CN113698925B - 一种量子点薄膜的制作方法及量子点基板 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种量子点薄膜的制作方法及量子点基板，量子点薄膜的制作方法包括以下步骤：将电极基片浸入到量子点溶液中，通过电泳沉积的方式将量子点溶液中的量子点沉积于电极基片，以在电极基片上形成薄膜半成品；将电极基片从量子点溶液中取出，对电极基片上的薄膜半成品进行加热处理；重复上述步骤，使得电极基片上的薄膜半成品成长为量子点薄膜。本申请可以解决采用浸入法实现电泳沉积制备量子点薄膜时，量子点薄膜表面的液体湍流剧烈而导致难以得到高膜厚的量子点薄膜的技术问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种量子点薄膜的制作方法及量子点基板。
背景技术
量子点(Quantum Dot，QD)是一种纳米级半导体材料，具有量子效应；在电或者光的激发下可以发射不同色彩的荧光。量子点显示技术的色域可以达到NTSC色域的110％，因此量子点材料可以赋予显示器更宽广的色域，使得终端显示拥有更靓丽的色彩表现。
目前量子点彩膜的加工方法主要为光刻法和喷墨打印法，二者分别面临着发光效率低，稳定性差和重复性差，加工时间长等问题。电泳沉积制备量子点薄膜方法是利用带电荷的量子点材料在电场作用下沿特定方向运动和在特定电极选择性沉积的方法制备量子点薄膜。其具有方便快捷，可大面积制备量子点薄膜的特点。
浸入法是电泳沉积制备量子点薄膜的常用方法，得到的量子点薄膜均匀性好，且方便制备多色量子点薄膜。但浸入法制备高膜厚存在一定困难，因为在电场作用下，量子点薄膜表面的液体湍流比较剧烈，影响量子点薄膜的进一步沉积，因此难以直接得到高膜厚的量子点薄膜。
发明内容
本申请实施例提供一种量子点薄膜的制作方法及量子点基板，可以解决采用浸入法实现电泳沉积制备量子点薄膜时，量子点薄膜表面的液体湍流剧烈而导致难以得到高膜厚的量子点薄膜的技术问题。
本申请实施例提供一种量子点薄膜的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供电极基片和量子点溶液，所述量子点溶液内具有量子点；
步骤S2、将所述电极基片浸入到所述量子点溶液中；
步骤S3、通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述电极基片，以在所述电极基片上形成薄膜半成品；
步骤S4、将所述电极基片从所述量子点溶液中取出；
步骤S5、对所述电极基片上的所述薄膜半成品进行加热处理；
步骤S6、重复所述步骤S2至步骤S5，使得所述电极基片上的所述薄膜半成品成长为量子点薄膜。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述电极基片包括衬底以及设于所述衬底上的至少一个图案化电极；
在所述步骤S3中，通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述图案化电极，以在所述图案化电极上形成所述薄膜半成品。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S1中，所述量子点溶液中的所述量子点的含量为0.01wt％-60wt％，所述量子点溶液还包括含量为40wt％-99.99wt％的溶剂以及含量为0wt％-8wt％的量子点配体。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点溶液中的所述量子点的浓度为1mg/ml-300mg/ml。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S4中，在将所述电极基片从所述量子点溶液中取出后，所述步骤S4还包括：对所述电极基片和所述薄膜半成品进行清洗。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S1中，所述量子点溶液还包括溶剂，所述量子点分散于所述溶剂中；
在所述步骤S4中，对所述电极基片和所述薄膜半成品进行清洗的方式为：采用所述溶剂对所述电极基片和所述薄膜半成品进行冲淋或浸洗。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S3中，进行电泳沉积时的电场强度为5×105V/m-4×107V/m。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S5中，对所述电极基片上的所述薄膜半成品进行加热处理的温度为25℃-200℃。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点薄膜的厚度为0.01μm-40μm。
本申请实施例还提供一种量子点基板，包括电极基片以及设于所述电极基片上的量子点薄膜，所述量子点薄膜采用如上所述的量子点薄膜的制作方法制得。
本申请实施例提供的量子点薄膜的制作方法及量子点基板中，在采用浸入法实现电泳沉积制备量子点薄膜时，将电极基片浸入到量子点溶液中，通过电泳沉积的方式将量子点溶液中的量子点沉积于电极基片，以在电极基片上形成薄膜半成品；将电极基片从量子点溶液中取出，对电极基片上的薄膜半成品进行加热处理；重复上述步骤，使得电极基片上的薄膜半成品成长为量子点薄膜；在上述过程中，对电极基片上的薄膜半成品进行加热处理，可以蒸发电极基片和薄膜半成品上的液体，使得薄膜半成品稳定地附着在电极基片的表面，即通过分步沉积形成薄膜半成品并使薄膜半成品的逐渐增厚和增大，最终形成量子点薄膜，且在每次电泳沉积后，对薄膜半成品进行加热固化，如此可以减弱电泳沉积时液体湍流的影响，使得薄膜半成品可以成长为高膜厚的量子点薄膜；此外，电极基片在电泳沉积过程中会附着携带电荷的离子而产生介电屏蔽，介电屏蔽会影响量子点沉积在电极基片上，液体在加热蒸发过程中会带走携带电荷的离子，使得电极基片重新恢复中性，有利于量子点在电极基片上进一步沉积，有利于获得均匀的高膜厚量子点薄膜。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的量子点薄膜的制作方法的流程示意图；
图2是本申请实施例提供的量子点薄膜的制作方法的电极基片的剖视结构示意图；
图3是本申请实施例提供的量子点薄膜的制作方法的将电极基片浸入到量子点溶液中并进行电泳沉积量子点的示意图；
图4是本申请实施例提供的量子点薄膜的制作方法的对形成有薄膜半成品的电极基片进行加热处理的示意图；
图5是本申请实施例提供的量子点薄膜的制作方法的形成有薄膜半成品的电极基片的剖视结构示意图；
图6是本申请实施例提供的量子点薄膜的制作方法的经过至少两次电泳沉积量子点制程后的电极基片的剖视结构示意图；
图7是本申请实施例提供的量子点薄膜的制作方法的形成有量子点薄膜的电极基片的剖视结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种量子点薄膜的制作方法及量子点基板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
请参阅图1，本申请实施例提供一种量子点薄膜的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1、如图2和图3所示，提供电极基片100和量子点溶液200，量子点溶液200内具有量子点；
步骤S2、如图3所示，将电极基片100浸入到量子点溶液200中；
步骤S3、如图3和图4所示，通过电泳沉积的方式将量子点溶液200中的量子点沉积于电极基片100，以在电极基片100上形成薄膜半成品300；
步骤S4、将电极基片100从量子点溶液200中取出；
步骤S5、如图5所示，对电极基片100上的薄膜半成品300进行加热处理；
步骤S6、结合图4、图6和图7，重复步骤S2至步骤S5，使得电极基片100上的薄膜半成品300成长为量子点薄膜400。
本申请实施例的量子点薄膜的制作方法中，在采用浸入法实现电泳沉积制备量子点薄膜400时，将电极基片100浸入到量子点溶液200中，通过电泳沉积的方式将量子点溶液200中的量子点沉积于电极基片100，以在电极基片100上形成薄膜半成品300；将电极基片100从量子点溶液200中取出，对电极基片100上的薄膜半成品300进行加热处理；重复上述步骤，使得电极基片100上的薄膜半成品300成长为量子点薄膜400；在上述过程中，对电极基片100上的薄膜半成品300进行加热处理，可以蒸发电极基片100和薄膜半成品300上的液体，使得薄膜半成品300稳定地附着在电极基片100的表面，即通过分步沉积形成薄膜半成品300并使薄膜半成品300逐渐薄膜半成品300增大和增厚，最终形成量子点薄膜400，且在每次电泳沉积后，对薄膜半成品300进行加热固化，如此可以减弱电泳沉积时液体湍流的影响，使得薄膜半成品300可以成长为高膜厚的量子点薄膜400；此外，电极基片100在电泳沉积过程中会附着携带电荷的离子而产生介电屏蔽，介电屏蔽会影响量子点沉积在电极基片100上，液体在加热蒸发过程中会带走携带电荷的离子，使得电极基片100重新恢复中性，有利于量子点在电极基片100上进一步沉积，有利于获得均匀的高膜厚量子点薄膜400。
作为本申请的一个具体实施方式，如图2以及图4至图7所示，电极基片100包括衬底110以及设于衬底110上的至少一个图案化电极120，即衬底110上可以设置一个、两个或更多图案化电极120，根据实际情况的选择和具体需求，衬底110上的图案化电极120的数量可以做适当调整，在此不做唯一限定。
在本实施例中，图案化电极120用于沉积量子点，具体来说，结合图3和图4，在上述步骤S3的实施过程中，通过电泳沉积的方式将量子点溶液200中的量子点沉积于图案化电极120，以在图案化电极120上形成薄膜半成品300。如此设置，一方面，将多个图案化电极120设置于一个衬底110上，通过转移衬底110即可同时转移多个图案化电极120，简化了制程和操作难度；另一方面，可以一次性在多个图案化电极120上同时形成量子点薄膜400，大大提高制膜效率。
需要说明的是，上述图案化电极120指经过图案化处理后的电极，由于最终所制得的量子点薄膜400的形状与图案化电极120的形状大致相同，因此可以根据所需的量子点膜的形状来将电极图案化处理成对应的形状，从而制作图案化电极120。在本实施例中，可以先将电极图案化处理并得到图案化电极120后，再将图案化电极120设置在衬底110上；也可以先将电极设置在衬底110上，再对衬底110上的电极图案化处理后得到设置于衬底110上的图案化电极120，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，衬底110的材料可以为玻璃，当然，根据实际情况的选择和具体需求，衬底110的材料可以做适当修改，例如，衬底110的材料可以为聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Glycol Terephthalate，PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚芳酯(Polyarylate，PAR)、聚醚砜(Polyethersulfone，PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate Two Formic Acid GlycolEster，PEN)或纤维强化塑料，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，图案化电极120的材料为导电材料，具体可以选自金属或金属氧化物，例如，图案化电极120的材料可以选自铜(Cu)、银(Ag)、氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、钼(Mo)和铝(Al)中的至少一种，当然，根据实际情况的选择和具体需求，图案化电极120的材料可以做适当修改，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，在步骤S1中，量子点溶液200中的量子点的含量为0.01wt％-60wt％，量子点溶液还包括含量为40wt％-99.99wt％的溶剂以及含量为0wt％-8wt％的量子点配体。通过调节溶剂、量子点和量子点配体的配比，可以调节电泳沉积的速率，从而调整量子点薄膜400的厚度，例如，在量子点溶液200中，量子点的含量可以为0.01wt％、5wt％、10wt％、15wt％、20wt％、25wt％、30wt％、35wt％、40wt％、45wt％、50wt％、55wt％或60wt％，溶剂的含量可以为40wt％、45wt％、50wt％、55wt％、60wt％、65wt％、70wt％、75wt％、80wt％、85wt％、90wt％、95wt％或99.99wt％，量子点配体的含量可以为0wt％、1wt％、2wt％、3wt％、4wt％、5wt％、6wt％、7wt％或8wt％，根据实际情况的选择和具体需求，各组分的含量可以做适当调整，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，量子点可以通过热注入法制得，具体来说，可以将前驱体注入温度为100℃-500℃的反应液中反应，然后通过离心干燥获得量子点。量子点由IV、II-VI，IV-VI或III-V族元素组成，具体而言，量子点主要由IVA、ⅡB-ⅥA、ⅢA-ⅤA、IVA-VIA族元素构成，例如，当量子点包括IVA族元素构成时，量子点可以包括碳量子点、硅量子点或锗量子点；当量子点包括ⅡB-ⅥA族元素构成时，量子点具体可以包括硒化镉量子点、硫化锌量子点或硫化镉量子点；当量子点包括ⅢA-ⅤA族元素构成时，量子点具体可以包括磷化铟量子点、砷化镓量子点或砷化铟量子点；当量子点包括IVA-VIA族元素构成时，量子点具体可以包括硫化铅量子点、硒化铅量子点或碲化铅量子点，根据实际情况的选择和具体需求，量子点的具体材料可以做适当修改。
作为本申请的一个具体实施方式，溶剂用于分散量子点，本实施例中，溶剂可以选自水、醇类化合物、醚类化合物、酯类化合物和烷类化合物，其中，溶剂可以为乙醇、乙醚、醋酸乙酯或正辛烷，当然，根据实际情况的选择和具体需求，溶剂可以做适当修改，例如，溶剂也可以为水、丙二醇甲醚醋酸酯(2-Acetoxy-1-Methoxypropane，PGMEA)或其它化合物，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，量子点配体可以防止量子点聚集，使得量子点均匀分散在溶剂中，从而将量子点的粒子的大小控制在纳米级别，本实施例中，量子点配体选自丙二醇衍生物、硫代硫醇化合物、硫代羧酸化合物以及包含酯基和硫醇基的化合物中的一种或多种，根据实际情况的选择和具体需求，量子点配体的具体材料可以做适当修改，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，量子点溶液200的制作步骤为：将量子点、量子点配体和溶剂混合后进行机械搅拌，搅拌时的溶剂的温度控制在0℃-90℃，搅拌的转速为50rpm-1000rpm，搅拌时间为3min-120min。在本实施例中，搅拌时的温度可以为0℃、10℃、20℃、30℃、45℃、60℃、70℃、80℃或者90℃，搅拌的转速可以为50rpm、100rpm、200rpm、300rpm、400rpm、500rpm、600rpm、700rpm、800rpm、900rpm或1000rpm，搅拌时间可以为3min、10min、20min、30min、40min、50min、60min、70min、80min、90min、100min、110min或120min。
作为本申请的一个具体实施方式，量子点溶液200中的量子点的浓度为1mg/ml-300mg/ml，通过调节溶剂、量子点和量子点配体的配比，来调整量子点的浓度，从而调节电泳沉积的速率，进而调整量子点薄膜400的厚度，例如，量子点溶液200中的量子点的浓度可以为1mg/ml、10mg/ml、30mg/ml、50mg/ml、70mg/ml、90mg/ml、110mg/ml、130mg/ml、150mg/ml、170mg/ml、190mg/ml、210mg/ml、230mg/ml、250mg/ml、270mg/ml、290mg/ml或300mg/ml，根据实际情况的选择和具体需求，量子点的浓度可以做适当调整，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，如图1所示，在步骤S4中，在将电极基片100从量子点溶液200中取出后，步骤S4还包括：对电极基片100和薄膜半成品300进行清洗。值得一提的是，在上述步骤S4中，若省略对电极基片100和薄膜半成品300进行清洗的步骤，那么电极基片100和薄膜半成品300的表面可能有未沉积和残留的量子点，若在步骤S4中不对电极基片100和薄膜半成品300进行清洗，那么在后续步骤S5对电极基片100上的薄膜半成品300进行加热处理时，未沉积和残留的量子点较差地附着在薄膜半成品300或电极基片100，在进行下一次电泳沉积时，新的量子点会沉积在未沉积和残留的量子点上，在液体湍流或者其它因素下，当附着在薄膜半成品300和电极基片100上的未沉积和残留的量子点脱落，沉积在未沉积和残留的量子点上的新的量子点也会随着脱落，这无疑会影响量子点薄膜400的制作。本申请通过在步骤S4中增加对电极基片100和薄膜半成品300进行清洗的步骤，可以洗去电极基片100和薄膜半成品300上的未沉积和残留的量子点，有利于量子点薄膜400的制作。
作为本申请的一个具体实施方式，量子点溶液200还包括溶剂，在步骤S1中，量子点分散于溶剂中；在步骤S4中，对电极基片100和薄膜半成品300进行清洗的方式为：使用对应量子点溶液200所采用的溶剂对电极基片100和薄膜半成品300进行冲淋或浸洗，操作简单，易于实现。本实施例中，可以使用对应量子点溶液200所采用的溶剂对电极基片100和薄膜半成品300进行清洗1-3次，每次清洗的时间为1s-60s，且清洗时所使用的溶剂的温度可以为10℃-90℃，每次清洗的方式可以为冲淋或浸洗。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，可以采用其它方式对电极基片100和薄膜半成品300进行清洗，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，如图3所示，在步骤S3中，提供参比电极500，将电极基片100和参比电极500一同浸入到量子点溶液200中，对电极基片100和参比电极500施加极性不同的电压，从而通过电泳沉积的方式将量子点溶液200中的量子点沉积于电极基片100，以在电极基片100上形成薄膜半成品300。本实施例中，在步骤S3中，进行电泳沉积时，电极基片100和参比电极500之间形成的电场的电场强度为5×105V/m-4×107V/m，即步骤S3中进行电泳沉积时的电场强度为5×105V/m-4×107V/m，通过调整电场强度可以电泳沉积的速率，进而调整量子点薄膜400的厚度，例如，进行电泳沉积时的电场强度为5×105V/m、1×106V/m、5×106V/m、1×107V/m、2×107V/m、3×107V/m或4×107V/m，根据实际情况的选择和具体需求，进行电泳沉积时的电场强度可以做适当调整，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，在步骤S3中，通过电泳沉积的方式将量子点溶液200中的量子点沉积于电极基片100，以在电极基片100上形成薄膜半成品300，电泳沉积的时间可以为1s-3600s，例如，进行电泳沉积的时间为1s、100s、1000s、1800s、2500s、3000s或3600s，根据实际情况的选择和具体需求，电泳沉积的时间可以做适当调整，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，如图5所示，在步骤S5中，对电极基片100上的薄膜半成品300进行加热处理的温度为25℃-200℃，具体来说，可以但不限于通过将电极基片100放置于热台600上来进行加热处理。对电极基片100上的薄膜半成品300加热过程中，根据溶剂的特性，调整加热处理的温度，例如，对电极基片100上的薄膜半成品300进行加热处理的温度为25℃、50℃、75℃、100℃、125℃、150℃、175℃或200℃，根据实际情况的选择和具体需求，对电极基片100上的薄膜半成品300进行加热处理的温度可以做适当调整，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，如图5所示，在步骤S5中，对电极基片100上的薄膜半成品300进行加热处理的时间可以为10s-1800s，例如，对电极基片100上的薄膜半成品300进行加热处理的时间为10s、100s、300s、500s、700s、900s、1100s、1300s、1500s、1700s或者1800s，根据实际情况的选择和具体需求，对电极基片100上的薄膜半成品300进行加热处理的时间可以做适当调整，在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式，量子点薄膜400的厚度为0.01μm-40μm，通过调整量子点的浓度、电泳沉积时的电场强度和电泳沉积的时间等参数，可以调整量子点薄膜400的厚度，例如，量子点薄膜400的厚度可以为0.01μm、1μm、5μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm或40μm，根据实际情况的选择和具体需求，量子点薄膜400的厚度可以做适当调整，在此不做唯一限定。
需要说明的是，本申请实施例所制得的量子点薄膜400可以应用于彩膜基板、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置等领域的制作，因此，量子点薄膜400在制作完成后不需要从电极基片100上剥落，例如，当应用于彩膜基板时，电极基片100及其上的量子点薄膜400可以作为彩膜基板使用，其中，量子点薄膜400为彩色滤光层；当应用于OLED显示装置时，电极基片100的图案化电极120可以作为有机发光二极管的阳极或阴极，量子点薄膜400可以作为空穴注入层、电子注入层、空穴传输层、电子传输层或发光层使用。
本申请实施例还提供一种量子点基板，包括电极基片100以及设于电极基片100上的量子点薄膜400，量子点薄膜400采用如上所述的量子点薄膜的制作方法制得。由于本实施例提供的量子点基板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此同样具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种量子点薄膜的制作方法及量子点基板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种量子点薄膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、提供电极基片和量子点溶液，所述量子点溶液内具有量子点；
步骤S2、将所述电极基片浸入到所述量子点溶液中；
步骤S3、通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述电极基片，以在所述电极基片上形成薄膜半成品；
步骤S4、将所述电极基片从所述量子点溶液中取出，对所述电极基片和所述薄膜半成品进行清洗；
步骤S5、对所述电极基片上的所述薄膜半成品进行加热固化处理；
步骤S6、重复所述步骤S2至步骤S5，使得所述电极基片上的所述薄膜半成品成长为量子点薄膜。
2.如权利要求1所述的量子点薄膜的制作方法，其特征在于，所述电极基片包括衬底以及设于所述衬底上的至少一个图案化电极；
在所述步骤S3中，通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述图案化电极，以在所述图案化电极上形成所述薄膜半成品。
3.如权利要求1所述的量子点薄膜的制作方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述量子点溶液中的所述量子点的含量为0.01wt%-60wt%，所述量子点溶液还包括含量为40wt%-99.99wt%的溶剂以及含量为0wt%-8wt%的量子点配体。
4.如权利要求1所述的量子点薄膜的制作方法，其特征在于，所述量子点溶液中的所述量子点的浓度为1mg/ml-300mg/ml。
5.如权利要求1所述的量子点薄膜的制作方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述量子点溶液还包括溶剂，所述量子点分散于所述溶剂中；
在所述步骤S4中，对所述电极基片和所述薄膜半成品进行清洗的方式为：采用所述溶剂对所述电极基片和所述薄膜半成品进行冲淋或浸洗。
6.如权利要求1至5任一项所述的量子点薄膜的制作方法，其特征在于，在所述步骤S3中，进行电泳沉积时的电场强度为5×105V/m-4×107V/m。
7.如权利要求1至5任一项所述的量子点薄膜的制作方法，其特征在于，在所述步骤S5中，对所述电极基片上的所述薄膜半成品进行加热处理的温度为25℃-200℃。
8.如权利要求1至5任一项所述的量子点薄膜的制作方法，其特征在于，所述量子点薄膜的厚度为0.01μm-40μm。
9.一种量子点基板，其特征在于，包括电极基片以及设于所述电极基片上的量子点薄膜，所述量子点薄膜采用如权利要求1至8任一项所述的量子点薄膜的制作方法制得。
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