CN113089054A - 量子点组合物及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种量子点组合物及其制备方法，其中，所述方法包括：提供一电极基片和具有量子点的溶液；将所述电极基片插入到具有量子点的溶液中；通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点，将所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片上，以在所述电极基片上成型第一量子点结构；若所述量子点结构未满足预设条件，则释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构，以溶于所述溶液中。本申请实施例通过释放沉积于电极基片上未满足预设条件的量子点结构，使其溶于溶液中，可以解决因为量子点结构存在瑕疵而造成产品浪费的问题。

Description

量子点组合物及其制备方法

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点组合物及其制备方法。

背景技术

量子点(Quantum Dots,QD)是一种半导体纳米材料，其半径小于或接近于激子波尔半径。量子点具有大小可调的带隙、较长的载流子寿命和可溶液加工的特性，量子点是一种很有前景的功能材料。

在规模化生产量子点组合物时，由于各种原因，电泳沉积后的量子点结构会因为存在瑕疵而造成产品的浪费。

发明内容

本申请实施例提供一种量子点组合物及其制备方法，可以解决因为量子点结构存在瑕疵而造成产品浪费的问题。

本申请实施例提供一种量子点组合物的制备方法，所述方法包括：

提供一电极基片和具有量子点的溶液；

将所述电极基片插入到所述具有量子点的溶液中；

通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点，将所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片上，以在所述电极基片上成型第一量子点结构；

若所述第一量子点结构未满足预设条件，则释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构，以溶于所述溶液中。

可选的，在所述释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构之后，所述方法包括：

再次在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点沉积，以在所述电极基片上成型第二量子点结构。

可选的，所述释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构，以溶于所述溶液中的步骤包括：采用第一电压通电，使得所述电极基片和所述第一电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片，以形成第一量子点结构；

将所述第一电压进行断电，使得所述电极基片与所述第一电压形成的通路断开，从而使得所述电极基片上沉积的所述第一量子点结构溶解于所述溶液中。

可选的，所述通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点包括：

再次采用所述第一电压通电，使得所述电极基片和所述第一电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片，以形成第二量子点结构。

可选的，所述通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点包括：

采用第一电压通电，使得所述电极基片和所述第一电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述第一电极基片，以形成第一量子点结构；

若所述第一量子点结构未满足预设条件，则断开所述第一电压，使得所述第一量子点结构溶于所述溶液中；

采用第二电压通电，所述第二电压的电场强度与所述第一电压的电场强度不同，使得所述电极基片和所述第二电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述第一电极基片，以形成第二量子点结构。

可选的，所述电极基片包括第一电极基片和第二电极基片，在所述释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构之后，所述方法还包括：

通过电泳沉积的方式在所述第二电极基片的预设位置沉积所述溶液中的量子点，所述第二电极基片与所述第一电极基片对侧设置。

可选的，所述通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点包括：

采用第一电压通电，使得所述电极基片和所述第一电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述第一电极基片，以形成第一量子点结构；

若所述第一量子点结构未满足预设条件，则断开所述第一电压，使得所述第一量子点结构溶于所述溶液中；

采用第二电压通电，所述第二电压的电场方向与所述第一电压的电场方向不同，使得所述电极基片和所述第二电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述第二电极基片，以形成第二量子点结构。

可选的，所述未满足预设条件包括：所述第一量子点结构的膜层发光不均匀、所述第一量子点结构的膜层厚度不符合阈值和所述第一量子点结构的沉积位置不符合预设位置三者中的至少一个。

可选的，若所述第一量子点结构满足预设条件，对所述第一量子点结构进行固化干燥。

可选的，所述量子点溶液中的量子点携带有单一电性的一个或多个配体，所述配体为油酸类、油铵类、硫醇类和巯基类的一种，以使得对所述量子点结构进行可逆的电泳沉积。

本申请实施例还提供一种量子点组合物，所述量子点结构的配体为油酸类、油铵类、硫醇类和巯基类的一种，所述量子点组合物采用1-10任一方法制成。

本申请实施例将电极基片插入到具有量子点的溶液中，通过电泳沉积方式将溶液中的量子点沉积在电极基片上，判断电泳沉积得到的量子点结构是否满足预设条件，若不能满足预设条件，则释放沉积于电极基片上的量子点结构，使其溶于溶液中。通过该方法可以使得不满足预设条件的量子点结构得到释放，可以解决因为量子点结构存在瑕疵而造成产品浪费的问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的第一流程示意图。

图2为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的第二流程示意图。

图3为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的第三流程示意图。

图4为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的第四流程示意图。

图5为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的过程示意图。

图6为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的第五流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

量子点(Colloidal quantum dot，CQDs)是一种半导体纳米材料，具有大小可调的带隙、较长的载流子寿命和可溶液加工的特性。量子点的优势在于：通过调控量子点的尺寸，可以实现发光波长范围覆盖到红外及整个可见光波段，且发射光波段窄，色彩饱和度高；量子点材料量子转换效率高；材料性能稳定；制备方法简单多样，可以从溶液中制备，资源丰富。因此，量子点组合物在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。但是在直流电场电沉积的过程中，特别是规模化生产时，由于各种原因，成膜的膜厚质量，以及成膜区域有时会存在缺陷。

本申请实施例将电极基片插入到具有量子点的溶液中，通过电泳沉积方式将溶液中的量子点沉积在电极基片上，判断电泳沉积得到的量子点结构是否满足预设条件，若不能满足预设条件，则释放沉积于电极基片上的量子点结构，使其溶于溶液中。通过该方法可以使得不满足预设条件的量子点结构得到释放，对量子点结构重新进行其他操作，直到满足预设条件。下面结合图档进行详细说明。

请参阅图1。图1为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的第一流程示意图。量子点组合物的制备方法包括以下步骤：

101、提供一电极基片和具有量子点的溶液。

该电极基片包括第一电极基片和第二电极基片，在第一电极基片利用光刻法加工具有特定形状的图案化的第一预设位置，在第二电极基片上利用光刻法加工具有特定形状的图案化的第二预设位置。

需要说明的是，在一些实施例中，第一电极基片可以包括多个第一预设位置，多个第一预设位置可以分布在第一电极基片的两侧或者同侧。第二电极基片可以包括多个第二预设位置，多个第一预设位置可以分布在第一电极基片的两侧或者同侧。第一预设位置和第二预设位置可以分别设置在第一电极基片和第二电极基片的同侧。

其中电极基片的材料基于器件结构所需进行选择，可以选择ITO、金、银、铝等各种导电材料。其中图案化的具体形状依赖于整个器件的设计，如大规模的阵列结构等。

量子点溶液中的量子点具有电性，量子点溶液中的量子点一般包括核壳或异质结结构、核心和配体。

需要说明的是，量子点需要与溶液特别的适配，即量子点需要稳定的存在于量子点溶液中。其中，量子点的配体主要为油酸类，油铵类，硫醇类，巯基类；其相适应的溶剂，是非极性溶剂，例如正己烷，正辛烷等，以及它们的混合物。

其中，量子点的组成材料包括Ⅳ族(Si,Ge,GeSn)，Ⅱ-Ⅴ族(InAs,InSb)，Ⅳ-Ⅵ族(PbS,PbSe,PbTe)，Ⅲ-Ⅵ族(HgCdTe,HgSe,HgTe)，Ⅰ-Ⅵ族(Ag2S,Ag2Se)和三元Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ(CuInS2,InGaAs,CuInSe2,AgBiS2,AAgInSe2)，以及最新的金属卤化物钙钛矿量子点，如CsSnI3，CsSnxPb1-x，FAPbI3和CsxFA1-xPbI3，石墨烯量子点等其中的一种或者多种。

其中核壳或异质结结构包括由两种或两种以上的半导体材料形成，如InP/ZnSe，CdSe/ZnS等，还包括核壳量子点、掺杂量子点，以及钙钛矿量子点。

在一种可选实施例中，提供多种量子点溶液，其中，每个量子点溶液的浓度不同、每个量子点溶液中的量子点材料不同或者每个量子点溶液中的量子点材料和浓度都不同。需要说明的是，量子点溶液不止包括一种量子点溶液和两种量子点溶液，还可以包括第三种量子点溶液甚至更多种量子点溶液。

102、将电极基片插入到具有量子点的溶液中。

将第一电极基片和第二电极基片插入到具有量子点的溶液中，第一电极基片和第二电极基片可以完全的插入，也可以将具有预设位置的部分插入。只需要第一电极基片、第二电极基片、量子点溶液和电压之间形成通路。

103、通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点，将所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片上，以在所述电极基片上成型第一量子点结构。

分别在第一电极基片和第二电极基片的一端采用电压通电，使得第一电极基片、第二电极基片、量子点溶液和电压之间形成通路。在电压形成的电场作用下，量子点溶液中的带电量子点沉积到电极基片的预设位置，以在预设位置形成第一量子点结构。

104、若量子点结构未满足预设条件，则释放沉积于电极基片上的第一量子点结构，以溶于溶液中。

在量子点溶液中施加电场时，量子点溶液中的量子点沉积在电极上，此时可以通过电荷耦合器件等在线自动光学检测手段检查出第一量子点结构上的缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷标示出来，对沉积效果进行观测。若量子点结构未满足预设条件，则释放沉积于电极基片上的第一量子点结构，以溶于溶液中。

需要说明的是，不满足预设条件包括第一量子点结构的膜层发光均匀、膜层厚度符合阈值和量子点结构的沉积位置符合预设位置三者中的至少一个不满足。具体的，若第一量子点结构的膜层发光不均匀，则第一量子点结构不满足预设条件。若第一量子点结构的膜层厚度不符合阈值，则第一量子点结构不满足预设条件。若第一量子点结构的沉积位置不符合预设位置，则第一量子点结构不满足预设条件。预设条件只需要有一个不满足，就释放沉积于电极基片上的第一量子点结构。

在一些实施例中，在释放沉积于电极基片上的第一量子点结构，以溶于溶液中之后，在量子点组合物的制备方法中一般还包括以下步骤。具体请参阅图2至图4。图2为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的第二流程示意图，图3为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的第三流程示意图，图4为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的第四流程示意图。量子点组合物的制备方法包括以下步骤：

201、提供一电极基片和具有量子点的溶液。

该步骤与前面步骤101相同，具体情况详见步骤101，在此不一一赘述。

202、将电极基片插入到具有量子点的溶液中。

该步骤与前面步骤102相同，具体情况详见步骤102，在此不一一赘述。

203、采用第一电压通电，使得电极基片和第一电压形成通路，从而使得溶液中的量子点沉积在电极基片，以形成第一量子点结构。

在第一电极基片和第二电极基片的一端采用第一电压通电，使得第一电极基片、第二电极基片、量子点溶液和第一电压之间形成通路。在第一电压形成的电场作用下，量子点溶液中的带电量子点沉积到电极基片的预设位置，以在预设位置形成第一量子点结构。

204、将第一电压进行断电，使得电极基片与第一电压形成的通路断开，从而使得电极基片上沉积的第一量子点结构溶解于溶液中。

当第一量子点结构的膜层发光不均匀时，将第一电极基片和第二电极基片之间的电路断开，释放第一电压形成的电场，使得电极基片上沉积的第一量子点结构溶解于溶液中。

需要说明的是，第一量子点结构可以部分溶解于溶液中，也可以全部完全溶解于溶液中。

205、再次采用第一电压通电，使得电极基片和第一电压形成通路，从而使得溶液中的量子点沉积在电极基片，以形成第二量子点结构。

在第一量子点结构溶解于溶液后，再次在第一电极基片和第二电极基片的之间施加第一电压进行通电，多个带电量子点受到电压形成的竖直向下的电场力，使得溶液中的带电量子点可以在电场作用下沉积到电极基片上，形成第二量子点结构。

需要说明的是，再一次施加第一电压时，该溶液可以是和第一次施加第一电压的溶液不一样，具体的，可以是溶液中带电的量子点的材料一样，但溶液的浓度不一样。可以是溶液的浓度一样，但溶液中带电的量子点的材料不一样。也可以是溶液的浓度不一样，溶液中带电的量子点的材料也不一样。

本申请通过断开第一电压，使得不满足预设条件的第一量子点结构溶解于溶液中，并再次施加第一电压，在施加电压之前，还可以调节溶液的浓度或者溶液中的量子点材料，对溶液进行调整。使得第二次电泳沉积后得到的第二量子点结构能够满足预设条件。若第二量子点结构不满足预设条件，则可以继续重复上述步骤，对第二电压进行释放，使得第二量子点结构溶解于溶液中。

在其他可选的实施例中，在第一电压断开，将第一量子点结构溶解于溶液中后，采用第二电压通电。具体的见图3。量子点组合物的制备方法还包括305步骤：采用第二电压通电，第二电压的电场强度与第一电压的电场强度不同，使得电极基片和第二电压形成通路，从而使得溶液中的量子点沉积在第一电极基片，以形成第二量子点结构。

需要理解的是，通过改变第二电压的电场强度可以调节量子点结构的密度，比如，当第一量子点结构的厚度小于预设阈值时，即随着第二电压的电场强度的提高可以提高带电量子点的电荷迁移速率，从而提高第二量子点结构的沉积密度，得到的第二量子点结构的厚度比第一量子点结构的厚度更厚，以满足预设条件。当第一量子点结构的厚度大于预设阈值时，随着第二电压的电场强度的降低可以降低带电量子点的电荷迁移速率，从而降低第二量子点结构的沉积密度，得到的第二量子点结构的厚度更薄。本申请通过根据第一量子点结构的厚度问题，在释放第一电压后，调节再次施加的第二电压的电场强度，使得第二量子点结构满足预设条件。若第二量子点结构不满足预设条件，则可以继续重复上述步骤，对第二电压进行释放，使得第二量子点结构溶解于溶液中。

在其他可选的实施例中，在第一电压断开，将第一量子点结构溶解于溶液中后，采用第二电压通电。具体的见图4。量子点组合物的制备方法还包括405步骤：采用第二电压通电，第二电压的电场方向与第一电压的电场方向不同，使得电极基片和第二电压形成通路，从而使得溶液中的量子点沉积在第二电极基片，以形成第二量子点结构。

当第一量子点结构沉积位置不符合预设位置时，第一电压断开，将第一量子点结构溶解于溶液后，采用第二电压通电，第二电压的电场方向与第一电压的电场方向不同，第二电压的电场强度与第一电压的电场强度可以相同也可以不同，具体的根据需要进行调节。在第二电压形成的电场作用下，带电的量子点沉积在第二电极基片，以形成第二量子点结构。得到的第二量子点结构和第一量子点结构位置不一样，第二量子点结构沉积在第二电极基片上。若第二量子点结构不满足预设条件，则可以继续重复上述步骤，对第二电压进行释放，使得第二量子点结构溶解于溶液中。

请继续参阅图5，图5为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的过程示意图。第一电极基片11和第二电极基片12插入到具有带电的量子点溶液13中，采用第一电压通电，使得第一电极基片11、第二电极基片12和第一电压形成通路，从而使得溶液13中的量子点沉积在第一电极基片11上，以形成第一量子点结构14。当第一量子点结构14不满足预设条件时，断开第一电压，使得第一量子点结构14溶于溶液13中。或者，直接改变第一电压的方向，使得第一量子点结构14直接沉积到第二电极基片12，形成第二量子点结构15。

请继续参阅图6，图6为本申请实施例提供的量子点组合物的制备方法的第五流程示意图。量子点组合物的制备方法包括以下步骤：

501、提供一电极基片和具有量子点的溶液。

该步骤与前面步骤101相同，具体情况详见步骤101，在此不一一赘述。

502、将电极基片插入到具有量子点的溶液中。

该步骤与前面步骤102相同，具体情况详见步骤102，在此不一一赘述。

503、采用第一电压通电，使得电极基片和第一电压形成通路，从而使得溶液中的量子点沉积在电极基片，以形成第一量子点结构。

该步骤与前面步骤203相同，具体情况详见步骤203，在此不一一赘述。

504、将第一电压进行断电，使得电极基片与第一电压形成的通路断开，从而使得电极基片上沉积的第一量子点结构溶解于溶液中。

该步骤与前面步骤204相同，具体情况详见步骤204，在此不一一赘述。

505、对量子点结构进行固化干燥。

对第一量子点结构进行测试，判断第一量子点结构是否满足预设条件，若第一量子点结构满足预设条件，则对量子点结构进行固化干燥。若第一量子点结构不满足预设条件，则进行下面步骤506、步骤507或步骤507一个。

506、再次采用第一电压通电，使得电极基片和第一电压形成通路，从而使得溶液中的量子点沉积在电极基片，以形成第二量子点结构。

该步骤与前面步骤205相同，具体情况详见步骤205，在此不一一赘述。

507、采用第二电压通电，第二电压的电场强度与第一电压的电场强度不同，使得电极基片和第二电压形成通路，从而使得溶液中的量子点沉积在第一电极基片，以形成第二量子点结构。

该步骤与前面步骤305相同，具体情况详见步骤305，在此不一一赘述。

508、采用第二电压通电，第二电压的电场方向与第一电压的电场方向不同，使得电极基片和第二电压形成通路，从而使得溶液中的量子点沉积在第二电极基片，以形成第二量子点结构。

该步骤与前面步骤405相同，具体情况详见步骤405，在此不一一赘述。

本申请通过将电极基片插入到具有量子点的溶液中，通过电泳沉积方式将溶液中的量子点沉积在电极基片上，判断电泳沉积得到的量子点结构是否满足预设条件，若不能满足预设条件，则释放沉积于电极基片上的量子点结构，使其溶于溶液中。然后对其再次沉积，改变施加的电压强度、改变施加电压的方向、改变带电量子点溶液的浓度或者改变带电量子点的材料，再次沉积后得到第二量子点结构。若第二量子点结构不满足预设条件，则可以继续重复上述步骤，对第二电压进行释放，使得第二量子点结构溶解于溶液中。直到量子点结构满足预设条件。本申请通过对量子点结构的溶解以及调整，可以使得工艺简单，对图案化量子点显示器件和膜片的制备具有重要意义。

本申请还提供一种量子点组合物，量子点组合物包括核心、配体和壳。其中，量子点组合物的配体为油酸类、油铵类、硫醇类和巯基类的一种，量子点组合物采用上述方法制成。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的量子点组合物及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (11)

1.一种量子点组合物的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一电极基片和具有量子点的溶液；

将所述电极基片插入到所述具有量子点的溶液中；

通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点，将所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片上，以在所述电极基片上成型第一量子点结构；

若所述第一量子点结构未满足预设条件，则释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构，以溶于所述溶液中。

2.根据权利要求1所述的量子点组合物的制备方法，其特征在于，在所述释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构之后，所述方法包括：

再次在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点沉积，以在所述电极基片上成型第二量子点结构。

3.根据权利要求1所述的量子点组合物的制备方法，其特征在于，所述释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构，以溶于所述溶液中的步骤包括：

采用第一电压通电，使得所述电极基片和所述第一电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片，以形成第一量子点结构；

将所述第一电压进行断电，使得所述电极基片与所述第一电压形成的通路断开，从而使得所述电极基片上沉积的所述第一量子点结构溶解于所述溶液中。

4.根据权利要求3所述的量子点组合物的制备方法，其特征在于，所述通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点包括：

再次采用所述第一电压通电，使得所述电极基片和所述第一电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述电极基片，以形成第二量子点结构。

5.根据权利要求1所述的量子点组合物的制备方法，其特征在于，所述通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点包括：

采用第一电压通电，使得所述电极基片和所述第一电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述第一电极基片，以形成第一量子点结构；

若所述第一量子点结构未满足预设条件，则断开所述第一电压，使得所述第一量子点结构溶于所述溶液中；

采用第二电压通电，所述第二电压的电场强度与所述第一电压的电场强度不同，使得所述电极基片和所述第二电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述第一电极基片，以形成第二量子点结构。

6.根据权利要求1所述的量子点组合物的制备方法，其特征在于，所述电极基片包括第一电极基片和第二电极基片，在所述释放沉积于所述电极基片上的第一量子点结构之后，所述方法还包括：

通过电泳沉积的方式在所述第二电极基片的预设位置沉积所述溶液中的量子点，所述第二电极基片与所述第一电极基片对侧设置。

7.根据权利要求6所述的量子点组合物的制备方法，其特征在于，所述通过电泳沉积的方式在所述电极基片沉积所述溶液中的量子点包括：

采用第一电压通电，使得所述电极基片和所述第一电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述第一电极基片，以形成第一量子点结构；

若所述第一量子点结构未满足预设条件，则断开所述第一电压，使得所述第一量子点结构溶于所述溶液中；

采用第二电压通电，所述第二电压的电场方向与所述第一电压的电场方向不同，使得所述电极基片和所述第二电压形成通路，从而使得所述溶液中的量子点沉积在所述第二电极基片，以形成第二量子点结构。

8.根据权利要求1所述的量子点组合物的制备方法，其特征在于，所述未满足预设条件包括：

所述第一量子点结构的膜层发光不均匀、所述第一量子点结构的膜层厚度不符合阈值和所述第一量子点结构的沉积位置不符合预设位置三者中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的量子点组合物的制备方法，其特征在于，若所述第一量子点结构满足预设条件，对所述第一量子点结构进行固化干燥。

10.根据权利要求1-9任一项所述的量子点组合物的制备方法，其特征在于，所述量子点溶液中的量子点携带有单一电性的一个或多个配体，所述配体为油酸类、油铵类、硫醇类和巯基类的一种，以使得对所述量子点结构进行可逆的电泳沉积。

11.一种量子点组合物，其特征在于，所述量子点结构的配体为油酸类、油铵类、硫醇类和巯基类的一种，所述量子点组合物采用1-10任一方法制成。

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