CN113809273A - 一种量子点膜的制作方法及量子点基板 - Google Patents
一种量子点膜的制作方法及量子点基板 Download PDFInfo
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Abstract
本申请实施例公开了一种量子点膜的制作方法及量子点基板,量子点膜的制作方法包括以下步骤:提供量子点胶体和极性溶剂,量子点胶体中具有量子点,将量子点胶体和极性溶剂混合改性,得到量子点溶液;提供电极基片,将电极基片浸入到量子点溶液中;通过电泳沉积的方式将量子点溶液中的量子点沉积于电极基片,以在电极基片上形成量子点膜。本申请可以解决量子点材料难以呈现单一电荷的特性而导致难以通过电泳沉积的方式制作形貌良好和厚度均匀的量子点膜的技术问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种量子点膜的制作方法及量子点基板。
背景技术
目前量子点(Quantum Dot,QD)彩膜的加工方法主要为光刻法和喷墨打印法,二者分别面临着发光效率低,稳定性差和重复性差,加工时间长等问题,因此改进和开发新型的量子点图案化方法,以此来提高量子点膜和器件的品质和加工效率。
电泳沉积制备量子点膜方法是利用带电荷的量子点材料在电场作用下沿特定方向运动和在特定电极选择性沉积的方法制备量子点膜,其具有制备方法简单,效率高的优点,但是电泳沉积量子点膜的方法对材料体系有较高的要求。因为适用于电泳沉积的量子点材料需要有较多的带电量和优良的选择性沉积效果。
一般来说量子点以胶体的形式分散在溶剂中,基于量子点的发光特性,需要量子点的粒径均匀,在溶剂中分散良好,不能团聚,这就对量子点的配体及溶剂提出了较高的要求。特别地,对于电泳沉积制备量子点膜的方法而言,材料体系的要求更高,例如,现有的量子点材料的呈现单一电荷的特性不明显,即同一材料体系内的量子点材料中,一部分量子点材料带正电荷,一部分量子点材料带负电荷;当进行电泳沉积设备时,正电极和负电极均会沉积量子点,即量子点材料难以对正电极或负电极表现出选择性沉积的特性,难以精确控制量子点沉积于特定的电极上,故难以制备良好形貌和厚度均匀的量子点膜。
发明内容
本申请实施例提供一种量子点膜的制作方法及量子点基板,可以解决量子点材料难以呈现单一电荷的特性而导致难以通过电泳沉积的方式制作形貌良好和厚度均匀的量子点膜的技术问题。
本申请实施例提供一种量子点膜的制作方法,包括以下步骤:
提供量子点胶体和极性溶剂,所述量子点胶体中具有量子点,将所述量子点胶体和所述极性溶剂混合改性,得到量子点溶液;
提供电极基片,将所述电极基片浸入到所述量子点溶液中;
通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述电极基片,以在所述电极基片上形成量子点膜。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述量子点胶体和所述极性溶剂的体积比为1:1-1:30。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述量子点溶液中的所述量子点的浓度为1mg/ml-200mg/ml。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述量子点胶体包括含量为0.01wt%-80wt%的量子点组合物和含量为20wt%-99.9wt%胶体溶剂,其中,所述量子点组合物包括所述量子点和配体。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述极性溶剂的极性大于所述胶体溶剂的极性。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述电极基片包括第一电极基片和第二电极基片;
所述通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述电极基片,以在所述电极基片上形成量子点膜的步骤包括:
对所述第一电极基片施加第一电压,对所述第二电极基片施加第二电压,所述第一电压和所述第二电压的极性相反,从而使得将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述第一电极基片和所述第二电极基片。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述电极基片的步骤还包括:
周期性改变所述第一电压的极性和所述第二电压的极性,直至在所述第一电极基片和所述第二电极基片上形成所述量子点膜。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述周期性改变所述第一电压的极性和所述第二电压的极性的步骤的周期为0.1秒-300秒。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一电极基片和所述第二电极基片之间的电场强度为5×105伏/米-4×107伏/米。
本申请实施例还提供一种量子点基板,包括电极基片以及设于所述电极基片上的量子点膜,所述量子点膜采用如上所述的量子点膜的制作方法制得。
本申请实施例量子点膜的制作方法及量子点基板,采用极性溶剂对量子点胶体进行改性,由于极性溶剂中含有极性基团,极性基团可以诱导量子点胶体电离产生电荷,如此设置,既可以使得量子点胶体的带电量增加,又可以使量子点呈现单一电荷的特性,大大提高了量子点胶体的选择性沉积的特性,以便于精确控制量子点沉积在特定极性的电极基片上,有利于制备良好形貌和厚度均匀的量子点膜。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的量子点膜的制作方法的流程示意图;
图2是本申请实施例提供的电极基片的剖视结构示意图;
图3是本申请实施例提供的通过电泳沉积的方式将量子点溶液中的量子点沉积于电极基片的示意图;
图4是本申请实施例提供的形成有量子点膜的电极基片的剖视结构示意图;
图5是采用本申请实施例的量子点膜的制作方法制得的量子点膜的荧光显微组织图像;
图6是采用传统电泳沉积的方式制得的量子点膜的荧光显微组织图像。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种量子点膜的制作方法及量子点基板。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外,在本申请的描述中,术语“包括”是指“包括但不限于”。用语第一、第二、第三等仅仅作为标示使用,并没有强加数字要求或建立顺序。本发明的各种实施例可以以一个范围的型式存在;应当理解,以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁,不应理解为对本发明范围的硬性限制;因此,应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及此范围内的单一数值。例如,应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围,例如从1到3,从1到4,从1到5,从2到4,从2到6,从3到6等,以及所数范围内的单一数字,例如1、2、3、4、5及6,此不管范围为何皆适用。另外,每当在本文中指出数值范围,是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
请参阅图1,本申请实施例提供一种量子点膜的制作方法,包括以下步骤:
步骤B1、如图3所示,提供量子点胶体和极性溶剂,量子点胶体中具有量子点,将量子点胶体和极性溶剂混合改性,得到量子点溶液100;
步骤B2、结合图2和图3,提供电极基片200,将电极基片200浸入到量子点溶液100中;
步骤B3、结合图3和图4,通过电泳沉积的方式将量子点溶液100中的量子点沉积于电极基片200,以在电极基片200上形成量子点膜300。
本申请实施例的量子点膜的制作方法通过采用极性溶剂对量子点胶体进行改性,由于极性溶剂中含有极性基团,极性基团可以诱导量子点胶体电离产生电荷,如此设置,既可以使得量子点胶体的带电量增加,又可以使量子点呈现单一电荷的特性,大大提高了量子点胶体的选择性沉积的特性,以便于精确控制量子点沉积在特定极性的电极基片200上,有利于制备良好形貌和厚度均匀的量子点膜300。
值得一提的是,图5是采用本申请实施例的量子点膜的制作方法制得的量子点膜300的荧光显微组织图像,图6是采用传统电泳沉积的方式制得的量子点膜300的荧光显微组织图像,通过比对图5和图6的图像,可以明显发现,图5中的量子点膜300的表面更加平滑,膜厚更加均匀,也即采用本申请实施例的量子点膜的制作方法制得的量子点膜300的形貌良好。
在上述步骤B1中,极性溶剂对成膜的影响较大,若采用大量极性溶剂对量子点胶体改性,则容易降低量子点溶液100中的量子点浓度,会降低量子点进行电泳沉积的效率,影响成膜质量;若采用少量极性溶剂对量子点胶体进行改性,则不能很好地对量子点胶体进行改性,量子点胶体呈现单一电荷的特性不明显,在进行电泳沉积时难以精确控制量子点沉积在特定极性的电极基片200上,导致难以制备良好形貌的量子点膜300。为了解决上述问题,将量子点胶体和极性溶剂的体积比控制在1:1-1:30,如此设置,既能保证量子点进行电泳沉积的效率和成膜质量,又能使量子点胶体明显呈现单一电荷的特性,以便于精确控制量子点沉积在特定极性的电极基片200上,有利于制备良好形貌的量子点膜300。
可选的,本申请实施例中,量子点胶体和极性溶剂的体积比可以为1:1、1:2、1:3、1:4、1:5、1:10、1:15、1:20、1:25、1:26、1:27、1:28、1:29或1:30,上述体积比能够很好地促进量子点进行电泳沉积,以便于制备良好形貌的量子点膜300。可以理解的是,根据实际情况的选择和具体需求,量子点胶体和极性溶剂的体积比可以做适当调整,在此不做唯一限定。
在上述步骤B1中,量子点溶液100中的量子点的浓度对量子点进行电泳沉积的效率有很大的影响,若量子点溶液100中的量子点的浓度较大,则量子点进行电泳沉积的速度较快,难以控制的量子点膜300的膜厚;若量子点溶液100中的量子点的浓度较小,则量子点进行电泳沉积的速度较慢,这无疑会降低量子点进行电泳沉积的效率。为了解决上述问题,将量子点溶液100中的量子点的浓度控制在1mg/ml-200mg/ml,如此设置,既有利于控制量子点膜300的膜厚,又能保证量子点进行电泳沉积的速度,提高量子点进行电泳沉积的效率,以便于制备形貌良好的量子点膜300。
可选的,本申请实施例中,量子点溶液100中的量子点的浓度可以为1mg/ml、5mg/ml、10mg/ml、15mg/ml、20mg/ml、25mg/ml、50mg/ml、75mg/ml、100mg/ml、125mg/ml、150mg/ml、175mg/ml、180mg/ml、185mg/ml、190mg/ml、195mg/ml或200mg/ml,上述浓度均能够很好地促进量子点进行电泳沉积,以便于制备良好形貌的量子点膜300。可以理解的是,根据实际情况的选择和具体需求,量子点溶液100中的量子点的浓度可以做适当调整,在此不做唯一限定。
在上述步骤B1中,将量子点胶体和极性溶剂混合改性的具体步骤为:将量子点胶体和极性溶剂混合后进行搅拌,然后静置5分钟-30分钟,从而得到量子点溶液100;其中,搅拌时量子点胶体和极性溶剂的温度控制在10℃-90℃,搅拌的转速为50rpm-1000rpm,搅拌时间为1秒-1800秒。
可选的,本申请实施例的步骤B1中,将量子点胶体和极性溶剂混合后,可以但不限于通过磁力搅拌器的方式对量子点胶体和极性溶剂进行搅拌,然后静置一段时间,从而得到量子点溶液100;其中,搅拌时量子点胶体和极性溶剂的温度可以控制在10℃、20℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃或90℃;搅拌的转速可以为50rpm、100rpm、200rpm、300rpm、400rpm、500rpm、600rpm、700rpm、800rpm、900rpm或1000rpm;搅拌时间可以为1秒、10秒、100秒、200秒、400秒、600秒、800秒、1000秒、1200秒、1400秒、1600秒或1800秒;对量子点胶体和极性溶剂进行搅拌后,静置5分钟、8分钟、10分钟、12分钟、15分钟、20分钟、25分钟或30分钟。可以理解的是,根据实际情况的选择和具体需求,量子点胶体和极性溶剂混合改性的具体参数可以做适当调整,在此不做唯一限定。
在上述步骤B1中,量子点胶体包括量子点组合物以及胶体溶剂,其中,量子点组合物包括量子点和配体,也即量子点胶体包括量子点、配体和胶体溶剂。在此量子点胶体中,胶体溶剂用于分散量子点;配体可以改善量子点与胶体溶剂的相容性,使得量子点稳定地分散在胶体溶剂中。
具体的,量子点胶体包括含量为0.01wt%-80wt%的量子点组合物和含量为20wt%-99.9wt%胶体溶剂,以便于量子点组合物和胶体溶剂的配比对量子点在量子点胶体中的分散程度,保证量子点在量子点胶体中分散良好且不会团聚,使得量子点稳定地分散在胶体溶剂中。
可选的,本申请实施例的量子点胶体中,量子点组合物的含量可以为0.01wt%、0.05wt%、1wt%、5wt%、10wt%、15wt%、20wt%、25wt%、30wt%、35wt%、40wt%、45wt%、50wt%、55wt%、60wt%、65wt%、70wt%、75wt%或80wt%,胶体溶剂的含量可以为20wt%、25wt%、30wt%、35wt%、40wt%、45wt%、50wt%、55wt%、60wt%、65wt%、70wt%、75wt%、80wt%、85wt%、90wt%、95wt%、99.9wt%,99.95wt%或99wt%,保证量子点在量子点胶体中分散良好且不会团聚,使得量子点稳定地分散在胶体溶剂中。可以理解的是,根据实际情况的选择和具体需求,量子点胶体中的量子点组合物和胶体溶剂的配比可以做适当调整,在此不做唯一限定。
具体的,在上述量子点组合物中,配体的含量为0.5wt%-10wt%,即配体的质量占量子点组合物的总质量的百分比含量为0.5%-10%,此设置下,既可以避免配体过剩的情况发生,又能保证量子点在量子点胶体中分散良好且不会团聚,使得量子点稳定地分散在胶体溶剂中。
可选的,在上述量子点组合物中,配体的含量为0.5wt%、1wt%、1.5wt%、2wt%、2.5wt%、3wt%、3.5wt%、4wt%、4.5wt%、5wt%、5.5wt%、6wt%、6.5wt%、7wt%、7.5wt%、8wt%、8.5wt%、9wt%、9.5wt%或10wt%,既可以避免配体过剩的情况发生,又能保证量子点在量子点胶体中分散良好且不会团聚,使得量子点稳定地分散在胶体溶剂中。可以理解的是,根据实际情况的选择和具体需求,量子点组合物中的配体的含量可以做适当调整,在此不做唯一限定。
在本申请的一些实施例中,量子点可以通过热注入法制得,具体来说,可以将前驱体注入温度为100℃-500℃的反应液中反应,然后通过离心干燥获得量子点。量子点由IV、II-VI,IV-VI或III-V族元素组成,具体而言,量子点主要由IVA、ⅡB-ⅥA、ⅢA-ⅤA、IVA-VIA族元素构成,例如,当量子点包括IVA族元素构成时,量子点可以包括碳量子点、硅量子点或锗量子点;当量子点包括ⅡB-ⅥA族元素构成时,量子点具体可以包括硒化镉量子点、硫化锌量子点或硫化镉量子点;当量子点包括ⅢA-ⅤA族元素构成时,量子点具体可以包括磷化铟量子点、砷化镓量子点或砷化铟量子点;当量子点包括IVA-VIA族元素构成时,量子点具体可以包括硫化铅量子点、硒化铅量子点或碲化铅量子点,根据实际情况的选择和具体需求,量子点的具体材料可以做适当修改。
在本申请的一些实施例中,胶体溶剂可以选自水、醇类化合物、醚类化合物、酯类化合物和烷类化合物,其中,胶体溶剂可以为乙醇、乙醚、醋酸乙酯或正辛烷,当然,根据实际情况的选择和具体需求,胶体溶剂可以做适当修改,例如,胶体溶剂也可以为水、丙二醇甲醚醋酸酯(2-Acetoxy-1-Methoxypropane,PGMEA)或其它化合物,在此不做唯一限定。
在本申请的一些实施例中,配体可以防止量子点聚集,使得量子点均匀分散在胶体溶剂中,从而将量子点的粒子的大小控制在纳米级别,本实施例中,配体选自丙二醇衍生物、硫代硫醇化合物、硫代羧酸化合物以及包含酯基和硫醇基的化合物中的一种或多种,根据实际情况的选择和具体需求,配体的具体材料可以做适当修改,在此不做唯一限定。
在本申请的一些实施例中,量子点胶体的制作步骤为:将量子点、配体和胶体溶剂混合后进行机械搅拌,使得量子点和配体分散于胶体溶剂中,从而得到量子点胶体;其中,搅拌时的胶体溶剂的温度控制在10℃-100℃,搅拌的转速为10rpm-1500rpm,搅拌时间为3分钟-1440分钟。
可选的,在本申请实施例中,将量子点、配体和胶体溶剂混合后进行机械搅拌,搅拌时的温度可以为10℃、20℃、30℃、45℃、60℃、70℃、80℃、90℃或者100℃;搅拌时的转速可以为10rpm、50rpm、100rpm、200rpm、300rpm、400rpm、500rpm、600rpm、700rpm、800rpm、900rpm、1000rpm、1100rpm、1200rpm、1300rpm、1400rpm或1500rpm;搅拌的时间可以为3min、10min、100min、200min、300min、400min、500min、600min、700min、800min、900min、1000min、1200min或1440min。可以理解的是,根据实际情况的选择和具体需求,将量子点、配体和胶体溶剂混合后进行机械搅拌的具体参数可以做适当调整,在此不做唯一限定。
在上述步骤B1中,极性溶剂的极性大于胶体溶剂的极性,本实施例通过采用极性溶剂对量子点胶体进行改性,极性溶剂中的极性基团可以诱导量子点胶体电离产生电荷,既可以使得量子点胶体的带电量增加,又可以使量子点呈现单一电荷的特性,大大提高了量子点胶体的选择性沉积的特性,以便于精确控制量子点沉积在特定极性的电极基片200上,有利于制备良好形貌的量子点膜300。
在上述步骤B1中,将量子点胶体和极性溶剂混合改性,得到量子点溶液100,其中,量子点胶体包括胶体溶剂,即所得到的量子点溶液100里包括胶体溶剂和极性溶剂,胶体溶剂和极性溶剂均具有分散量子点的作用,若量子点溶液100里的胶体溶剂和极性溶剂的总含量较高,则容易降低量子点溶液100中的量子点浓度,会降低量子点进行电泳沉积的效率,影响成膜质量;若极性溶剂的用量不够,则不能很好地对量子点胶体进行改性,量子点胶体呈现单一电荷的特性不明显,在进行电泳沉积时难以精确控制量子点沉积在特定极性的电极基片200上,导致难以制备良好形貌的量子点膜300。为了解决上述问题,定义总溶剂为极性溶剂和极性溶剂,将极性溶剂和总溶剂的体积比控制在15%-85%,既能保证量子点进行电泳沉积的效率和成膜质量,又能使量子点胶体明显呈现单一电荷的特性,以便于精确控制量子点沉积在特定极性的电极基片200上,有利于制备良好形貌的量子点膜300。
可选的,本申请实施例中,极性溶剂和总溶剂的体积比可以为15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%,上述体积比能够很好地促进量子点进行电泳沉积,以便于制备良好形貌的量子点膜300。可以理解的是,根据实际情况的选择和具体需求,极性溶剂和总溶剂的体积比可以做适当调整,在此不做唯一限定。
在上述步骤B1中,极性溶剂的相对极性为0-10.2,从而保证极性溶剂能够提供足够的极性基团以对量子点胶体进行改性。可选的,本实施例中,极性溶剂的相对极性可以为0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或10.2,根据实际情况的选择和具体需求,极性溶剂的相对极性可以做适当调整,在此不做唯一限定。
可选的,本申请实施例中,极性溶剂可以选自水、丙二醇甲醚醋酸酯(2-Acetoxy-1-Methoxypropane,PGMEA)和乙醇中的至少一种,也即极性溶剂可以选自水、丙二醇甲醚醋酸酯和乙醇中的一种,极性溶剂也可以由水、丙二醇甲醚醋酸酯和乙醇中的任意两种混合得到,极性溶剂也可以为水、丙二醇甲醚醋酸酯和乙醇三者混合得到,只要保证最终得到的极性溶剂的极性大于胶体溶剂的极性即可。可以理解的是,根据实际情况的选择和具体需求,极性溶剂的具体组成可以做适当修改,在此不做唯一限定。
在上述步骤B2中,如图2所示,电极基片200包括第一电极基片210和第二电极基片220;在步骤B3中,通过电泳沉积的方式将量子点溶液100中的量子点沉积于电极基片200,以在电极基片200上形成量子点膜300的步骤包括:
步骤B31、如图3和图4所示,对第一电极基片210施加第一电压,对第二电极基片220施加第二电压,第一电压和第二电压的极性相反,从而使得将量子点溶液100中的量子点沉积于第一电极基片210和第二电极基片220。
需要说明的是,虽然本申请实施例采用极性溶剂对量子点胶体进行改性,使得大部分量子点明显呈现单一电荷的特性,但仍有少部分量子点呈现相反电荷的特性。例如,采用极性溶剂对量子点胶体进行改性,使得大部分量子点明显呈现正电荷的特性,但仍有少部分量子点呈现负电荷的特性,当进行电泳沉积时,大部分呈现正电荷的量子点会沉积在第一电极基片210和第二电极基片220中的对应施加负电压的一个,少部分呈现负电荷的量子点会沉积在第一电极基片210和第二电极基片220中的对应施加正电压的一个,因此,此实施例量子点主要沉积在第一电极基片210和第二电极基片220中的对应施加负电压的一个,可以在第一电极基片210和第二电极基片220中的对应施加负电压的一个上沉积形貌良好的量子点膜300;或者,
采用极性溶剂对量子点胶体进行改性,使得大部分量子点明显呈现负电荷的特性,但仍有少部分量子点呈现正电荷的特性,当进行电泳沉积时,大部分呈现负电荷的量子点会沉积在第一电极基片210和第二电极基片220中的对应施加正电压的一个,少部分呈现正电荷的量子点会沉积在第一电极基片210和第二电极基片220中的对应施加负电压的一个,因此,此实施例量子点主要沉积在第一电极基片210和第二电极基片220中的对应施加正电压的一个,可以在第一电极基片210和第二电极基片220中的对应施加正电压的一个上沉积形貌良好的量子点膜300。
在上述步骤B3中,第一电极基片210和第二电极基片220上形同的量子点膜300的厚度不同,为了在第一电极基片210和第二电极基片220上沉积厚度差较小的量子点膜300,通过电泳沉积的方式将量子点溶液100中的量子点沉积于电极基片200的步骤还包括:
步骤B32、结合图3和图4,周期性改变第一电压的极性和第二电压的极性,直至在第一电极基片210和第二电极基片220上形成量子点膜300。此设置下,可以使得第一电极基片210上的量子点膜300和第二电极基片220的量子点膜300的形貌趋向相同,使得第一电极基片210上的量子点膜300和第二电极基片220的量子点膜300的厚度均匀。
在上述实施例中,若在步骤B21中,第一电压为正电压,第二电压为负电压;经过第一次改变第一电压的极性和第二电压的极性后,第一电压变为负电压,第二电压变为正电压;经过第二次改变第一电压的极性和第二电压的极性后,第一电压变为正电压,第二电压变为负电压;经过第三次改变第一电压的极性和第二电压的极性后,第一电压变为负电压,第二电压变为正电压……依此类推,经过奇数次改变第一电压的极性和第二电压的极性后,第一电压变为负电压,第二电压变为正电压;经过复数次改变第一电压的极性和第二电压的极性后,第一电压变为正电压,第二电压变为负电压。
在上述实施例中,若在步骤B31中,第一电压为负电压,第二电压为正电压;经过第一次改变第一电压的极性和第二电压的极性后,第一电压变为正电压,第二电压变为负电压;经过第二次改变第一电压的极性和第二电压的极性后,第一电压变为负电压,第二电压变为正电压;经过第三次改变第一电压的极性和第二电压的极性后,第一电压变为正电压,第二电压变为负电压……依此类推,经过奇数次改变第一电压的极性和第二电压的极性后,第一电压变为正电压,第二电压变为负电压;经过复数次改变第一电压的极性和第二电压的极性后,第一电压变为负电压,第二电压变为正电压。
在上述步骤B32中,周期性改变第一电压的极性和第二电压的极性的步骤的周期为0.1秒-300秒,例如,周期性改变第一电压的极性和第二电压的极性的步骤的周期可以为0.1秒、1秒、10秒、50秒、100秒、150秒、200秒、250秒或300秒。可以理解的是,根据实际情况的选择和具体需求,周期性改变第一电压的极性和第二电压的极性的步骤的周期可以做适当调整,在此不做唯一限定。
可选的,本申请实施例中,相邻两次改变第一电压的极性和第二电压的极性的周期可以相同,也可以不同,根据实际情况的选择和具体需求,可以做适当调整,在此不做唯一限定。
在上述步骤B31和B32中,对第一电极基片210施加第一电压,对第二电极基片220施加第二电压,使得第一电极基片210和第二电极基片220之间形成电场,其中,第一电极基片210和第二电极基片220之间的电场强度为5×105伏/米-4×107伏/米,使得量子点在电场作用下沿特定方向运动在第一电极基片210或第二电极基片220上选择性沉积,从而制得量子点膜300。
可选的,本申请实施例的量子点胶体中,第一电极基片210和第二电极基片220之间的电场强度为5×105伏/米、1×106伏/米、5×106伏/米、1×107伏/米、2×107伏/米、3×107伏/米或4×107伏/米,根据实际情况的选择和具体需求,第一电极基片210和第二电极基片220之间的电场强度可以做适当调整,在此不做唯一限定。
在上述步骤B31和B32中,在进行电泳沉积时,量子点溶液100的温度控制在10℃-100℃,从而使得电泳沉积能够正常进行。可选的,在上述步骤B31和B32中,量子点溶液100的温度可以为10℃、20℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃或100℃,根据实际情况的选择和具体需求,量子点溶液100的温度可以做适当调整,在此不做唯一限定。
可选的,采用本申请实施例的量子点膜的制作方法制得的量子点膜300的厚度为10纳米-5微米,通过调整量子点溶液100中的量子点的浓度、第一电极基片210和第二电极基片220之间的电场强度、电泳沉积时量子点溶液100的温度等参数,可以调节量子点膜300的厚度。
可选的,本申请实施例的量子点胶体中,量子点膜300的厚度可以为10纳米、100纳米、1微米、1.5微米、2微米、2.5微米、3微米、3.5微米、4微米、4.5微米或5微米,根据实际情况的选择和具体需求,量子点膜300的厚度可以做适当调整,在此不做唯一限定。
作为本申请的一个具体实施方式,如图2和图4所示,第一电极基片210包括第一衬底211以及设于第一衬底211上的至少一个第一图案化电极212,第二电极基片220包括第二衬底221以及设于第二衬底221上的至少一个第二图案化电极222。在本实施例中,第一图案化电极212和第二图案化电极222用于沉积量子点,具体来说,结合图3和图4,在上述步骤B3的实施过程中,通过电泳沉积的方式将量子点溶液100中的量子点沉积于第一图案化电极212和第二图案化电极222,以在第一图案化电极212和第二图案化电极222上形成量子点膜300。
需要说明的是,上述第一图案化电极212和第二图案化电极222指经过图案化处理后的电极,由于最终所制得的量子点膜300的形状与第一图案化电极212(或第二图案化电极222)的形状大致相同,因此可以根据所需的量子点膜300的形状来将电极图案化处理成对应的形状,从而制作第一图案化电极212和第二图案化电极222。
需要说明的是,本申请实施例所制得的量子点膜300可以应用于彩膜基板、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置等领域的制作,因此,量子点膜300在制作完成后不需要从电极基片200上剥落,例如,当应用于彩膜基板时,电极基片200及其上的量子点薄膜可以作为彩膜基板使用,其中,量子点薄膜为彩色滤光层;当应用于OLED显示装置时,电极基片200的第一图案化电极212和第二图案化电极222可以作为有机发光二极管的阳极或阴极,量子点膜300可以作为空穴注入层、电子注入层、空穴传输层、电子传输层或发光层使用。
本申请实施例还提供一种量子点基板,包括电极基片200以及设于电极基片200上的量子点膜300,量子点膜300采用如上所述的量子点膜的制作方法制得。由于本实施例提供的量子点基板采用了上述所有实施例的全部技术方案,因此同样具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种量子点膜的制作方法及量子点基板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种量子点膜的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供量子点胶体和极性溶剂,所述量子点胶体中具有量子点,将所述量子点胶体和所述极性溶剂混合改性,得到量子点溶液;
提供电极基片,将所述电极基片浸入到所述量子点溶液中;
通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述电极基片,以在所述电极基片上形成量子点膜。
2.根据权利要求1所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述量子点胶体和所述极性溶剂的体积比为1:1-1:30。
3.根据权利要求1所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述量子点溶液中的所述量子点的浓度为1mg/ml-200mg/ml。
4.根据权利要求1所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述量子点胶体包括含量为0.01wt%-80wt%的量子点组合物和含量为20wt%-99.9wt%胶体溶剂,其中,所述量子点组合物包括所述量子点和配体。
5.根据权利要求4所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述极性溶剂的极性大于所述胶体溶剂的极性。
6.根据权利要求1-5任一项所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述电极基片包括第一电极基片和第二电极基片;
所述通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述电极基片,以在所述电极基片上形成量子点膜的步骤包括:
对所述第一电极基片施加第一电压,对所述第二电极基片施加第二电压,所述第一电压和所述第二电压的极性相反,从而使得将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述第一电极基片和所述第二电极基片。
7.根据权利要求6所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述通过电泳沉积的方式将所述量子点溶液中的所述量子点沉积于所述电极基片的步骤还包括:
周期性改变所述第一电压的极性和所述第二电压的极性,直至在所述第一电极基片和所述第二电极基片上形成所述量子点膜。
8.根据权利要求7所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述周期性改变所述第一电压的极性和所述第二电压的极性的步骤的周期为0.1秒-300秒。
9.根据权利要求7所述的量子点膜的制作方法,其特征在于,所述第一电极基片和所述第二电极基片之间的电场强度为5×105伏/米-4×107伏/米。
10.一种量子点基板,其特征在于,包括电极基片以及设于所述电极基片上的量子点膜,所述量子点膜采用如权利要求1-9任一项所述的量子点膜的制作方法制得。
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KR20160069829A (ko) * | 2014-12-09 | 2016-06-17 | 한국기계연구원 | 양자점 트랜지스터의 제조 방법 |
WO2020136713A1 (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | シャープ株式会社 | 発光デバイスの製造方法 |
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