CN113871555A - 量子点基板的制作方法及量子点基板 - Google Patents

量子点基板的制作方法及量子点基板 Download PDF

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Abstract

本申请实施例公开了一种量子点基板的制作方法及量子点基板，量子点基板的制作方法包括以下步骤：在第一电极和第二电极之间添加具有量子点材料的量子点溶液；对第一电极和第二电极施加电压，使得第一电极和第二电极之间形成电场；改变电场的电场强度，使得量子点材料在至少两种电场强度的电场下沉积于第一电极，从而在第一电极上形成量子点材料层，可以解决采用电泳沉积制作量子点材料层难以保证量子点材料层的形貌规整且具有较高的光转化率的技术问题。

Description

量子点基板的制作方法及量子点基板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种量子点基板的制作方法及量子点基板。
背景技术
量子点(Quantum Dot，QD)是一种纳米级半导体材料，具有量子效应；在电或者光的激发下可以发射不同色彩的荧光。量子点显示技术的色域可以达到NTSC色域的110％，因此量子点材料可以赋予显示器更宽广的色域，使得终端显示拥有更靓丽的色彩表现。
目前量子点材料层的加工方法主要为光刻法和喷墨打印法，二者分别面临着发光效率低，稳定性差和重复性差，加工时间长等问题。电泳沉积制备量子点材料层是利用带电荷的量子点材料在电场作用下沿特定方向运动和在特定电极选择性沉积的方法制备量子点材料层。其具有方便快捷，可大面积制备量子点材料层的特点。
但是，在采用电泳沉积制备量子点材料层时，量子点材料包括量子点和纳米粒子，量子点和纳米粒子二者携带的电荷量不同，当电场强度较大时，量子点的沉积速度大于纳米粒子的沉积速度，所形成的量子点材料层的光转化率高但形貌规整性差；当电场强度较小时，量子点的沉积速度小于纳米粒子的沉积速度，所形成的量子点材料层形貌规整但光转化率低。
发明内容
本申请实施例提供一种量子点基板的制作方法及量子点基板，可以解决采用电泳沉积制作量子点材料层难以保证量子点材料层的形貌规整且具有较高的光转化率的技术问题。
本申请实施例提供一种量子点基板的制作方法，包括以下步骤：
在第一电极和第二电极之间添加具有量子点材料的量子点溶液；
对所述第一电极和所述第二电极施加电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电场；
改变所述电场的电场强度，使得所述量子点材料在至少两种电场强度的所述电场下沉积于所述第一电极，从而在所述第一电极上形成量子点材料层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述改变所述电场的电场强度，使得所述量子点材料在至少两种电场强度的所述电场下沉积于所述第一电极的步骤具体为：
交替改变所述电场的电场强度，使得所述电场的电场强度在第一电场强度和第二电场强度之间切换，所述第一电场强度小于所述第二电场强度。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电场强度为5×105伏/米～1.5×107伏/米，所述第二电场强度为5×106伏/米～4×107伏/米。
可选的，在本申请的一些实施例中，施加所述电场的总时间为1秒～3600秒，电场强度为所述第二电场强度的所述电场的施加总时间小于施加所述电场的总时间，电场强度为所述第二电场强度的所述电场的施加总时间大于0秒且小于600秒。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述在第一电极和第二电极之间添加具有量子点材料的量子点溶液的步骤具体包括：
提供第一基板和第二基板，所述第一基板的一侧设有多个凹槽，所述凹槽的底部设有所述第一电极，所述第二基板的一侧设有所述第二电极；
在所述第一基板或所述第二基板上布置框胶；
在所述框胶的内侧添加量子点溶液；
通过所述框胶将所述第一基板和所述第二基板粘接在一起，所述第一基板、所述第二基板和所述框胶围合形成反应腔，所述反应腔内设有所述第一电极、所述第二电极和所述量子点溶液。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一基板埋设有与所述第一电极电性连接的线路层，所述在第一电极和第二电极之间添加具有量子点材料的量子点溶液的步骤还包括：切除所述第一基板对应所述框胶的外侧区域，露出所述线路层；
对所述第一电极施加电压的步骤为：通过所述线路层对所述第一电极施加电压。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述提供第一基板的步骤具体包括：
在第一衬底上形成线路层；
在所述第一衬底的设有所述线路层的一侧形成挡墙，所述挡墙围合出多个所述凹槽；
在所述凹槽内形成所述第一电极，所述第一电极电性连接于所述线路层，从而得到所述第一基板。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述线路层包括多个走线，一个或多个所述第一电极电性连接于同一所述走线。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述线路层包括扫描线、与所述扫描线绝缘且相交设置的数据线以及设于所述扫描线和数据线相交处的薄膜晶体管，所述扫描线电性连接于所述薄膜晶体管的栅极，所述数据线电性连接于所述薄膜晶体管的源极，所述第一电极电性连接于所述薄膜晶体管的漏极。
本申请实施例还提供一种量子点基板，采用如上所述的量子点基板的制作方法制得，所述量子点基板包括第一基板、设于所述第一基板上的第一电极以及设于所述第一电极上的量子点材料层。
本申请实施例提供一种量子点基板的制作方法及量子点基板，通过改变量子点材料电泳沉积的电场强度，使得量子点材料在至少两种电场强度的电场下沉积于第一电极，从而制得量子点材料层，上述可以保证量子点材料层的形貌规整，且具有良好的光转化率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的量子点基板的制作方法的流程示意图；
图2是本申请实施例提供的在第一电极和第二电极之间添加量子点溶液并对第一电极和第二电极施加电压的示意图；
图3是本申请实施例提供的在第一电极上形成量子点材料层的剖视结构示意图；
图4是本申请实施例提供的在第一衬底上形成线路层的剖视结构示意图；
图5是本申请实施例提供的第一衬底和第一种线路层的层叠结构示意图；
图6是本申请实施例提供的第一衬底和第二种线路层的层叠结构示意图；
图7是本申请实施例提供的在线路层上形成挡墙的剖视结构示意图；
图8是本申请实施例提供的在凹槽内形成第一电极的剖视结构示意图；
图9是本申请实施例提供的在挡墙上形成间隔物的剖视结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种量子点基板的制作方法及量子点基板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。用语第一、第二、第三等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。本发明的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
请参阅图1，同时结合图2和图3，本申请实施例提供一种量子点基板的制作方法，包括以下步骤：
步骤B1、在第一电极140和第二电极210之间添加具有量子点材料的量子点溶液500；
步骤B2、对第一电极140和第二电极210施加电压，使得第一电极140和第二电极210之间形成电场；
步骤B3、改变电场的电场强度，使得量子点材料在至少两种电场强度的电场下沉积于第一电极140，从而在第一电极140上形成量子点材料层160。在此实施例中，量子点材料在至少两种电场强度的电场下沉积于第一电极140，即上述至少两种电场强度的电场均能使量子点材料沉积于第一电极140，也即上述至少两种电场强度的电场方向相同但强度不同。
本申请实施例的量子点基板的制作方法通过改变量子点材料电泳沉积的电场强度，使得量子点材料在至少两种电场强度的电场下沉积于第一电极140，从而制得量子点材料层160，上述方法可以保证量子点材料层160的且具有良好的光转化率。
为了方便解释，在此以量子点材料在两种电场强度的电场下沉积于第一电极140的情况进行说明，两种电场强度中的一个为高电场强度，另一个为低电场强度，高电场强度的电场强度大于低电场强度的电场强度；量子点材料包括量子点和纳米粒子，当在高电场强度的电场下时，量子点的沉积速度大于纳米粒子的沉积速度；当在低电场强度的电场下时，纳米粒子的沉积速度小于量子点的沉积速度，如此，通过高电场强度的电场和低电场强度的电场配合，既能保证有足够的量子点沉积，使得后续获得的量子点材料层160具有良好的光转化率；又能保证有足够的纳米粒子沉积，使得后续获得的量子点材料层160的形貌规整。应当理解的是，在上述步骤B3中，量子点材料也可以在三种以上的电场强度的电场下沉积于第一电极140，其同样也有上述有益效果，在此不做唯一限定。
具体的，在上述步骤B3中，量子点材料在两种电场强度的电场下沉积于第一电极140，当然，根据实际情况的选择和具体需求，量子点材料也可以在三种以上的电场强度的电场下沉积于第一电极140。在本实施例的上述步骤B3中，改变电场的电场强度，使得量子点材料在至少两种电场强度的电场下沉积于所述第一电极140的步骤具体可以为：交替改变电场的电场强度，使得电场的电场强度在第一电场强度和第二电场强度之间切换，第一电场强度小于第二电场强度，从而使量子点材料沉积于第一电极140。
当电场的初始电场强度为第一电场强度时，在第一电场强度的电场下，量子点材料沉积于第一电极140；然后，将电场的电场强度调整为第二电场强度，在第二电场强度的电场下，量子点材料沉积于第一电极140；随后，将电场的电场强度调整为第一电场强度……依此类推，直至在第一电极140上形成量子点材料层160；或者，
当电场的初始电场强度为第二电场强度时，在第二电场强度的电场下，量子点材料沉积于第一电极140；然后，将电场的电场强度调整为第一电场强度，在第一电场强度的电场下，量子点材料沉积于第一电极140；随后，将电场的电场强度调整为第二电场强度……依此类推，直至在第一电极140上形成量子点材料层160。
本实施例中，交替改变电场的电场强度的次数至少为一次，即量子点材料至少在一次第一电场强度的电场和一次第二电场强度的电场下沉积于第一电极140。
可选的，第一电场强度可以为5×105伏/米～1.5×107伏/米，例如，第一电场强度可以为5×105伏/米、6×105伏/米、7×105伏/米、8×105伏/米、9×105伏/米、1×106伏/米、2×106伏/米、3×106伏/米、4×106伏/米、5×106伏/米、6×106伏/米、7×106伏/米、8×106伏/米、9×106伏/米、1×107伏/米或1.5×107伏/米。在此电场强度范围下，可以保证纳米粒子的沉积速度，从而保证有足够的纳米粒子沉积于第一电极140。
可选的，第二电场强度为5×106伏/米～4×107伏/米，例如，第二电场强度可以为5×106伏/米、6×106伏/米、7×106伏/米、8×106伏/米、9×106伏/米、1×107伏/米、1.5×107伏/米、2×107伏/米、2.5×107伏/米、3×107伏/米、3.5×107伏/米或4×107伏/米。在此电场强度范围下，可以保证量子点的沉积速度，从而保证有足够的量子点沉积于第一电极140。
可选的，在本申请实施例的步骤B2和步骤B3中，电场强度为第一电场强度的电场的施加总时间加上电场强度为第二电场强度的电场的施加总时间等于施加电场的总时间，施加电场的总时间为1秒～3600秒，例如，施加电场的总时间可以为1秒、10秒、50秒、100秒、150秒、200秒、250秒、300秒、350秒、400秒、450秒、500秒、550秒、600秒、650秒、700秒、750秒、800秒、850秒、900秒、850秒、1000秒、1050秒、1100秒、1150秒、1200秒、1250秒、1300秒、1350秒、1400秒、1450秒、1500秒、1550秒、1600秒、1650秒、1700秒、1750秒、1800秒、1850秒、1900秒、1950秒、2000秒、2100秒、2200秒、2300秒、2400秒、2500秒、2600秒、2700秒、2800秒、2900秒、3000秒、3100秒、3200秒、3300秒、3400秒、3500秒或3600秒，根据实际情况的选择和具体需求，施加电场的总时间可以做适当调整，在此不做唯一限定。
可选的，在本申请实施例的步骤B2和步骤B3中，电场强度为第二电场强度的电场的施加总时间小于施加电场的总时间，电场强度为第二电场强度的电场的施加总时间大于0秒且小于600秒，电场强度为第二电场强度的电场的施加总时间可以为1秒、10秒、50秒、100秒、150秒、200秒、250秒、300秒、350秒、400秒、450秒、500秒、550秒或600秒，根据实际情况的选择和具体需求，电场强度为第二电场强度的电场的施加总时间可以做适当调整，在此不做唯一限定。
具体的，在本申请实施例的步骤B1中，如图2所示，在第一电极140和第二电极210之间添加具有量子点材料的量子点溶液500的步骤具体包括：
步骤B11、提供第一基板100和第二基板200，第一基板100的一侧设有多个凹槽131，凹槽131的底部设有第一电极140，第二基板200的一侧设有第二电极210；
步骤B12、在第一基板100或第二基板200上布置框胶300，具体可以但不限于通过涂布工艺、点胶工艺、打印工艺或者模压工艺等方式在第一基板100或者第二基板200上布置框胶300；
步骤B13、在框胶300的内侧添加量子点溶液500，具体可以但不限于通过直接滴加或者打印工艺在框胶300的内侧添加量子点溶液500；
步骤B14、通过框胶300将第一基板100和第二基板200粘接在一起，第一基板100、第二基板200和框胶300围合形成反应腔400，反应腔400内设有第一电极140、第二电极210和量子点溶液500。在此实施例中，在后续电泳沉积过程中，凹槽131的设置可以限定量子点材料的沉积方向，沉积于第一电极140上的量子点材料可以沿厚度方向成长，保证所形成的量子点材料层160的均匀性。
具体的，在本申请实施例的步骤B11中，第一基板100埋设有与第一电极140电性连接的线路层120；在上述步骤B1中，在第一电极140和第二电极210之间添加具有量子点材料的量子点溶液500的步骤还包括：步骤B15、切除第一基板100对应框胶300的外侧区域，露出线路层120；在上述步骤B2中，对第一电极140施加电压的步骤为：通过线路层120对第一电极140施加电压。本申请实施例通过在第一基板100上设置线路层120，以便于后续对第一电极140施加电压，操作简便。
具体的，在本申请实施例的步骤B11中，提供第一基板100的步骤具体包括：
步骤B111、如图4至图6所示，在第一衬底110上形成线路层120；
步骤B112、如图7所示，在第一衬底110的设有线路层120的一侧形成挡墙130，挡墙130围合出多个凹槽131；
步骤B113、如图2和图8所示，在凹槽131内形成第一电极140，第一电极140电性连接于线路层120，从而得到第一基板100。本实施例中，第一衬底110上设有多个凹槽131，每个凹槽131的底部均设有第一电极140，如此设置，以便于后续一次性在多个第一电极140上形成量子点材料层160，大大提高了制作效率。
具体的，在上述步骤B111中，如图4、图5和图8所示，线路层120包括多个走线121，后续形成于凹槽131内的第一电极140电性连接于走线121，具体来说，一个或多个第一电极140电性连接于同一走线121，以便于后续通过走线121对第一电极140施加电压。在此实施例中，采用上述第一基板100制得的量子点基板可以为量子点彩膜基板。需要说明的是，图5中的虚线框区域为后续凹槽131和第一电极140的形成区域，通过将第一电极140设置在虚线框区域，使得第一电极140与走线121搭接。
具体的，在上述步骤B111中，如图4、图6和图8所示，线路层120包括至少一条扫描线122、与扫描线122绝缘且相交设置的至少一条数据线123以及设于扫描线122和数据线123相交处的至少一个薄膜晶体管124，扫描线122电性连接于对应的薄膜晶体管124的栅极，数据线123电性连接于对应的薄膜晶体管124的源极，第一电极140电性连接于对应的薄膜晶体管124的漏极。此结构下，在后续电泳沉积过程中，通过对指定的扫描线122和数据线123通电，可以对指定的第一电极140施加电压，从而在指定的第一电极140上沉积量子点材料。在此实施例中，采用上述第一基板100制得的量子点基板可以为有机发光二极管基板。
具体的，在本申请实施例的步骤B11中，提供第一基板100的步骤还包括：步骤B114、如图9所示，在挡墙130上形成间隔物150；在后续步骤B14中，如图2所示，通过框胶300将第一基板100和第二基板200粘接在一起后，间隔物150的远离挡墙130的一侧抵接于第二电极210上，可以维持第一基板100和第二基板200之间的间距。
具体的，在本申请实施例的步骤B14中，通过框胶300将第一基板100和第二基板200粘接在一起的步骤具体包括：
步骤B141、在真空条件下，将第一基板100和第二基板200进行贴合，第一基板100、第二基板200和框胶300围合形成反应腔400，反应腔400内设有第一电极140、第二电极210和量子点溶液500；
步骤B142、对框胶300进行固化，从而使得第一基板100和第二基板200粘接在一起。
具体的，在本申请实施例的步骤B142中，可以通过热固化的方式对框胶300进行固化，其中，热固化的温度为50摄氏度～200摄氏度，热固化的时间为0.5小时～5小时；例如，热固化的温度可以为50摄氏度、60摄氏度、70摄氏度、80摄氏度、90摄氏度、100摄氏度、110摄氏度、120摄氏度、130摄氏度、140摄氏度、150摄氏度、160摄氏度、170摄氏度、180摄氏度、190摄氏度或200摄氏度，热固化的时间可以为0.5小时、1小时、1.5小时、2小时、2.5小时、3小时、3.5小时、4小时、4.5小时或5小时，根据实际情况的选择和具体需求，热固化的温度和时间可以做适当调整，在此不做唯一限定。
具体的，在本申请实施例的步骤B142中，可以通过光固化的方式对框胶300进行固化，具体来说，可以采用紫外光对框胶300进行固化，光固化的时间可以为30秒～600秒，框胶300的积光量可以为4000毫焦/平方厘米～28000毫焦/平方厘米；具体来说，光固化的时间可以为30秒、60秒、90秒、120秒、150秒、180秒、210秒、240秒、270秒、300秒、330秒、360秒、390秒、420秒、450秒、480秒、510秒、540秒、570秒或600秒，框胶300的积光量可以为4000毫焦/平方厘米、6000毫焦/平方厘米、8000毫焦/平方厘米、10000毫焦/平方厘米、12000毫焦/平方厘米、14000毫焦/平方厘米、16000毫焦/平方厘米、18000毫焦/平方厘米、20000毫焦/平方厘米、22000毫焦/平方厘米、24000毫焦/平方厘米、26000毫焦/平方厘米或28000毫焦/平方厘米，根据实际情况的选择和具体需求，框胶300的光固化时间和积光量可以做适当调整，在此不做唯一限定。
具体的，量子点材料层160的厚度为10纳米-5微米，例如，量子点材料层160的厚度可以为10纳米、50纳米、100纳米、150纳米、200纳米、250纳米、300纳米、350纳米、400纳米、450纳米、500纳米、550纳米、600纳米、650纳米、700纳米、750纳米、800纳米、850纳米、900纳米、950纳米、1微米、1.1微米、1.2微米、1.3微米、1.4微米、1.5微米、1.6微米、1.7微米、1.8微米、1.9微米、2微米、2.1微米、2.2微米、2.3微米、2.4微米、2.5微米、2.6微米、2.7微米、2.8微米、2.9微米、3微米、3.1微米、3.2微米、3.3微米、3.4微米、3.5微米、3.6微米、3.7微米、3.8微米、3.9微米、4微米、4.1微米、4.2微米、4.3微米、4.4微米、4.5微米、4.6微米、4.7微米、4.8微米、4.9微米或5微米，根据实际情况的选择和具体需求，量子点材料层160的厚度可以做适当调整，在此不做唯一限定。
具体的，在上述步骤B13中，量子点溶液500包括含量为0.01wt％～80wt％的量子点材料和含量为20wt％～99.9wt％溶剂，其中，量子点材料包括量子点、配体和纳米粒子。此配比下，可以保证量子点材料在溶剂中的分散程度，保证量子点在溶剂中分散良好且不会团聚，使得量子点稳定分散在溶剂中。
可选的，本申请实施例的量子点溶液500中，量子点材料的含量可以为0.01wt％、0.05wt％、1wt％、5wt％、10wt％、15wt％、20wt％、25wt％、30wt％、35wt％、40wt％、45wt％、50wt％、55wt％、60wt％、65wt％、70wt％、75wt％或80wt％，溶剂的含量可以为20wt％、25wt％、30wt％、35wt％、40wt％、45wt％、50wt％、55wt％、60wt％、65wt％、70wt％、75wt％、80wt％、85wt％、90wt％、95wt％、99.9wt％，99.95wt％或99wt％，保证量子点材料在溶剂中分散良好且不会团聚，使得量子点材料稳定分散在溶剂中。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，量子点溶液500中的量子点材料和溶剂的配比可以做适当调整，在此不做唯一限定。
具体的，在上述量子点材料中，配体的含量为0.5wt％～10wt％，即配体的质量占量子点材料的总质量的百分比含量为0.5％～10％，纳米粒子的含量大于0wt％且小于或等于30wt％。
可选的，在上述量子点材料中，配体的含量为0.5wt％、1wt％、1.5wt％、2wt％、2.5wt％、3wt％、3.5wt％、4wt％、4.5wt％、5wt％、5.5wt％、6wt％、6.5wt％、7wt％、7.5wt％、8wt％、8.5wt％、9wt％、9.5wt％或10wt％，纳米粒子的含量为0.1wt％、1wt％、2wt％、4wt％、6wt％、8wt％、10wt％、12wt％、14wt％、16wt％、18wt％、20wt％、22wt％、24wt％、26wt％、28wt％或30wt％。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，量子点材料中的配体和纳米粒子的含量可以做适当调整，在此不做唯一限定。
具体的，量子点可以通过热注入法制得，具体来说，可以将前驱体注入温度为100摄氏度-500摄氏度的反应液中反应，然后通过离心干燥获得量子点。量子点由IV、II-VI，IV-VI或III-V族元素组成，具体而言，量子点主要由IVA、ⅡB-ⅥA、ⅢA-ⅤA、IVA-VIA族元素构成，例如，当量子点包括IVA族元素构成时，量子点可以包括碳量子点、硅量子点或锗量子点；当量子点包括ⅡB-ⅥA族元素构成时，量子点具体可以包括硒化镉量子点、硫化锌量子点或硫化镉量子点；当量子点包括ⅢA-ⅤA族元素构成时，量子点具体可以包括磷化铟量子点、砷化镓量子点或砷化铟量子点；当量子点包括IVA-VIA族元素构成时，量子点具体可以包括硫化铅量子点、硒化铅量子点或碲化铅量子点，根据实际情况的选择和具体需求，量子点的具体材料可以做适当修改。
具体的，溶剂可以选自水、醇类化合物、醚类化合物、酯类化合物和烷类化合物，其中，溶剂可以为乙醇、乙醚、醋酸乙酯或正辛烷，当然，根据实际情况的选择和具体需求，溶剂可以做适当修改，例如，溶剂也可以为水、丙二醇甲醚醋酸酯(2-Acetoxy-1-Methoxypropane，PGMEA)或其它化合物，在此不做唯一限定。
具体的，配体可以防止量子点聚集，使得量子点均匀分散在溶剂中，从而将量子点的粒子的大小控制在纳米级别，本实施例中，配体选自丙二醇衍生物、硫代硫醇化合物、硫代羧酸化合物以及包含酯基和硫醇基的化合物中的一种或多种，根据实际情况的选择和具体需求，配体的具体材料可以做适当修改，在此不做唯一限定。
具体的，纳米粒子可以为非导电材料，具体可以选用二氧化钛、二氧化硅和三氧化铝中的一种或多种。
具体的，量子点溶液500的制作步骤为：将量子点、配体、纳米粒子和溶剂混合后进行机械搅拌，使得量子点、纳米粒子和配体分散于溶剂中，从而得到量子点溶液500；其中，搅拌时的溶剂的温度控制在10摄氏度～100摄氏度，搅拌的转速为10rpm～1500rpm，搅拌时间为1分钟～1440分钟。
可选的，在本申请实施例中，将量子点、配体、纳米粒子和溶剂混合后进行机械搅拌，搅拌时的温度可以为10摄氏度、20摄氏度、30摄氏度、45摄氏度、60摄氏度、70摄氏度、80摄氏度、90摄氏度或者100摄氏度；搅拌时的转速可以为10rpm、50rpm、100rpm、200rpm、300rpm、400rpm、500rpm、600rpm、700rpm、800rpm、900rpm、1000rpm、1100rpm、1200rpm、1300rpm、1400rpm或1500rpm；搅拌的时间可以为1min、10min、100min、200min、300min、400min、500min、600min、700min、800min、900min、1000min、1200min或1440min。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，将量子点、配体、纳米粒子和溶剂混合后进行机械搅拌的具体参数可以做适当调整，在此不做唯一限定。
具体的，在上述步骤B13中，量子点溶液500中的量子点的浓度对量子点进行电泳沉积的效率有很大的影响，若量子点溶液500中的量子点的浓度较大，则量子点进行电泳沉积的速度较快，难以控制的量子点材料层160的膜厚；若量子点溶液500中的量子点的浓度较小，则量子点进行电泳沉积的速度较慢，这无疑会降低量子点进行电泳沉积的效率。为了解决上述问题，将量子点溶液500中的量子点的浓度控制在1毫克/毫升～350毫克/毫升，如此设置，既有利于控制量子点材料层160的膜厚，又能保证量子点进行电泳沉积的速度，提高量子点进行电泳沉积的效率，以便于制备形貌良好的量子点材料层160。
可选的，本申请实施例中，量子点溶液500中的量子点的浓度可以为1毫克/毫升、5毫克/毫升、10毫克/毫升、15毫克/毫升、20毫克/毫升、25毫克/毫升、50毫克/毫升、75毫克/毫升、100毫克/毫升、125毫克/毫升、150毫克/毫升、175毫克/毫升、180毫克/毫升、185毫克/毫升、190毫克/毫升、195毫克/毫升、200毫克/毫升、210毫克/毫升、220毫克/毫升、230毫克/毫升、240毫克/毫升、250毫克/毫升、260毫克/毫升、270毫克/毫升、280毫克/毫升、290毫克/毫升或300毫克/毫升，上述浓度均能够很好地促进量子点进行电泳沉积，以便于制备良好形貌的量子点材料层160。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，量子点溶液500中的量子点的浓度可以做适当调整，在此不做唯一限定。
本申请实施例中，如图3所示，在第一电极140上形成量子点材料层160后，可以去除框胶300并将第二基板200从第一基板100上剥离下来，从而得到第一基板100以及设于第一基板100上的量子点材料层160，即得到量子点基板。在此实施例中，第一基板100上的根据实际情况的使用和具体需求，间隔物150可以保留或者去除。
本申请实施例还提供一种量子点基板，采用如上所述的量子点基板的制作方法制得，量子点基板包括第一基板100、设于第一基板100上的第一电极140以及设于第一电极140上的量子点材料层160。由于本实施例提供的量子点基板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此同样具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种量子点基板的制作方法及量子点基板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种量子点基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在第一电极和第二电极之间添加具有量子点材料的量子点溶液；
对所述第一电极和所述第二电极施加电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电场；
改变所述电场的电场强度，使得所述量子点材料在至少两种电场强度的所述电场下沉积于所述第一电极，从而在所述第一电极上形成量子点材料层。
2.根据权利要求1所述的量子点基板的制作方法，其特征在于，所述改变所述电场的电场强度，使得所述量子点材料在至少两种电场强度的所述电场下沉积于所述第一电极的步骤具体为：
交替改变所述电场的电场强度，使得所述电场的电场强度在第一电场强度和第二电场强度之间切换，所述第一电场强度小于所述第二电场强度。
3.根据权利要求2所述的量子点基板的制作方法，其特征在于，所述第一电场强度为5×105伏/米～1.5×107伏/米，所述第二电场强度为5×106伏/米～4×107伏/米。
4.根据权利要求2所述的量子点基板的制作方法，其特征在于，施加所述电场的总时间为1秒～3600秒，电场强度为所述第二电场强度的所述电场的施加总时间小于施加所述电场的总时间，电场强度为所述第二电场强度的所述电场的施加总时间大于0秒且小于600秒。
5.根据权利要求1～4任一项所述的量子点基板的制作方法，其特征在于，所述在第一电极和第二电极之间添加具有量子点材料的量子点溶液的步骤具体包括：
提供第一基板和第二基板，所述第一基板的一侧设有多个凹槽，所述凹槽的底部设有所述第一电极，所述第二基板的一侧设有所述第二电极；
在所述第一基板或所述第二基板上布置框胶；
在所述框胶的内侧添加量子点溶液；
通过所述框胶将所述第一基板和所述第二基板粘接在一起，所述第一基板、所述第二基板和所述框胶围合形成反应腔，所述反应腔内设有所述第一电极、所述第二电极和所述量子点溶液。
6.根据权利要求5所述的量子点基板的制作方法，其特征在于，所述第一基板埋设有与所述第一电极电性连接的线路层，所述在第一电极和第二电极之间添加具有量子点材料的量子点溶液的步骤还包括：切除所述第一基板对应所述框胶的外侧区域，露出所述线路层；
对所述第一电极施加电压的步骤为：通过所述线路层对所述第一电极施加电压。
7.根据权利要求6所述的量子点基板的制作方法，其特征在于，所述提供第一基板的步骤具体包括：
在第一衬底上形成线路层；
在所述第一衬底的设有所述线路层的一侧形成挡墙，所述挡墙围合出多个所述凹槽；
在所述凹槽内形成所述第一电极，所述第一电极电性连接于所述线路层，从而得到所述第一基板。
8.根据权利要求7所述的量子点基板的制作方法，其特征在于，所述线路层包括多个走线，一个或多个所述第一电极电性连接于同一所述走线。
9.根据权利要求7所述的量子点基板的制作方法，其特征在于，所述线路层包括扫描线、与所述扫描线绝缘且相交设置的数据线以及设于所述扫描线和数据线相交处的薄膜晶体管，所述扫描线电性连接于所述薄膜晶体管的栅极，所述数据线电性连接于所述薄膜晶体管的源极，所述第一电极电性连接于所述薄膜晶体管的漏极。
10.一种量子点基板，其特征在于，采用如权利要求1～9任一项所述的量子点基板的制作方法制得，所述量子点基板包括第一基板、设于所述第一基板上的第一电极以及设于所述第一电极上的量子点材料层。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020163079A1 (en) * 2001-05-02 2002-11-07 Fujitsu Limited Integrated circuit device and method of producing the same
CN1805633A (zh) * 2005-12-07 2006-07-19 华东师范大学 一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法
CN101840121A (zh) * 2009-03-20 2010-09-22 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
US20110171111A1 (en) * 2008-10-17 2011-07-14 The Johns Hopkins University Bent carbon nanotubes and methods of production
CN105242446A (zh) * 2015-11-09 2016-01-13 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板的制作方法
CN109148649A (zh) * 2017-06-19 2019-01-04 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管器件及其制备方法
CN109679656A (zh) * 2019-01-07 2019-04-26 京东方科技集团股份有限公司 量子点杂化纳米材料及其制备方法和光致发光器件
CN110007520A (zh) * 2019-04-30 2019-07-12 京东方科技集团股份有限公司 背光源、背光模组、显示装置及其显示方法
CN112736212A (zh) * 2019-10-28 2021-04-30 Tcl华星光电技术有限公司 一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020163079A1 (en) * 2001-05-02 2002-11-07 Fujitsu Limited Integrated circuit device and method of producing the same
CN1805633A (zh) * 2005-12-07 2006-07-19 华东师范大学 一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法
US20110171111A1 (en) * 2008-10-17 2011-07-14 The Johns Hopkins University Bent carbon nanotubes and methods of production
CN101840121A (zh) * 2009-03-20 2010-09-22 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
CN105242446A (zh) * 2015-11-09 2016-01-13 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板的制作方法
CN109148649A (zh) * 2017-06-19 2019-01-04 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管器件及其制备方法
CN109679656A (zh) * 2019-01-07 2019-04-26 京东方科技集团股份有限公司 量子点杂化纳米材料及其制备方法和光致发光器件
CN110007520A (zh) * 2019-04-30 2019-07-12 京东方科技集团股份有限公司 背光源、背光模组、显示装置及其显示方法
CN112736212A (zh) * 2019-10-28 2021-04-30 Tcl华星光电技术有限公司 一种纳米粒子图案化装置及纳米粒子图案化方法

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