CN113659738A - 一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺 - Google Patents

一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺 Download PDF

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CN113659738A CN202110733466.2A CN202110733466A CN113659738A CN 113659738 A CN113659738 A CN 113659738A CN 202110733466 A CN202110733466 A CN 202110733466A CN 113659738 A CN113659738 A CN 113659738A
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roller
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姜桂君
张继林
张学斌
唐啸
李晨
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Abstract

本发明公开了一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺，无线充电用屏蔽片制备设备包括第一放卷轴、第一收卷轴、多个二次碎磁装置及多个压合组件，第一放卷轴用于放卷托底膜，第一收卷轴用于收卷托底膜，二次碎磁装置依次间隔设于托底膜的行进路径的上方，二次碎磁装置包括放卷辊、第二放卷轴、第二收卷轴、碎磁辊和支撑辊；压合组件与二次碎磁装置一一对应设置；碎磁辊上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区。无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺能够在经过整体碎磁后的纳米晶带材上进行二次碎磁，使得屏蔽片上能够形成磁导率与其他区域磁导率不同的环状区域，制得能够提高充电效率的无线充电用特殊结构屏蔽片。

Description

一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺
技术领域
本发明涉及屏蔽片加工技术领域，尤其涉及一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺。
背景技术
随着无线充电在手机等电子消费领域的应用逐渐增多，对于手机充电效率的要求也越来越高，一般手机的无线充电的效率在60-85％，尚有提高空间。
申请人发现了一种根据磁场分布，不同区域不同磁导率的特殊结构屏蔽片能够有效地提高无线充电模组的充电效率，其构造如图1和图2所示，纳米晶片包括由内向外依次设置的第一区域20、环状图案30及第二区域40，所述环状图案30环绕所述第一区域20设置，所述第二区域40围绕所述环状图案30设置，其中，第一区域20与第二区域40磁导率相同，环状图案30的磁导率高于或低于第一区域20的磁导率。由于这种特殊结构屏蔽片是新发现，所以，现有技术缺少能够适用于制备这种特殊结构屏蔽片的制备设备及制备工艺。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种无线充电用屏蔽片制备设备，包括第一放卷轴、第一收卷轴、多个二次碎磁装置及多个压合组件，所述第一放卷轴用于放卷托底膜，所述第一收卷轴用于收卷托底膜，所述二次碎磁装置依次间隔设于所述托底膜的行进路径的上方，所述二次碎磁装置包括放卷辊、第二放卷轴、第二收卷轴、碎磁辊和支撑辊，所述放卷辊用于放卷整体碎磁后的纳米晶带材，所述第二放卷轴用于放卷支撑保护整体碎磁后的纳米晶带材的保护膜，所述碎磁辊对应于支撑辊设置，所述碎磁辊用于对整体碎磁后的纳米晶带材进行第二次碎磁，所述第二收卷轴用于收卷与经第二次碎磁后的纳米晶带材分离的所述保护膜；所述压合组件与所述二次碎磁装置一一对应设置，压合组件用于将经第二次碎磁后的纳米晶带材压合在托底膜或另一经第二次碎磁后的纳米晶带材上；所述碎磁辊上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区。
进一步的，还包括用于纠偏所述托底膜的自动纠偏装置。
进一步的，所述自动纠偏装置靠近所述第一放卷轴设置。
进一步的，靠近所述第一放卷轴的所述二次碎磁装置上还设有用于在所述托底膜上设置标记的打标组件，其余的所述二次碎磁装置上还设有识别所述标记的定位组件。
进一步的，所述二次碎磁装置还包括连接所述碎磁辊的压力调节组件。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案二为：一种无线充电用屏蔽片制备工艺，包括如下步骤，
提供经过整体碎磁的多个纳米晶带材；
利用碎磁辊对所述纳米晶带材进行第二次碎磁，所述碎磁辊上设有能够在所述纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区；
将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连，得到叠构带材；
裁切所述叠构带材，得到无线充电用屏蔽片。
进一步的，“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，相邻的两个纳米晶带材上的环状图案对齐。
进一步的，“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，先在托底膜上层叠压合一层经过所述第二次碎磁的纳米晶带材，然后将另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在前一次已层叠压合在所述托底膜上的经过所述第二次碎磁的纳米晶带材上。
进一步的，在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在所述托底膜上时，在所述托底膜上制造标记；在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材上时，根据所述标记进行对位。
进一步的，“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，所述托底膜处于行进状态。
本发明的有益效果在于：无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺能够在经过整体碎磁后的纳米晶带材上进行二次碎磁，使得屏蔽片上能够形成磁导率与其他区域磁导率不同的环状区域，从而制得能够提高充电效率的无线充电用特殊结构屏蔽片。
附图说明
图1为背景技术中的特殊结构屏蔽片的正视图；
图2为背景技术中的另一种结构的特殊结构屏蔽片的正视图；
图3为本发明实施例一的无线充电用屏蔽片制备设备的简化结构示意图。
标号说明：
1、第一放卷轴；
2、第一收卷轴；
3、二次碎磁装置；31、放卷辊；32、第二放卷轴；33、第二收卷轴；34、碎磁辊；35、支撑辊；
4、压合组件；
5、托底膜；
6、保护膜；
7、自动纠偏装置；
8、压力调节组件；
9、纳米晶带材；
20、第一区域；30、环状图案；40、第二区域。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图3，一种无线充电用屏蔽片制备设备，包括第一放卷轴1、第一收卷轴2、多个二次碎磁装置3及多个压合组件4，所述第一放卷轴1用于放卷托底膜5，所述第一收卷轴2用于收卷托底膜5，所述二次碎磁装置3依次间隔设于所述托底膜5的行进路径的上方，所述二次碎磁装置3包括放卷辊31、第二放卷轴32、第二收卷轴33、碎磁辊34和支撑辊35，所述放卷辊31用于放卷整体碎磁后的纳米晶带材9，所述第二放卷轴32用于放卷支撑保护整体碎磁后的纳米晶带材9的保护膜6，所述碎磁辊34对应于支撑辊35设置，所述碎磁辊34用于对整体碎磁后的纳米晶带材9进行第二次碎磁，所述第二收卷轴33用于收卷与经第二次碎磁后的纳米晶带材9分离的所述保护膜6；所述压合组件4与所述二次碎磁装置3一一对应设置，压合组件4用于将经第二次碎磁后的纳米晶带材9压合在托底膜5或另一经第二次碎磁后的纳米晶带材9上；所述碎磁辊34上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材9上形成环状图案30的碎磁区或非碎磁区。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺能够在经过整体碎磁后的纳米晶带材9上进行二次碎磁，使得屏蔽片上能够形成磁导率与其他区域磁导率不同的环状区域，从而制得能够提高充电效率的无线充电用特殊结构屏蔽片。
进一步的，还包括用于纠偏所述托底膜5的自动纠偏装置7。
由上述描述可知，自动纠偏装置7能够对托底膜5进行纠偏，从而使得经过二次碎磁的纳米晶带材9能够精准地层叠压合在托底膜5上。
进一步的，所述自动纠偏装置7靠近所述第一放卷轴1设置。
由上述描述可知，自动纠偏装置7工作的时机在经过二次碎磁的纳米晶带材9层叠压合在托底膜5之前，利于进一步确保经过二次碎磁的纳米晶带材9可以精准地层叠压合在托底膜5上。
进一步的，靠近所述第一放卷轴1的所述二次碎磁装置3上还设有用于在所述托底膜5上设置标记的打标组件，其余的所述二次碎磁装置3上还设有识别所述标记的定位组件。
由上述描述可知，打标组件用于在托底膜5上制造标记，定位组件通过所述标记进行定位，从而使得后续的经过二次碎磁的纳米晶带材9能够精准地层叠压合在前次经过二次碎磁的纳米晶带材9上，从而使得屏蔽片中各层纳米晶带材9中的环状区域能够对齐。
进一步的，所述二次碎磁装置3还包括连接所述碎磁辊34的压力调节组件8。
由上述描述可知，压力调节组件8用于调整碎磁辊34的对纳米晶带材9的压力，从而改变第二次碎磁的程度，进而达到调整磁导率的效果。
一种无线充电用屏蔽片制备工艺，包括如下步骤，
提供经过整体碎磁的多个纳米晶带材9；
利用碎磁辊34对所述纳米晶带材9进行第二次碎磁，所述碎磁辊34上设有能够在所述纳米晶带材9上形成环状图案30的碎磁区或非碎磁区；
将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材9层叠相连，得到叠构带材；
裁切所述叠构带材，得到无线充电用屏蔽片。
由上述描述可知，纳米晶带材9先整体碎磁，然后部分区域二次碎磁，使得纳米晶带材9上形成磁导率与其他区域的磁导率不同的环状图案30，从而制得能够提高充电效率的无线充电用屏蔽片。
进一步的，“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材9层叠相连”时，相邻的两个纳米晶带材9上的环状图案30对齐。
进一步的，“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材9层叠相连”时，先在托底膜5上层叠压合一层经过所述第二次碎磁的纳米晶带材9，然后将另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材9层叠压合在前一次已层叠压合在所述托底膜5上的经过所述第二次碎磁的纳米晶带材9上。
由上述描述可知，托底膜5能够支撑叠构带材以便收卷。
进一步的，在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材9层叠压合在所述托底膜5上时，在所述托底膜5上制造标记；在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材9层叠压合在另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材9上时，根据所述标记进行对位。
由上述描述可知，在托底膜5上即时制造标记，能够有效地提高叠构带材中经过所述第二次碎磁的纳米晶带材9的定位精度，使得相邻的两个纳米晶带材9上的环状图案30对齐。
进一步的，“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材9层叠相连”时，所述托底膜5处于行进状态。
由上述描述可知，托底膜5上层叠叠构带材后能够及时收卷。
实施例一
请参照图1至图3，本发明的实施例一为：一种无线充电用屏蔽片制备设备，用于制备一种特殊结构屏蔽片，该特殊结构屏蔽片具有环状图案30，该环状图案30对应区域的磁导率与其他区域的磁导率不相同，也就是说，该环状图案30对应区域的磁导率既可以大于其他区域的磁导率，也可以小于其他区域的磁导率。需要说明的是，所述环状图案30既可以是呈圆环状的，也可以是呈三角框状、矩形框状、五角框状、六角框状或其他形状的。
如图3所示，所述无线充电用屏蔽片制备设备包括第一放卷轴1、第一收卷轴2、多个二次碎磁装置3及多个压合组件4，所述第一放卷轴1用于放卷托底膜5，所述第一收卷轴2用于收卷托底膜5，数量为多个的所述二次碎磁装置3依次间隔设于所述托底膜5的行进路径的上方，所述二次碎磁装置3包括放卷辊31、第二放卷轴32、第二收卷轴33、碎磁辊34和支撑辊35，所述放卷辊31用于放卷整体碎磁后的纳米晶带材9，所述第二放卷轴32用于放卷支撑保护整体碎磁后的纳米晶带材9的保护膜6，所述碎磁辊34对应于支撑辊35设置，所述碎磁辊34用于对整体碎磁后的纳米晶带材9进行第二次碎磁，所述第二收卷轴33用于收卷与经第二次碎磁后的纳米晶带材9分离的所述保护膜6，详细的，所述第二放卷轴32放卷的保护膜6与放卷辊31放卷的纳米晶带材9在碎磁辊34与支撑辊35之间压合并使得纳米晶带材9在碎磁辊34的作用下完成第二次碎磁；所述压合组件4与所述二次碎磁装置3一一对应设置，压合组件4用于将经第二次碎磁后的纳米晶带材9压合在托底膜5或另一经第二次碎磁后的纳米晶带材9上。
所述碎磁辊34上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材9上形成环状图案30的碎磁区或非碎磁区。当所述碎磁辊34上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材9上形成环状图案30的碎磁区时，所述环状图案30对应的纳米晶带材9区域的磁导率小于纳米晶带材9其他区域的磁导率；当所述碎磁辊34上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材9上形成环状图案30的非碎磁区时，所述环状图案30对应的纳米晶带材9区域的磁导率大于纳米晶带材9其他区域的磁导率。容易理解的，所述碎磁辊34上的碎磁区是直接作用在纳米晶带材9上使纳米晶带材9实现第二次碎磁的功能区域，所述碎磁辊34上的非碎磁区是不对纳米晶带材9施加压力以使其破碎的区域。
所述无线充电用屏蔽片制备设备还包括用于纠偏所述托底膜5的自动纠偏装置7。优选的，所述自动纠偏装置7靠近所述第一放卷轴1设置。在卷料设备技术领域中，自动纠偏装置7是一种常用的机构，其具体的构造种类繁多，本实施例不在此赘述。
进一步的，数量为多个的所述二次碎磁装置3中，最靠近所述第一放卷轴1的所述二次碎磁装置3上还设有用于在所述托底膜5上设置标记的打标组件(图未示)，除最靠近所述第一放卷轴1的所述二次碎磁装置3之外的其余的所述二次碎磁装置3上还设有识别所述标记的定位组件(图未示)。所述标记可以是通孔、盲孔等。所述打标组件可以是冲切模具、激光烧灼设备等。
为让第二次碎磁的过程更为可控，所述二次碎磁装置3还包括连接所述碎磁辊34的压力调节组件8，所述压力调节组件8用于调整碎磁辊34对纳米晶带材9施加的压力，从而调整第二次碎磁作业的碎磁程度。
实施例二
本发明的实施例二为：一种无线充电用屏蔽片制备工艺，用于制备一种特殊结构屏蔽片，该特殊结构屏蔽片具有环状图案，该环状图案对应区域的磁导率与其他区域的磁导率不相同，也就是说，该环状图案对应区域的磁导率既可以大于其他区域的磁导率，也可以小于其他区域的磁导率。需要说明的是，所述环状图案既可以是呈圆环状的，也可以是呈三角框状、矩形框状、五角框状、六角框状或其他形状的。
所述无线充电用屏蔽片制备工艺包括如下步骤，
提供经过整体碎磁的多个纳米晶带材；
利用碎磁辊对所述纳米晶带材进行第二次碎磁，所述碎磁辊上设有能够在所述纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区；
将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连，得到叠构带材；
裁切所述叠构带材，得到无线充电用屏蔽片，裁切所述叠构带材时，可采用模切的方式。
“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，相邻的两个纳米晶带材上的环状图案对齐，也就是说，叠构带材中相邻的两个纳米晶带材上磁导率相同的区域对齐。
“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，先在托底膜上层叠压合一层经过所述第二次碎磁的纳米晶带材，然后将另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在前一次已层叠压合在所述托底膜上的经过所述第二次碎磁的纳米晶带材上。
在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在所述托底膜上时，在所述托底膜上制造标记；在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材上时，根据所述标记进行对位。
进一步的，“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，所述托底膜处于行进状态。
实施例三
为让阅者能够更充分的理解本技术方案，本实施例将实施例二中的无线充电用屏蔽片制备工艺与实施例一中的无线充电用屏蔽片制备设备结合进行说明。
在热处理好的纳米晶带材复合一层双面胶；
对纳米晶带材进行整体碎磁(即第一次碎磁)，使得纳米晶带材的磁导率为2000(工作频率为100Ghz时)，并将整体碎磁后的纳米晶带材卷料放置到二次碎磁装置上；
二次碎磁装置中，第二放卷轴放卷保护膜、放卷辊放卷整体碎磁后的纳米晶带材，在碎磁辊与支撑辊之间纳米晶带材与保护膜压合且纳米晶带材实现第二次碎磁，其中，碎磁辊上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区，也就是说，碎磁辊能够在纳米晶带材上滚压出呈环状的碎磁区，所述碎磁区中纳米晶带材的磁导率为1200(工作频率为100Ghz时)。第二收卷轴收卷保护膜，使得经过碎磁辊碎磁的纳米晶带材脱离保护膜，经过碎磁辊碎磁的纳米晶带材到达压合组件处；
第一放卷轴放卷托底膜，第一收卷轴收卷托底膜，最靠近所述第一放卷轴的二次碎磁装置对应的压合组件将经过碎磁辊碎磁的纳米晶带材压合在行进的托底膜上，完成屏蔽片的第一层叠构，与此同时，打标组件在托底膜上制造十字通孔标记，当所述标记随着托底膜移动被下一个二次碎磁装置的定位组件识别到后，对应该下一个二次碎磁装置的压合组件将经过该下一个二次碎磁装置碎磁的纳米晶带材压合在已叠构在托底膜上的纳米晶带材上，完成屏蔽片的第二层叠构，按照屏蔽片第二层叠构成型的方式，完成屏蔽片的第三层、第四层…第N层叠构，得到叠构带材。
最后模切叠构带材即可得到所需的特殊结构屏蔽片。
实施例四
为让阅者能够更充分的理解本技术方案，本实施例将实施例二中的无线充电用屏蔽片制备工艺与实施例一中的无线充电用屏蔽片制备设备结合进行说明。
在热处理好的纳米晶带材复合一层双面胶；
对纳米晶带材进行整体碎磁(即第一次碎磁)，使得纳米晶带材的磁导率为1700(工作频率为100Ghz时)，并将整体碎磁后的纳米晶带材卷料放置到二次碎磁装置上；
二次碎磁装置中，第二放卷轴放卷保护膜、放卷辊放卷整体碎磁后的纳米晶带材，在碎磁辊与支撑辊之间纳米晶带材与保护膜压合且纳米晶带材实现第二次碎磁，其中，碎磁辊上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材上形成环状图案的非碎磁区，也就是说，碎磁辊能够对纳米晶带材非环状图案的区域进行碎磁，所述环状图案区域的磁导率继续保持为1700(工作频率为100Ghz时)，而纳米晶带材的非环状图案区域的磁导率为1000(工作频率为100Ghz时)。第二收卷轴收卷保护膜，使得经过碎磁辊碎磁的纳米晶带材脱离保护膜，经过碎磁辊碎磁的纳米晶带材到达压合组件处。
第一放卷轴放卷托底膜，第一收卷轴收卷托底膜，最靠近所述第一放卷轴的二次碎磁装置对应的压合组件将经过碎磁辊碎磁的纳米晶带材压合在行进的托底膜上，完成屏蔽片的第一层叠构，与此同时，打标组件在托底膜上制造凹坑标记，当所述标记随着托底膜移动被下一个二次碎磁装置的定位组件识别到后，对应该下一个二次碎磁装置的压合组件将经过该下一个二次碎磁装置碎磁的纳米晶带材压合在已叠构在托底膜上的纳米晶带材上，完成屏蔽片的第二层叠构，按照屏蔽片第二层叠构成型的方式，完成屏蔽片的第三层、第四层…第N层叠构，得到叠构带材。
最后模切叠构带材即可得到所需的特殊结构屏蔽片。
综上所述，本发明提供的无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺，能够在经过整体碎磁后的纳米晶带材上进行二次碎磁，使得屏蔽片上能够形成磁导率与其他区域磁导率不同的环状区域，从而制得能够提高充电效率的无线充电用特殊结构屏蔽片。而且，无需在纳米晶带材上挖槽，利于减少纳米晶带材的浪费，降低该无线充电用特殊结构屏蔽片的制造成本。另外，本无线充电用屏蔽片制备设备及制备工艺还能够有效地提高无线充电用特殊结构屏蔽片生产效率。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种无线充电用屏蔽片制备设备，其特征在于：包括第一放卷轴、第一收卷轴、多个二次碎磁装置及多个压合组件，所述第一放卷轴用于放卷托底膜，所述第一收卷轴用于收卷托底膜，所述二次碎磁装置依次间隔设于所述托底膜的行进路径的上方，所述二次碎磁装置包括放卷辊、第二放卷轴、第二收卷轴、碎磁辊和支撑辊，所述放卷辊用于放卷整体碎磁后的纳米晶带材，所述第二放卷轴用于放卷支撑保护整体碎磁后的纳米晶带材的保护膜，所述碎磁辊对应于支撑辊设置，所述碎磁辊用于对整体碎磁后的纳米晶带材进行第二次碎磁，所述第二收卷轴用于收卷与经第二次碎磁后的纳米晶带材分离的所述保护膜；所述压合组件与所述二次碎磁装置一一对应设置，压合组件用于将经第二次碎磁后的纳米晶带材压合在托底膜或另一经第二次碎磁后的纳米晶带材上；所述碎磁辊上设有能够在整体碎磁后的纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区。
2.根据权利要求1所述的无线充电用屏蔽片制备设备，其特征在于：还包括用于纠偏所述托底膜的自动纠偏装置。
3.根据权利要求2所述的无线充电用屏蔽片制备设备，其特征在于：所述自动纠偏装置靠近所述第一放卷轴设置。
4.根据权利要求1所述的无线充电用屏蔽片制备设备，其特征在于：靠近所述第一放卷轴的所述二次碎磁装置上还设有用于在所述托底膜上设置标记的打标组件，其余的所述二次碎磁装置上还设有识别所述标记的定位组件。
5.根据权利要求1所述的无线充电用屏蔽片制备设备，其特征在于：所述二次碎磁装置还包括连接所述碎磁辊的压力调节组件。
6.一种无线充电用屏蔽片制备工艺，其特征在于：包括如下步骤，
提供经过整体碎磁的多个纳米晶带材；
利用碎磁辊对所述纳米晶带材进行第二次碎磁，所述碎磁辊上设有能够在所述纳米晶带材上形成环状图案的碎磁区或非碎磁区；
将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连，得到叠构带材；
裁切所述叠构带材，得到无线充电用屏蔽片。
7.根据权利要求6所述的无线充电用屏蔽片制备工艺，其特征在于：“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，相邻的两个纳米晶带材上的环状图案对齐。
8.根据权利要求7所述的无线充电用屏蔽片制备工艺，其特征在于：“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，先在托底膜上层叠压合一层经过所述第二次碎磁的纳米晶带材，然后将另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在前一次已层叠压合在所述托底膜上的经过所述第二次碎磁的纳米晶带材上。
9.根据权利要求8所述的无线充电用屏蔽片制备工艺，其特征在于：在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在所述托底膜上时，在所述托底膜上制造标记；在将经过所述第二次碎磁的纳米晶带材层叠压合在另一经过所述第二次碎磁的纳米晶带材上时，根据所述标记进行对位。
10.根据权利要求9所述的无线充电用屏蔽片制备工艺，其特征在于：“将经过所述第二次碎磁的多个纳米晶带材层叠相连”时，所述托底膜处于行进状态。
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