CN113644213A - 量子点发光器件及其制备方法 - Google Patents

量子点发光器件及其制备方法 Download PDF

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CN113644213A CN202110930098.0A CN202110930098A CN113644213A CN 113644213 A CN113644213 A CN 113644213A CN 202110930098 A CN202110930098 A CN 202110930098A CN 113644213 A CN113644213 A CN 113644213A
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Abstract

本申请提供一种量子点发光器件，属于量子点发光技术领域。该量子点发光器件的空穴传输层包括空穴传输材料主体以及Cu(I)‑卤代配合物，Cu(I)‑卤代配合物分散于空穴传输材料主体中。量子点发光器件的制备方法包括在形成空穴传输层时，将Cu(I)‑卤代配合物分散于空穴传输材料主体的原料中。能够有效提高量子点发光器件的发光效率。

Description

量子点发光器件及其制备方法
技术领域
本申请涉及量子点发光技术领域，具体而言，涉及一种量子点发光器件及其制备方法。
背景技术
在显示材料领域，量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)由于其自身高色阈、高亮度和窄峰宽的特点，在平板显示和固态照明等领域都有着广泛的应用前景。
在量子点发光器件的工作中，主要包括载流子注入、载流子传输、激子的形成与复合等过程。器件发光效率是量子点发光器件的重要指标，目前的量子点发光器件，电子传输层的传输性能通常远高于空穴传输层，使得器件整体的电荷传输不平衡，从而限制了器件的发光效率。
发明内容
本申请的目的在于提供一种量子点发光器件及其制备方法，能够有效提高量子点发光器件的发光效率。
本申请的实施例是这样实现的：
第一方面，本申请实施例提供一种量子点发光器件，该量子点发光器件的空穴传输层包括：空穴传输材料主体以及Cu(I)-卤代配合物；Cu(I)-卤代配合物分散于空穴传输材料主体中。
第二方面，本申请实施例提供一种如第一方面实施例提供的量子点发光器件的制备方法，该制备方法包括在形成空穴传输层时，将Cu(I)-卤代配合物分散于空穴传输材料主体的原料中。
本申请实施例提供的量子点发光器件及其制备方法，有益效果包括：
本申请的量子点发光器件，在空穴传输层中分散有Cu(I)-卤代配合物，促进过剩电子进入到空穴传输层中分散的Cu(I)-卤代配合物中并与空穴复合形成激子。过剩电子与Cu(I)-卤代配合物的复合，有利于减少空穴传输层和量子点发光层之间的界面电荷堆积，使得电荷传输更平衡；激子的形成还有利于通过能量转移的形成将能量传递到量子点发光层，因此能够有效提高量子点发光器件的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的一种量子点发光器件的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的量子点发光器件的封装结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种量子点发光器件的制备工艺的部分流程示意图。
图标：100-量子点发光器件；110-阳极；120-空穴注入层；130-空穴传输层；140-量子点发光层；150-电子传输层；160-阴极；200-封装胶。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
需要说明的是，本申请中的“和/或”，如“特征1和/或特征2”，均是指可以单独地为“特征1”、单独地为“特征2”、“特征1”加“特征2”，该三种情况。
另外，在本申请的描述中，除非另有说明，“一种或多种”中的“多种”的含义是指两种及两种以上；“数值a～数值b”的范围包括两端值“a”和“b”，“数值a～数值b+计量单位”中的“计量单位”代表“数值a”和“数值b”二者的“计量单位”。
下面对本申请实施例的量子点发光器件及其制备方法进行具体说明。
第一方面，请参阅图1，本申请实施例提供一种量子点发光器件100，该量子点发光器件100的空穴传输层130包括：空穴传输材料主体以及Cu(I)-卤代配合物。Cu(I)-卤代配合物分散于空穴传输材料主体中。在本申请的实施例中，Cu(I)中的(I)，是指铜的价态为+1价。
发明人研究发现，由于空穴传输层130的能级较高，电子容易被阻挡在量子点发光层140中，使得空穴相较于电子注入困难，导致容易出现电荷平衡难以控制、空穴传输层130和量子点发光层140之间的界面电荷堆积的现象，从而限制了器件的发光效率。同时，在量子点发光器件100中，直接电荷注入和能量转移是两种不同的发光机制，提高其中任一个过程均能有效提高器件的发光效率。
发明人还进一步研究发现，在空穴传输层130中分散Cu(I)-卤代配合物，过剩电子容易进入到空穴传输层130中分散的Cu(I)-卤代配合物中，且进入到Cu(I)-卤代配合物中的电子容易与空穴复合形成激子。
本申请的量子点发光器件100，在空穴传输层130中分散Cu(I)-卤代配合，促进过剩电子进入到空穴传输层130中分散的Cu(I)-卤代配合物中，并与空穴复合形成激子。过剩电子能够进入Cu(I)-卤代配合中与空穴复合形成激子，一方面，通过促进过剩电子进入到空穴传输层130中，有利于减少空穴传输层130和量子点发光层140之间的界面电荷堆积。另一方面，进入Cu(I)-卤代配合物中的电子与Cu(I)-卤代配合物复合形成激子的现象，还有利于通过能量转移的形成将能量传递到量子点发光层140。同时，该Cu(I)-卤代配合物廉价易得，使得产品改进的成本较低。
本申请中，通过过剩电子在空穴传输层130中与Cu(I)-卤代配合物的复合，有效减少空穴传输层130和量子点发光层140之间的界面电荷堆积，同时通过激子的形式进行能量转移，因此能够有效提高量子点发光器件100的发光效率。
可以理解的是，在本申请的实施例中，量子点发光器件100的结构可以按照本领域公式的方式设置。作为一种示例，请继续参阅图1，量子点发光器件100包括依次层叠的阳极110、空穴注入层120、空穴传输层130、量子点发光层140、电子传输层150以及阴极160。当然，在本申请的实施例中，阳极110、空穴注入层120、空穴传输层130、量子点发光层140、电子传输层150以及阴极160的材料可以根据本领域公知的种类和标准进行选择。
考虑到配体种类和卤素种类对Cu(I)-卤代配合物的理化性能具有一定的影响，使得不同Cu(I)-卤代配合物在空穴传输层130中的稳定性、分散效果和促进电子进入并形成激子的效果可能存在一定的差异。因此，合适的Cu(I)-卤代配合物的选择有利于保证使用性能需求。
关于配体的选择，作为第一方面的示例，Cu(I)-卤代配合物为中性配合物，即Cu(I)-卤代配合物为Cu(I)-卤代中性配合物，其相较于离子型配合物更为稳定。
Cu(I)-卤代中性配合物的选择不受特别限定，可选地，该Cu(I)-卤代中性配合物为单核Cu(I)-卤代中性配合物、双核Cu(I)-卤代中性配合物、三核Cu(I)-卤代中性配合物、四核Cu(I)-卤代中性配合物、五核Cu(I)-卤代中性配合物、八核Cu(I)-卤代中性配合物、十核Cu(I)-卤代中性配合物、一维Cu(I)-卤素簇、二维Cu(I)-卤素簇和三维Cu(I)-卤素簇中的一种或多种。
示例性地，Cu(I)-卤代配合物中的配体为含氮配体和含膦配体中的一种或多种，可选地为含氮有机配体荧光材料和含膦有机配体荧光材料中的一种或多种。例如，Cu(I)-卤代配合物中的配体为吡啶、联吡啶、邻菲罗啉、8-羟基喹啉、三苯基膦和1，2-二(二苯基膦)苯中的一种或多种，其能够较好地与Cu(I)进行配位。
关于卤素的选择，作为第二方面的示例，Cu(I)-卤代配合物中的卤素为Cl、Br或者I，例如为Br。在本申请的实施例中，卤素的选择中的I，是指卤素中的碘元素。
考虑到与Cu(I)-卤代配合物的匹配性，在一些可能的实施方案中，空穴传输材料主体的材料为NPB(中文名：N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)、NDDP(中文名：N2,N2,N6,N6-四苯基萘-2,6-二胺)、TTP(中文名：N1,N4-二苯基-N1,N4-二间甲苯基苯-1,4-二胺)、PVK(中文名：聚乙烯基咔唑)、TAPC(中文名：二-[4-(N,N-二甲苯基氨基)-苯基]环己烷)、TPD(中文名：(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)、DMFL-NPB(中文名：N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-2,7-二氨基-9,9-二苯基芴)、HMTPD(中文名：N,N,N',N'-四(3-甲基苯基)-3,3'-二甲基联苯胺)、PAPB(中文名：(N,N'-双(菲-9-基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺)、2-TNATA(中文名：4,4',4＂-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺)、p-DPA-TDAB(中文名：1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)苯基氨基]苯)、TQTPA(中文名：三(4-(喹啉-8-基)苯基)胺)、Spiro-NPB(中文名：N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,7-二氨基-9,9-螺二芴)、Spiro-BPA(中文名：2,2'-二(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺二芴)、Spiro-TAD(中文名：2,2',7,7'-四(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺二芴)、NPBAPF(中文名：9,9-双[4-(N-萘-1-基-N-苯基氨基)苯基]-9H-芴)、TcTa(中文名：三(4-咔唑-9-基苯基)胺)和2-2'-Spiro-DBP(中文名：2,2'-双[N,N-双(联苯-4-基)氨基]-9,9-螺二芴)中的一种或多种。示例性地，空穴传输材料主体的材料为PVK。
同时，考虑到在空穴传输层130中，适当含量的Cu(I)-卤代配合物有利于在保持空穴传输层130的基本性能的基础上，有效地发挥促进过剩电子进入到空穴传输层130中分散的Cu(I)-卤代配合物中并与空穴复合形成激子的作用。若Cu(I)-卤代配合物含量过低，过则不能充分发挥作用；若Cu(I)-卤代配合物含量过高，配合物本身会发光，导致出现杂峰。
在一些示例性的实施方案中，Cu(I)-卤代配合物与空穴传输材料主体的质量比为(1～10)：100，例如但不限于为1：100、2：100、3：100、4：100、5：100、6：100、7：100、8：100、9：100和10：100中的任意一者或者任意两者之间的范围。
随着含镉量子点被欧盟列为高危害物质和可致癌物质以来，以半导体无镉量子点为发光层的二极管受到越来越多的关注。其中，光致膜的商业化运用已经较为成熟，但是目前该类器件的发光效率较低。
发明人研究发现，本申请实施例提供的量子点发光器件100，通过在空穴传输层130中分散Cu(I)-卤代配合物提高发光效率，将量子点发光器件100的量子点发光层140的量子点配置为无镉量子点时，量子点发光器件100也能发挥出较好的发光效率。
考虑到量子点材料的安全性，本申请实施例提供的量子点发光器件100，示例性地为无镉的量子点发光器件100，其中，量子点发光器件100的量子点发光层140的量子点材料为无镉量子点。
可以理解的是，在本申请的实施例中，无镉量子点的种类不受特别限定，可以根据本领域公知的种类和要求进行选择。
在一些可能的实施方案中，无镉量子点为IIB-VA族化合物、IIB-VIA族化合物、IIIA-VA族化合物、IIIA-VIA化合物、IVA-VIA族化合物、IB-IIIA-VIA族化合物和IIB-IV-VIA族化合物或IVA族单质中的一种或多种。
需要说明的是，在本申请的实施例中，IIB-VA族化合物是指IIB族元素和VA族元素组成的化合物，IB-III-VIA族化合物是指IB族元素、IIIA族元素和VIA族元素组成的化合物，其他化合物依此类推。
可选地，无镉量子点为ZnSe、ZnS、ZnTe、InP、InAs、CuInS2、AgInS2、C、Si和Ge中的一种或多种。
作为一种示例，无镉量子点为上述无镉量子点中的至少两种的组合，且组合后的复合无镉量子点为红色量子点或者绿色量子点。
适应性地，采用油溶性量子点的量子点发光层140中，量子点表面的配体为油酸(简称OA)、油胺(简称OAm)、辛胺、三辛基磷(简称TOP)、三辛基氧磷(简称TOPO)、十八烷基磷酸(简称ODPA)和十四烷基磷酸(简称TDPA)中的一种或多种。
可以理解的是，本申请实施例提供的量子点发光器件100，还可以根据本领域公知的方式进行封装。请参阅图2，多个量子点发光器件100采用框胶进行封装，示例性地，量子点发光器件100为四个并呈矩形分布，并以封装胶200进行框胶封装。
第二方面，本申请实施例提供一种如第一方面实施例提供的量子点发光器件100的制备方法，该制备方法包括在形成空穴传输层130时，将Cu(I)-卤代配合物分散于空穴传输材料主体的原料中。
可以理解的是，在本申请的实施例中，量子点发光器件100中的阳极110、空穴注入层120、空穴传输层130、量子点发光层140、电子传输层150以及阴极160，均可以根据本领域公知的方式形成。
考虑到有机材料一般都易于溶解在有机溶剂中，将原料分散在有机溶剂中，然后通过旋涂法，制备成功能层薄膜时，功能层的表面形态稳定，不易发生功能层表面形态的改变。
在一些示例性的实施方案中，空穴注入层120、空穴传输层130、量子点发光层140和电子传输层150均采用旋涂的方式形成。
作为一种示例，量子点发光器件100的制备方法包括：
步骤S1：在清洗干净的阳极110表面，通过旋涂后退火的方式形成空穴注入层120。
步骤S2：在步骤S1形成的空穴注入层120表面，通过旋涂后退火的方式形成空穴传输层130。
步骤S3：在步骤S2形成的空穴传输层130表面，通过旋涂后退火的方式形成量子点发光层140。
步骤S4：在步骤S3形成的量子点发光层140表面，通过旋涂后退火的方式形成电子传输层150。
步骤S5：在步骤S4形成的电子传输层150表面，通过热蒸的方式形成阴极160。
考虑到为了使得Cu(I)-卤代配合物在空穴传输层130整体上较好地发挥作用，需要将Cu(I)-卤代配合物较均匀地分散在空穴传输材料主体中。将Cu(I)-卤代配合物和空穴传输材料主体的原料分别溶解后进行混合的方式，有利于Cu(I)-卤代配合物较均匀地分散在空穴传输材料主体中。
作为一种示例，请参阅图3，将Cu(I)-卤代配合物分散于空穴传输材料主体的原料中，包括：将Cu(I)-卤代配合物配制成第一溶液，将空穴传输材料主体的原料配制成第二溶液；然后将第一溶液和第二溶液混合，得到用于旋涂形成空穴传输层130的含Cu(I)-卤代配合物的混合溶液。
可以理解的是，在本申请的实施例中，第一溶液的溶剂和第二溶液的溶剂的种类，可以根据溶质在溶剂中的溶解性和稳定性进行选择。第一溶液的溶剂为能够使Cu(I)-卤代配合物溶解且不发生分解的有机溶剂，第二溶液的溶剂为能够使空穴传输材料主体的原料溶解且能够使Cu(I)-卤代配合物和空穴传输材料主体的原料不发生分解的有机溶剂。
在一些可能的实施方案中，第一溶液的溶剂为石油醚、乙醚、正丁醚、辛烷、正己烷、甲苯、氯苯、氯仿、二氯甲烷和氯苯中的一种或多种；可选地，第一溶液的溶剂为二氯甲烷，其对常用的Cu(I)-卤代配合物的溶解性更好，有利于溶解。其能够在常温下使得Cu(I)-卤代配合物充分溶解，且使得Cu(I)-卤代配合物在第一溶液中有较好的稳定性。
考虑到采用Cu(I)-卤代配合物配制成第一溶液时，在采用特定的溶剂的情况下，一定的温度和气压环境，有利于Cu(I)-卤代配合物较好地溶解并保持较稳定的分散状态。
示例性地，第一溶液的溶剂按照上述标准进行选择的情况向下，在配制成第一溶液时，温度为室温，气压环境为大气环境。
进一步地，为了使得Cu(I)-卤代配合物能够充分地溶解，第一溶液为Cu(I)-卤代配合物的不饱和溶液。
可选地，第一溶液中，Cu(I)-卤代配合物的浓度为0.01～10mg/mL，例如但不限于为0.01mg/mL、0.1mg/mL、0.5mg/mL、1mg/mL、2mg/mL、3mg/mL、4mg/mL、5mg/mL、6mg/mL、7mg/mL、8mg/mL、9mg/mL和10mg/mL中的任意一者或者任意两者之间的范围。
在一些可能的实施方案中，第二溶液的溶剂为石油醚、乙醚、正丁醚、辛烷、正己烷、甲苯、氯苯、氯仿、二氯甲烷和氯苯中的一种或多种；可选地，第二溶液的溶剂为氯苯，其对空穴传输材料主体的原料的溶解性更好，有利于溶解。其能够在常温下使得空穴传输材料主体的原料充分溶解，且使得空穴传输材料主体的原料在第二溶液中有较好的稳定性，还使得Cu(I)-卤代配合物和空穴传输材料主体的原料在含Cu(I)-卤代配合物的混合溶液中均有较好的稳定性。
可以理解的是，在申请的实施例中，采用空穴传输材料主体的原料配制成第二溶液时，可以按照本领域公知的空穴传输层130的旋涂溶液的配制方式进行配制。
示例性地，第二溶液中，空穴传输材料主体的原料的浓度为5～100mg/mL，例如但不限于为5mg/mL、25mg/mL、40mg/mL、50mg/mL、60mg/mL、80mg/mL和100mg/mL中的任意一者或者任意两者之间的范围。
进一步地，考虑到Cu(I)-卤代配合物和空穴传输材料主体的质量比会影响空穴传输层130的性能，通过适当地调节特定浓度的第一溶液和第二溶液的体积比，使得Cu(I)-卤代配合物与空穴传输材料主体之间具有合适的质量比。
可选地，按照上述浓度配制的第一溶液和第二溶液，该第一溶液和该第二溶液的体积比为(0.1～200)：100，例如但不限于为0.1：100、0.5：100、1：100、5：100、10：100、15：100、20：100、25：100、30：100、50：100、100：100、150：100和200：100中的任意一者或者任意两者之间的范围。
以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
一种量子点发光器件的制备方法，包括：
(1)第一溶液的配制：
取10mg的Cu(Hbmp)(PPh3)Br分散在5ml的二氯甲烷中，搅拌均匀形成均一溶液。
其中，Cu(Hbmp)(PPh3)Br的结构式如下式所示。
Figure BDA0003210272130000111
(2)第二溶液的配制：
将PVK分散在氯苯中，搅拌均匀形成PVK浓度为6mg/mL的均一溶液。
(3)含Cu(I)-卤代配合物的混合溶液的配制：
取1mL第一溶液和6mL第二溶液，在室温下混合均匀。
(4)量子点发光器件的制备：
以ITO玻璃基片作为阳极。
将经过滤的PEDPOT:PSS(聚3，4-乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐)溶液以3500rpm的转速在清洗干净阳极表面旋涂40s，紧接着以150℃退火10min，形成空穴注入层。
将含Cu(I)-卤代配合物的混合溶液以1800rpm的转速在空穴注入层表面旋涂40s，紧接着以110℃退火10min，形成空穴传输层。
采用InP/ZnSe/ZnS红色量子点，将量子点溶液以2000rpm的转速在空穴传输层表面旋涂60s，紧接着以110℃退火15min，形成量子点发光层。
将ZnO溶液以2000rpm的转速在量子点发光层表面旋涂60s，紧接着以110℃退火15min，形成电子传输层。
在2×104Pa的高真空通过一个掩膜版采用热蒸的形式沉积150nm厚的铝电极，该铝电极作为阴极。
其中，本实施例中，量子点发光器件的面积为4cm2，各结构层按照AI4083的规格标准进行配置。
实施例2
一种量子点发光器件的制备方法，包括：
(1)第一溶液的配制：
取10mg的(dtpb)CuBr分散在5ml的二氯甲烷中，搅拌均匀形成均一溶液。
其中，(dtpb)CuBr的结构式如下式所示。
Figure BDA0003210272130000121
(2)第二溶液的配制：
将PVK分散在氯苯中，搅拌均匀形成PVK浓度为6mg/mL的均一溶液。
(3)含Cu(I)-卤代配合物的混合溶液的配制：
取1mL第一溶液和6mL第二溶液，在室温下混合均匀。
(4)量子点发光器件的制备：
以ITO玻璃基片作为阳极。
将经过滤的PEDPOT:PSS(聚3，4-乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸盐)溶液以3500rpm的转速在清洗干净阳极表面旋涂40s，紧接着以150℃退火10min，形成空穴注入层。
将含Cu(I)-卤代配合物的混合溶液以1800rpm的转速在空穴注入层表面旋涂，紧接着以110℃退火10min，形成空穴传输层。
采用InP/ZnS绿色量子点，将量子点溶液以2000rpm的转速在空穴传输层表面旋涂60s，紧接着以110℃退火15min，形成量子点发光层。
将ZnO溶液以2000rpm的转速在量子点发光层表面旋涂60s，紧接着以110℃退火15min，形成电子传输层。
在2×104Pa的高真空通过一个掩膜版采用热蒸的形式沉积150nm厚的铝电极，该铝电极作为阴极。
其中，本实施例中，量子点发光器件的面积为4cm2，各结构层按照AI4083的规格标准进行配置。
实施例3
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
空穴传输层中所使用的Cu(I)-卤代配合物的种类不同。本实施例中，Cu(I)-卤代配合物为氯代配合物。
实施例4
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
空穴传输层中所使用的Cu(I)-卤代配合物的种类不同。本实施例中，Cu(I)-卤代配合物为碘代配合物。
实施例5
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
空穴传输层中所使用的Cu(I)-卤代配合物的种类不同。本实施例中，Cu(I)-卤代配合物为[Cu(dnbp)(DPEphos)]BF4。
实施例6
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
第一溶液和第二溶液的用量比不同。本实施例中，Cu(I)-卤代配合物与PVK的质量比为1:100。
实施例7
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
第一溶液和第二溶液的用量比不同。本实施例中，Cu(I)-卤代配合物与PVK的质量比为0.5:100。
实施例8
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
第一溶液和第二溶液的用量比不同。本实施例中，Cu(I)-卤代配合物与PVK的质量比为10:100。
实施例9
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
第一溶液和第二溶液的用量比不同。本实施例中，Cu(I)-卤代配合物与PVK的质量比为30:100。
实施例10
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
空穴传输层中所使用的空穴传输材料主体的材料的种类不同。本实施例中，空穴传输材料主体的材料为NPB。
实施例11
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
空穴传输层中所使用的空穴传输材料主体的材料的种类不同。本实施例中，空穴传输材料主体的材料为TPD。
实施例12
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
第一溶液中所使用的溶剂不同。本实施例中，第一溶液的溶剂为辛烷。
实施例13
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
第一溶液中所使用的溶剂不同。本实施例中，第一溶液的溶剂为正己烷。
实施例14
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
第二溶液中所使用的溶剂不同。本实施例中，第二溶液的溶剂为甲苯。
实施例15
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
第二溶液中所使用的溶剂不同。本实施例中，第二溶液的溶剂为氯仿。
对比例1
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
不采用第一溶液，空穴传输层中不含有Cu(Hbmp)(PPh3)Br。
对比例2
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例2的不同之处仅在于：
不采用第一溶液，空穴传输层中不含有(dtpb)CuBr。
对比例3
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
将第一溶液与量子点溶液混合，使得空穴传输层中不含有Cu(Hbmp)(PPh3)Br，且Cu(Hbmp)(PPh3)Br分散在量子点发光层中。其中，Cu(Hbmp)(PPh3)Br与PVK的质量比与实施例1相同。
对比例4
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例1的不同之处仅在于：
将第一溶液单独旋涂在空穴传输层表面，使得空穴传输层中不含有Cu(Hbmp)(PPh3)Br，且Cu(Hbmp)(PPh3)Br分散在空穴传输层和量子点发光层之间。其中，Cu(Hbmp)(PPh3)Br与PVK的质量比与实施例1相同。
对比例5
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例2的不同之处仅在于：
将第一溶液与量子点溶液混合，使得空穴传输层中不含有(dtpb)CuBr，且(dtpb)CuBr分散在量子点发光层中。其中，(dtpb)CuBr与PVK的质量比与实施例2相同。
对比例6
一种量子点发光器件的制备方法，其与实施例2的不同之处仅在于：
将第一溶液单独旋涂在空穴传输层表面，使得空穴传输层中不含有(dtpb)CuBr，且(dtpb)CuBr分散在空穴传输层和量子点发光层之间。其中，(dtpb)CuBr与PVK的质量比与实施例2相同。
试验例
对各实施例和对比例的量子点发光器件的外量子效率(EQE)进行检测。
其中，实施例3～4的实验结果与实施例1相当，其与实施例和对比例的检测结果如表1所示：
表1.量子点发光器件的效率
Figure BDA0003210272130000161
Figure BDA0003210272130000171
根据表1：
根据实施例1和实施例4～15之间的对比可知，本申请中，采用特定的配合物，将Cu(I)-卤代配合物与空穴传输材料主体的质量比控制在一定范围内，以及采用特定的空穴传输材料主体的材料，均能够显著提高器件效率。在制备工艺中，采用特定的第一溶剂和第二溶剂，也能够在一定程度上提高器件效率。
根据实施例1～2和对比例1～2的对比可知，空穴传输层中分散有Cu(I)-卤代配合物的实施例和器件中无Cu(I)-卤代配合物的对比例相比，器件效率显著提高。
根据实施例1～2和对比例3～6的对比可知，将Cu(I)-卤代配合物分散在空穴传输层中，相较于将Cu(I)-卤代配合物分散在量子点发光层中或者量子点发光层表面，器件效率显著提高。其原因在于，Cu(I)-卤代配合物分散在空穴传输层中，能够有效平衡电荷；而将Cu(I)-卤代配合物分散在量子点发光层，其相当于发光剂，不能有效发挥平衡电荷的作用。
以上所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

Claims (10)

1.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件的空穴传输层包括：
空穴传输材料主体；以及
Cu(I)-卤代配合物，分散于所述空穴传输材料主体中。
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述Cu(I)-卤代配合物为中性配合物，和/或，所述Cu(I)-卤代配合物中的卤素为Cl、Br或者I。
3.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述Cu(I)-卤代配合物与所述空穴传输材料主体的质量比为(1～10)：100。
4.根据权利要求1～3任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料主体的材料为NPB、NDDP、TTP、PVK、TAPC、TPD、DMFL-NPB、HMTPD、PAPB、2-TNATA、p-DPA-TDAB、TQTPA、Spiro-NPB、Spiro-BPA、Spiro-TAD、NPBAPF、TcTa和2-2'-Spiro-DBP中的一种或多种；
可选地，所述空穴传输材料主体的材料为PVK。
5.根据权利要求1～3任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件的量子点发光层的量子点材料为无镉量子点；
可选地，所述无镉量子点为ZnSe、ZnS、ZnTe、InP、InAs、CuInS2、AgInS2、C、Si和Ge中的一种或多种。
6.一种如权利要求1～5任一项所述的量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括在形成所述空穴传输层时，将所述Cu(I)-卤代配合物分散于所述空穴传输材料主体的原料中。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述将所述Cu(I)-卤代配合物分散于所述空穴传输材料主体的原料中，包括：将所述Cu(I)-卤代配合物配制成第一溶液，将所述空穴传输材料主体的原料配制成第二溶液，然后将所述第一溶液和所述第二溶液混合。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一溶液的溶剂为石油醚、乙醚、正丁醚、辛烷、正己烷、甲苯、氯苯、氯仿、二氯甲烷和氯苯中的一种或多种；
可选地，所述第一溶液的溶剂为二氯甲烷。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二溶液的溶剂为石油醚、乙醚、正丁醚、辛烷、正己烷、甲苯、氯苯、氯仿、二氯甲烷和氯苯中的一种或多种；
可选地，所述第二溶液的溶剂为氯苯。
10.根据权利要求7～9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一溶液中，所述Cu(I)-卤代配合物的浓度为0.01～10mg/mL，和/或，所述第二溶液中，所述空穴传输材料主体的原料的浓度为5～100mg/mL；
可选地，所述第一溶液和所述第二溶液的体积比为(0.1～200)：100。
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