CN109243781B - 无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构及其制造方法，其产品主要由非晶纳米晶带材、粘接剂、离型膜和绝缘胶带组成；其制造方法为：将非晶纳米晶带材覆上粘接剂后逐层叠加后辊压并覆上离型膜制成非晶纳米晶单体；采用粘接剂将非晶纳米晶单体逐个拼接制成非晶纳米晶单体板；将非晶纳米晶单体板下表面的离型膜撕开后通过粘接剂按照相邻单体板的拼接间隙互相错开的方法进行逐层堆叠并辊压制成非晶纳米晶单体板叠构；最后在整体外表面包覆绝缘胶带即制得成品。本发明的制造方法易于操作，其产品具有高磁导率、高饱和磁感应强度、低功耗、轻薄柔软、耐振动不易碎等优点，非常适合用于汽车、无人机、机器人等各种电器的无线充电。

Description

无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构及其制造方法

技术领域

本发明属于无线充电技术领域，具体涉及一种适用于汽车、无人机、机器人等各种电器无线充电的大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构及其制造方法。

背景技术

现如今，无线充电技术已经在急速地渗透进人们的生活当中，特别是在消费电子、医疗电子、工业电子等相关领域具有广泛的应用前景。目前支持无线充电的手机已经越来越普遍，这迈出了电能传输从有线到无线革命的第一步。手机仅仅是无线充电技术的开始，毕竟其功率较低（100-300KHz），随着无线充电技术的深入发展，无线充电必将朝着从近距离到远距离，从小功率朝大功率的方向前进，因此人们对于无线充电的性能要求越来越高，无线充电的市场需求也会越来越大，其技术必将应用到各种各样的电器，这势必带来人类发展史上又一次巨大的革命。

无线充电分为磁感应式、磁共振式、微波等形式。而目前市场的应用多采用磁感应方式，且对象为功率较小的手机，进一步的大功率的电器，比如汽车、无人机、机器人等的应用已经在开发中。而随着各种应用中充电功率的增加，相对应的软磁材料的体积要求将越来越大，铁氧体通过粉料干压成型可以很方便制造块状大体积产品，而非晶纳米晶带材受限于生产工艺，宽度窄且厚度非常薄，增大体积较为困难，因此在目前较大功率无线充电方案中仍然会选择铁氧体作为软磁材料的材料。但是有些业界人士认为相比于铁氧体，非晶纳米晶具有高磁导率、高饱和磁感应强度和低功耗的特性，其在无线充电的应用上具有性能优势，只是现如今需要解决如何制造出大尺寸的非晶纳米晶，以作为大功率无线充电用的软磁材料。

发明内容

本发明的目的在于提供一种无线充电用大尺寸非晶纳米晶的叠构及其制造方法，解决了非晶纳米晶的尺寸增大问题，同时尽量减小了因拼接缝隙对产品整体性能造成降低的影响，使非晶纳米晶在较大功率电器的无线充电应用上得以实现。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：

一种无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构，包括非晶纳米晶带材、粘接剂、离型膜和绝缘胶带；

若干层所述非晶纳米晶带材通过所述粘接剂逐层堆叠及辊压后形成非晶纳米晶单体，且所述离型膜通过所述粘接剂压覆在每个所述非晶纳米晶单体的上下表面；

若干个压覆有所述离型膜的所述非晶纳米晶单体通过所述粘接剂在同一平面逐个拼接形成具有拼接缝隙的非晶纳米晶单体板，且位于每块所述非晶纳米晶单体板中最底层的所述非晶纳米晶单体的下表面的所述离型膜均被撕开；

若干块下表面所述离型膜被撕开的所述非晶纳米晶单体板通过所述粘接剂逐层堆叠及辊压后形成非晶纳米晶单体板叠构，同时上下相邻的所述非晶纳米晶单体板的拼接间隙相互错开，且所述绝缘胶带包覆在所述非晶纳米晶单体板叠构的外表面。

一种无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构的制造方法，包括以下步骤：

步骤1）通过覆膜机，将非晶纳米晶带材的上下两面均涂覆上粘接剂；

步骤2）通过覆膜机，将两面涂覆有粘接剂的所述非晶纳米晶带材逐层叠加辊压，直至一定厚度；

步骤3）通过覆膜机，将叠加辊压好的所述非晶纳米晶带材的上下两面均压覆一层离型膜，制成一个个非晶纳米晶单体，这样利于后期增大尺寸的拼接，生产十分便利；

步骤4）采用粘接剂，将若干个所述非晶纳米晶单体在同一平面内逐个拼接，直至一定长度，制成一块块具有拼接间隙的非晶纳米晶单体板；

步骤5）将所述非晶纳米晶单体板下表面的所述离型膜撕开，然后通过粘接剂，按照相邻单体板的拼接间隙互相错开的方法，进行逐层堆叠辊压，直至一定的厚度；

采用相邻非晶纳米晶单体板拼接缝隙错开叠层的方法，能有效减小缝隙处的漏磁，这将增大整个产品的电感、充电效率等性能指标，有利于缩小产品体积；

步骤6）对堆叠辊压完成的所述非晶纳米晶单体板的边缘错开部位进行裁切，制成一个整体厚度一致的非晶纳米晶单体板叠构；

步骤7）对所述非晶纳米晶单体板叠构的整体外表面进行包覆绝缘胶带处理，即制得成品。

进一步的，每个所述非晶纳米晶单体中，堆叠的所述非晶纳米晶带材的层数为1~20层。

进一步的，每块所述非晶纳米晶单体板中，左右相邻的所述非晶纳米晶单体之间的拼接间隙为0~3mm。

进一步的，每块所述非晶纳米晶单体板的长宽尺寸为（50~1000）×（50~1000）mm。

进一步的，上下相邻的所述非晶纳米晶单体板互相错开的拼接缝隙的错开距离为0.5~100 mm。

进一步的，上下相邻的所述非晶纳米晶单体板互相错开的拼接缝隙的错开缝隙数量为1~200条。

进一步的，所述非晶纳米晶单体板叠构中，堆叠的所述非晶纳米晶单体板的层数为任意层。

进一步的，所述非晶纳米晶单体板的外形为包括长方形在内的任意平面图形。

本发明的有益效果是：

1、相较于无线充电用铁氧体材料，本发明造出的无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构产品具有更高的磁导率、更高饱和磁感应强度和更低的功耗，能够实现更大功率无线充电，在无线充电的材料应用领域是一个全新的创举，非常适合用于汽车、无人机、机器人等各种电器的无线充电；

2、本发明造出的无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构产品，其非晶纳米晶单体是由一定层数的非晶纳米晶带材预先叠加辊压而成的，这样利于后期增大尺寸的拼接，便于生产；

2、本发明造出的无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构产品，其每一层非晶纳米晶单体板都是由一定个数的非晶纳米晶单体拼接而成的，而且相邻层单体板的拼接缝隙错开，有利于减小漏磁，提高产品电感和磁通量，从而提高无线充电效率，同时还可以减小产品尺寸，对整机设计制造带来便利；

3、本发明的无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构的制造方法易于操作，拼接方便；

4、相对于铁氧体材料存在易碎、应用受外界振动影响等问题，本发明所采用的非晶纳米晶带材轻薄柔软、可弯曲，完全避免此问题，且大小形状裁切方便。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构的结构示意图；

图2为本发明的非晶纳米晶单体板的结构示意图；

图3为本发明的非晶纳米晶单体的结构示意图。

图中附图标号：1、非晶纳米晶带材；2、非晶纳米晶单体；3、非晶纳米晶单体板；4、非晶纳米晶单体板叠构；5、粘接剂；6、离型膜；7、绝缘胶带。

具体实施方式

下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本发明。

参见图1-3所示，一种无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构，包括非晶纳米晶带材1、粘接剂5、离型膜6和绝缘胶带7；

若干层所述非晶纳米晶带材1通过所述粘接剂5逐层堆叠及辊压后形成非晶纳米晶单体2，且所述离型膜6通过所述粘接剂5压覆在每个所述非晶纳米晶单体2的上下表面；所述非晶纳米晶带材1的层数可以为1~20层；

若干个压覆有所述离型膜的所述非晶纳米晶单体2通过所述粘接剂5在同一平面逐个拼接形成包括长方形的，且长宽尺寸为（50~1000）×（50~1000）mm的非晶纳米晶单体板3，其中左右相邻的所述非晶纳米晶单体2之间的拼接间隙为0~3mm，且位于每块所述非晶纳米晶单体板3中最底层的所述非晶纳米晶单体2的下表面的所述离型膜均被撕开；

若干块下表面所述离型膜6被撕开的所述非晶纳米晶单体板3通过所述粘接剂5逐层堆叠及辊压后形成非晶纳米晶单体板叠构4，同时上下相邻的所述非晶纳米晶单体板3的拼接间隙相互错开0.5~100 mm，上下相邻的所述非晶纳米晶单体板3互相错开的拼接缝隙的错开缝隙数量为1~200条；

所述绝缘胶带7包覆在所述非晶纳米晶单体板叠构4的外表面。

参见图1-3所示，一种无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构的制造方法，包括以下步骤：

步骤1通过覆膜机，将非晶纳米晶带材1的上下两面均涂覆上粘接剂5；

步骤2通过覆膜机，将两面涂覆有粘接剂5的所述非晶纳米晶带材1逐层叠加辊压，直至1~20层的厚度；

步骤3通过覆膜机，将叠加辊压好的所述非晶纳米晶带材1的上下两面均压覆一层离型膜6，制成一个个非晶纳米晶单体2，这样利于后期增大尺寸的拼接，生产十分便利；

步骤4采用粘接剂5，将若干个所述非晶纳米晶单体2在同一平面内逐个拼接，直至长宽尺寸为（50~1000）×（50~1000）mm，制成一块块具有拼接间隙为0~3mm的长方形的非晶纳米晶单体板3；

步骤5将所述非晶纳米晶单体板3下表面的所述离型膜6撕开，然后通过粘接剂5，按照相邻单体板的拼接间隙互相错开的方法，进行逐层堆叠辊压，直至一定的厚度；其中，

上下相邻的所述非晶纳米晶单体板3互相错开的拼接缝隙的错开距离为0.5~100mm，且上下相邻的所述非晶纳米晶单体板3互相错开的拼接缝隙的错开缝隙数量为1~200条；

采用相邻非晶纳米晶单体板拼接缝隙错开叠层的方法，能有效减小缝隙处的漏磁，这将增大整个产品的电感、充电效率等性能指标，有利于缩小产品体积；

步骤6对堆叠辊压完成的所述非晶纳米晶单体板3的边缘错开部位进行裁切，制成一个整体厚度一致的非晶纳米晶单体板叠构4；

步骤7对所述非晶纳米晶单体板叠构4的整体外表面进行包覆绝缘胶带7处理，即制得成品。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构，其特征在于：包括非晶纳米晶带材（1）、粘接剂（5）、离型膜（6）和绝缘胶带（7）；

若干层所述非晶纳米晶带材（1）通过所述粘接剂（5）逐层堆叠及辊压后形成非晶纳米晶单体（2），且所述离型膜（6）通过所述粘接剂（5）压覆在每个所述非晶纳米晶单体（2）的上下表面；每个所述非晶纳米晶单体（2）中，堆叠的所述非晶纳米晶带材（1）的层数为1~20层；

若干个压覆有所述离型膜的所述非晶纳米晶单体（2）通过所述粘接剂（5）在同一平面逐个拼接形成具有拼接缝隙的非晶纳米晶单体板（3），且位于每块所述非晶纳米晶单体板（3）中最底层的所述非晶纳米晶单体（2）的下表面的所述离型膜均被撕开；每块所述非晶纳米晶单体板（3）中，左右相邻的所述非晶纳米晶单体（2）之间的拼接间隙为0~3mm；

若干块下表面所述离型膜（6）被撕开的所述非晶纳米晶单体板（3）通过所述粘接剂（5）逐层堆叠及辊压后形成非晶纳米晶单体板叠构（4），同时上下相邻的所述非晶纳米晶单体板（3）的拼接间隙相互错开，且所述绝缘胶带（7）包覆在所述非晶纳米晶单体板叠构（4）的外表面。

2.根据权利要求1所述的无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构，其特征在于：每块所述非晶纳米晶单体板（3）的长宽尺寸为（50~1000）×（50~1000）mm。

3.根据权利要求1所述的无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构，其特征在于：上下相邻的所述非晶纳米晶单体板（3）互相错开的拼接缝隙的错开距离为0.5~100 mm。

4.根据权利要求1所述的无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构，其特征在于：上下相邻的所述非晶纳米晶单体板（3）互相错开的拼接缝隙的错开缝隙数量为1~200条。

5.根据权利要求1所述的无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构，其特征在于：所述非晶纳米晶单体板（3）的外形为长方形。

6.一种如权利要求1-5中任意一项所述无线充电用大尺寸非晶纳米晶隔磁片叠构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1）通过覆膜机，将非晶纳米晶带材（1）的上下两面均涂覆上粘接剂（5）；

步骤2）通过覆膜机，将两面涂覆有粘接剂（5）的所述非晶纳米晶带材（1）逐层叠加辊压，直至一定厚度；

步骤3）通过覆膜机，将叠加辊压好的所述非晶纳米晶带材（1）的上下两面均压覆一层离型膜（6），制成一个个非晶纳米晶单体（2）；

步骤4）采用粘接剂（5），将若干个所述非晶纳米晶单体（2）在同一平面内逐个拼接，直至一定长度，制成一块块具有拼接间隙的非晶纳米晶单体板（3）；

步骤5）将所述非晶纳米晶单体板（3）下表面的所述离型膜（6）撕开，然后通过粘接剂（5），按照相邻单体板的拼接间隙互相错开的方法，进行逐层堆叠辊压，直至一定的厚度；

步骤6）对堆叠辊压完成的所述非晶纳米晶单体板（3）的边缘错开部位进行裁切，制成一个整体厚度一致的非晶纳米晶单体板叠构（4）；

步骤7）对所述非晶纳米晶单体板叠构（4）的整体外表面进行包覆绝缘胶带（7）处理，即制得成品。