CN116583133B - 一种叠层有机电致发光器件及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种叠层有机电致发光器件及其应用，其中，所述叠层有机电致发光器件包括从下至上依次设置的阳极层、至少两个发光单元、阴极层，以及用于连接两个相邻发光单元的连接层；所述连接层包括第一连接层、第二连接层和界面修饰层，第一连接层和第二连接层分别与相邻的两个发光单元连接，界面修饰层位于所述第一连接层和第二连接层之间；界面修饰层为m个n型传输单元和m个p型传输单元形成的交替层叠结构，其中，m为大于等于1的整数。本发明引入界面修饰层可以降低载流子注入到第一连接层和第二连接层的注入势垒，从而降低叠层器件在连接层处的驱动电压压降，使本发明的叠层有机电致发光器件具有低驱动电压、高效率和长寿命的特点。

Description

一种叠层有机电致发光器件及其应用
技术领域
本发明涉及电致发光技术领域，尤其涉及一种叠层有机电致发光器件及其应用。
背景技术
有机电致发光器件(Organic light-emitting diodes，OLEDs)由于具备自发光、高效率、广色域、轻薄可柔性等优势，已经广泛应用在智能手机、可穿戴设备等中小尺寸的显示产品上。进一步地，将单色或多色(三基色或互补双色)发光材料组合实现的OLED照明器件还可以运用在室内(外)照明、汽车照明等领域。OLED照明器件在发光材料的出光效率、老化寿命、工作温度等指标上提出了更严苛的要求，而器件结构及其制备工艺往往对发光材料的性能表现起着决定性作用。
OLED照明产品通常需要具备高亮度、低驱动电压和长工作寿命性能，为此，需要采用连接层(Charge generation layer，CGL)结构将多个发光单元串联起来组合得到叠层OLED器件。相比于单发光单元器件，叠层器件在相同电流驱动下的发光亮度将成倍增长，并且获得更长的器件寿命。为了获得高性能叠层OLED器件，针对连接层单元需要解决以下两个技术难点：1)为了获得更低的驱动电压，需要降低在连接层单元上的驱动电压压降，这要求连接层具备良好的载流子产生能力以及载流子传输性；2)叠层OLED器件需要实现发光效率的倍增效果，因此，各发光单元需要保持与单发光单元器件一致的高性能发光效率，这要求连接层可以实现高效产生载流子输运至发光单元，使器件发光层载流子高效复合发光。3)汽车照明要求在高温下具有良好的工作寿命，而高温稳定性通常被认为是OLED器件的弱项。因此，迫切需要开发驱动电压低、发光性能优异的新型连接层材料及器件结构，研究叠层OLED器件的高温寿命，探索其材料与器件老化机理。
在解决连接层技术难题研究上，学术研究者和面板厂商已经进行了相关研究工作，如在专利申请CN114520301A中，公开了一种叠层有机发光器件，在n型掺杂层与p型掺杂层之间引入间隔层结构，避免n型掺杂剂易于扩散进入p型掺杂层和相邻的发光层，从而导致器件驱动电压上升。但是，上述专利并未对连接层的高温寿命进行评估；另一方面，柯达公司的专利CN100544020A中提出的叠层OLED器件中设计了位于邻接的发光单元之间的连接层结构，该连接层包括n掺杂的有机层，p掺杂的有机层和界面层，其中界面层均由无机材料组成，蒸镀的温度普遍较高，厚度需要精确控制以确保高透过率。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种叠层有机电致发光器件及其应用，旨在解决现有叠层有机电致发光器件驱动电压高、发光效率低以及寿命较短的问题。
本发明的技术方案如下：
一种叠层有机电致发光器件，其中，所述叠层有机电致发光器件包括从下至上依次设置的阳极层、至少两个发光单元、阴极层，以及用于连接两个相邻发光单元的连接层；所述连接层包括第一连接层、第二连接层和界面修饰层，所述第一连接层和第二连接层分别与相邻的两个发光单元连接，所述界面修饰层位于所述第一连接层和第二连接层之间；所述界面修饰层为m个n型传输单元和m个p型传输单元形成的交替层叠结构，其中，m为大于等于1的整数。
所述的叠层有机电致发光器件，其中，所述第一连接层由n型掺杂剂材料和有机电子传输性材料组成，所述有机电子传输性材料由氮杂环单元组成，所述氮杂环单元选自化合物N-1至化合物N-60中至少一种：
所述的叠层有机电致发光器件，其中，所述第一连接层由n型掺杂剂材料和有机电子传输性材料组成，所述n型掺杂剂材料选自锂、钠、钾、铷、铯、镁、钙、金、银、铜、铁、镍、铂、钯、钌、镱、三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨、氟化铯、碳酸铯、氟化锂、碳酸锂、8-羟基喹啉酸锂、氯化钠、氯化铁中的至少一种。
所述的叠层有机电致发光器件，其中，所述界面修饰层的n型传输单元材料选自锂、钠、钾、铷、铯、镁、钙、金、银、铜、铁、镍、铂、钯、钌、镱、三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨、氟化铯、碳酸铯、氟化锂、碳酸锂、8-羟基喹啉酸锂、氯化钠、氯化铁中的至少一种。
所述的叠层有机电致发光器件，其中，所述界面修饰层的p型传输单元材料为深LUMO能级材料，所述深LUMO能级材料选自MoO3、WO3、V2O5、MoO2、Co3O4和下述化合物HI-1至化合物HI-20中的至少一种：
所述的叠层有机电致发光器件，其中，所述第二连接层由p型掺杂剂材料和有机空穴传输性材料组成，所述p型掺杂剂材料为MoO3、WO3、V2O5、MoO2、Co3O4和下述化合物(HI-1)至化合物(HI-20)中的至少一种：
所述的叠层有机电致发光器件，其中，所述界面修饰层的n型传输单元与p型传输单元厚度均为0.1～10nm。
所述的叠层有机电致发光器件，其中，所述第一连接层和第二连接层的厚度均为5～50nm。
所述的叠层有机电致发光器件，其中，所述第一连接层由n型掺杂剂材料和有机电子传输性材料组成，其中，n型掺杂剂材料掺杂质量比为1％～50％，所述第二连接层由p型掺杂剂材料和有机空穴传输性材料组成，其中，p型掺杂剂材料掺杂质量比为1％～10％。
一种叠层有机电致发光器件的应用，其中，将本发明叠层有机电致发光器件用于制备有机电致发光显示器或有机电致发光照明设备。
有益效果：本发明在叠层OLED器件连接层的第一连接层与第二连接层之间引入由n型传输单元与p型传输单元交替组成的交替层叠结构，这种交替层叠结构可以促进连接层载流子在n型传输单元与p型传输单元界面附近产生，形成多个载流子产生位置，并降低载流子注入到第一连接层和第二连接层的注入势垒，从而降低叠层器件在连接层处的驱动电压压降，实现低驱动电压的叠层OLED器件；本发明通过调节界面修饰层交替层叠结构的厚度以及材料种类，可实现改变连接层处产生电子和空穴的浓度，从而调控叠层器件发光单元的载流子平衡，提升发光单元的发光效率以及抑制器件效率滚降，获得高效率、低滚降的叠层OLED器件；进一步地，叠层OLED器件界面修饰层的引入将促进电子从第二连接层分离注入到第一连接层，增强了载流子产生能力，抑制了第一连接层与第二连接层异质结由于能级势垒导致的界面老化，提升了连接层界面的稳定性，从而改善连接层的寿命；更进一步地，本发明中第一连接层的有机电子传输性材料由氮杂环单元组成，氮原子与n掺杂剂之间形成配位键形成金属-有机配合物，增强了第一连接层的电子传输性能，并降低电子从第一连接层注入至发光单元的电子注入势垒，从而降低叠层OLED器件的驱动电压。综上所述，本发明获得了一种高效率、低驱动电压、长寿命的叠层OLED器件。
附图说明
图1示出了本发明的叠层有机电致发光器件的结构示意图；
图2示出了本发明实施例2和比较例1的器件电流密度-电压特性曲线图；
图3示出了本发明实施例2和比较例1的器件外量子效率特性曲线图；
图4示出了本发明实施例2和比较例1的器件寿命特性曲线图。
图中：100、阳极层；101、空穴注入层；102、第一空穴传输层；103、第二空穴传输层；104、第一发光层；105、第二电子传输层；106、第一电子传输层；107、第一连接层；201a-1、第一n型传输单元；201b-1、第一p型传输单元；201a-2、第二n型传输单元；201b-2、第二p型传输单元；201a-m、第m n型传输单元；201b-n、第n p型传输单元；108、第二连接层；109、第一空穴传输层；110、第二空穴传输层；111、第二发光层；112、第二电子传输层；113、第一电子传输层；114、电子注入层；115、阴极层。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应该理解的是，在不冲突的前提下，本发明的任一和所有实施方案都可与任一其它实施方案或多个其它实施方案中的技术特征进行组合以得到另外的实施方案。本发明包括这样的组合得到另外的实施方案。
在本说明书中，可由本领域技术人员选择基团及其取代基以提供稳定的结构部分和化合物。当通过从左向右书写的常规化学式描述取代基时，该取代基也同样包括从右向左书写结构式时所得到的在化学上等同的取代基。
本说明书所用的章节标题仅用于组织文章的目的，而不应被解释为对所述主题的限制。本发明中引用的所有文献或文献部分包括但不限于专利、专利申请、文章、书籍、操作手册和论文，均通过引用方式整体并入本文。
除非另有规定，本文使用的所有技术术语和科学术语具有要求保护主题所属领域的标准含义。倘若对于某术语存在多个定义，则以本文定义为准。
应该理解，在本发明中使用的单数形式，如“一种”，包括复数指代，除非另有规定。此外，术语“包括”是开放性限定并非封闭式，即包括本发明所指明的内容，但并不排除其他方面的内容。
本发明提供了一种叠层有机电致发光器件，其由阳极层、至少两个发光单元、阴极层，以及用于连接两个相邻发光单元的连接层组成，其中，发光单元从靠近阳极层一侧依次设置有空穴注入层、空穴传输层、发光层以及电子传输层。
接着，对本申请的叠层有机电致发光器件的发光单元进行进一步说明。
进一步地，有机电致发光器件的空穴传输层是在发光层与阳极层(或空穴注入层)之间形成的有机层，主要作用是将空穴从阳极层传输至发光层。空穴传输层可能由一层有机层材料组成，定义为第一空穴传输层；也可能由两层有机层材料组成，将靠近阳极层一侧的有机层定义为第一空穴传输层，将靠近发光层一侧的有机层定义为第二空穴传输层。作为用于空穴传输层的空穴传输材料，优选使用芳香族胺化合物，其中芳香族胺化合物为第一芳香族胺衍生物和第二芳香族胺衍生物中的至少一种，所述第一芳香族胺衍生物的结构通式如结果式(Ⅰ)所示，所述第二芳香族胺衍生物的结构通式如结构式(Ⅱ)所示， 其中，Ar1～Ar4表示取代或未取代的成环碳数6～50(优选为6～30、更优选为6～20、进一步优选为6～12)的芳香族烃基或者可具有取代基的成环碳数6～50(优选为6～30、更优选为6～20、进一步优选为6～12)的稠合芳香族烃基、取代或未取代的成环原子数5～50(优选为5～30、更优选为5～20、进一步优选为5～12)的芳香族杂环基或者取代或未取代的成环原子数5～50(优选为5～30、更优选为5～20、进一步优选为5～12)的稠合芳香族杂环基、或者、这些芳香族烃基或稠合芳香族烃基与芳香族杂环基或稠合芳香族杂环基键合而成的基团。在Ar1与Ar2之间、在Ar3与Ar4之间均可以形成环；L表示取代或未取代的成环碳数6～50(优选为6～30、更优选为6～20、进一步优选为6～12)的芳香族烃基或者可具有取代基的成环碳数6～50(优选为6～30、更优选为6～20、进一步优选为6～12)的稠合芳香族烃基、或者取代或未取代的成环原子数5～50(优选为5～30、更优选为5～20、进一步优选为5～12)的芳香族杂环基或者取代或未取代的成环原子数5～50(优选为5～30、更优选为5～20、进一步优选为5～12)的稠合芳香族杂环基。
进一步地，本发明的有机电致发光器件的空穴传输层，根据结构式(I)和结构式(II)所述化合物优选自以下化合物但不限于以下结果：
结构：
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/>
/>
/>
/>
进一步地，本申请有机电致发光器件，优选在阳极层与空穴传输层(或发光层)的界面区域设置空穴注入层。空穴注入层的主要作用是促进空穴从阳极层注入到空穴传输层或发光层，实现有机电致发光器件驱动电压的降低，以及发光亮度和器件寿命的提高。此外，空穴注入层材料含有深LUMO能级的p型掺杂剂，作为其具体例，可优选自HI-1～HI-20中的一种，空穴注入层的膜厚没有特别限定，优选为1～50nm的范围内选择。
其中，HI-1～HI-20的结构式如下所示：
/>
进一步地，空穴注入层的膜厚没有特别限定，优选为5～100nm。
进一步地，空穴传输层的膜厚没有特别限定，优选为20～200nm。其中，当有机电致发光器件的空穴传输层由第一空穴传输层组成时，第一空穴传输层的膜厚优选为20～200nm；当有机电致发光器件的空穴传输层由第一空穴传输层和第二空穴传输层组成时，第一空穴传输层的膜厚优选为19～150nm，第二空穴传输层的膜厚优选为1～50nm。
具体地，当空穴传输层含有p型掺杂剂和空穴传输材料时，所述p型掺杂剂的掺杂浓度优选为0.1～10.0wt％。
进一步地，有机电致发光器件的发光层主要作用是将注入到发光层的空穴和电子复合产生激子，激子通过辐射跃迁方式完成电光转化过程。构成发光层的材料可以是仅由第一化合物组成的非掺杂发光化合物，也可以是由第一化合物和第二化合物组成的二元发光组合物，又或者是由第一化合物、第二化合物和第三化合物组成的三元发光组合物。
具体地，对于第一化合物为产生辐射跃迁的发光材料，根据发光机制可选荧光材料、磷光材料、热活化延迟荧光材料等，优选包含铱、铂等配位金属的磷光材料，包含硼氮衍生物、硼氧衍生物、吲哚并咔唑衍生物、硼氟衍生物的热活化延迟荧光材料，包含荧蒽衍生物、芘衍生物、咪唑衍生物的荧光材料作为第一化合物。第二化合物优选包含苯腈衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡嗪衍生物、咪唑衍生物、苯并噻吩氧化物的衍生物、菲啰啉衍生物、苯甲腈衍生物、磷氧衍生物的热活化延迟荧光材料。第三化合物优选咔唑衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、苯胺衍生物、苯并噻吩衍生物、苯并呋喃衍生物、芴基衍生物。
进一步地，连接层包括第一连接层、第二连接层和界面修饰层，其中，第一连接层个第二连接层分别与相邻的两个发光层连接，界面修饰层位于第一连接层和第二连接层之间。界面修饰层为m个n型传输单元与m个p型传输单元形成的交替层叠结构，m为大于等于1的整数。
具体地，在一实施例中，所述第一连接层由n型掺杂剂材料和有机电子传输性材料组成，所述有机电子传输性材料优选自下述化合物(N-1)至化合物(N-30)中至少一种：
/>
/>
/>
/>
在另一实施例中，所述第一连接层由n型掺杂剂材料和有机电子传输性材料组成，所述n型掺杂剂材料优选自锂、钠、钾、铷、铯、镁、钙、金、银、铜、铁、镍、铂、钯、钌、镱、三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨、氟化铯、碳酸铯、氟化锂、碳酸锂、8-羟基喹啉酸锂、氯化钠、氯化铁中的至少一种。
在另一实施例中，所述界面修饰层的n型传输单元材料选自锂、钠、钾、铷、铯、镁、钙、金、银、铜、铁、镍、铂、钯、钌、镱、三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨、氟化铯、碳酸铯、氟化锂、碳酸锂、8-羟基喹啉酸锂、氯化钠、氯化铁中的至少一种。
在另一实施例中，所述界面修饰层的pp型传输单元材料为深LUMO能级材料，所述深LUMO能级材料选自MoO3、WO3、V2O5、MoO2、Co3O4和下述化合物HI-1至化合物HI-20中的至少一种：
/>
在另一实施例中，所述第二连接层包括由p型掺杂剂材料和有机空穴传输性材料组成，所述p型掺杂剂材料为MoO3、WO3、V2O5、MoO2、Co3O4和上述化合物(HI-1)至化合物(HI-20)中的至少一种；所述有机空穴传输性材料优选为芳香族胺化合物。
进一步地，有机电致发光器件的电子传输层为设置在发光层与阴极层(或电子注入层)之间形成的有机层，其主要作用是将电子从阴极向发光层传输。所述电子传输层可能由一层有机层材料组成，定义为第一电子传输层；也可能由两层有机层材料组成，将靠近阴极层一侧的有机层定义为第一电子传输层，将靠近发光层一侧的有机层定义为第二电子传输层。用于第二电子传输层的电子传输材料，优选使用分子内含有1个以上杂原子的芳香族杂环化合物，特别优选含氮环衍生物。另外，作为含氮环衍生物，优选为具有含氮六元环或五元环骨架的芳香族环、或者具有含氮六元环或五元环骨架的稠合芳香族环化合物。
进一步地，本发明的有机电致发光器件的第二电子传输层优选自以下化合物但不限于以下结构：
/>
本申请有机电致发光器件中的电子传输层材料优选自以下化合物但不限于以下结构：
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进一步地，电子传输层的膜厚没有特别限定，优选为10～100nm。其中，当有机电致发光器件的电子传输层由第一电子传输层组成时，第一电子传输层的膜厚优选为10～100nm；当有机电致发光器件的电子传输层由第一电子传输层和第二电子传输层组成时，第一电子传输层的膜厚优选为9～70nm，第二电子传输层的膜厚优选为1～30nm。
进一步地，有机电致发光器件的阳极层主要作用是将空穴注入到空穴传输层或者发光层，优先使用功函数为4.5eV以上的阳极层材料。阳极层材料优选自氧化铟锡合金(ITO)、氧化锡(NESA)、铟镓锌氧化物(IGZO)、银等。阳极层可以通过热蒸镀法、溅射法等形成阳极层薄膜。优选使阳极的可视区域的光透射率大于80％。另外，阳极层方阻优选为500Ω/cm-1以下，膜厚优选在10～200nm的范围内选择。
进一步地，有机电致发光器件的阴极层主要作用是向电子注入层、电子传输层或者发光层注入电子，优选功函数小的材料。阴极材料没有特别限定，优选自铝、镁、银、镁-银合金、镁-铝合金、铝-锂合金等。阴极层也与阳极层同样地，可以通过热蒸镀法、溅射法等形成阴极层薄膜，阴极层膜厚优选在10～200nm的范围内选择。另外，也可以根据需要从阴极侧提取发光。
进一步地，本发明还提供一种叠层有机电致发光器件的具体制备方法，以下通过具体实施例对本发明制备方法做进一步说明。
本发明对以下实施例中所采用的原料的来源没有特别的限制，可为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。
实施例1～7
(1)将30mm×30mm×0.7mm厚的带ITO透明电极的玻璃基板(如图1所示的阳极层100，ITO的膜厚设为95nm)依次在丙酮、洗液、超纯水(3次)、异丙醇中进行超声波清洗，每一步骤超声清洗时间为10分钟。将清洗后的ITO玻璃基板放置于120℃的烘箱烘烤3小时；
(2)对烘烤后的ITO玻璃基板进行真空等离子体清洗处理10分钟；
(3)将等离子体处理后的上述玻璃基板安装于真空蒸镀装置的基板架，首先在形成有透明电极线的一侧的面上以覆盖透明电极的方式共蒸镀化合物HI-9和化合物HT-10，化合物HI-9的浓度设为3wt％，形成膜厚为10nm的如图1所示的空穴注入层101；
(4)在空穴注入层101上蒸镀化合物HT-10，形成膜厚40nm的如图1所示的第一空穴传输层102；
(5)在第一空穴传输层102上蒸镀化合物HT-48，形成膜厚5nm的如图1所示的第二空穴传输层103；
(6)在第二空穴传输层103上共蒸镀第三化合物组合GH和第一化合物GD，形成膜厚40nm的如图1所示的第一发光层104，第一发光层104内的第一化合物RD的浓度设为4wt％，所用到的第三化合物组合GH和第一化合物GD的结构如下所示：
(7)在第一发光层104上蒸镀EB-4，形成膜厚10nm的如图1所示的第二电子传输层105；
(8)在第二电子传输层105上蒸镀ET-9，形成膜厚30nm的如图1所示的第一电子传输层106；
(9)在第一电子传输层106上共蒸镀化合物镱和化合物N-12，形成膜厚10nm的如图1所示的第一连接层107，第一连接层107内的化合物镱的浓度设为1wt％；
(10)在第一连接层107上蒸镀如图1所示的界面修饰层201；
(11)在界面修饰层201上共蒸镀化合物HI-7和化合物HT-10，形成膜厚10nm的如图1所示的第二连接层108，第二连接层108内的化合物HI-7的浓度设为3wt％；
(12)在第二连接层108上蒸镀化合物HT-10，形成膜厚50nm的如图1所示的第三空穴传输层109；
(13)在第一空穴传输层109上蒸镀化合物HT-48，形成膜厚10nm的如图1所示的第四空穴传输层110；
(14)在第四空穴传输层110上共蒸镀第三化合物组合GH和第一化合物GD，形成膜厚40nm的如图1所示的第二发光层111，第二发光层111内的第一化合物RD的浓度设为4wt％；
(15)在第二发光层111上蒸镀EB-4，形成膜厚10nm的如图1所示的第四电子传输层112；
(16)在第二电子传输层112上蒸镀ET-9，形成膜厚30nm的如图1所示的第三电子传输层113；
(17)在第一电子传输层113上蒸镀Liq，形成膜厚2nm的如图1所示的电子注入层114；
(18)在电子注入层114上蒸镀金属Al，形成膜厚100nm的如图1所示的阴极层115。
其中，步骤(10)形成的界面修饰层201所使用的化合物组合如下表1实施例1～7所示。
表1界面修饰层所使用的化合物组合
比较例1～3
比较例1制备的叠层有机电致发光器件，在第一连接层107和第二连接层108之间不添加界面修饰层，除此之外，与实施例1～7同样地操作而制备了叠层有机电致发光器件。比较例2和3，所述界面修饰层采用单层化合物层如下表2所述。除此之外，与实施例1～7同样地操作而制备了叠层有机电致发光器件。
表2比较例2-3中界面修饰层所用化合物
比较例 2 3
化合物 镱 HI-3
厚度(nm) 5 5
有机电致发光器件性能评价
将实施例1～7和比较例1～3制备的有机电致发光器件使用分光辐射亮度计CS-2000(Konica Minolta)和数字源表2420(Keithley)测量，以电流密度为1mA/cm2驱动所制备有机电致发光器件时的驱动电压、外量子效率(EQE)和CIE1931色度坐标(x,y)；使用器件寿命测试测量以电流密度为50mA/cm2驱动所制备有机电致发光器件时，器件亮度衰减至初始亮度95％的寿命(T95)以及驱动电压与初始亮度时驱动电压的差值(ΔV)；实施例1～7和比较例1～3器件性能评价结果见下表3以及图2-图4所示。
表3实施例1～7和比较例1～3器件性能评价结果表
对比表1中实施例1～7和比较例1～3叠层器件的驱动电压和外量子效率，在第一连接层与第二连接层之间引入n型传输单元与p型传输单元形成交替层叠结构的界面修饰层可以明显的降低器件驱动电压，并且略微提升器件的外量子效率，说明上述交替结构的界面修饰层有利于提升连接层载流子产生能力，降低载流子注入到发光单元的注入势垒，降低了连接层处的电压压降。此外，在高亮度下实施例1～7的效率滚降相比于比较例1～3有所下降，进一步通过优化实施例中界面修饰层交替层叠结构数量、厚度以及材料种类，可以优化器件效率滚降，获得最佳效率滚降的结构参数。另一方面，对比实施例1～7和比较例1～3叠层器件的T95寿命，增加交替结构的界面修饰层后，器件寿命相比于比较例有所提升。分别对比实施例2与比较例1～3叠层器件的驱动电压差值，驱动电压上升抑制作用只要来源于在第一连接层和第二连接层之间加入n型传输单元，而进一步演变成n型传输单元与p型传输单元形成交替层叠结构的界面修饰层后，驱动电压上升抑制效果得到保留。
进一步，从图2-图4中实施例2与比较例1的数据也可以看出，相对于比较例1而言，实施例2中的驱动电压更低、外量子效率更高、寿命更长。这说明，在叠层器件连接层引入交替层叠结构的界面修饰层可以获得发光效率高、驱动电压低、寿命长的叠层OLED器件。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述叠层有机电致发光器件包括从下至上依次设置的阳极层、至少两个发光单元、阴极层，以及用于连接两个相邻发光单元的连接层；所述连接层包括第一连接层、第二连接层和界面修饰层，所述第一连接层和第二连接层分别与相邻的两个发光单元连接，所述界面修饰层位于所述第一连接层和第二连接层之间；所述界面修饰层为m个n型传输单元和m个p型传输单元形成的交替层叠结构，其中，m为大于等于1的整数；
所述第一连接层由n型掺杂剂材料和有机电子传输性材料组成，所述有机电子传输性材料由氮杂环单元组成，所述氮杂环单元选自化合物N-1至化合物N-60中至少一种：
2.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述第一连接层由n型掺杂剂材料和有机电子传输性材料组成，所述n型掺杂剂材料选自锂、钠、钾、铷、铯、镁、钙、金、银、铜、铁、镍、铂、钯、钌、镱、氟化铯、碳酸铯、氟化锂、碳酸锂、8-羟基喹啉酸锂、氯化钠、氯化铁中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述界面修饰层的n型传输单元材料选自锂、钠、钾、铷、铯、镁、钙、金、银、铜、铁、镍、铂、钯、钌、镱、氟化铯、碳酸铯、氟化锂、碳酸锂、8-羟基喹啉酸锂、氯化钠、氯化铁中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述界面修饰层的p型传输单元材料为深LUMO能级材料，所述深LUMO能级材料选自MoO3、WO3、V2O5、MoO2、Co3O4和下述化合物HI-1至化合物HI-20中的至少一种：
5.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述第二连接层由p型掺杂剂材料和有机空穴传输性材料组成，所述p型掺杂剂材料为MoO3、WO3、V2O5、MoO2、Co3O4和下述化合物(HI-1)至化合物(HI-20)中的至少一种：
6.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述界面修饰层的n型传输单元与p型传输单元厚度均为0.1～10nm。
7.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述第一连接层和第二连接层的厚度均为5～50nm。
8.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，所述第一连接层由n型掺杂剂材料和有机电子传输性材料组成，其中，n型掺杂剂材料掺杂质量比为1％～50％，所述第二连接层由p型掺杂剂材料和有机空穴传输性材料组成，其中，p型掺杂剂材料掺杂质量比为1％～10％。
9.一种如权利要求1-8任一项所述叠层有机电致发光器件的应用，其特征在于，将所述叠层有机电致发光器件用于制备有机电致发光显示器或有机电致发光照明设备。
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