CN113707669A - 一种显示装置及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置及其制作方法，显示装置包括：衬底基板，具有承载作用；驱动线路层，位于衬底基板上，用于提供驱动信号；驱动线路层包括金属连接电极；反光层，位于驱动线路层背离衬底基板一侧的表面；反光层具有暴露金属连接电极的图形；微型发光二极管，焊接于金属连接电极上。反光层的图形与金属连接电极互补，而金属连接电极为不透光的金属材料，无论微型发光二极管出射的光线入射到金属连接电极还是反光层都不会有出射光入射到驱动线路层中，由此可以保证驱动线路层中的薄膜晶体管具有稳定的性能。

Description

一种显示装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及其制作方法。
背景技术
微型发光二极管显示技术是指发光芯片直接作为发光单元的显示技术。微型发光二极管继承了传统发光二极管的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。
微型发光二极管面板的驱动方式可以分为有源和无源两种，其中有源驱动模式具有低功耗、抗串扰、驱动成本低等优势。
目前的微型发光二极管驱动基板与微型发光二极管分别制作。驱动基板内包括薄膜晶体管等驱动元件，驱动基板之上用于连接微型发光二极管的电极为透明电极。微型发光二极管具有两个电极，采用焊接的方式将微型发光二极管的电极与透明电极电连接。这就导致微型发光二极管的出射光线会通过透明电极入射到驱动基板内部，通过反射会照射到薄膜晶体管的沟道区，影响薄膜晶体管的性能。
发明内容
本发明一些实施例中，驱动线路层包括金属连接电极，金属连接电极用于连接微型发光二极管，金属连接电极为驱动线路层中金属层的一部分，这样在形成金属层时可以直接构图出金属连接电极，不再需要为了形成连接电极再进行一次构图。由此减少工艺步骤，有利于提高产品良率。
本发明一些实施例中，反光层具有暴露金属连接电极的图形，反光层的图形与金属连接电极互补，而金属连接电极为不透光的金属材料，无论微型发光二极管出射的光线入射到金属连接电极还是反光层都不会有出射光入射到驱动线路层中，由此可以保证驱动线路层中的薄膜晶体管具有稳定的性能。
本发明一些实施例中，驱动线路层包括栅极金属层、栅极绝缘层、有源层和源漏金属层；源漏金属层还包括连接引脚，部分漏极和连接引脚作为金属连接电极，采用源漏金属层的部分构图作为金属连接引脚，省略单独制作透明连接电极的工艺步骤，简化流程；同时避免透明导电材料与金属进行搭接产生的接触电阻的问题。
本发明一些实施例中，源漏金属层还包括第一信号线，栅极金属层还包括第二信号线，第一信号线和第二信号线通过栅极绝缘层的过孔电连接。将信号线设置在不同的金属层，并通过过孔将其电连接在一起，可以提高信号线的导电性，可以对电路中元件进行避让，缩短信号线的长度。
本发明一些实施例中，反光层的材料为金属氧化物。
本发明一些实施例中，金属氧化物为氧化铝或二氧化钛。
本发明一些实施例中，微型发光二极管的尺寸小于500μm。
本发明一些实施例中，微型发光二极管用于图像显示，或者，微型发光二极管用于提供背光。
本发明一些实施例中，显示装置采用四次构图，相比于现有技术中的制作方法，减少了构图次数，有利于降低成本，提高产品良率。
本发明一些实施例中，反光层通过在除金属连接电极以外的区域形成金属层，并对金属层进行氧化制得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一；
图2为本发明实施例提供的驱动线路层的截面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二；
图4为本发明实施例提供的显示装置的制作方法的流程图。
其中，11-衬底基板，12-驱动线路层，13-反光层，14-微型发光二极管，121-栅极金属层，122-栅极绝缘层，123-有源层，124-源漏金属层，e-金属连接电极，p-接触引脚，G-栅极，S-源极，D-漏极，a-沟道区，s1-第一信号线，s2-第二信号线。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
微型发光二极管显示技术作为新一代显示技术，相比于有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，简称OLED)显示技术，微型发光二极管显示技术具有更高的发光效率，更高的发光亮度以及更低的功耗。
微型发光二极管是将发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)进行薄膜化、微缩化以及阵列化的设计，也就是说微型发光二极管具有LED的高效低功耗的性质，同时具有较小的尺寸，直接作为显示单元用于图像显示。
微型发光二极管与发光二极管的不同之处在于，微型发光二极管是指发光二极管芯片，根据其尺寸的划分包括Mini LED和Micro LED两种，其中，Micro LED的尺寸小于100μm，Mini LED的尺寸为100μm-500μm。
微型发光二极管面板可以采用无源或有源的方式进行驱动，其中有源驱动模式具有低功耗、抗串扰、驱动成本低等优势。并且，有源驱动的微型发光二极管面板还可以采用液晶面板或OLED面板的制作工艺进行制作。
然而现阶段有源微型发光二极管面板需要采用5-6次构图工艺进行制作，构图的次数越多，不仅会造成成本的上升，还会导致良率下降。并且现阶段液晶面板以及OLED面板制程中最后一次构图常采用透明电极作为连接电极，微型发光二极管连接到透明电极上，出射的光线会通过透明电极入射到面板内部，影响器件性能。
有鉴于此，本发明实施例提供一种显示装置，用于克服上述问题。
图1为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之一。
参照图1，本发明实施例提供的显示装置包括：衬底基板11、驱动线路层12、反光层13以及微型发光二极管14。
衬底基板11位于显示装置的底部，具有承载作用。衬底基板11的形状为矩形或方形，包括天侧、地侧、左侧和右侧。其中天侧和地侧相对，左侧和右侧相对，天侧分别与左侧的一端和右侧的一侧相连，地侧分别与左侧的另一端和右侧的另一端相连。
衬底基板11的尺寸与显示装置的尺寸相适应，通常情况下，衬底基板的尺寸略小于显示装置的尺寸。
衬底基板11采用玻璃等材料，在进行制作之前，需要对玻璃进行清洗、烘干等操作。
驱动线路层12位于衬底基板11上，驱动线路层12包括用于驱动显示器件进行发光的驱动元件以及信号线。本发明实施例中，采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)制作工艺来制备驱动线路层12。
驱动线路层12由多个金属层以及绝缘层组成，通过对金属层以及绝缘层进行构图形成具有特定连接关系的薄膜晶体管、电容以及电阻等驱动元件组成的电路。将驱动线路层与微型发光二极管电连接之后，可以由驱动线路层向微型发光二极管提供驱动信号，控制微型发光二极管进行发光。
图2为本发明实施例提供的驱动线路层的截面结构示意图。
参照图2，驱动线路层包括：栅极金属层121、栅极绝缘层122、有源层123和源漏金属层124。
栅极金属层121位于衬底基板11上。栅极金属层121具有包括栅极G以及栅线的图形。
栅极金属层121可以采用金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、铝(Al)、钼(Mo)或铬(Cr)的单层或多层金属，或者还可以采用铝(Al):钕(Nd)合金、钼(Mo):钨(W)合金的金属层。
栅极金属层121的图形可以采用一次构图工艺形成。具体地，在衬底基板11上形成一层栅极所采用的金属层；在金属层上形成一层光刻胶层；在光刻胶层的上方设置掩膜板，掩膜板在除栅极、栅线以及其它信号线之外区域具有图形；对光刻胶层进行曝光显影，暴露出除需要图形以外的金属层；对暴露的金属层进行刻蚀；剥离保留的光刻胶层，形成栅极金属层121的图形。
栅极绝缘层122位于栅极金属层背离衬底基板一侧的表面。栅极绝缘层122用于对栅极金属层121进行绝缘，从而可以在栅极绝缘层之上再形成其它金属层。
栅极绝缘层122可以为氧化硅、氮化硅或金属氧化物的无机层，并且可以包括单层或多层。
栅极绝缘层122具有包括暴露栅极金属层中信号线的过孔，从而在栅极绝缘层之上再形成其它金属层时，可以使两个金属层的信号线电连接。
栅极绝缘层122的图形可以采用一次构图工艺形成。具体地，在栅极金属层121上形成一层绝缘层；在绝缘层上形成一层光刻胶层；在光刻胶层的上方设置掩膜板，掩膜板包括过孔所在区域具有图形；对光刻胶层进行曝光显影，暴露出过孔所在区域的绝缘层；对暴露的绝缘层进行刻蚀；剥离保留的光刻胶层，形成栅极绝缘层122的图形。
有源层123位于栅极绝缘层122背离栅极金属层一侧的表面。有源层123包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域。在源极区域和漏极区域之间的区域是不进行掺杂的沟道区a。
有源层123可以采用非晶硅或多晶硅等材料进行制作，多晶硅可以通过非晶硅的结晶而形成。
源漏金属层124位于有源层123背离栅极绝缘层122一侧的表面。源漏金属层124具有包括源极S、漏极D和数据线的图形。
源漏金属层124可以采用金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的单层或多层金属，或者还可以采用铝(Al):铜(Cu)合金的金属层。
有源层123和源漏金属层124的图形可以采用一次构图工艺形成。具体地，在栅极绝缘层122上形成一层有源层采用的半导体层，在半导体层上形成一层源极和漏极所采用的金属层；在金属层上形成一层光刻胶层；在光刻胶层的上方设置半色调掩膜板，半色调掩膜板包括完全透光区、半透光区以及遮光区，其中完全透光区对应有源层123和源漏金属层124不存在图形的区域，半透光区对应有源层123的沟道区a，遮光区对应有源层123和源漏金属层124具有图形的区域；对光刻胶层进行曝光，形成完全曝光区、部分曝光区和未曝光区；完全曝光区显影之后光刻胶全部去除，部分曝光区显影之后存在厚度较薄的光刻胶层，未曝光区显影之后存在厚度较厚的光刻胶层；对暴露的金属层和半导体层进行刻蚀；对部分曝光区内的光刻胶进行灰化处理，去除此区域的光刻胶层，并将此区域的金属层进刻蚀；剥离保留的光刻胶层，形成有源层123和源漏金属层124的图形。
其中，上述栅极G、有源层、源极S和漏极D构成薄膜晶体管。本发明实施例仅以底栅型薄膜晶体管为例进行具体说明，在具体应用时，薄膜晶体管还可以制作为顶栅结构，顶栅结构的有源层123位于栅极金属层121的底侧。
薄膜晶体管作为驱动线路层中重要的驱动元件，其性能将受到光照的影响，其中，薄膜晶体管的源极S和漏极D之间暴露的有源层为薄膜晶体管的沟道区a。沟道区a对光照敏感，为了避免影响薄膜晶体管的性能，需要避免沟道区受到光照。
反光层13位于驱动线路层12背离衬底基板11一侧的表面。反光层13位于驱动线路层12的表面，对驱动线路层12具有保护作用，同时还对驱动线路层12进行绝缘。反光层13还具有对入射光线进行反射的作用，那么微型发光二极管的出射光入射到反光层13的表面时，可以由反光层13向出光一侧反射，由此提高出射光的利用效率。
参照图2，在本发明实施例中，驱动线路层还包括金属连接电极e。金属连接电极用于连接微型发光二极管，金属连接电极e为驱动线路层中金属层的一部分，这样在形成金属层时可以直接构图出金属连接电极e，不再需要为了形成连接电极再进行一次构图。由此减少工艺步骤，有利于提高产品良率。
反光层13具有暴露金属连接电极e的图形，反光层13的图形与金属连接电极e互补，而金属连接电极e为不透光的金属材料，那么无论微型发光二极管出射的光线入射到金属连接电极e还是反光层13都不会有出射光入射到驱动线路层12中，由此可以保证驱动线路层中的薄膜晶体管具有稳定的性能。
反光层13采用金属氧化物进行制作。在本发明实施例中，可以采用氧化铝或二氧化钛等具有较高反射率的金属氧化物。通常情况下反光层13的反射率可以达到90％以上，为了提高反光层13的反射率，还可以掺杂增加反射率的材料，由此充分反射微型发光二极管出射到反光层13的光线。
反光层13形成在除金属连接电极e以外的区域。具体地，在除金属连接电极e以外的区域形成一层金属层，该金属层可以采用金属铝或钛；再通过O3、N2O等富氧离子或者热氧化的方式将金属层氧化形成氧化铝或二氧化钛，由此形成具有高反射率的反光层13。
微型发光二极管14焊接于金属连接电极e上。微型发光二极管14不同于普通的发光二极管，其具体指的是微型发光二极管芯片。微型发光二极管14的尺寸一般小于500μm。
由于微型发光二极管14的尺寸很小，在本发明实施例中，可以直接利用微型发光二极管14作为显示器件，由微型发光二极管14实现子像素的显示。微型发光二极管可以包括多种颜色，用于实现全彩显示。
图3为本发明实施例提供的显示装置的截面结构示意图之二。
参照图3，本发明另一实施例中，还可以利用微型发光二极管14作为背光源，用于提供背光。此时，在微型发光二极管灯板的出光侧还设置有显示面板200。
微型发光二极管作为背光源，有利于将背光的动态发光控制到更小的分区，有利于提高画面的对比度。微型发光二极管灯板可以只包括一种颜色的微型发光二极管，也可以包括多种颜色的微型发光二极管，在此不做限定。
在本发明实施例中，参照图2，源漏金属层124还包括：接触引脚p，接触引脚与源漏金属层中的信号线(图中未示出)连接，且属于源漏金属层构图的一部分，可以与源漏金属层124中的源极S、漏极D、数据线以及信号线采用同一次构图工艺形成。
反光层13直接形成在源漏金属层124和有源层123背离栅极绝缘层122一侧的表面，且反光层13具有暴露部分漏极D和接触引脚p的图形，暴露出的漏极D以及接触引脚p即作为金属连接电极e，用于连接微型发光二极管14的两个电极。
在现有技术中，通常会在源漏金属层124之上再制作绝缘层以及透明连接电极，透明连接电极通常采用氧化铟锡(ITO)，因此面板中常采用ITO与金属搭接的结构作为引线，这将会增大接触电阻，影响电流的传输，且搭接还容易影响良率。
而在本发明实施例中，直接采用源漏金属层124中的部分图形作为金属连接电极e，不需要进行后续绝缘层以及透明电极的构图，且引线均采用金属材料，不存在ITO与金属进行搭接的问题，由此避免了接触电阻的问题，提高良率。
参照图2，栅极金属层121还包括第一信号线s1，源漏金属层124还包括第二信号线s2，第一信号线s1和第二信号线s2通过栅极绝缘层122的过孔电连接。将信号线设置在不同的金属层，并通过过孔将其电连接在一起，可以提高信号线的导电性，可以对电路中元件进行避让，缩短信号线的长度。
图4为本发明实施例提供的显示装置的制作方法的流程图。
参照图4，显示装置的制作方法包括：
S10、在衬底基板上形成栅极金属层的图形；
S20、在栅极金属层背离衬底基板的一侧形成栅极绝缘层的图形；
S30、在栅极绝缘层背离栅极金属层的一侧形成有源层和源漏金属层的图形；源漏金属层包括金属连接电极；
S40、在有源层和源漏金属层背离栅极绝缘层的一侧形成反光层的图形；
S50、在金属连接电极上焊接微型发光二极管。
采用本发明实施例提供的上述制作方法，经过四次构图可以制备完成显示装置，相比于现有技术中的制作方法，减少了构图次数，有利于降低成本，提高产品良率。
采用源漏金属层中的图形直接作为金属连接电极，可以省去单独形成透明连接电极的工艺步骤，简化流程，降低成本。并且还可以避免透明连接电极与金属搭接形成的接触电阻高等问题，提升产品良率。
反光层直接形成在源漏金属层之上，与金属连接电极具有互补的图形，而金属连接电极为不透光的金属材料，由此在连接微型发光二极管之后，可以避免微型发光二极管出射的光线进入到驱动线路层中，照射到薄膜晶体管的沟道造成器件性能下降的问题。
具体地，在衬底基板上形成栅极金属层的图形时，在衬底基板上形成一层金属层；在金属层上形成一层光刻胶层；在光刻胶层的上方设置掩膜板，掩膜板在除栅极、栅线以及其它信号线之外区域具有图形；对光刻胶层进行曝光显影，暴露出除需要图形以外的金属层；对暴露的金属层进行刻蚀；剥离保留的光刻胶层，形成栅极金属层的图形。
栅极金属层可以采用金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、铝(Al)、钼(Mo)或铬(Cr)的单层或多层金属，或者还可以采用铝(Al):钕(Nd)合金、钼(Mo):钨(W)合金的金属层。
在栅极金属层背离衬底基板的一侧形成栅极绝缘层的图形时，在栅极金属层上形成一层绝缘层；在绝缘层上形成一层光刻胶层；在光刻胶层的上方设置掩膜板，掩膜板在过孔所在区域具有图形；对光刻胶层进行曝光显影，暴露出过孔所在区域的绝缘层；对暴露的绝缘层进行刻蚀；剥离保留的光刻胶层，形成栅极绝缘层的图形。
栅极绝缘层可以为氧化硅、氮化硅或金属氧化物的无机层，并且可以包括单层或多层。
在栅极绝缘层背离栅极金属层的一侧形成有源层和源漏金属层的图形时，在栅极绝缘层上形成一层半导体层，在半导体层上形成一层金属层；在金属层上形成一层光刻胶层；在光刻胶层的上方设置半色调掩膜板，半色调掩膜板包括完全透光区、半透光区以及遮光区，其中完全透光区对应有源层和源漏金属层不存在图形的区域，半透光区对应有源层的沟道区，遮光区对应有源层和源漏金属层具有图形的区域；对光刻胶层进行曝光，形成完全曝光区、部分曝光区和未曝光区；完全曝光区显影之后光刻胶全部去除，部分曝光区显影之后存在厚度较薄的光刻胶层，未曝光区显影之后存在厚度较厚的光刻胶层；对暴露的金属层和半导体层进行刻蚀；对部分曝光区内的光刻胶进行灰化处理，去除此区域的光刻胶层，并将此区域的金属层进刻蚀，暴露沟道区；剥离保留的光刻胶层，形成有源层和源漏金属层的图形。
有源层可以采用非晶硅或多晶硅等材料，源漏金属层可以采用金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的单层或多层金属，或者还可以采用铝(Al):铜(Cu)合金的金属层。
在有源层和源漏金属层背离栅极绝缘层的一侧形成反光层的图形时，在有源层和源漏金属层背离栅极绝缘层一侧的表面除金属连接电极以外的区域形成一层金属层；对金属层进行氧化处理，形成反光层。
上述金属层可以采用铝或钛，再通过O3、N2O等富氧离子或者热氧化的方式将金属层氧化形成氧化铝或二氧化钛，由此形成反光层。该反光层代替微型发光二极管面板表面的白油，具有较高的反射率。
根据第一发明构思，本发明实施例提供的显示装置包括衬底基板，驱动线路层，反光层和微型发光二极管。采用驱动线路层中的部分图形直接作为连接微型发光二极管的金属连接电极，可以省去单独形成透明连接电极的工艺步骤，简化流程，降低成本。并且还可以避免透明连接电极与金属搭接形成的接触电阻高等问题，提升产品良率。
根据第二发明构思，金属连接电极为源漏金属层中的部分漏极和接触引脚，采用源漏金属层中的图形直接作为金属连接电极，可以省去在源漏金属层之上再制作绝缘层和连接电极的工艺，简化流程，降低成本。
根据第三发明构思，反光层直接形成在源漏金属层之上，与金属连接电极具有互补的图形，而金属连接电极为不透光的金属材料，由此在连接微型发光二极管之后，可以避免微型发光二极管出射的光线进入到驱动线路层中，照射到薄膜晶体管的沟道造成器件性能下降的问题。
根据第四发明构思，反光层通过在源漏金属层上除金属连接电极之外的区域形成金属层，再对金属层进行氧化制作而成。金属氧化物作为反光层可以代替微型发光二极管面板表面的白油，具有较高的反射率。
根据第五发明构思，本发明实施例提供的上述显示装置结构采用四次构图，相比于现有技术中的制作方法，减少了构图次数，有利于降低成本，提高产品良率。
根据第六发明构思，反光层通过形成金属层，并对金属层进行氧化制得。
根据第七发明构思，将信号线设置在不同的金属层，并通过过孔将其电连接在一起，可以提高信号线的导电性，可以对电路中元件进行避让，缩短信号线的长度。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
衬底基板，具有承载作用；
驱动线路层，位于所述衬底基板上，用于提供驱动信号；所述驱动线路层包括金属连接电极；
反光层，位于所述驱动线路层背离所述衬底基板一侧的表面；所述反光层具有暴露所述金属连接电极的图形；
微型发光二极管，焊接于所述金属连接电极上。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述反光层的材料为金属氧化物。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述金属氧化物为氧化铝或二氧化钛。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述驱动线路层包括：
栅极金属层，位于所述衬底基板之上；所述栅极金属层包括栅极和栅线；
栅极绝缘层，位于所述栅极金属层背离所述衬底基板一侧的表面；
有源层，位于所述栅极绝缘层背离所述栅极金属层一侧的表面；
源漏金属层，位于所述有源层背离所述栅极绝缘层一侧的表面；所述源漏金属层包括源极、漏极和数据线；
所述栅极、所述有源层、所述源极和所述漏极构成薄膜晶体管，所述源极和所述漏极之间暴露的有源层为所述薄膜晶体管的沟道区；
所述反光层位于所述源漏金属层和所述有源层背离所述栅极绝缘层一侧的表面。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述源漏金属层还包括：
接触引脚，用于连接传输驱动信号的信号线；
所述反光层具有暴露部分所述漏极和所述接触引脚的图形，暴露的漏极以及所述接触引脚作为所述金属连接电极。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述源漏金属层还包括第一信号线，所述栅极金属层还包括第二信号线，所述第一信号线和所述第二信号线通过所述栅极绝缘层的过孔电连接。
7.如权利要求1-6任一项所述的显示装置，其特征在于，所述微型发光二极管的尺寸小于500μm。
8.如权利要求1-6任一项所述的显示装置，其特征在于，所述微型发光二极管用于图像显示，或者，所述微型发光二极管用于提供背光。
9.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成栅极金属层的图形；
在所述栅极金属层背离所述衬底基板的一侧形成栅极绝缘层的图形；
在所述栅极绝缘层背离所述栅极金属层的一侧形成有源层和源漏金属层的图形；所述源漏金属层包括金属连接电极；
在所述有源层和所述源漏金属层背离所述栅极绝缘层的一侧形成反光层的图形；
在所述金属连接电极上焊接微型发光二极管。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述有源层和所述源漏金属层背离所述栅极绝缘层的一侧形成反光层的图形，包括：
在所述有源层和所述源漏金属层背离所述栅极绝缘层一侧的表面除所述金属连接电极以外的区域形成一层金属层；
对所述金属层进行氧化处理，形成所述反光层。
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