或者灰尘时，造成的整个像素不亮的技术问题，提高了显示面板的良品率和显示效果。
进一步地，图8为本发明实施例提供的键合不良时显示基板的结构示意图，如图8所示，本发明实施例提供的显示基板中，阳极或发光层键合不良时，阳极11与阴极13之间会直接接触，造成短路，影响显示基板的显示效果。为了解决该技术问题，本发明实施例提供通过将键合不良的发光单元对应的阳极消除，以避免由于键合不良导致的阴极与阳极短路的技术问题，具体说明如下。
可选地，图9为本发明实施例提供的显示基板的侧视图二，图10为本发明实施例提供的显示基板的俯视图三，如图9和图10所示，阳极11包括：多个间隔设置，且相互连接的子电极130，本发明实施例提供的显示基板还包括：设置在发光层12远离第一衬底10的一侧的绝缘层14；其中，绝缘层包括与子电极对应的第一过孔，优选的，第一过孔在第一衬底上的正投影与子电极在第一衬底上的正投影重合。
可选地，为了保护发光单元中的金属层不被刻蚀，发光单元在第一衬底上的正投影覆盖第一过孔在第一衬底上的正投影。
可选地，绝缘层14的制作材料包括：氧化硅、氮化硅或者光刻胶。
需要说明的是，当发光层12与阳极11键合良好时，发光单元120在第一衬底10上的正投影与子电极130在第一衬底10上的正投影重合；如图10所示，当发光单元120在第一衬底10上的正投影与目的子电极111在第一衬底上的正投影不重合时，目的子电极111为空白电极。
需要说明的是，空白电极指的是不包括导电层，图10是以其中一个子电位为目的子电极为例进行说明的。具体的，目的子电极的数量根据阳极和发光层上的灰尘确定，其数量可能为0，还可能为多个。
图11为图10对应的侧视图，如图11所示，消除目的子电极之后，目的子电极上的阴极直接与薄膜晶体管20对应，进而避免了阴极与阳极直接接触造成短路的技术问题。
本实施例中，将键合不良的发光单元对应的子电极刻掉，能够避免当阳极与发光层键合不良时，导致的阴极和阳极短路造成的整个像素不良的技术问题。
图12为本发明实施例提供的显示基板的侧视图三，如图12所示，本发明实施例提供的显示基板中的发光单元包括：N型半导体层121、多量子阱层122、P型半导体层123和金属层；其中，金属层包括：欧姆接触层124、扩散阻挡层125、反射层126和黏附层127。
具体的，黏附层127设置在阳极11远离第一衬底10的一侧；反射层126设置在黏附层127远离第一衬底10的一侧；扩散阻挡层125设置在反射层126远离第一衬底10的一侧；欧姆接触层124设置在扩散阻挡层125远离第一衬底10的一侧；P型半导体层123设置在金属层远离第一衬底10的一侧；多量子阱层122设置在P型半导体层123远离第一衬底10的一侧；N型半导体层121设置在多量子阱层122远离第一衬底10的一侧。
可选地，N型半导体层为掺硅Si的氮化镓，例如用硅烷对掺杂剂，本发明实施例并不限定掺杂剂，只要包括Si即可。
可选地，多量子阱层的制作材料包括：氮化铟镓InGaN/氮化镓/GaN。采用InGaN/GaN作为制作材料的多量子阱层具有高效、环保、节能、寿命长等显著特性。
可选地，P型半导体层为掺镁Mg的氮化镓，例如用二茂镁作为掺杂剂，本发明实施例并不限定掺杂剂，只要包括Mg材料即可。
可选地，欧姆接触层，用于吸收光，其制作材料为镍Ni/金Au，其厚度分别为5纳米/5纳米。
可选地，扩散阻挡层，用于避免电流扩散，其制作材料为钛Ti，其厚度为200纳米，本发明实施例对此不作任何限定。
可选地，反射层，用于反射光，其为银Ag，其厚度为200纳米，本发明实施例对此不作任何限定。
可选地，黏附层，用于粘附发光层和阳极，增强发光层和阳极之间的键合力，其制作材料为铟或锡，厚度为500纳米，本发明实施例对此不作任何限定。
实施例三
基于上述实施例的发明构思，本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括实施例一提供的显示基板。
其中，本发明实施例包括实施例一提供的显示基板，其实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
实施例四
基于上述实施例的发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，包括：实施例三提供的显示面板。
具体的，显示装置可以为：电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或者导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例附图只涉及本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在不冲突的情况下，本发明的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (15)
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一第一衬底；显示基板包括：设置在第一衬底上的多个像素区域；
在所述第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极；
在所述每个像素区域中：所述发光层包括多个间隔设置的发光单元，所述阳极和所述阴极均为整个连通的导电层，所述发光单元分别与所述阳极和所述阴极连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一衬底上形成设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极包括：
在所述第一衬底的一侧形成阳极；所述阳极包括：间隔设置，且相互连接的子电极；
在第二衬底的一侧形成发光层；
将所述第一衬底形成阳极的一侧与所述第二衬底形成发光层的一侧键合；
移除所述第二衬底；
在所述发光层远离所述第一衬底的一侧形成绝缘层；其中，所述绝缘层包括与所述子电极对应的第一过孔；
以所述绝缘层为掩膜板，采用湿法刻蚀工艺进行刻蚀；
在所述绝缘层上形成阴极。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在第二衬底的一侧形成发光层包括：
在所述第二衬底的一侧形成N型半导体层；
在所述N型半导体层远离所述第二衬底的一侧形成多量子阱层；
在所述多量子阱层远离所述第二衬底的一侧形成P型半导体层；
在所述P型半导体层远离所述第二衬底的一侧形成欧姆接触层；
在所述欧姆接触层远离所述第二衬底的一侧形成扩散阻挡层；
在扩散阻挡层远离所述第二衬底的一侧形成反射层；
在所述反射层远离第二衬底的一侧形成粘附层。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述第一衬底形成阳极的一侧与所述第二衬底形成发光层的一侧键合包括：
采用倒装焊设备或者晶圆键合设备，在1-50千牛，温度低于300摄氏度的条件下将所述第一衬底形成阳极的一侧与所述第二衬底形成发光层的一侧键合。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述移除所述第二衬底包括：
采用混合指示剂对第二衬底进行减薄，使所述第二衬底的厚度小于或者等于100微米；
对减薄处理后的第二衬底进行移除。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一过孔在第一衬底上的正投影与所述子电极在第一衬底上的正投影重合。
7.一种显示基板，其特征在于，包括：设置在第一衬底上的多个像素区域，所述显示基板包括：设置在每个像素区域上的阳极、发光层和阴极；
在所述每个像素区域中：所述发光层包括多个间隔设置的发光单元，所述阳极和所述阴极均为整个连通的导电层，所述发光单元分别与所述阳极和所述阴极连接。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述阳极包括：间隔设置，且相互连接的子电极；
所述显示基板还包括：设置在所述发光层远离第一衬底的一侧的绝缘层；
其中，所述绝缘层包括与所述子电极对应的第一过孔。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一过孔在第一衬底上的正投影与所述子电极在第一衬底上的正投影重合。
10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述发光单元在第一衬底上的正投影覆盖所述第一过孔在第一衬底上的正投影。
11.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层的材料包括：氧化硅、氮化硅或者光刻胶。
12.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述发光单元包括：金属层、P型半导体层、多量子阱层和N型半导体层；
所述金属层设置在所述阳极远离第一衬底的一侧；
所述P型半导体层设置在所述金属层远离第一衬底的一侧；
所述多量子阱层设置在所述P型半导体层远离第一衬底的一侧；
所述N型半导体层设置在所述多量子阱层远离第一衬底的一侧。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述金属层包括：欧姆接触层、扩散阻挡层、反射层和黏附层；
所述黏附层设置在所述阳极远离第一衬底的一侧；
所述反射层设置在所述黏附层远离第一衬底的一侧；
所述扩散阻挡层设置在所述反射层远离第一衬底的一侧；
所述欧姆接触层设置在所述扩散阻挡层远离第一衬底的一侧。
14.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求7～13任一项所述的显示基板。
15.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求14所述的显示面板。
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