CN102738412B - 一种具有掺杂型电子传输层结构的有机电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，其中，所述电子传输层的材料包括平面构型的电子传输材料和立体构型的电子传输材料相互掺杂形成，且所述平面构型的电子传输材料和所述立体构型的电子传输材料的质量比为9∶1-1∶9。本发明的有机电致发光器件的电子传输层传输性高、成膜能力好；采用所述电子传输层的有机电致发光器件，电流效率高，使用寿命长。
Description
技术领域
本发明涉及OLED领域，尤其涉及一种具有掺杂型电子传输层结构的OLED器件。
背景技术
有机电致发光装置（OLED）是自发的发光显示装置，当将电场施加到由荧光或磷光有机化合物形成的薄膜时，通过电子和空穴的复合产生能量而使其发光，并提供了适合于便携式电子装置的多种优点，包括轻便、结构简单、色纯度高、移动图片完美实现、能耗低、驱动电压低等。
虽然OLED在电子显示中是有前途的新技术，但其使用期限短、电流效率低，限制了它们的广泛应用。目前，有机电致发光器件根据其中所用的材料和堆栈结构，以及阳极的表面处理条件，在使用寿命和效率得到提高，但是依然不能满足人们的实际需求。
中国专利文献CN1905236A公开了一种有机电致发光器件及其制造方法，所述有机电致发光器件采用了含空穴阻挡能力的电子传输层，所述电子传输层是至少两种材料的混合物。该混合物可包括有机化合物与一种或多种其他有机化合物，或者可包括金属或无机化合物与一种或多种其它金属或无机化合物，或者可包括一种或多种有机化合物与一种或多种金属或无机化合物。通过向电子传输层中加入空穴阻挡能力，以提高其效率。但该发明采用了高HOMO能级的电子传输材料，该种电子传输层ETL结构的材料具有空穴阻挡性能，因此该ETL结构局限于磷光OLED器件，有利于提高磷光器件的效率，但在荧光器件中，由于大量的激子和空穴堆积在发光层中，会缩短器件的寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掺杂型的电子传输层，进而得到一种使用寿命长、电流效率高的有机电致发光器件。
为此，本发明采取的方案为：
一种用于制备电子传输层的组合物，所述组合物由质量比为9：1-1：9的平面构型的电子传输材料和立体构型的电子传输材料组成;
所述平面构型的电子传输材料具有式（Ⅰ）、式（Ⅱ）、式（Ⅲ）或式（Ⅳ）所示的结构：
所述立体构型的电子传输材料具有式（Ⅴ）所示的结构：
其中，Ar为亚萘基、联亚萘基、亚蒽基、亚苝基、亚芘基、亚喹啉基、联亚喹啉基、二苯并
X和Y彼此独立地为氢基、卤原子、脂肪基、芳香基、氰基、硝基、甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、酰胺基、苯乙烯基、乙炔基、喹啉基、喹唑啉基、菲啰啉基、2,2’-联喹啉基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基氨基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的芳烷基氨基或者取代或未取代的杂环基;
金属M为ⅠA、ⅡA、ⅢA族、过渡金属或稀有金属；
配体L是含联吡啶、羟基喹啉、喹喔啉的基团；
n的取值为1-3之间的整数。
优选地，所述平面构型的电子传输材料选自以下结构式中的一种：
优选地，所述金属M为锂、铍、铝或镓。
优选地，所述立体构型的电子传输材料选自以下结构式中的一种：
优选地，所述平面构型的电子传输材料和所述立体构型的电子传输材料的质量比为7:3-3:7。
优选地，所述平面构型的电子传输材料和所述立体构型的电子传输材料的质量比为5:5。
一种有机电致发光器件的电子传输层，所述电子传输层的材料为所述的组合物。
上述有机电致发光器件的电子传输层中，所述电子传输层的厚度为10-50nm。
上述有机电致发光器件的电子传输层中，所述电子传输层的厚度为15-25nm。
一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所述电子传输层为所述的电子传输层。
与现有技术相比，本发明的所述有机电致发光器件具有如下优点：
（1）所述平面构型的电子传输材料的分子具有共轭结构，且其分子骨架主要分布在同一平面内，上述平面构型的电子传输材料具有较高的电子迁移率；所述立体构型的电子传输材料的分子中含有金属结构，可以形成三角锥、四面体、八面体或其他立体结构，上述立体构型的电子传输材料具有良好的成膜性，将上述两种类型的材料相互掺杂在一起，得到了高传输性、高成膜能力的电子传输层(ETL)。
（2）采用所述掺杂型电子传输层的有机电致发光器件，电流效率高，使用寿命长。
（3）所述ETL材料适用于红、绿、蓝单色器件，可以做为有源矩阵有机发光二极体面板（AMOLED）屏体的共用层材料，简化AMOLED的蒸镀工艺。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1为本发明的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为C15薄膜的初始光学照片；
图3为C15薄膜烘烤后的光学照片；
图4为质量比为1:1的C15：C32薄膜的初始光学照片；
图5为质量比为1:1的C15：C32薄膜烘烤后的光学照片。
其中，附图标记为：
10-基板，20-阳极层，30-空穴注入层，40-空穴传输层，50-发光层，60-电子传输层，70-电子注入层，80-阴极层。
具体实施方式
图1为本发明的有机电致发光器件的结构示意图，所述有机电致发光器件包括基板10，阳极层20，空穴注入层30，空穴传输层40，发光层50，电子传输层60，电子注入层70和阴极层80。
所述基板10为玻璃板，其上面带有阳极。
所述阳极层20可以采用ITO或IZO，本发明优选ITO做阳极。
所述阴极层80一般采用金属铝、银或Mg:Ag合金，本发明中选择铝。
所述空穴注入层（HIL）30的基质材料优选m-MTDATA。
所述空穴传输层（HTL）40的基质材料可以采用NPB。
所述发光层50为蓝色发光层、绿色发光层或红色发光层。
本发明中红色发光层采用Bebq2:(piq)2Ir(acac);绿色发光层选用的材料为ADN：C545T；蓝色发光层选用的材料为MADN：DPVBi。
所述电子传输层60采用的材料为由所述平面构型的电子传输材料和所述立体构型的电子传输材料相互掺杂组成的组合物，其中所述平面构型的电子传输材料和所述立体构型的电子传输材料的质量比为9：1-1：9。
所述平面构型的电子传输材料具有式（Ⅰ）、式（Ⅱ）、式（Ⅲ）或式（Ⅳ）所示的结构：
其中，Ar为亚萘基、联亚萘基、亚蒽基、亚苝基、亚芘基、亚喹啉基、联亚喹啉基、二苯并
n为1-3之间的整数；
X和Y彼此独立地为氢基、卤原子、脂肪基、芳香基、氰基、硝基、甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、酰胺基、苯乙烯基、乙炔基、喹啉基、喹唑啉基、菲啰啉基、2,2’-联喹啉基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基氨基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的芳烷基氨基、或取代或未取代的杂环基。
所述立体构型的电子传输材料为式（Ⅴ）所示：
其中，金属M为ⅠA、ⅡA、ⅢA族、过渡金属或稀有金属；
配体L是含联吡啶、羟基喹啉、喹喔啉的基团；
n的取值为1-3之间的整数。
将所述平面构型的电子传输材料和所述立体构型的电子传输材料相互掺杂，以共蒸的形式蒸镀为一层所述电子传输层，所述平面构型的电子传输材料和所述立体构型的电子传输材料质量比为9：1-1：9。
本发明的实施例中用到的所述平面构型的电子传输材料的制备方法主要是依据昆山维信诺显示技术有限公司已经公开的申请号为200810113673.2和200910234760.8的专利文献，所述立体构型的电子传输材料均可以从化工市场上直接购买。
在本发明的实施例中提到的化学物质的结构式如下：
下面将给出若干实施例，并结合附图具体解释本发明的技术方案，应当注意的是，下面的实施例仅用于帮助理解本发明，而不是对本发明的限制。
实施例1
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)/NPB(15nm)/MADN(45nm):DPVBi(5%)/ETL(25nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
所述有机电致发光器件的制备方法如下：
（1）处理基板
将涂布有ITO透明导电层的玻璃板在清洗剂中超声处理，并利用去离子水进行冲洗，从而完成对所述玻璃基板的清洗；然后在丙酮：乙醇混合溶剂中进行超声处理以除油；在洁净环境下烘干，然后用紫外光和臭氧清洗，并以低能阳离子束轰击表面，从而使所述玻璃板带有阳极。
（2）蒸镀发光单元层
①将带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10－5Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀m-MTDATA作为空穴注入层（HIL），蒸镀速率为0.15nm/s，膜厚为170nm；
②在所述空穴注入层（HIL）上蒸镀15nm左右的NPB作为空穴传输层（HTL），蒸镀速率为0.15nm/s，膜厚为15nm;
③在所述空穴传输层（HTL）上真空蒸镀蓝光发光层MADN掺杂5%的DPVBi作为器件的发光层（EML），蒸镀速率为0.1nm/s，总膜厚为45nm；
④在所述发光层（EML）上真空蒸镀一层电子传输层（ETL），其蒸镀速率为0.1nm/s，总膜厚为25nm，其中蒸镀的所述电子传输层的材料组成和比例如表1所示；
⑤在所述电子传输层（ETL）上真空蒸镀电子注入层（LiF），蒸镀速率为膜厚为0.5nm；
⑥在所述电子注入层（LiF）上继续蒸镀Al层作为器件的阴极，其厚度为150nm。
对比例1
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)/NPB(15nm)/MADN(45nm):DPVBi(5%)/ETL(25nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法与本实施例相同，不同之处在于步骤④所述电子传输层的材料只有5,5’-(4-(2-吡啶基)苯基)-8,8’-联喹啉C15。
对比例2
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)/NPB(15nm)/MADN(45nm):DPVBi(5%)/ETL(25nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法与本实施例相同，不同之处在于步骤④所述电子传输层的材料只有邻菲啰啉C29。
对比例3
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)/NPB(15nm)/MADN(45nm):DPVBi(5%)/ETL(25nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法与本实施例相同，不同之处在于步骤④所述电子传输层的材料只有二-(八羟基喹啉)铍C32。
表1实施例1中所述有机电致发光器件的结构数据
| No | HIL | HTL | EML | ETL | LiF | Al |
| 1 | 1700 | 200 | Blue(450) | C15(180):C32(20) | 5 | 1500 |
| 2 | 1700 | 200 | Blue(450) | C15(140):C32(60) | 5 | 1500 |
| 3 | 1700 | 200 | Blue(450) | C15(100):C32(100) | 5 | 1500 |
| 4 | 1700 | 200 | Blue(450) | C15(60):C32(140) | 5 | 1500 |
| 5 | 1700 | 200 | Blue(450) | C15(20):C32(180) | 5 | 1500 |
| 6 | 1700 | 200 | Blue(450) | C29(180):C32(20) | 5 | 1500 |
| 7 | 1700 | 200 | Blue(450) | C29(140):C32(60) | 5 | 1500 |
| 8 | 1700 | 200 | Blue(450) | C29(100):C32(100) | 5 | 1500 |
| 9 | 1700 | 200 | Blue(450) | C29(60):C32(140) | 5 | 1500 |
| 10 | 1700 | 200 | Blue(450) | C29(20):C32(180) | 5 | 1500 |
| 对比例1 | 1700 | 200 | Blue(450) | C15(200) | 5 | 1500 |
| 对比例2 | 1700 | 200 | Blue(450) | C29(200) | 5 | 1500 |
| 对比例3 | 1700 | 200 | Blue(450) | C32(200) | 5 | 1500 |
表2实施例1中所述有机电致发光器件的性能数据
| 器件编号 | 条件 | 电流效率(cd/A) | 寿命(h) |
| 1 | C15(180):C32(20) | 6.5 | 2550 |
| 2 | C15(140):C32(60) | 7.3 | 2700 |
| 3 | C15(100):C32(100) | 12 | 3000 |
| 4 | C15(60):C32(140) | 11.4 | 2950 |
| 5 | C15(20):C32(180) | 9 | 2900 |
| 6 | C29(180):C32(20) | 8 | 2570 |
| 7 | C29(140):C32(60) | 9.3 | 2770 |
| 8 | C29(100):C32(100) | 14 | 2930 |
| 9 | C29(60):C32(140) | 12.5 | 2900 |
| 10 | C29(20):C32(180) | 10.4 | 2860 |
| 对比例1 | C15(200) | 6 | 2520 |
| 对比例2 | C29(200) | 6.5 | 2450 |
| 对比例3 | C32(200) | 7.2 | 2460 |
通过本实施例1中由不同的电子传输层构成的所述有机电致发光器件，其中所述电子传输层的材料由不同质量比的所述平面构型的电子传输材料（C15或C29）和所述立体构型的电子传输材料（C32）组成，与对比例对比可以看出，对比例1、对比例2和对比例3的电流效率基本上均低于其它有机电致发光器件的电流效率，三个对比例的使用寿命也比其它有机电致发光器件的使用寿命短。且所述平面构型材料（C15或C29）和所述立体型材料（C32）的质量掺杂比为1：1时，电流效率最高，寿命最长。
通过以上实验，表明由所述平面构型的电子传输材料（C15或C29）和所述立体构型的电子传输材料（C32）掺杂形成的所述电子传输层，可以有效的提高电子传输效率，延长由所述电子传输层构成的所述有机电致发光器件的使用寿命。
另外，图2为C15薄膜的初始光学照片，图3为C15薄膜烘烤后的光学照片，图4为质量比为1:1的C15：C32薄膜的初始光学照片，图5为质量比为1:1的C15：C32薄膜烘烤后的光学照片。上述光学照片均是在光学显微镜下放大50倍得到的，通过比较上述四张光学照片，可以看出，纯C15薄膜在光学显微镜下存在结晶或聚集，且经过高温处理后，结晶的颗粒变得更大，说明在高温时，材料分子的结晶更加严重，由此得出纯C15薄膜的成膜性较差；而当C15和C32通过质量比1:1掺杂时，在光学显微镜下没有出现结晶或聚集，且高温前后的显微镜图片几乎没有偏差，说明C32的加入，增加了薄膜分子间的位阻，破坏了C15分子之间的相互作用力，抑制了C15的结晶，两种物质相互掺杂形成的薄膜成膜性好。
实施例2
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)/NPB(15nm)/ADN(45nm):C545T(5%)/ETL(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤③的所述蓝色发光层替换为绿色发光层，且所述电子传输层的厚度为20nm。
对比例4
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)/NPB(15nm)/ADN(45nm):C545T(5%)/ETL(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法与对比例1相同，不同之处在于步骤③的所述蓝色发光层替换为绿色发光层，且所述电子传输层的厚度为20nm。
对比例5
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)/NPB(15nm)/ADN(45nm):C545T(5%)/ETL(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法与对比例2相同，不同之处在于步骤③的所述蓝色发光层替换为绿色发光层，且所述电子传输层的厚度为20nm。
对比例6
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)/NPB(15nm)/ADN(45nm):C545T(5%)/ETL(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法与对比例3相同，不同之处在于步骤③的所述蓝色发光层替换为绿色发光层，且所述电子传输层的厚度为20nm。
表3实施例2中所述有机电致发光器件的结构数据
| No | HIL | HTL | EML | ETL | LiF | Al |
| 11 | 1700 | 200 | Green(450) | C15(180):C32(20) | 5 | 1500 |
| 12 | 1700 | 200 | Green(450) | C15(140):C32(60) | 5 | 1500 |
| 13 | 1700 | 200 | Green(450) | C15(100):C32(100) | 5 | 1500 |
| 14 | 1700 | 200 | Green(450) | C15(60):C32(140) | 5 | 1500 |
| 15 | 1700 | 200 | Green(450) | C15(20):C32(180) | 5 | 1500 |
| 16 | 1700 | 200 | Green(450) | C29(180):C32(20) | 5 | 1500 |
| 17 | 1700 | 200 | Green(450) | C29(140):C32(60) | 5 | 1500 |
| 18 | 1700 | 200 | Green(450) | C29(100):C32(100) | 5 | 1500 |
| 19 | 1700 | 200 | Green(450) | C29(60):C32(140) | 5 | 1500 |
| 20 | 1700 | 200 | Green(450) | C29(20):C32(180) | 5 | 1500 |
| 对比例4 | 1700 | 200 | Green(450) | C15(200) | 5 | 1500 |
| 对比例5 | 1700 | 200 | Green(450) | C29(200) | 5 | 1500 |
| 对比例6 | 1700 | 200 | Green(450) | C32(200) | 5 | 1500 |
表4实施例2中所述有机电致发光器件的性能数据
| 器件编号 | 条件 | 电流效率(cd/A) | 寿命(h) |
| 11 | C15(180):C32(20) | 20 | 19000 |
| 12 | C15(140):C32(60) | 26 | 23000 |
| 13 | C15(100):C32(100) | 34 | 30000 |
| 14 | C15(60):C32(140) | 33 | 29800 |
| 15 | C15(20):C32(180) | 32 | 27800 |
| 16 | C29(180):C32(20) | 24 | 19563 |
| 17 | C29(140):C32(60) | 29 | 21350 |
| 18 | C29(100):C32(100) | 36 | 28762 |
| 19 | C29(60):C32(140) | 35 | 26843 |
| 20 | C29(20):C32(180) | 34.3 | 26132 |
| 对比例4 | C15(200) | 19 | 18750 |
| 对比例5 | C29(200) | 21 | 18326 |
| 对比例6 | C32(200) | 23 | 18925 |
通过本实施例2中由不同的电子传输层构成的所述有机电致发光器件，其中所述电子传输层由不同质量比的所述平面构型的电子传输材料（C15或C29）和所述立体构型的电子传输材料（C32）组成，与对比例对比可以看出，对比例4、对比例5和对比例6的电流效率基本上均低于其它有机电致发光器件的电流效率，三个对比例的使用寿命也比其它有机电致发光器件的使用寿命短。且所述平面构型材料（C15或C29）和所述立体型材料（C32）的掺杂比例为1：1时，电流效率最高，寿命最长。
通过以上实验，表明由所述平面构型的电子传输材料（C15或C29）和所述立体构型的电子传输材料（C32）掺杂形成的所述电子传输层，可以有效的提高电子传输效率，延长由所述电子传输层构成的所述有机电致发光器件的使用寿命。
实施例3
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)/NPB(15nm)/Bebq2(30nm):(piq)2Ir(acac)(5%)/ETL(15nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤③的所述蓝色发光层替换为红色发光层，且所述电子传输层的厚度为15nm。
对比例7
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)/NPB(15nm)/Bebq2(30nm):(piq)2Ir(acac)(5%)/ETL(15nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法与对比例1相同，不同之处在于步骤③的所述蓝色发光层替换为红色发光层，且所述电子传输层的厚度为15nm。
对比例8
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)//NPB(15nm)/Bebq2(30nm):(piq)2Ir(acac)(5%)/ETL(15nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法与对比例2相同，不同之处在于步骤③的所述蓝色发光层替换为红色发光层，且所述电子传输层的厚度为15nm。
对比例9
有机电致发光器件结构：
ITO/m-MTDATA(170nm)//NPB(15nm)/Bebq2(30nm):(piq)2Ir(acac)(5%)/ETL(15nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法与对比例3相同，不同之处在于步骤③的所述蓝色发光层替换为红色发光层，且所述电子传输层的厚度为15nm。
表5实施例3中所述有机电致发光器件的结构数据
| No | HIL | HTL | EML | ETL | LiF | Al |
| 21 | 1700 | 200 | Red(300) | C15(180):C32(20) | 5 | 1500 |
| 12 | 1700 | 200 | Red(300) | C15(140):C32(60) | 5 | 1500 |
| 13 | 1700 | 200 | Red(300) | C15(100):C32(100) | 5 | 1500 |
| 14 | 1700 | 200 | Red(300) | C15(60):C32(140) | 5 | 1500 |
| 15 | 1700 | 200 | Red(300) | C15(20):C32(180) | 5 | 1500 |
| 16 | 1700 | 200 | Red(300) | C29(180):C32(20) | 5 | 1500 |
| 17 | 1700 | 200 | Red(300) | C29(140):C32(60) | 5 | 1500 |
| 18 | 1700 | 200 | Red(300) | C29(100):C32(100) | 5 | 1500 |
| 19 | 1700 | 200 | Red(300) | C29(60):C32(140) | 5 | 1500 |
| 20 | 1700 | 200 | Red(300) | C29(20):C32(180) | 5 | 1500 |
| 对比例7 | 1700 | 200 | Red(300) | C15(200) | 5 | 1500 |
| 对比例8 | 1700 | 200 | Red(300) | C29(200) | 5 | 1500 |
| 对比例9 | 1700 | 200 | Red(300) | C32(200) | 5 | 1500 |
表6实施例3中所述有机电致发光器件的性能数据
| 器件编号 | 条件 | 电流效率(cd/A) | 寿命(h) |
| 21 | C15(180):C32(20) | 11 | 56251 |
| 12 | C15(140):C32(60) | 12.5 | 58632 |
| 13 | C15(100):C32(100) | 15.8 | 67528 |
| 14 | C15(60):C32(140) | 14.3 | 65362 |
| 15 | C15(20):C32(180) | 13.2 | 63541 |
| 16 | C29(180):C32(20) | 12.5 | 50263 |
| 17 | C29(140):C32(60) | 14.3 | 51354 |
| 18 | C29(100):C32(100) | 18.3 | 52365 |
| 19 | C29(60):C32(140) | 17.2 | 53564 |
| 20 | C29(20):C32(180) | 16.4 | 54023 |
| 对比例7 | C15(200) | 9 | 53215 |
| 对比例8 | C29(200) | 10.2 | 49532 |
| 对比例9 | C32(200) | 12 | 50000 |
通过本实施例3中由不同的电子传输层构成的所述有机电致发光器件，其中所述电子传输层由不同质量比的所述平面构型的电子传输材料（C15或C29）和所述立体构型的电子传输材料（C32）组成，与对比例对比可以看出，对比例7、对比例8和对比例9的电流效率基本上均低于其它有机电致发光器件的电流效率，三个对比例的使用寿命也比其它有机电致发光器件的使用寿命短。通过以上实验，表明由所述平面构型材料（C15或C29）和所述立体型材料（C32）掺杂形成的所述电子传输层，可以有效的提高电子传输效率，延长由所述电子传输层构成的所述有机电致发光器件的使用寿命。
实施例4
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C1所示化合物4-4’-联苯基蒽和式C31所示化合物三-（8-羟基喹啉镓），且式C1所示化合物和C31所示化合物的质量比为8：2，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为10nm。
实施例5
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C2所示化合物1,1’-二(4-(3-吡啶基)苯基-3,3’-二甲基蒽和式C32所示化合物二-(八羟基喹啉)铍，且式C2所示化合物和C32所示化合物的质量比为7：3，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为15nm。
实施例6
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C3所示化合物9,10-二((4-(3-吡啶基)苯基)-2-苯基蒽和式C33所示化合物八羟基喹啉锂，且式C3所示化合物和C33所示化合物的质量比为6：4，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为20nm。
实施例7
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C4所示化合物4,9-二(4-(3-吡啶基)苯基)-1-苯基-2H-苯唑-[f]异吲哚和式C34所示化合物三-（八羟基喹啉）铝，且式C4所示化合物和C34所示化合物的质量比为5：5，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为50nm。
实施例8
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C5所示化合物1,3-二甲基-4,9-二（4-(3-吡啶基)苯基）-2-苯基-2H-苯唑-[f]异吲哚和式C35所示化合物联二（八羟基喹啉）镓，且式C5所示化合物和C35所示化合物的质量比为4：6，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为40nm。
实施例9
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C7所示化合物1,3-二甲基-4,9-二(4-(3-吡啶基)苯基)-萘基[2,3-c]-噻吩和式C32所示化合物二-(八羟基喹啉)铍，且式C7所示化合物和C32所示化合物的质量比为3：7，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为30nm。
实施例10
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C11所示化合物4,9-二(4-(3-吡啶基)苯基)-二苯并噻唑和式C37所示化合物4-苯基-苯氧基-二（2-甲基-8-羟基）喹啉铝，且式C11所示化合物和C37所示化合物的质量比为2：8。
实施例11
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C14所示化合物5,5’-(4-(2-吡啶基)苯基)-2,2’-联萘和式C38所示化合物三-（4-氯-8-羟基喹啉）铝，且式C14所示化合物和C38所示化合物的质量比为1：9。
实施例12
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C15所示化合物5,5’-(4-(2-吡啶基)苯基)-8,8’-联喹啉和式C32所示化合物二-(八羟基喹啉)铍，且式C15所示化合物和C32所示化合物的质量比为6：4。
实施例13
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C16所示化合物5,5’-(4-(2-吡啶基)苯基)-2,2’-联萘和式C32所示化合物二-(八羟基喹啉)铍，且式C16所示化合物和C32所示化合物的质量比为17：3，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为10nm。
实施例14
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C17所示化合物3,9-(4-(2-吡啶基)苯基)芘和式C33所示化合物八羟基喹啉锂，且式C17所示化合物和C33所示化合物的质量比为15：5，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为15nm。
实施例15
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C18所示化合物1,6-(4-(2-吡啶基)苯基)嵌二萘和式C34所示化合物三-（八羟基喹啉）铝，且式C18所示化合物和C34所示化合物的质量比为13：7，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为25nm。
实施例16
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C21所示化合物4,7-二(3-丙氧基苯基)-邻二氮杂菲和式C32所示化合物二-(八羟基喹啉)铍，且式C21所示化合物和C32所示化合物的质量比为11：9，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为40nm。
实施例17
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C22所示化合物4-丙基-7-(3-丙氧基苯基)-邻二氮杂菲和式C35所示化合物联二（八羟基喹啉）镓，且式C22所示化合物和C35所示化合物的质量比为2：8，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为50nm。
实施例18
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C23所示化合物4,7-二(3-联苯基)-邻二氮杂菲和式C34所示化合物三-（八羟基喹啉）铝，且式C23所示化合物和C34所示化合物的质量比为6：4。
实施例19
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C24所示化合物4-(3-联苯基)-7-(4-联苯基)-邻二氮杂菲和式C33所示化合物八羟基喹啉锂，且式C24所示化合物和C33所示化合物的质量比为4：6。
实施例20
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C25所示化合物4-(3-苯氧基苯)-7-(3-丙炔基苯)-邻二氮杂菲和式C32所示化合物二-(八羟基喹啉)铍，且式C25所示化合物和C32所示化合物的质量比为7：3。
实施例21
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C26所示化合物4,7-二(3-苯乙烯基苯基)-邻二氮杂菲和式C31所示化合物三-（8-羟基喹啉镓），且式C26所示化合物和C31所示化合物的质量比为1：9。
实施例22
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C27所示化合物4-(3-苯氧基苯)-7-(4-丙炔基苯)-邻二氮杂菲和式C35所示化合物联二（八羟基喹啉）镓，且式C27所示化合物和C35所示化合物的质量比为15：5，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为50nm。
实施例23
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C28所示化合物2,9-二甲基-4-(3-苯乙烯基苯基)-7-(4-苯乙烯基苯基)-邻二氮杂菲和式C32所示化合物二-(八羟基喹啉)铍，且式C28所示化合物和C32所示化合物的质量比为13：7，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为10nm。
实施例24
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C29所示化合物林菲啰啉和式C37所示化合物4-苯基-苯氧基-二（2-甲基-8-羟基）喹啉铝，且式C29所示化合物和C37所示化合物的质量比为9：1，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为20nm。
实施例25
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C30所示化合物2,9-二甲基林菲啰啉和式C36所示化合物三-（4-氟-8-羟基喹啉）铝，且式C30所示化合物和C36所示化合物的质量比为5：5，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为25nm。
实施例26
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C15所示化合物5,5’-(4-(2-吡啶基)苯基)-8,8’-联喹啉和式C38所示化合物三-（4-氯-8-羟基喹啉）铝，且式C15所示化合物和C38所示化合物的质量比为3：7，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为30nm。
实施例27
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式C19所示化合物6,12-二（4-3吡啶基苯基）和式C32所示化合物二-(八羟基喹啉)铍，且式C19所示化合物和C32所示化合物的质量比为2：8，另外，在本实施例中所述电子传输层的厚度为40nm。
实施例28
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料由式C15所示化合物5,5’-(4-(2-吡啶基)苯基)-8,8’-联喹啉和喹喔啉锂组成，其中喹喔啉锂如式（A）所示，上述两种化合物的质量比为1：9。
实施例29
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料由式C15所示化合物5,5’-(4-(2-吡啶基)苯基)-8,8’-联喹啉和喹喔啉铍组成，上述两种化合物的质量比为2：8。
实施例30
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料由式（C）所示化合物4-氯-7-碘-邻二氮杂菲和式（D）所示化合物组成，上述两种化合物的质量比为7：3。
实施例31
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（Y）所示化合物4-氯-7-溴-邻二氮杂菲和式C33所示化合物八羟基喹啉锂，上述两种化合物的质量比为3：7。
实施例32
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之处在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（E）所示化合物4-甲基-7-氰基-邻二氮杂菲和式C33所示化合物八羟基喹啉锂，上述两种化合物的质量比为8:2。
实施例33
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（F）所示化合物4-甲酰基-7-乙酰基-邻二氮杂菲和式C33所示化合物八羟基喹啉锂，上述两种化合物的质量比为9：1。
实施例34
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（G）所示化合物4-7-二硝基-邻二氮杂菲和C32所示化合物二-(八羟基喹啉)铍，上述两种化合物的质量比为4：6。
实施例35
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（H）所示化合物4-7-二甲酰基-邻二氮杂菲和C38所示化合物三-（4-氯-8-羟基喹啉）铝，上述两种化合物的质量比为6：4。
实施例36
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（J）所示化合物4-7-二甲酰胺-邻二氮杂菲和式C33所示化合物八羟基喹啉锂，上述两种化合物的质量比为5：5。
实施例37
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（k）所示化合物4-苯乙烯基-7-乙炔基-邻二氮杂菲和C38所示化合物三-（4-氯-8-羟基喹啉）铝，上述两种化合物的质量比为5：5。
实施例38
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（L）所示化合物4,7-二（8-喹啉基）-2,9-二甲基林菲啰啉和式C33所示化合物八羟基喹啉锂，上述两种化合物的质量比为11：9。
实施例39
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（M）所示化合物4,7-二（8-喹唑啉基）-2,9-二甲基林菲啰啉和式C33所示化合物八羟基喹啉锂，上述两种化合物的质量比为9：11。
实施例40
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例1基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（N）所示化合物4,7-二（3-菲啰啉基）-2,9-二甲基林菲啰啉和式C33所示化合物八羟基喹啉锂，且上述两种化合物的质量比为13:7。
实施例41
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（O）所示化合物4,7-二（6-2,2’-联喹啉基）-2,9-二甲基林菲啰啉和式C31所示化合物三-（8-羟基喹啉镓），且上述两种化合物的质量比为7:13。
实施例42
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（P）所示化合物4-丙基-7-（1-苯基丙基）-2,9-二甲基林菲啰啉和C36所示化合物三-（4-氟-8-羟基喹啉）铝，且上述两种化合物的质量比为15:5。
实施例43
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（Q）所示化合物4-苯基-7-（2-甲基苯基）-2,9-二甲基林菲啰啉和C36所示化合物三-（4-氟-8-羟基喹啉）铝，且上述两种化合物的质量比为5:15。
实施例44
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例2基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（S）所示化合物4-苯甲基-7-（4-氯苯甲基）-2,9-二甲基林菲啰啉和式式C31所示化合物三-（8-羟基喹啉镓），且上述两种化合物的质量比为1:9。
实施例45
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（R）所示化合物,4-苯胺基-7-（4-甲基苯胺基）-2,9-二甲基林菲啰啉和C34所示化合物三-（八羟基喹啉）铝，且上述两种化合物的质量比为9:1。
实施例46
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（T）所示化合物4-（4-吡啶基）-7-（4-（3-甲基吡啶基））-2,9-二甲基林菲啰啉和式C32所示化合物二-(八羟基喹啉)铍，且上述两种化合物的质量比为3:7。
实施例47
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为4-7-二苯乙基氨基-2,9-二甲基林菲啰啉和C35所示化合物联二（八羟基喹啉）镓，且上述两种化合物的质量比为7:3。
实施例48
有机电致发光器件的结构及制备方法与实施例3基本一致，不同之在于步骤④中蒸镀的所述电子传输层的材料为式（W）所示化合物,4-甲基氨基-7-乙基氨基-2,9-二甲基林菲啰啉和式C37所示化合物4-苯基-苯氧基-二（2-甲基-8-羟基）喹啉铝，且上述两种化合物的质量比为3:7。
在实施例4-实施例48中，所述有机电致发光器件的性能数据表7所示：
表7实施例4-48所述有机电致发光器件的性能数据
| 实施例编号 | 电流效率（cd/A） | 寿命（h） |
| 4 | 6.1 | 2600 |
| 5 | 6.5 | 2720 |
| 6 | 7.0 | 2800 |
| 7 | 6.8 | 2750 |
| 8 | 6.4 | 2700 |
| 9 | 6.7 | 2800 |
| 10 | 7.2 | 2830 |
| 11 | 7.5 | 2850 |
| 12 | 7.3 | 2780 |
| 13 | 28 | 18700 |
| 14 | 26 | 19200 |
| 15 | 30 | 27500 |
| 16 | 31 | 29100 |
| 17 | 25 | 30000 |
| 18 | 28 | 28300 |
| 19 | 29 | 27500 |
| 20 | 30 | 28600 |
| 21 | 30.5 | 29000 |
| 22 | 11 | 68000 |
| 23 | 12 | 52000 |
| 24 | 14 | 65430 |
| 25 | 15 | 71243 |
| 26 | 13 | 702421 |
| 27 | 12 | 67513 |
| 28 | 14 | 68541 |
| 29 | 13 | 67842 |
| 30 | 12 | 65475 |
| 31 | 12.5 | 57124 |
| 32 | 13.8 | 62145 |
| 33 | 12.4 | 64234 |
| 34 | 11.5 | 63421 |
| 35 | 14.2 | 61248 |
| 36 | 12.8 | 64852 |
| 37 | 13.2 | 65412 |
| 38 | 6.8 | 2712 |
| 39 | 7.3 | 2684 |
| 40 | 8.2 | 2843 |
| 41 | 28 | 30145 |
| 42 | 27.4 | 29842 |
| 43 | 26.5 | 28457 |
| 44 | 28.3 | 29462 |
| 45 | 14.2 | 59842 |
| 46 | 12.5 | 63251 |
| 47 | 11.8 | 64985 |
| 48 | 14.6 | 68425 |
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种用于制备电子传输层的组合物，所述组合物由质量比为9：1-1：9的平面构型的电子传输材料和立体构型的电子传输材料组成；
所述平面构型的电子传输材料具有式(Ⅲ)或式(Ⅳ)所示的结构：
其中，
X和Y彼此独立地为氢基、卤原子、脂肪基、芳香基、氰基、硝基、甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、酰胺基、苯乙烯基、乙炔基、喹啉基、喹唑啉基、菲啰啉基、2,2’-联喹啉基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳基氨基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的芳烷基氨基或者取代或未取代的杂环基；
所述立体构型的电子传输材料具有式(Ⅴ)所示的结构：
金属M为ⅠA、ⅡA、ⅢA族、过渡金属或稀有金属；
配体L是含联吡啶、羟基喹啉、喹喔啉的基团；
n的取值为1-3之间的整数。
2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述平面构型的电子传输材料选自以下结构式中的一种：
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其特征在于，所述金属M为锂、铍、铝或镓。
4.根据权利要求3所述的组合物，其特征在于，所述立体构型的电子传输材料选自以下结构式中的一种：
5.根据权利要求1、2或4所述组合物，其特征在于，所述平面构型的电子传输材料和所述立体构型的电子传输材料的质量比为7:3-3:7。
6.根据权利要求5所述组合物，其特征在于，所述平面构型的电子传输材料和所述立体构型的电子传输材料的质量比为5:5。
7.一种有机电致发光器件的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的材料为权利要求1-6任一所述的组合物。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10-50nm。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的厚度为15-25nm。
10.一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，其特征在于，所述电子传输层为权利要求7-9任一所述的电子传输层。
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