CN113671804A - 确定掩模扰动信号的方法、设备和计算机可读存储介质 - Google Patents

Abstract

根据本公开的示例实施例，提供了确定掩模扰动信号的方法、设备和计算机可读存储介质。确定掩模扰动信号的方法包括：多次增大掩模上第一区域内的子区域，直至子区域的尺寸与第一区域的尺寸一致；响应于每次增大，分别确定与增大后的子区域对应的图像强度值，图像强度值表示光刻时子区域将在晶圆上产生的图像信号的强度值；以及基于所确定的图像强度值，确定第一区域内的第二区域的扰动将在晶圆上产生的扰动信号。本公开的实施例能够快速确定掩模扰动信号，进而能够确定用于掩模移动的方向和移动量，以得到高质量的掩掩模。

Description

确定掩模扰动信号的方法、设备和计算机可读存储介质

技术领域

本公开的实施例主要涉及半导体制造技术领域，并且更具体地，涉及确定掩模扰动信号的方法、设备和计算机可读存储介质。

背景技术

在光刻成像过程中，光波穿过掩模图形时会发生衍射与干涉，晶圆上实际的光强分布是衍射光波叠加的结果，同时由于光学系统的不完善性，光刻胶表面成像与掩模图像并不完全相同。在特征尺寸远小于曝光波长的情况下，晶圆表面成像相对于原始版图出现边角圆化、线端缩进、线宽偏差等严重失真。这种由于光的衍射干涉引起的掩模图形和晶圆表面实际印刷图形之间的图形转移失真现象，被称为光学邻近效应。针对该效应，需要对掩模上的图形做光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)。通过改变掩模上的图形形状，来改变光刻过程中晶圆表面的光强分布，从而补偿由光学邻近效应导致的图形转移失真。

发明内容

根据本公开的示例实施例，提供了一种用于确定掩模扰动信号的方案。

在本公开的第一方面，提供一种确定掩模扰动信号方法。该方法包括：多次增大掩模上第一区域内的子区域，直至子区域的尺寸与第一区域的尺寸一致；响应于每次增大，分别确定与增大后的子区域对应的图像强度值，图像强度值表示光刻时子区域在晶圆上产生的图像信号的强度值；以及基于所确定的图像强度值中的至少一部分，确定第一区域内的第二区域的扰动将在晶圆上产生的扰动信号。

在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器以及与处理器耦合的存储器，存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使设备执行动作。该动作包括：多次增大掩模上第一区域内的子区域，直至子区域的尺寸与第一区域的尺寸一致；响应于每次增大，分别确定与增大后的子区域对应的图像强度值，图像强度值表示光刻时子区域在晶圆上产生的图像信号的强度值；以及基于所确定的图像强度值中的至少一部分，确定第一区域内的第二区域的扰动将在晶圆上产生的扰动信号。

在一些实施例中，确定与增大后的子区域对应的图像强度值包括：确定子区域的尺寸与光刻模型中的核函数的卷积值，核函数在光刻模型中用于模拟光刻行为；以及将卷积值确定为图像强度值。

在一些实施例中，核函数包括多个线性函数，并且确定子区域的尺寸与光刻模型中的核函数的卷积值包括：分别确定子区域的尺寸与多个线性函数的分量卷积值；以及将分别确定的分量卷积值之和确定为卷积值。

在一些实施例中，多次增大掩模上第一区域内的子区域包括：自第一区域内选定的原点，以第一步长递增子区域在第一方向上的第一尺寸；以及自原点，以第二步长递增子区域在第二方向上的第二尺寸，第二方向与第一方向垂直。

在一些实施例中，动作还包括：确定第一区域内的第二区域的扰动将在晶圆上产生的扰动信号包括：从多次增大的子区域中确定与第二区域的边界处的多个点分别对应的多个子区域；以及基于分别与多个子区域对应的图像强度值，确定扰动信号。

在一些实施例中，多个点包括边界处的至少一个顶点。

在一些实施例中，第二区域为多边形，并且至少一个顶点包括第二区域的所有顶点。

在一些实施例中，其中基于分别与多个子区域对应的图像强度值确定扰动信号包括：对分别与多个子区域对应的图像强度值进行线性运算；以及将线性运算的结果确定为扰动信号。

在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的方法。

应当理解，发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。

附图说明

结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素，其中：

图1示出了本公开的实施例能够在其中实现的示例环境的示意图；

图2示出了根据本公开的一些实施例的确定掩模扰动信号的方法的流程图；

图3示出了根据本公开的一些实施例的确定图像强度值的示意图；

图4示出了根据本公开的一些实施例的确定掩模扰动信号的示意图；

图5示出了根据本公开的一些实施例所获得的掩模的示意图；

图6示出了根据本公开的实施例而获得的掩模成本降低的结果的示意图；以及

图7示出了能够实施本公开的多个实施例的计算设备的框图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。

在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。

如上文所简要提及的，在光刻过程中存在由于光的衍射干涉引起的掩模图形和晶圆表面实际产生的图形之间的图形转移失真现象，即光学邻近效应。在特征尺寸远小于曝光波长的情况下，需要通过改变掩模上的图形形状，来改变光刻过程中晶圆表面的光强分布，从而补偿由光学邻近效应导致的图形转移失真。OPC中需要确定掩模上的变化会对晶圆上信号强度的变化是多少。在深亚微米的半导体制造中，由于关键图形的临界尺寸已经远远小于光源的波长，所以由于光的衍射效应，导致掩模投影至晶圆上面的图形有很大的变化，如线宽的变化，转角的圆化，线长的缩短等，以及各种光学临近效应。为此，需要确定掩模移动的方向和位移量的方案，以便能够快速可靠地在晶圆上产生良好光刻胶轮廓，进而获得良好的光刻图案。

根据本公开的实施例，提出了一种用于确定掩模扰动信号的方案。在该方案中，多次增大掩模上第一区域内的子区域，直至子区域的尺寸与第一区域的尺寸一致。响应于每次增大，分别确定与增大后的子区域对应的图像强度值，图像强度值表示光刻时子区域在晶圆上产生的图像信号的强度值。基于所确定的图像强度值，确定第一区域内的第二区域的扰动将在晶圆上产生的扰动信号。

该方案中，利用掩模相对于模型内的核函数的线性度，预先计算并保存掩模与核函数的卷积值，因此可以从预计算的卷积值中查找由任何可能的掩模扰动引起的图像强度差异，即扰动信号。因此，本公开的实施例能够快速确定掩模扰动信号，进而确定用于掩模移动的方向和移动量，从而能够得到高质量的掩模。

以下将参照附图来具体描述本公开的实施例。参考图1，其示出了本公开的多个实施例能够在其中实现的示例环境100的示意图。如图1所示，示例环境100中包含计算装置110、客户端120。

在一些实施例中，计算装置110可以与客户端120进行交互。例如，计算装置110可以接收来自客户端120的输入消息，并向客户端120输出反馈消息。在一些实施例中，来自客户端120的输入消息可以指定掩模的区域。计算装置110可以针对输入消息中指定的掩模区域，进行模拟计算以确定掩模内的各子个区域对应的图像强度值。在一些实施例中，计算装置110可以进一步基于客户端120的输入消息中指定的发生掩模扰动的区域，确定该扰动对应的图像强度值的变化，即扰动信号。该扰动信号可用于确定掩模的移动方向和位移量。

在一些实施例中，计算装置110可以包括但不限于个人计算机、服务器计算机、手持或膝上型设备、移动设备(诸如移动电话、个人数字助理PDA、媒体播放器等)、消费电子产品、小型计算机、大型计算机、云计算资源等。

应当理解，仅出于示例性的目的描述示例环境100的结构和功能并不旨在限制本文所描述主题的范围。本文所描述主题可以在不同的结构和/或功能中实施。

上文描述的技术方案仅用于示例，而非限制本发明。应理解，示例环境100还可以具有其他多种实施方式。为了更清楚地解释本公开方案的原理，下文将参考图2来更详细描述。

图2示出了根据本公开的一些实施例的确定掩模扰动信号的方法的流程图。例如，方法200可以由如图1所示的计算装置110来实施。以下结合图3和图4来描述方法200。应当理解，方法200还可以包括未示出的附加框和/或可以省略所示出的某些框。本公开的范围在此方面不受限制。

在框202处，多次增大掩模上第一区域内的子区域，直至子区域的尺寸与第一区域的尺寸一致。在一些实施例中，可先选定一个最初的子区域，例如，以原点为其一个顶点的方形区域，尺寸例如为1nmx1nm。然后可以将该子区域多次增大。在一些实施例中，为了多次增大掩模上第一区域内的子区域，可以自第一区域内选定的原点，以第一步长递增子区域在第一方向上的第一尺寸，并且自原点以第二步长递增子区域在第二方向上的第二尺寸。第二方向与第一方向垂直。上述实施例仅为示意性的，本公开的实施例并不限于上述实施例中增大子区域的方式。

下面结合图3进行说明。图3示出了根据本公开的一些实施例的确定图像强度的示意性框图。例如，如图3所示的过程300可以由如图1所示的计算装置110来实施。第一区域304为掩模区域。光刻模型在进行模拟计算时，先确定模拟哪一个区块或者说范围。在一些实施例中，要模拟的区域，即第一区域304可以由用户指定。该区域可以称为模拟窗口，光刻模型在该区域进行模拟计算。子区域302位于第一区域304内。针对子区域302，确定对应的图像强度值，即，以该子区域302进行光刻时在晶圆上产生的图像信号的强度值。

如图3所示，子区域302可沿着第一方向，如水平箭头所示的水平方向以第一步长递增。在一些实施例中，第一步长可根据实际需要进行选择。在一些实施例中，第一步长可以是1nm，2nm或者更多。子区域302还可沿着第二方向，如垂直箭头所示的垂直方向以第一步长递增。例如，子区域302可先沿着水平方向递增第一步长，垂直方向保持不动。之后可水平方向保持不动，再沿着垂直方向递增第一步长。通过这种方式，多次递增，能够使得子区域302的顶点A(x，y)遍历第一区域304内的所有以第一步长为单位的格点。

上述增大掩模上第一区域内的子区域302的方式仅仅是示例性的，本公开的实施例并不限于上述方式，而是可以有多种变型方式。

返回图2，在框202处，响应于每次增大，分别确定与增大后的子区域对应的图像强度值。图像强度值表示光刻时子区域在晶圆上产生的图像信号的强度值。在一些实施例中，对于子区域302的每次增加都会计算相应的卷积值，并将所计算的卷积值保存下来。例如，在一些实施例中，将卷积值存储到表格中以备后续方便地查找。在一些实施例中，将卷积值存储到服务器上，以供用户远程访问使用。上述存储仅是示例性的，本公开的方案并不限于此，而是可以根据需要进行各种方式的存储。

在一些实施例中，可以确定子区域的尺寸与光刻模型中的核函数的卷积值，并且将卷积值确定为图像强度值。核函数(Kernel)在光刻模型中用于模拟光刻行为。在一些实施例中，核函数是光刻模型里面的函数。在一些实施例中，核函数是模型中用于模拟光刻行为的基础函数。在一些实施例中，一个光刻模型中可以有多个核函数。在一些实施例中，模型中的每个核函数可描述光刻行为的不同方面。在一些实施例中，可基于具体的光刻需要使用不同的核函数。

在一些实施例中，核函数包括多个线性函数。在这种实施例中，可以分别确定子区域302的尺寸与多个线性函数的分量卷积值。可以将分别确定的分量卷积值之和确定为卷积值。也就是说，在一些实施例中，可以先确定子区域302的尺寸与多个线性函数的卷积值(此处称为分量卷积值或者可称为第一卷积值)，之后对分别确定的分量卷积值求和，以获得总的卷积值。

再次参考图3，如图3所示，在一些实施例中，可以通过以下卷积公式(1)来计算子区域302的尺寸与光刻模型中的核函数的卷积值。

其中x(t)和h(t)函数是卷积的变量，p是积分变量，t是使函数h(-p)位移的量，星号*表示卷积。

在一些实施例中，可将掩模的子区域302的形状作为x(p)代入上述计算公式(1)进行计算。例如，在一些实施例中，可将掩模子区域302的尺寸代入上述计算公式(1)进行计算。

在一些实施例中，可将子区域302的尺寸作为x(p)，将核函数作为h(t-p)，代入上述卷积公式(1)进行计算。在一些实施例中，对于每次递增后的子区域302，计算其对应的图像强度值，并保存计算的结果。在一些实施例中，预先计算出掩模的第一区域304内所有子区域302所对应的图像强度值，以备后续用于计算扰动信号。“扰动”是来自掩模上的元素的移动，例如线段的移动。这种掩模上元素的变化，即为掩模扰动。相应地在晶圆上产生的图像信号强度的变化即为扰动信号。如前面所提到的，在OPC中需要确定掩模上的元素变化会对晶圆上信号强度产生多大的影响。

在一些实施例中，通过核函数计算光经过掩模的子区域302后在晶圆上产生的图像的强度(例如光强度)是多少。本公开的一些实施例中，可通过利用光刻模型中的核函数与子区域302做卷积运算，以确定图像强度值。在一些实施例中，可使用线性的核函数与子区域302做卷积运算，以确定图像强度值。通过使用线性的核函数，能够在后续的掩模扰动信号的计算中，针对掩模扰动区域所涉及的子区域302的卷积值进行线性运算，从而极大提高求解扰动信号的速度。

图3中B(0,0)表示核函数以(0,0)为中心。在一些实施例中，对于每个增加后的子区域302，做卷积计算。例如，在一些实施例中，可利用矩形的子区域302右上角A(x，y)的坐标值作为该子区域302的尺寸，代入卷积公式(1)进行计算。在一些实施例中，可多次增大子区域302，并计算每个增大的子区域302的图像强度值，即卷积值。通过以多次递增子区域302并分别计算各个递增的子区域302的图像强度值，能够显著降低后续计算扰动信号的运算过程，提高运算效率。这将在下文中进一步介绍。

返回图2，在框206处，可以基于所确定的图像强度值中的至少一部分，确定第一区域内的第二区域的扰动将在晶圆上产生的扰动信号。如前所述，在一些实施例中，可预先为所有多次增大的子区域302计算子区域302与核函数的卷积。在一些实施例中，由于掩模扰动而在晶圆上的图像所产生的扰动的图像信号，即扰动信号可以从预先计算的查找表中查找。然后进行简单的线性运算即可获得扰动信号。

下面结合图4进一步描述获取扰动信号的方法。图4示出了根据本公开的一些实施例的确定掩模扰动信号的示意图。例如，图4所示的过程400可以由如图1所示的计算装置110来实施。在如图4所示的实施例中，第二区域406为发生扰动的掩模区域，位于第一区域304内。在一些实施例中，第二区域406可以由使用者指定。计算装置110可以基于使用者的指定来计算第二区域406在晶圆上所产生的图像强度的变化，即扰动信号。如图4所示，D(x1，Y1)为第二区域406左下角的顶点，而C(xr，yr)为第二区域406右上角的顶点。B(x0，y0)为模型中心。

在一些实施例中，使用前面实施例中，例如图3所示的实施例中所计算的卷积值，即图像强度的值，来计算扰动信号。

在一些实施例中，对分别与多个子区域对应的图像强度值进行线性运算。在这种实施例中，可以将线性运算的结果确定为扰动信号。在一些实施例中，核函数可以是线性的，所以能够方便地针对各个掩模的子区域302的运算进行加减操作。

在一些实施例中，如图4所示的第二区域406的扰动信号可基于以下方式确定。可以确定第二区域406的C点对应的第一区域304，进而确定该区域所对应的图像强度值，即确定(xr-x0,yr-y0)处所对应的卷积值，记为c1。类似地，确定第二区域406的D点对应的第一区域304，进而确定该区域所对应的图像强度值，即确定(xl-x0,yl-y0)处所对应的卷积值，记为c2。确定第二区域406的左上角的点对应的第一区域304，进而确定该区域所对应的图像强度值，即确定(xl-x0,yr-y0)处所对应的卷积值，记为c3。确定第二区域406的右下角的点对应的第一区域304，进而确定该区域所对应的图像强度值，即确定(xr-x0,yl-y0)处所对应的卷积值，记为c4。

如前面所提到的，可将子区域302的坐标代入公式(1)来计算卷积值。在一些实施例中，在确定了子区域302的坐标的情况下，即可确定其对应的卷积值。如前所述，第一区域304内的所有子区域302所对应的图像强度值都已经预先计算并存储了，例如存储在查找表中了。在一些实施例中，可通过前面所提到的查表的方法来得到各个顶点处所对应的卷积值，即图像信号。由此可确定扰动信号。在如图3所示的实施例中，扰动信号＝(c1+c2)-(c3+c4)，后面对此进一步说明。

如图4所示，第二区域406的所有四个顶点分别对应于一个相应的子区域302。各个顶点对应的子区域302所对应的晶圆上的图像强度值在前述的实施例中已经计算出，因此可以利用这些已知的四个子区域302所对应的晶圆上的图像强度值来计算第二区域406所对应的图像强度值。即相当于以第二区域406的右上角为顶点的子区域302的面积，减去以第二区域406的左上角为顶点的子区域302的面积，再减去以第二区域406的右下角为顶点的子区域302的面积，之后再加上重复减去的部分的面积，即以第二区域406的左下角为顶点的子区域302的面积，就得到了第二区域406的面积。该面积与核函数进行卷积，即为前面所提到的(c1+c2)-(c3+c4)。也就是说，在一些实施例中，掩模扰动可以通过确定扰动区域(第二区域406)的四个顶点所对应的四个掩模子区域302(此处记为：m1、m2、m3、m4)，然后确定该四个掩模子区域分别对应的图像强度值，并进行相应的线性运算即可。由于已经预先计算了m1、m2、m3、m4与每个核函数的卷积，因此在一些实施例中，可通过查表的方式查找到m1、m2、m3、m4与每个核函数的卷积值，并对各个卷积值进行线性运算，以获得扰动信号。

在上述实施例中，对于形状为矩形的第二区域406，仅仅通过其四个顶点所对应的图像强度值，即可获得第二区域406所对应的图像强度值的差，即扰动信号。

本公开的实施例所针对的第二区域406的形状并不限于矩形，而是可以为任意形状。例如，第二区域406的形状可以为任意多边形，在这种情况下，可以利用该任意多边形的各个顶点处对应的图像强度值来获取扰动信号。例如，第二区域406为六边形的情况下，可基于该六边形的六个顶点确定相应的图像强度值。进而通过线性运算确定扰动信号。

在一些实施例中，在第二区域406的形状为圆形的情况下，可以在圆周上取多个点(取得点越多，结果越趋近于真实值)，并基于这多个点来计算对应的图像强度值来获取扰动信号。例如，第二区域406的形状为包括部分弧线的情况下，可以类似处理，即在该弧线上取多个点来进行计算。

在一些实施例中，在获得扰动信号后，用户可使用它来确定掩模上的线段应该如何移动以及移动多少，以在晶圆上产生合适的图形。

在一些实施例中，本公开实施例中描述的方法适用于线性核函数，当核函数K与两个掩模(m1+m2)进行卷积时，将是K与m1进行卷积，并且K与m2进行卷积，再求和。

在一些实施例中，从多次增大的子区域302中确定与第二区域406的边界处的多个点分别对应的多个子区域302。基于分别与多个子区域302对应的图像强度值，确定扰动信号。在一些实施例中，例如，第二区域406的边界为多边形，则从该多边形的边上取多个点，确定这些点分别对应的多个子区域302。类似地，该第二区域406的边界为椭圆形，则从该椭圆形的边上取多个点，确定这些点分别对应的多个子区域302。第二区域406的边界可能为各种形状。例如，在一些实施例中，第二区域406的边界为直线与曲线的结合。在一些实施例中，第二区域406的边界为不规则的几何形状。在一些实施例中，多个点包括边界处的至少一个顶点。在一些实施例中，可选取该边界上的顶点。在一些实施例中，第二区域为多边形，并且至少一个顶点包括第二区域的所有顶点。在一些实施例中，仅通过该多边形的所有顶点所对应的子区域302，即可确定相应的图像强度值，进而确定图像强度值的差，即扰动信号。

在本公开的一些实施例中，可先算出掩模上每个线段如何移动，从其移动推断信号强度的变化。即预想所有可能的移动，先算这样的移动对信号的变化是什么。再从信号的变化，推断掩模上每个线段需要怎么移动(扰动)来反推回来。即基于移动所产生的后果来反推。若向前移动一段，导致信号强度变好，则往前移动一段。反之亦然。

在本公开的一些实施例中，可计算所有可能的掩模变化，并记录相应的信号变化量，例如存储到表中。例如，在一些实施例中，存储计算结果的表中，显示与每个扰动信号对应移动方向和/或移动量。因此，基于该表可以确定应该如何移动掩模。也就是说，在实际光刻工艺中，可基于所确定的扰动信号，进行查表即可确定掩模应该如何移动。

本公开实施例中所说的移动指的是掩模上电路形状的移动，例如多边形的线路形状的移动，即线路边界处线段的移动。如何改变多边形的形状，使其投影到晶圆的形状是所期望的。如前面所提到的，OPC的最终目的是确定如何移动掩模上的形状，例如线段，以期望获得令人满意的掩模。

本公开的实施例中所说的图像强度差指的是掩模上形状的一次变化前后，在晶圆上的产生的信号强度的变化。强度在某些实施例中可以是亮度。光经过掩模投影到晶圆上。不做OPC的话，所投影的形状通常不是所期望的。

在本公开的一些实施例中，示出了通过光刻模型中的核函数与子区域做卷积运算，以确定图像强度值。上述方式仅仅是示意性的，本公开的实施例并不限于上述方式。本领域技术人员基于本申请公开内容的教导，将理解还可以通过其他适当的数学运算来确定图像强度值。

本公开的一些实施例中，所计算出的扰动信号可以被输入OPC模型中，通过OPC中的求解器来确定应如何移动掩模段以获得光刻令人满意的(低成本)掩模解决方案。需要指出的是，如何在OPC求解器中使用扰动信号不是本公开的一部分，本公开主要关注如何确定扰动信号。

图5示出了根据本公开的一些实施例所获得的掩模图案500的示意图。如图5所示，虚线504所代表的掩模图案为原始掩模图案。实线502所代表的掩模图案为修正后的掩模图案。实践表明，通过采用图5中所示的修正后的掩模图案来进行光刻，能够在晶圆上获得令人满意的图形。

图6示出了根据本公开的实施例的所获得的掩模成本降低的结果的示意图。如图6所示，通过所示的结果600可知，开始时的成本是1448.507142，经过7次迭代后成本降低到0.370899，成本降低了4000倍。该迭代过程是通过模型中的求解器执行的。

如前面所提到的，成本是在当前掩模下(线路未动)在晶圆上所形成的图形与所期望的图形之间的差异，差异越小越好。根据计算出的扰动信号，可以确定掩模的移动方向和移动量，进而确定在晶圆上所形成的形状，例如，线路的形状。将该形状与所期望的形状相比，二者之间的差即为成本。在求解器进行求解时，最初得到的成本值通常是一个很高的值。通过本公开实施例的方案，如图6中所显示的，成本可显著降低。

图7示出了可以用来实施本公开的实施例的示例设备700的示意性框图。例如，本公开的电子设备可以由设备700来实施。如图所示，设备700包括中央处理单元(CPU)701，其可以根据存储在只读存储器(ROM)702中的计算机程序指令或者从存储单元708加载到随机访问存储器(RAM)703中的计算机程序指令，来执行各种适当的动作和处理。在RAM 703中，还可存储设备700操作所需的各种程序和数据。CPU 701、ROM 702以及RAM 703通过总线704彼此相连。输入/输出(I/O)接口705也连接至总线704。

设备700中的多个部件连接至I/O接口705，包括：输入单元706，例如键盘、鼠标等；输出单元707，例如各种类型的显示器、扬声器等；存储单元708，例如磁盘、光盘等；以及通信单元709，例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元709允许设备700通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。

处理单元701执行上文所描述的各个方法和处理，例如方法200。例如，在一些实施例中，方法200可被实现为计算机软件程序，其被有形地包含于机器可读介质，例如存储单元708。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由ROM 702和/或通信单元709而被载入和/或安装到设备700上。当计算机程序加载到RAM 703并由CPU 701执行时，可以执行上文描述的方法200中的一个或多个步骤。备选地，在其他实施例中，CPU 701可以通过其他任何适当的方式(例如，借助于固件)而被配置为执行方法200。

本文中以上描述的功能可以至少部分地由一个或多个硬件逻辑部件来执行。例如，非限制性地，可以使用的示范类型的硬件逻辑部件包括：场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、专用标准产品(ASSP)、芯片上系统的系统(SOC)、负载可编程逻辑设备(CPLD)等等。

用于实施本公开的方法的程序代码可以采用一个或多个编程语言的任何组合来编写。这些程序代码可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器或控制器，使得程序代码当由处理器或控制器执行时使流程图和/或框图中所规定的功能/操作被实施。程序代码可以完全在机器上执行、部分地在机器上执行，作为独立软件包部分地在机器上执行且部分地在远程机器上执行或完全在远程机器或服务器上执行。

在本公开的上下文中，机器可读介质可以是有形的介质，其可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或与指令执行系统、装置或设备结合地使用的程序。机器可读介质可以是机器可读信号介质或机器可读储存介质。机器可读介质可以包括但不限于电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外的、或半导体系统、装置或设备，或者上述内容的任何合适组合。机器可读存储介质的更具体示例会包括基于一个或多个线的电气连接、便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM或快闪存储器)、光纤、便捷式紧凑盘只读存储器(CD-ROM)、光学储存设备、磁储存设备、或上述内容的任何合适组合。

此外，虽然采用特定次序描绘了各操作，但是这应当理解为要求这样操作以所示出的特定次序或以顺序次序执行，或者要求所有图示的操作应被执行以取得期望的结果。在一定环境下，多任务和并行处理可能是有利的。同样地，虽然在上面论述中包含了若干具体实现细节，但是这些不应当被解释为对本公开的范围的限制。在单独的实施例的上下文中描述的某些特征还可以组合地实现在单个实现中。相反地，在单个实现的上下文中描述的各种特征也可以单独地或以任何合适的子组合的方式实现在多个实现中。

尽管已经采用特定于结构特征和/或方法逻辑动作的语言描述了本主题，但是应当理解所附权利要求书中所限定的主题未必局限于上面描述的特定特征或动作。相反，上面所描述的特定特征和动作仅仅是实现权利要求书的示例形式。

Claims (10)

1.一种用于确定掩模扰动信号的方法，包括：

多次增大掩模上第一区域内的子区域，直至所述子区域的尺寸与所述第一区域的尺寸一致；

响应于每次增大，分别确定与增大后的所述子区域对应的图像强度值，所述图像强度值表示光刻时所述子区域在晶圆上产生的图像信号的强度值；以及

基于所确定的图像强度值中的至少一部分，确定所述第一区域内的第二区域的扰动将在所述晶圆上产生的扰动信号。

2.根据权利要求1所述的方法，其中确定与增大后的所述子区域对应的所述图像强度值包括：

确定所述子区域的尺寸与光刻模型中的核函数的卷积值，所述核函数在所述光刻模型中用于模拟光刻行为；以及

将所述卷积值确定为所述图像强度值。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述核函数包括多个线性函数，并且确定所述子区域的尺寸与所述光刻模型中的所述核函数的所述卷积值包括：

分别确定所述子区域的尺寸与所述多个线性函数的分量卷积值；以及

将分别确定的所述分量卷积值之和确定为所述卷积值。

4.根据权利要求1所述的方法，其中多次增大掩模上所述第一区域内的所述子区域包括：

自所述第一区域内选定的原点，以第一步长递增所述子区域在第一方向上的第一尺寸；以及

自所述原点，以第二步长递增所述子区域在第二方向上的第二尺寸，所述第二方向与所述第一方向垂直。

5.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述第一区域内的第二区域的扰动将在所述晶圆上产生的扰动信号包括：

从多次增大的所述子区域中确定与所述第二区域的边界处的多个点分别对应的多个子区域；以及

基于分别与所述多个子区域对应的所述图像强度值，确定所述扰动信号。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述多个点包括所述边界处的至少一个顶点。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二区域为多边形，并且所述至少一个顶点包括所述第二区域的所有顶点。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，其中基于分别与所述多个子区域对应的所述图像强度值确定所述扰动信号包括：

对分别与所述多个子区域对应的所述图像强度值进行线性运算；以及

将所述线性运算的结果确定为所述扰动信号。

9.一种电子设备，包括：

处理器；以及

与所述处理器耦合的存储器，所述存储器具有存储于其中的指令，所述指令在被处理器执行时使所述设备执行动作，所述动作包括：

多次增大掩模上第一区域内的子区域，直至所述子区域的尺寸与所述第一区域的尺寸一致；

响应于每次增大，分别确定与增大后的所述子区域对应的图像强度值，所述图像强度值表示光刻时所述子区域将在晶圆上产生的图像信号的强度值；以及

基于所确定的图像强度值中的至少一部分，确定所述第一区域内的第二区域的扰动将在所述晶圆上产生的扰动信号。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述的用于确定掩模扰动信号的方法。

Images