CN113299844A - 一种有机电致发光器件和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种有机电致发光器件和显示装置，有机电致发光器件包括阳极，阴极以发光层，所述发光层设置在所述阳极和阴极之间，所述发光层包括依次层叠设置的P型层、中间层以及N型层，其中，所述P型层靠近所述阳极，所述N型层靠近所述阴极，所述中间层包括主体材料和客体材料；所述P型层包括P型材料，所述N型层包括N型材料，所述P型材料和N型材料满足以下要求：HOMO_P‑HOMO_N≥0.4eV，LUMO_P‑LUMO_N≥0.4eV。本发明的有机电致发光器件具有较为优异的发光效率。

Description

一种有机电致发光器件和显示装置

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件和显示装置，属于有机电致发光技术领域。

背景技术

有机电致发光器件是一种通过电流驱动而达到发光目的的器件。具体地，有机电致发光器件包括阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的发光层等功能层。当施加电压后，来自于阴极的电子和来自于阳极的空穴会分别向发光层迁移并结合产生激子，进而根据发光层的特性发出不同波长的光。

现阶段，产线上用于有机电致发光器件的蓝光材料主要为常见的三重态-三重态湮灭材料(TTA，triple-triple annihilation)，其是利用三重态激子的湮灭效应，提高单重态激子的总量，理论上，TTA的极限效率仅能够达到62.5％，并且在实际应用过程中的其激子利用率往往低于62.5％。而应用于有机电致发光器件的红光材料和绿光材料主要为磷光材料，但是磷光材料具有半峰宽大、色纯度差等缺陷，并且由于磷光材料含有贵金属，这也导致了磷光材料成本过高、不环保。

因此，如何在不使用含重金属磷光材料的基础上保证有机发光二极管(OLED，organic light-emitting diode)器件的高效率成为了一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明提供一种有机电致发光器件，通过对发光层的组成进行限定，使发光区域和空穴-电子的复合区域发生分离，有效提高了激子利用率，进而使有机电致发光器件的发光效率得到了改善。

本发明提供一种显示装置，该显示装置包括上述有机电致发光器件，因此发光效率得到了实质性的优化。

本发明提供一种有机电致发光器件，包括阳极，阴极以发光层，所述发光层设置在所述阳极和阴极之间，所述发光层包括依次层叠设置的P型层、中间层以及N型层，其中，所述P型层靠近所述阳极，所述N型层靠近所述阴极，所述中间层包括主体材料和客体材料；所述P型层包括P型材料，所述N型层包括N型材料，所述P型材料和N型材料满足以下要求：

HOMO_p-HOMO_N≥0.4eV，LUMO_p-LUMO_N≥0.4eV。

可选地，所述主体材料选自超宽带隙材料和/或绝缘材料，所述超宽带隙材料的带隙大于或等于3.3eV。

可选地，所述客体材料选自共振型TADF材料、量子点、钙钛矿材料中的至少一种。

可选地，所述中间层包括T层子中间层，所述子中间层选自主体材料层、客体材料层或主体材料-客体材料掺杂层中的至少一种，T≥1。

可选地，所述中间层的总厚度小于或等于10nm，优选地，所述中间层的厚度小于或等于6nm。

可选地，P型层的厚度为5-100nm。

可选地，N型层的厚度为5-100nm。

可选地，所述P型材料选自P-1～P-34之一的化合物及其衍生物

和/或，

所述N型材料选自N-1～N-32之一的化合物及其衍生物。

可选地，所述有机电致发光器件还包括电子阻挡层和/或空穴阻挡层，所述电子阻挡层在所述发光层和所述阳极之间，所述空穴阻挡层在所述发光层和所述阴极之间；

其中，所述电子阻挡层包括P型材料，所述空穴阻挡层包括N型材料。

本发明还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述任一项所述的有机电致发光器件。

本发明的有机电致发光器件包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的发光层，其中，发光层包括靠近阳极的P型层、靠近阴极的N型层以及位于P型层和N型层之间的中间层，由于中间层对P型层和N型层进行了空间上的分离以及对P型层中P型材料和N型层中N型材料的能级关系进行了上述限定，因此体系内的空穴主要集中在P型层和中间层的界面处，体系内的电子主要集中在N型层和中间层的界面处，进而拓宽了P型层中的空穴和N型层中的电子发生复合的区域，即在空间上形成了空穴-电子对；而用于发光的客体材料位于中间层中，因此发光层中的发光区域和空穴-电子的复合区域得到了分离，进而避免了载流子在客体材料上的捕获而导致的有机电致发光器件效率差的现象，从而进一步使有机电致发光器件的发光效率得到的提升。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明第一方面提供一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括在基板上依次沉积的阳极、发光层以及阴极。

其中，基板、阳极、以及阴极可以采用本领域常用的材料。例如，基板可以采用具有机械强度、热稳定性、防水性、透明度优异的玻璃或聚合物材料；阳极材料可以采用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO₂)、氧化锌(znO)等氧化物透明导电材料和它们的任意组合；阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等金属或合金以及它们之间的任意组合。

以下，对本发明的发光层进行详细介绍。

发光层包括依次层叠设置的P型层、中间层以及N型层，其中，P型层靠近阳极，N型层靠近阴极，中间层包括主体材料和客体材料；P型层包括P型材料，N型层包括N型材料，P型材料和N型材料满足以下要求：

HOMO_P-HOMO_N≥0.4eV，LUMO_P-LUMO_N≥0.4eV。

具体地，HOMO_P是指P型材料的HOMO能级，LUMO_P是指P型材料的LUMO能级；HOMO_N是指N型材料的HOMO能级，LUMO_N是指N型材料的LUMO能级。

本发明对P型层中的P型材料和N型层中的N型材料进行了上述能级限定，当有机电致发光器件施加电压后，阳极产生的大部分空穴会传输至P型层和中间层之间的界面处，阴极产生的大部分电子会传输至N型层和中间层之间的界面处，基于空穴和电子之间的库仑力，二者会在空间上形成空穴-电子对。而客体材料的位置决定了本发明有机电致发光器件的发光区域位于中间层。最终，空间上分离的电子-空穴对复合形成激子后会进一步将能量传递给中间层内的客体材料发光。得益于此，实现了复合区域和发光区域的分离，从而能够有避免载流子被客体材料而捕获，通过抑制激子淬灭的过程而提升激子的利用率，使有机电致发光器件的发光效率得到了改善。

在一种具体的实施方式中，主体材料选自超宽带隙材料和绝缘材料中的至少一种，其中，超宽带隙材料是指带隙大于或等于3.3eV的材料，即主体材料的LUMO能级与主体材料的HOMO能级之差大于或等于3.3eV。

具体地，超宽带隙材料或绝缘材料能够进一步实现P型层和N型层的分离，保证空穴-电子复合的区域的有效拓宽。同时，超宽带隙材料和绝缘材料也能够抑制电子和空穴在中间层上的传输，进一步降低了空穴和电子被客体材料捕获的几率，促进了有机电致发光器件发光性能的进一步提升。

本发明不限定超宽带隙材料或绝缘材料的具体选择，例如，超宽带隙材料可以是以下结构式之一所示的化合物：

绝缘材料例如可以是特氟龙Teflon(例如聚四氟乙烯、聚四氟丙烯等)，LiF等。当采用聚四氟乙烯或LiF作为主体材料时，在有机电致发光器件的制备过程中可以采用涂布、喷墨打印等湿法工艺，从而有利于进一步拓宽中间层中客体材料的选择范围，进而满足了不同应用场景对有机电致发光器件的不同需求。

在一种具体实施方式中，客体材料选自共振型TADF材料、量子点、钙钛矿材料中的至少一种。具体地，上述客体材料具有较高的光致发光量子效率且发光光谱较窄，因此有利于显著提升有机电致发光器件的发光效率以及色纯度。

其中，共振型TADF材料是指含B原子、且单重态和三重态的能级相差小(≤0.5eV)、分子内电荷转移较弱，稳定性高的材料。包括但不限于具有以下结构之一的化合物及其衍生物：

一方面，共振型TADF材料单重态和三重态的能级相差很小，从而使更多的三重态激子容易发生上转换向单重态迁移而产生延迟荧光；另一方面，由于其平面芳香刚性结构以及分子中不存在明显的给体基团和受体基团，因此平面共轭性良好，分子内电荷转移较弱，稳定性高，故而有助于器件光谱的窄化，提高器件色纯度。

量子点例如可以是CdSe/ZnS量子点、CdSe/ZnSe量子点、CdZnS量子点、CdZnSe量子点、CdZnSeS量子点、碳基纳米量子点、金属纳米点、ZnMgO量子点、InP/ZnS量子点，ZnSe/ZnS量子点和PbS量子点。

钙钛矿材料例如可以是具有ABX₃结构的三维八面体、准二维或二维材料。其中A位是无机阳离子(如Rb⁺，Cs⁺等)或有机阳离子(如CH₃NH₂ ⁺或HC(NH₃)₃ ⁺等)，B位是过渡离子(如Pb²⁺，Bi²⁺，Ge²⁺，Sn²⁺等)，X是卤素离子(Cl^-，Br^-，I^-)。

值得强调的是，量子点以及钙钛矿材料属于无机或有机-无机杂化材料，得益于本方案中电子和空穴复合区域与发光区域空间上的分离，采用该方案能够将上述无机或有机-无机杂化材料通过蒸镀、旋涂等方法兼容到现有的有机发光二级管膜层结构中，而不需要对相邻膜载流子传输及阻挡层进行特异性调整与之适配，因而大幅拓展了该方案的应用场景。

本发明的中间层包括T(T≥1)个子中间层，当T＞1时，T个子中间层层叠设置，子中间层选自主体材料层、客体材料层以及主体材料-客体材料掺杂层中的至少一种。其中，主体材料层是指主体材料占比为100％的单层结构、客体材料层是指客体材料占比为100％的单层结构、主体材料-客体材料掺杂层是指主体材料和客体混合而形成的单层结构。当T＞1时，本发明对各个子中间层之间的层叠顺序不做特别限定。

能够理解，虽然对主体材料层、客体材料层以及主体材料-客体材料掺杂层的组合关系没有进行特殊限定，但是必须保证中间层同时具有主体材料和客体材料。例如，当T＝1时，该中间层(子中间层)为主体材料-客体材料掺杂层；当T＝2时，子中间层可以是主体材料层和主体材料-客体材料掺杂层，或者，两个掺杂浓度不同的主体材料-客体材料掺杂层，或者，客体材料层和主体材料-客体材料掺杂层；当T＝3时，子中间层可以是两层主体材料层和一层主体材料-客体材料掺杂层的组合，或者，一层主体材料层和两层主体材料-客体材料掺杂层的组合，或者，两层客体材料层和一层主体材料-客体材料掺杂层的组合，或者，一层主体材料层、一层客体材料层和一层主体材料-客体材料掺杂层的组合等等。

示例性地，当采用无机材料(量子点或钙钛矿材料)作为客体材料时，中间层可以由一层主体材料层、一层客体材料层、一层主体材料层叠设置而成(此时T＝3)，或者，中间层由一层主体材料层、一层客体材料层层叠设置而成(此时T＝2)。

当采用有机材料(共振型TADF材料)或有机无机复合材料(钙钛矿材料)作为客体材料时，中间层由一层主体材料层(或者主体材料-客体材料掺杂层)，S层主体材料层、主体材料-客体材料掺杂层和客体材料层中的至少一种(S＝T-2)，一层主体材料层(或者主体材料-客体材料掺杂层)层叠设置而成。其中，S层子中间层的层叠顺序不做任何限制。

本发明的中间层包括N个层叠设置的子中间层，可以通过对子中间层的数目进行调整、对客体材料层在中间层中的位置的调整、对主体材料-客体材料掺杂层在中间层中的位置的调整、对主体材料-客体材料掺杂层中客体材料的掺杂浓度的调整等，实现对发光光谱的精细调节，满足有机电致发光器件不同的应用场景的需求。

进一步地，本发明对中间层的厚度进行了限定。如前述，中间层用于对P型层和N型层进行空间上的分隔，当中间层的厚度小于或等于10nm时，P型层和N型层还能够在空间上形成激基复合物。激基复合物具有热活化延迟荧光效应，因此能够有效利用自身的三重态激子，进一步实现有机电致发光器件效率的提高。优选地，所述中间层的厚度小于或等于6nm。

在一种实施方式中，P型层的厚度为5-100nm；和/或，所述N型层的厚度为5-100nm。

本发明不限定P型材料的具体选择，优选地可以为具有以下结构之一的化合物及其衍生物，化合物P-33和P-34中，n≥10。

本发明不限定N型材料的具体选择，优选地，可以为具有以下结构之一的化合物及其衍生物。

进一步地，本发明的有机电致发光器件还包括电子阻挡层和/或空穴阻挡层，电子阻挡层在发光层和阳极之间，空穴阻挡层在发光层和阴极之间；其中，电子阻挡层包括P型材料，空穴阻挡层包括N型材料。其中，包括有P型材料的电子阻挡层能够阻挡来自于阴极的电子传输至阳极侧，包括有N型材料的空穴阻挡层能够阻挡来自于阳极的空穴传输至阴极侧，从而进一步保证空穴和电子在空间上的复合。

本发明不限定电子阻挡层中的P型材料的选择和空穴阻挡层中N型材料的选择，只要能够分别实现对电子和空穴的阻挡即可。

进一步地，本发明的电致发光器件还包括空穴传输区、电子传输区。空穴传输区位于阳极和发光层之间，进一步，位于电子阻挡层和阳极之间。空穴传输区可以为单层结构的空穴传输层(HTL)，包括只含有一种化合物的单层空穴传输层和含有多种化合物的单层空穴传输层。空穴传输区也可以为包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)的至少一层的层结构。

空穴传输区的材料(包括HIL、HTL)可以选自但不限于酞菁衍生物如CuPc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(Pani/PSS)、芳香胺衍生物。

其中，芳香胺衍生物如下面HT-1至HT-34所示的化合物。若空穴传输区的材料为芳香胺衍生物，可以为HT-1至HT-34所示的化合物以及PH-47至PH-85中的一种或多种。

空穴注入层位于阳极和空穴传输层之间。空穴注入层可以是单一化合物材料，也可以是多种化合物的组合。例如，空穴注入层可以采用上述HT-1至HT-34的一种或多种化合物，或者采用下述HI1-HI3中的一种或多种化合物；也可以采用HT-1至HT-34的一种或多种化合物掺杂下述HI1-HI3中的一种或多种化合物。空穴注入层的厚度一般为5-30nm，空穴传输层的厚度一般为5-50nm。

电子传输区可以为单层结构的电子传输层(ETL)，包括只含有一种化合物的单层电子传输层和含有多种化合物的单层电子传输层。电子传输区也可以为包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)的至少一层的层结构。

一方面，电子传输层材料可以选自、但不限于以下所罗列的ET-1至ET-57以及PH-1至PH-46中的一种或多种的组合。电子传输层的厚度一般为0-30nm。当电子传输层厚度为0nm时，采用N型层同时充当电子传输层。

发光器件的结构中还可以包括位于电子传输层与阴极之间的电子注入层，电子注入层材料包括但不限于以下罗列的一种或多种的组合。电子注入层的厚度一般为0.5-5nm。

LiQ，LiF，NaCl，CsF，Li₂O，Cs₂CO₃，BaO，Na，Li，Ca。

上述各层的厚度可以采用本领域中的这些层的常规厚度。

本发明还提供该有机电致发光器件的制备方法，包括在基板上依次沉积阳极、空穴传输区、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输区、阴极，然后封装。其中，在制备发光层时，可以根据不同的材料选择蒸镀、涂布、喷墨打印等方式。而阳极、空穴传输区、电子传输区、阴极的沉积方式与本领域现有的方式相同。

本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上述提供的有机电致发光器件。该显示装置具体可以为OLED显示器等显示器件，以及包括该显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。该显示装置与上述有机电致发光器件相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。

以下，通过具体实施例对本发明的有机电致发光器件进行详细的介绍。

实施例1-4，7-18

实施例1-4，7-18分别提供一种有机电致发光器件，其器件结构依次包括ITO阳极、空穴注入层(HATCN，5nm)、空穴传输层(NPB，30nm)、P型材料层、中间层、N型材料层、电子传输层(B3PYMPB，30nm)、电子注入层(LiF，1nm)和阴极(Al，150nm)。

实施例5、6分别提供一种有机电致发光器件，其器件结构依次包括ITO阳极、空穴注入及传输层(PEDOT：PSS，30nm)、P型材料层、中间层、N型材料层、电子传输层(N-5，30nm)、电子注入层(LiF，1nm)和阴极(Al，150nm)。

其中，每个有机电致发光器件的发光层组成不同，发光层的具体组成和厚度见表1。

表1中，E1为HOMO_P-HOMO_N

E2为LUMO_p-LUMO_N

Eg为主体材料LUMO_主体-HOMO_主体

以实施例1为例，中间层mCP(1nm)/mCP：BBCz-R(97∶3，2nm)/mCP(1nm)是指：中间层由层叠设置的mCP层、mCP：BBCz-R掺杂层、mCP层组成，其中，mCP层的厚度均为1nm，mCP：BBCz-R掺杂层的厚度为2nm，且mCP：BBCz-R的质量比为97∶3；

以实施例17为例，中间层mCP(2nm)/mCP：BBCz-R(97∶3 2nm)是指：中间层由层叠设置的mCP层、mCP：BBCz-R掺杂层组成，其中，mCP层的厚度为2nm，mCP：BBCz-R掺杂层的厚度为2nm，且mCP：BBCz-R的质量比为97∶3，并且mCP层靠近P型层，mCP：BBCz-R掺杂层靠近N型层。

对比例1-4

对比例1-4提供一种有机电致发光器件，其器件结构与实施例1-4，7-18一致，相应功能层的参数与实施例1-4，7-18也基本一致，区别仅在于发光层的组成与实施例不同。具体材料的选择如表1所示。

对比例5-7

对比例5-7提供一种有机电致发光器件，其器件结构与实施例5-6一致，相应功能层的参数与实施例5-6也基本一致，区别仅在于发光层的组成与实施例不同。具体材料的选择如表1所示。

本发明所有材料的HOMO能级或LUMO能级，采用美国Princeton Applied Research公司的Potentiostat/Galvanostat Model 283型电化学工作站在室温下测定材料在溶液中的循环伏安(cyclic voltammetry，CV)曲线得到。溶液浓度为10^-5mol L^-1。采用铂圆盘作为工作电极，银丝作为参比电极，铂丝为对电极。

测定材料的HOMO能级(E_HOMO)时采用超干二氯甲烷作为溶剂，四正丁基六氟磷酸铵作为电解质。测定材料的LUMO能级(E_LUMO)时采用超干DMF作为溶剂，四丁基高氯酸铵作为电解质。测试时速率为100mV s^-1。测试前，采用高纯氮气除氧10分钟以上。测试完样品氧化还原电位后，加入内标物二茂铁，并测定其氧化还原电位。根据材料与二茂铁之间电位的相对值，由下式计算出材料的HOMO和LUMO能级：

EHOMO＝-(4.8+Eox)eV

ELUMO＝-(4.8+Ered)eV

其中，Eox和Ered分别代表材料以Fc⁺/Fc(二茂铁盐/二茂铁)作为参比时的氧化还原电位。

器件的电学性质(电流密度-电压-亮度、EQE，光谱等)采用日本滨松C9920-12绝对电致发光量子效率测试系统搭载Keithley2400测试得到。在假定器件光取出效率为0.2，光致发光量子效率为1时，材料的内量子效率可以由外量子效率直接除以0.2得到。

根据表1可知：

1、相对于对比例l-2以及对比例5(客体材料分别掺杂在P型层和N型层中)，当客体材料掺杂在中间层中(实施例1-19)，更有利于改善有机电致发光器件的发光效率；

2、相对于对比例3-4，只有对P型层中的P型材料和N型层中的N型材料进行选择性匹配(HOMO_P-HOMO_N≥0.4eV，LUMO_P-LUMO_N≥0.4eV)，才有助于实现有机电致发光器件发光效率的改善；

3、相对于对比例6，当中间层中只含有客体材料时，并无法有效改善有机电致发光器件的发光效率，原因可能在于客体材料无法有效分隔空穴和电子，因此复合区域和发光区域无法有效分离，导致了有机电致发光器件的发光效率过低；

4、相对于对比例7，当只存在中间层，而不存在N型层和P型层与中间层进行匹配时，导致了有机电致发光器件的发光效率过低；

5、根据实施例1-19可知，本发明将客体材料掺杂在主体材料中，能够实现对无机客体材料、有机-无机客体材料的使用，从而有利于拓展有机电致发光器件的应用场景；其中，实施例5采用有机-无机复合的钙钛矿客体材料，实施例6采用无机量子点客体材料；

此外，本发明将客体材料掺杂在主体材料中，能够通过调控中间层的不同结构组成及厚度，实现对发光光谱的精细调节，满足有机电致发光器件不同的应用场景的需求；

6、根据实施例1、7-9可知，中间层总厚度越低，器件效率会出现先上升后略微降低的现象，整体中间层厚度在6nm以下时性能最优；

根据实施例1、10-12可知，P型层的厚度越低，电致发光器件的发光效率呈现先上升后下降的趋势；

根据实施例1、13-15可知，N型层的厚度越低，有机电致发光器件的发光效率同样呈现先上升后下降的趋势。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括阳极，阴极以发光层，所述发光层设置在所述阳极和阴极之间，所述发光层包括依次层叠设置的P型层、中间层以及N型层，其中，所述P型层靠近所述阳极，所述N型层靠近所述阴极，所述中间层包括主体材料和客体材料；所述P型层包括P型材料，所述N型层包括N型材料，所述P型材料和N型材料满足以下要求：

HOMO_P-HOMO_N≥0.4eV，LUMO_P-LUMO_N≥0.4eV。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料选自超宽带隙材料和/或绝缘材料，所述超宽带隙材料的带隙大于或等于3.3eV。

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述客体材料选自共振型TADF材料、量子点、钙钛矿材料中的至少一种。

4.根据权利要求1-3任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述中间层包括T层子中间层，所述子中间层选自主体材料层、客体材料层或主体材料-客体材料掺杂层中的至少一种，T≥1。

5.根据权利要求1-4任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述中间层的总厚度小于或等于10nm，优选地，所述中间层的厚度小于或等于6nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述P型层的厚度为5-100nm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述N型层的厚度为5-100nm。

8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述P型材料选自具有如下结构之一的化合物及其衍生物：

和/或，

所述N型材料选自具有如下结构之一的化合物及其衍生物：

其中，n≥10。

9.根据权利要求1-8任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括电子阻挡层和/或空穴阻挡层，所述电子阻挡层在所述发光层和所述阳极之间，所述空穴阻挡层在所述发光层和所述阴极之间；

其中，所述电子阻挡层包括P型材料，所述空穴阻挡层包括N型材料。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-9任一项所述的有机电致发光器件。