CN112018248B - 一种显示装置及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种显示装置及其制备方法，所述显示装置包括衬底基板、位于所述衬底基板之上的阳极层和阴极层以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的有机层；有机层包括空穴传输层、辅助发光层、发光层和电子传输层；所述发光层包括第一发光层和第二发光层，第一发光层与第二发光层相互平行，所述辅助发光层包括第一辅助发光层和第二辅助发光层；所述第一辅助发光层和所述第一发光层形成第一发光单元；所述第一辅助发光层、第二辅助发光层和第二发光层形成第二发光单元，本发明所提供的显示装置可以节省一个精密金属掩膜板的使用，且性能得到提升。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光技术领域，尤其涉及一种显示装置及其制备方法。
背景技术
近年来，由于OLED(Organic Light Emitting Diode)的广视角、高对比度、反应速率快等特点被广大企业作为卖点进入市场。OLED是一种三明治结构，包括阳极、阴极及阳极和阴极之间的有机薄膜，当通入电流时，有机材料被激发，产生激子，激子跃迁回基态时，就会发出荧光或者磷光。通常，OLED显示装置由红、绿、蓝三个发光单元组成，为获得更优的发光性能，OLED的制备通常需要高精细的精密金属掩膜板蒸镀有机材料，特别是辅助发光层和发光层材料，但高精密金属掩膜板制作工艺复杂，成本高昂，同时随着精密金属掩膜板使用次数的增加还会降低OLED显示装置的良率。
因此，本领域亟待研究如何在减少精密金属掩膜版的使用次数的同时提升显示装置的性能。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种显示装置，所述显示装置在制备过程中可以省去一个精密金属掩膜板，同时显示装置的性能和良率均得到提升。
为达上述目的，本发明采用如下技术方案：
本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括衬底基板、位于所述衬底基板之上的阳极层和阴极层以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的有机层；有机层包括发光层和辅助发光层、发光层和电子传输层；
所述发光层包括第一发光层和第二发光层，第一发光层与第二发光层相互平行，所述辅助发光层包括第一辅助发光层和第二辅助发光层；所述第一辅助发光层和所述第一发光层形成第一发光单元；所述第一辅助发光层、第二辅助发光层和第二发光层形成第二发光单元。
上文所述的相互平行指的是第一发光单元和第二发光单元在垂直于基板的方向上没有重叠，即发光的时候不会产生混色，下文涉及到相同的表达方式时，具有同样的意义。
本发明所述的光学辅助层指的是电子阻挡层，示例性地，包括在蓝色发光层的电子阻挡层，在黄色发光层的电子阻挡层，在绿色发光层的电子阻挡层或在红色发光层的电子阻挡层等。
本发明提供的显示装置中的第一辅助发光层作为共同层，减少了一个精密金属掩膜板的使用，降低了成本，简化了工艺并利于提高产品良率。同时，第一辅助发光层不仅在第一发光单元中发挥作用，还可以在第二发光单元中与第二辅助发光层配合，共同发挥作用，相比较一个发光单元只有一个辅助发光层发挥作用的情况，本发明的方案能够有效的提高显示装置的性能，具有更高的发光效率和更低的驱动电压。
本发明所述的第一发光单元和第二发光单元的颜色可以为任意颜色，示例性的，第一发光单元的颜色为蓝色，第二发光单元的颜色为黄色，但颜色的选择不限于此。
优选地，所述第一辅助发光层用开放式金属掩膜板蒸镀而成，所述第一发光层为蓝色发光层；所述第二发光层为蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层和黄色发光层中的任意一种。
优选地，所述有机层中还包括第三发光层和第三辅助发光层，第三发光层与第一发光层或第二发光层相互平行，第三发光层与第一发光层或者第二发光层在一个平面上或不在一个平面上，所述第一辅助发光层、第三辅助发光层和第三发光层形成第三发光单元；所述第三发光层为蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层和黄色发光层中的任意一种。
当本发明的显示装置中包括三个发光单元时，按照第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的顺序，颜色可以为蓝、红、绿，或者蓝、黄、黄，或者蓝、蓝、黄，但不限于此。
所述第二辅助发光层和第三辅助发光层均与所述第一辅助发光层相邻，具体的堆层叠方式详见如下优选方案。
优选地，所述第一辅助发光层、第二辅助发光层和第二发光层沿着远离所述阳极层的方向依次层叠。
优选地，所述第二辅助发光层、第一辅助发光层和第二发光层沿着远离所述阳极层的方向依次层叠。
优选地，所述第一辅助发光层、第三辅助发光层和第三发光层沿着远离所述阳极层的方向依次层叠。
优选地，所述第三辅助发光层、第一辅助发光层和第三发光层沿着远离所述阳极层的方向依次层叠。
优选地，所述第二辅助发光层和所述第三辅助发光层位于所述第一辅助发光层的同侧或异侧。
优选地，所述第二辅助发光层和所述第三辅助发光层均位于所述第一辅助发光层靠近阳极的一侧，或均位于所述第一辅助发光层靠近阴极的一侧。
当所述显示装置中含有三个发光单元时，基于上述辅助发光层和发光层的不同排列顺序，结合具体的颜色选择，示例性的，包括但不限于图3、图4、图5和图6所示的四种组合。
图3中，沿着远离所述阳极层的方向依次层叠的玻璃衬底13、空穴注入层14、空穴传输层15、蓝光辅助发光层16、红光辅助发光层17、蓝光发光层18、绿光辅助发光层19、红光发光层20、绿光发光层21、电子传输层22、电子注入层23和阴极24，其中，蓝光辅助发光层16和蓝光发光层18共同形成第一发光单元；蓝光辅助发光层16、红光辅助发光层17和红光发光层20共同形成第二发光单元；蓝光辅助发光层16、绿光辅助发光层19和绿光发光层21共同形成第三发光单元。
图4中，沿着远离所述阳极层的方向依次层叠的玻璃衬底25、空穴注入层26、空穴传输层27、红光辅助发光层28、绿光辅助发光层29、蓝光辅助发光层30、绿光发光层31、蓝光发光层32、红光发光层33、电子传输层34、电子注入层35和阴极36，其中蓝光辅助发光层30和蓝光发光层32共同形成第一发光单元；红光辅助发光层28、蓝光辅助发光层30和红光发光层33共同形成第二发光单元；绿光辅助发光层29、蓝光辅助发光层30和绿光发光层31共同形成第三发光单元。
图5中，沿着远离所述阳极层的方向依次层叠的玻璃衬底37、空穴注入层38、空穴传输层39、红光辅助发光层40、蓝光辅助发光层41、红光发光层42、绿光辅助发光层43、蓝光发光层44、绿光发光层45、电子传输层46、电子注入层47和阴极48，其中，蓝光辅助发光层41和蓝光发光层44共同形成第一发光单元；红光辅助发光层40、蓝光辅助发光层41和红光发光层42共同形成第二发光单元；蓝光辅助发光层41、绿光辅助发光层43和绿光发光层45共同形成第三发光单元。
图6中，沿着远离所述阳极层的方向依次层叠的玻璃衬底49、空穴注入层50、空穴传输层51、绿光辅助发光层52、蓝光辅助发光层53、绿光发光层54、蓝光发光层55、红光辅助发光层56、红光发光层57、电子传输层58、电子注入层59和阴极60，其中，蓝光辅助发光层53和蓝光发光层55共同形成第一发光单元；蓝光辅助发光层53、红光辅助发光层56和红光发光层57共同形成第二发光单元；绿光辅助发光层52、蓝光辅助发光层53和绿光发光层54共同形成第三发光单元。
图1是本发明的一个具体实施方式中空穴传输层和辅助发光层的能级关系图，通过系间窜越，使得第二或第三辅助发光层的HOMO能级低于第一辅助发光层。
优选地，所述第一辅助发光层所用有机材料的HOMO能级比所述第二辅助发光层所用有机材料的HOMO差值小于等于0.2eV，例如0.19eV、0.18eV、0.17eV、0.16eV、0.15eV、0.14eV、0.13eV、0.12eV、0.11eV、0.10eV、0.09eV、0.08eV、0.07eV、0.06eV、0.05eV、0.04eV、0.03eV、0.02eV、0.01eV等，优选0.05eV。
优选地，所述第一辅助发光层所用有机材料的HOMO能级比所述第三辅助发光层所用有机材料的HOMO差值小于等于0.2eV，例如0.19eV、0.18eV、0.17eV、0.16eV、0.15eV、0.14eV、0.13eV、0.12eV、0.11eV、0.10eV、0.09eV、0.08eV、0.07eV、0.06eV、0.05eV、0.04eV、0.03eV、0.02eV、0.01eV等，优选0.05eV。
优选地，所述第一辅助发光层包括具有式(1)所示的结构的化合物中的任意一种或至少两种组合；
式(1)中，所述Ar1、Ar2各自独立地选自取代或者未取代的C6-C30的芳基、取代或者未取代的C3-C30的杂环芳基中的任意一种；
式(1)中，所述R1选自取代或者未取代的C1-C30的烷基、取代或者未取代的C6-C30的芳基中的任意一种，n为1-5的整数，例如1、2、3、4、5；
式(1)中，所述R2、R3各自独立地选自H、取代或者未取代的C1-C12的烷基、取代或者未取代的C1-C8的烷氧基、取代或者未取代的C6-C30的芳基、取代或者未取代的C3-C30的杂环芳基中的任意一种，m和p分别独立为1-4的整数，例如1、2、3、4；
式(1)中，当m和p分别独立大于1时，R2相同或不同，且相邻的两个R2之间稠合成环或不稠合成环，R3相同或不同，且相邻的两个R3之间稠合成环或不稠合成环；
当所述Ar1、Ar2、R1、R2、R3含有取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的芳基、C3-C30的杂环芳基。
本发明选择式(1)所示的化合物作为第一辅助发光层的材料，所述化合物以咔唑的衍生物为母核结构，在母核上引入桥环苯基结构，再配合连接在苯基结构上的芳胺基，该结构使得该化合物具有较强的电子阻挡能力和空穴传输能力，不仅可以阻挡电子的传输，同时可以促进空穴的传输，因此，所述特定材料的第一辅助发光层可以作为共同层，与其他的辅助发光层共同发挥作用，能够进一步的提高显示装置的性能，使显示装置具有更高的发光效率，更低的驱动电压。
优选地，式(1)中，所述R1选自取代或者未取代的C1-C10的烷基、取代或者未取代的C6-C20的芳基中的任意一种；
式(1)中，所述R2、R3各自独立地选自H、取代或者未取代的C1-C6的烷基、取代或者未取代的C1-C6的烷氧基、取代或者未取代的C6-C20的芳基、取代或者未取代的C3-C20的杂环芳基中的任意一种；
式(1)中，所述Ar1、Ar2各自独立地选自取代或者未取代的C6-C20的芳基、取代或者未取代的C3-C20的杂环芳基中的任意一种。
优选地，式(1)中，当所述Ar1、Ar2、R1、R2、R3含有取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1-C5的烷基或环烷基、C6-C20的芳基、C3-C20的杂环芳基。
优选地，式(1)中，所述R1选自甲基、乙基、丙基、环己基、苯基、联苯基、甲苯基、5-甲基四氢化萘基、萘基、苯并芴基、9,9-二苯基芴基、螺二芴基、三联苯基、蒽基、菲基、芘基或基中的任意一种；
式(1)中，所述R2、R3各自独立地选自H、甲基、乙基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺芴基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、吡咯基、苯基吡啶基、吡嗪基、喹啉基、三嗪基、苯并三嗪基、苯并吡嗪基、苯并喹啉基、二苯并吡咯基、咔唑基、9-苯基咔唑基、9-萘基咔唑并咔唑基或二苯并咔唑基中的任意一种；
式(1)中，所述Ar1、Ar2各自独立地选自苯基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基、间-三联苯基-2-基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、菲基、茚基、苯并芴基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、9，9’-二烷基芴、9，9’-螺二芴基、茚并芴基、荧蒽基、三亚苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、苝基、基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或二苯并硒吩基中的任意一种。
优选地，所述第一辅助发光层包括如下化合物中的任意一种或至少两种组合：
优选地，所述第二辅助发光层或所述第三辅助发光层独立地包含具有式(2)所示的结构的化合物中的任意一种或至少两种组合；
式(2)中，所述L独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基或者取代、未取代的C3-C30亚杂芳基中的任意一种；
式(2)中，所述Ra、Rb各自独立地选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基，Ra、Rb不连接或连接形成环结构；
式(2)中，所述R选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基、C1～C20的烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的任意一种；
式(2)中，所述c为0-7的整数，例如1、2、3、4、5、6等；
式(2)中，所述Ar选自式(A)所示的杂芳基，或者所述Ar选自与式(A)不同的取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基中的任意一种；
式(A)中，所述L1选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的任意一种，*代表与母核的连接位点，本发明中涉及到相同的表示方法时，均具有同样的意义；
式(A)中，所述R4选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基、C1～C20的烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的任意一种，所述q为0-7的整数，优选为0或1；
式(A)中，当q大于1时，R4相同或不同，且相邻的两个R4之间稠合成环或不稠合成环；
式(A)中，所述X选自O、S、NR5、SiR6R7中的任意一种；所述R5、R6、R7各自独立地选自C1～C12烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种，所述R6和R7不连接或者互相连接形成环；
当所述L、L1、Ar、R5、R6、R7含有取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1～C12的烷基、C1～C12的烷氧基、C6～C12的芳基、C3～C12的杂芳基、氰基、羟基。
本发明选择式(2)所示的特定材料作为第二辅助发光层或第三辅助发光层的材料，式(2)所示的化合物是以芴与2，4-二苯基苯胺联合的母核为主要结构，通过配合Ar基团，可以确保化合物具有良好的电子阻拦性能，能够与第一辅助发光层，能够进一步的提高所述显示装置的性能，提高发光效率，降低驱动电压。
优选地，所述第一辅助发光层包括具有式(1)所示的结构的化合物中的任意一种或至少两种组合；
式(1)中，所述Ar1、Ar2各自独立地选自取代或者未取代的C6-C30的芳基、取代或者未取代的C3-C30的杂环芳基中的任意一种；
式(1)中，所述R1选自取代或者未取代的C1-C30的烷基、取代或者未取代的C6-C30的芳基中的任意一种，n为1-5的整数；
式(1)中，所述R2、R3各自独立地选自H、取代或者未取代的C1-C12的烷基、取代或者未取代的C1-C8的烷氧基、取代或者未取代的C6-C30的芳基、取代或者未取代的C3-C30的杂环芳基中的任意一种，m和p分别独立为1-4的整数；
式(1)中，当m和p分别独立大于1时，R2相同或不同，且相邻的两个R2之间稠合成环或不稠合成环，R3相同或不同，且相邻的两个R3之间稠合成环或不稠合成环；
当所述Ar1、Ar2、R1、R2、R3含有取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的芳基、C3-C30的杂环芳基；
所述第二辅助发光层或所述第三辅助发光层独立地包含具有式(2)所示的结构的化合物中的任意一种或至少两种组合；
式(2)中，所述L独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基或者取代、未取代的C3-C30亚杂芳基中的任意一种；
式(2)中，所述Ra、Rb各自独立地选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基，Ra、Rb不连接或连接形成环结构；
式(2)中，所述R选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基、C1～C20的烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的任意一种；
式(2)中，所述c为0-7的整数；
式(2)中，所述Ar选自式(A)所示的杂芳基，或者所述Ar选自与式(A)不同的取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基中的任意一种；
式(A)中，所述L1选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的任意一种，*代表与母核的连接位点；
式(A)中，所述R4选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基、C1～C20的烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的任意一种，所述q为0-7的整数，优选为0或1；
式(A)中，当q大于1时，R4相同或不同，且相邻的两个R4之间稠合成环或不稠合成环；
式(A)中，所述X选自O、S、NR5、SiR6R7中的任意一种；所述R5、R6、R7各自独立地选自C1～C12烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种，所述R6和R7不连接或者互相连接形成环；
当所述L、L1、Ar、R5、R6、R7含有取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1～C12的烷基、C1～C12的烷氧基、C6～C12的芳基、C3～C12的杂芳基、氰基、羟基。
进一步的，当第一辅助发光层的包含式(1)化合物、第二辅助发光层或第三辅助发光层的材料包含式(2)所示化合物时，特定材料的辅助发光层之间相互配合，能使显示装置的性能更进一步的提升。
优选地，所述第二辅助发光层或所述第三辅助发光层独立地包含如下结构的化合物中的任意一种或至少两种组合；
式(2-1)或式(2-2)中，所述Ra、Rb各自独立地选自C1～C6的烷基，Ra、Rb不连接或连接形成环结构；
式(2-1)或式(2-2)中，c为0或1；
式(2-1)或式(2-2)中，R选自取代或未取代的C6～C12的芳基；
式(2-1)或式(2-2)中，所述Ar具有与前文中相同的限定范围。
优选地，式(2)中，所述Ar选自式(A)所示的杂芳基，或者所述Ar选自C6～C30的具有大共轭结构的稠合芳基或稠合杂芳基中的任意一种；
式(A)中，所述L1选自单键或者取代或未取代的C6～C12亚芳基，
式(A)中，所述R4选自C6～C30的芳基或C3～C30的杂芳基，所述q为0或1；
式(A)中，所述X选自NR5、O、S中的任意一种，所述R5选自取代或未取代的C6～C30芳基。
优选地，式(2)中，所述Ar选自式(A-1)所示的杂芳基，或者所述Ar选自C6～C30的具有大共轭结构的稠合芳基或稠合杂芳基中的任意一种；
式(A-1)中，所述X选自N-Ph、O、S中的任意一种，Ph表示苯基；
式(A-1)中，所述R4选自C6～C12的芳基；
式(A-1)中，所述r为0或1，t为0或1，且r和t不同时为1；
式(A-1)中，L1表示单键或取代或未取代的亚苯基；
所述C6-C30的具有大共轭结构的稠合芳基或稠合杂芳基包括取代或未取代的萘基、菲基、苯并菲基、荧蒽基、蒽基、芘、二氢芘、茴、茈、苯并蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、苯并呋喃、异苯并呋喃、苯并噻吩、异苯并噻吩、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并吡唑、吡啶并吡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吲唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽并噁唑、菲并噁唑、苯并噻唑、苯并哒嗪、苯并嘧啶、喹喔啉、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、苯并三唑、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑中的任意一种或至少两种基团组合而成的基团；
优选地，所述第二辅助发光层或所述第三辅助发光层包含具有式(2-3)结构的化合物中的任意一种或至少两种组合；
式(2-3)中，所述L、Ar具有与前文相同的限定范围；
式(2-3)中，所述n为0-10的整数，例如1、2、3、4、5、6、7、8、9等。
优选地，所述第二辅助发光层或所述第三辅助发光层独立地包含如下化合物中的任意一种或至少两种组合：
优选地，所述有机层还包括位于所述阴极层和所述电子传输层之间的电子注入层。
优选地，所述有机层还包括位于所述发光层和所述电子传输层之间的空穴阻挡层。
本发明的目的之二在于提供一种目的之一所述的显示装置的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)在衬底基板上形成阳极层；
(2)在所述阳极层上形成有机层，所述有机层包括空穴传输层、辅助发光层、发光层和电子传输层；
(3)在所述有机层上形成阴极层；
所述发光层包括第一发光层和第二发光层，所述辅助发光层包括第一辅助发光层和第二辅助发光层；
所述空穴传输层、第一辅助发光层、电子传输层通过开放式金属掩膜版蒸镀而成，所述第二辅助发光层、第一发光层和第二发光层通过精密金属掩膜板蒸镀而成。
本发明提供的方法中，第一辅助发光层通过开放式金属掩膜版蒸镀而成，减少了一个精密金属掩膜板的使用，降低了成本、简化了工艺、提高了产品良率，同时作为共同层的第一辅助发光层能够与第二辅助发光层配合，共同发挥作用，提高显示装置的发光效率，降低驱动电压。
优选地，所述方法还包括通过精密金属掩膜板分别蒸镀形成第三辅助发光层和第三发光层的步骤。
优选地，所述第一发光层和所述第二发光层均通过精密金属掩膜板蒸镀而成。
本发明中，第一发光层、第二发光层和第三发光层的蒸镀不分先后，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。
优选地，步骤(2)中还包括在所述阳极层上依次形成空穴注入层、空穴传输层、辅助发光层、发光层、电子传输层和电子注入层的步骤。
优选地，步骤(2)中还包括在所述发光层和所述电子传输层之间形成空穴阻挡层。
优选地，步骤(2)中，先形成第一辅助发光层，再形成第二辅助发光层或第三辅助发光层。
优选地，步骤(2)中，先按照任意顺序形成第二辅助发光层和第三辅助发光层，再形成第一辅助发光层。
优选地，步骤(2)中，依次形成第二辅助发光层、第一辅助发光层、第三辅助发光层。
优选地，步骤(2)中，依次形成第三辅助发光层、第一辅助发光层、第二辅助发光层。
在具体实施例中，在衬底基板上溅射或沉积阳极或阴极。基板可以包括玻璃或聚合物材料，主要特征为具有一定的机械强度、热稳定性、透光性等。此外，薄膜晶体管(TFT)也是作为显示器基板不可或缺的一部分。
阳极材料可以选用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等氧化物，阴极材料可以选用镁(Mg)、银(Ag)、镁-银(Mg-Ag)、铝(Al)、等金属或金属合金。
有机功能层可以通过真空热蒸镀、旋涂、喷墨打印等方式形成于电极之上。有机功能层所用材料可以是有机高分子化合物，也可以是有机小分子化合物等。
空穴传输区位于阳极和发光层之间。空穴传输区可以为单层结构的空穴传输层(HTL)，也可以为包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、辅助发光层(EBL)中的至少一层的多层结构。
空穴注入层和空穴传输层的材料可以选自、但不限于酞菁衍生物如CuPc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(Pani/PSS)、芳香胺衍生物等，如下化合物HT1-HT34。
空穴注入层位于阳极和空穴传输层之间。空穴注入层可以是单一化合物材料，也可以是多种化合物的组合。例如，空穴注入层可以采用上述HT-1至HT-34的一种或多种化合物，或者采用下述HI1-HI3中的一种或多种化合物；也可以采用HT-1至HT-34的一种或多种化合物掺杂下述HT1-HT3中的一种或多种化合物。
在本发明的一方面，蓝色发光层采用荧光电致发光的技术。其蓝色发光层荧光主体材料可以选自、但不限于以下所罗列的BFH-1至BFH-17的一种或多种的组合。
在本发明的一方面，蓝色发光层采用荧光电致发光的技术。其蓝色发光层的荧光掺杂剂可以选自、但不限于以下所罗列的BFD-1至BFD-12的一种或多种的组合。
在本发明的一方面，绿光发光层采用磷光电致发光的技术。其绿光的发光层主体材料选自、但不限于GPH-1至GPH-80中的一种或多种的组合。
在本发明的一方面，绿光发光层采用磷光电致发光的技术。其绿光发光层磷光掺杂剂可以选自、但不限于以下所罗列的GPD-1至GPD-47的一种或多种的组合。
在本发明的一方面，红光发光层采用磷光电致发光的技术。其红光发光层的主体材料选自、但不限于RH-1至RH-31中的一种或多种的组合。
在本发明的一方面，红光发光层采用磷光电致发光的技术。其红光发光层磷光掺杂剂可以选自、但不限于以下所罗列的RPD-1至RPD-28的一种或多种的组合。
在本发明的一方面，发光层采用磷光电致发光的技术。其发光层磷光掺杂剂可以选自、但不限于以下所罗列的YPD-1—YPD-11的一种或多种的组合。
OLED有机功能层还包括发光层与阴极之间的电子传输层。电子传输层可以为单层结构的电子传输层(ETL)，也可以为包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)中的至少一层的多层结构。
本发明的一方面，电子传输层材料可以选自、但不限于以下所罗列的ET-1至ET-57的一种或多种的组合。
OLED器件中还包括位于电子传输层与阴极之间的电子注入层，电子注入层材料包括但不限于以下罗列的一种或多种的组合。
Liq、LiF、NaCl、CsF、Li2O、Cs2CO3、BaO、Na、Li、Ca。
相对于现有技术，本发明的有益效果在于：
本发明提供的显示装置中的第一辅助发光层作为共同层，减少了一个精密金属掩膜板的使用，降低了成本，简化了工艺并利于提高产品良率。同时，第一辅助发光层不仅在第一发光单元中发挥作用，还可以在第二发光单元中与第二辅助发光层配合，共同发挥作用，相比较一个发光单元只有一个辅助发光层发挥作用的情况，本发明的方案能够有效的提高显示装置的性能，具有更高的发光效率和更低的驱动电压，驱动电压在3.6-4.3V范围内，电流效率在7.8-8.7cd/A范围内。
附图说明
图1是本发明的一个具体实施方式中空穴传输层和辅助发光层的能级关系图。
图2是本发明对比例1中显示装置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的侧面图；
其中，1-玻璃衬底，2-空穴注入层，3-空穴传输层，4-蓝光辅助发光层，5-红光辅助发光层，6-绿光辅助发光层，7-蓝色发光层，8-红光发光层，9-绿光发光层，10-电子传输层，11-电子注入层，12-阴极。
图3是本发明实施例1的显示装置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的侧面图；
其中，13-玻璃衬底，14-空穴注入层，15-空穴传输层，16-蓝光辅助发光层，17-红光辅助发光层，18-蓝光发光层，19-绿光辅助发光层，20-红光发光层，21-绿光发光层，22-电子传输层，23-电子注入层，24-阴极。
图4是本发明实施例2的显示装置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的侧面图；
其中，25-玻璃衬底，26-空穴注入层，27-空穴传输层，28-红光辅助发光层，29-绿光辅助发光层，30-蓝光辅助发光层，31-绿光发光层，32-蓝光发光层，33-红光发光层，34-电子传输层，35-电子注入层，36-阴极。
图5是本发明实施例3的显示装置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的侧面图；
其中，37-玻璃衬底，38-空穴注入层，39-空穴传输层，40-红光辅助发光层，41-蓝光辅助发光层，42-红光发光层，43-绿光辅助发光层，44-蓝光发光层，45-绿光发光层，46-电子传输层，47-电子注入层，48-阴极。
图6是本发明实施例4的显示装置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的侧面图；
其中，49-玻璃衬底，50-空穴注入层，51-空穴传输层，52-绿光辅助发光层，53-蓝光辅助发光层，54-绿光发光层，55-蓝光发光层，56-红光辅助发光层，57-红光发光层，58-电子传输层，59-电子注入层，60-阴极。
具体实施方式
为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
本发明式(1)所示化合物的代表性合成路线如下：
其中，式中符号与在通式(1)中的含义相同。
本发明式(2)所示化合物的代表性合成路线如下：
中间体A-2的合成
中间体A-2可以用于合成通式(2-1)的化合物，基于同样的原理，通式(2-2)的化合物也能够类似地得到，其他同系物也能基于类似的合成方法得到。
A-1的合成：
在装配有冷凝管的四口瓶中，加入原料2，4-二溴苯胺(50g、199mmol),苯硼酸(54g、438mmol)，碳酸钾(83g、598mmol)加入到四氢呋喃(THF)(600mL)和水(300mL)的混合溶剂中，搅拌均匀，然后在氮气保护下，加入Pd(PPh3)4(9.2g，7.97mmol)，加热到70℃反应18h。降至室温后，直接加入500mL水分液，水相用300mL乙酸乙酯萃取两次，合并有机相，无水硫酸钠干燥，浓缩得粗产品。粗产品柱层析提纯(PE/EA，5/1)，得浅黄色粉末38g；
A-2的合成：
在装有冷凝管的四口瓶中，加入A-1(38g、135mmol,)、2-溴-9，9-二甲基芴(41g、148mmol)，叔丁醇钠(32.4g，337mmol)，甲苯(500mL)，氮气保护下，加入Pd(dppf)Cl2(1.5g，2.02mmol)和S-Phos(2-二环己基膦-2',6'-二甲氧基-联苯)(1.7g，4.05mmol)，反应溶液加热到100℃反应18h。降至室温后，直接加入250mL饱和食盐水分液，水相用200ml乙酸乙酯萃取三次，合并有机相，无水硫酸钠干燥，浓缩得粗产品。粗产品用硅胶柱层析提纯(PE/EA,，10/1)，得淡黄色固体45g。
通式(2-1)化合物的一般合成方法
实施例1
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的蓝光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在蓝光辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在蓝光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的蓝光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料BFH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料BFD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
图3为本实施例的显示装置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的侧面图。
实施例2
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(5)在空穴传输层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(6)在上述基础之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的蓝光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(7)在辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的蓝光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料BFH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料BFD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
图4为本实施例的显示装置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的侧面图。
实施例3
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(5)在上述基础之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的蓝光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(6)在绿光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的蓝光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料BFH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料BFD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
图5为本实施例的显示装置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的侧面图。
实施例4
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(5)在上述基础之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的蓝光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(6)在蓝光辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(7)在辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的蓝光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料BFH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料BFD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
图6为本实施例的显示装置的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的侧面图。
实施例5
与实施例1的区别在于，步骤(5)中，将化合物H4替换为HT5。
实施例6
与实施例1的区别在于，步骤(6)中，将化合物H20替换为HT10。
实施例7
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M39作为器件的蓝光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在蓝光辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H6作为器件的第一黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在蓝光辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H209作为器件的第二黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的蓝光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料BFH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料BFD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的第一黄光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料HT6蒸镀速率为0.1nm/s，染料YPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的第二黄光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料蒸镀速率为0.1nm/s，染料蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例8
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M157作为器件的第一蓝光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在第一蓝光辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H246作为器件的第二蓝光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在第一蓝光辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H149作为器件的黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的第一蓝光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料BFH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料BFD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的第二蓝光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的黄光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料HT6蒸镀速率为0.1nm/s，染料YPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例9
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的蓝光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在蓝光辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H266作为器件的黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的蓝光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料BFH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料BFD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(7)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料HT6蒸镀速率为0.1nm/s，染料YPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(9)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例10
与实施例1的区别在于，将步骤(4)中的M1替换为2-(4-叔丁基苯基)-5-(4-联苯基)1,3,4-二唑。
实施例11
与实施例1的区别在于，不包括步骤(6)和步骤(9)。
实施例12
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的第一红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在第一红光辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的第二红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在第一红光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的第一红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-2蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-2蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的第二红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例13
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的第一绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在第一绿光辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在第一绿光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H20作为器件的第二绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的第一绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-3蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-3蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的第二绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例14
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在黄辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在黄光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的黄光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料HT6蒸镀速率为0.1nm/s，染料YPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例15
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M6作为器件的黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在黄辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在黄光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的黄光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料HT6蒸镀速率为0.1nm/s，染料YPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例16
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M8作为器件的黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在黄辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在黄光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的黄光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料HT6蒸镀速率为0.1nm/s，染料YPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例17
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(5)在空穴传输层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(6)在上述基础之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M12作为器件的蓝光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(7)在辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的蓝光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料BFH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料BFD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例18
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在黄辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H11作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在黄光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的黄光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料HT6蒸镀速率为0.1nm/s，染料YPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例19
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在黄辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H18作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在黄光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的黄光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料HT6蒸镀速率为0.1nm/s，染料YPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例20
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在黄辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在黄光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H22作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的黄光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料HT6蒸镀速率为0.1nm/s，染料YPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例21
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在黄辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在黄光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H28作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的黄光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料HT6蒸镀速率为0.1nm/s，染料YPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例22
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(5)在空穴传输层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(6)在上述基础之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M28作为器件的蓝光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(7)在辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的蓝光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料BFH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料BFD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
实施例23
本实施例提供的显示装置的制备过程如下：
(1)将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
(2)把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
(3)在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上使用开放式金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的黄光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
(5)在黄辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
(6)在黄光辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
(7)在辅助发光层之上使用黄光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的黄光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料HT6蒸镀速率为0.1nm/s，染料YPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(8)在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(9)在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
(10)在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
(11)在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
对比例1
本对比例提供的显示装置的制备过程如下：
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT1:HI-2作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s:0.007nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
在空穴注入层之上真空蒸镀HT1作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物M1作为器件的蓝光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；
在空穴传输层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀化合物H4作为器件的红光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为78nm；
在空穴传输层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀上述辅助发光层化合物H20作为器件的绿光辅助发光层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为64nm；
在辅助发光层之上使用蓝光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的蓝光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料BFH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料BFD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
在辅助发光层之上使用红光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的红光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
在辅助发光层之上使用绿光的精密金属掩膜板真空蒸镀器件的绿光发光层，利用多源共蒸的方法，调节主体材料RH-1蒸镀速率为0.1nm/s，染料RPD-1蒸镀速率3％比例设定，蒸镀总膜厚为35nm；
在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET-1，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为20nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
图2为本对比例中第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的侧面图，图2中包括玻璃衬底1，空穴注入层2，空穴传输层3，蓝光辅助发光层4，红光辅助发光层5，绿光辅助发光层6，蓝色发光层7，红光发光层8，绿光发光层9，电子传输层10，电子注入层11，阴极12，其中，蓝光辅助发光层4和蓝色发光层7形成第一发光单元，红光辅助发光层5和红光发光层8形成第二发光单元，绿光辅助发光层6和绿光发光层9形成第三发光单元。
性能测试：
(1)在同样亮度下，使用Photo Research公司的PR 655型光辐射计ST-86LA型亮度计(北京师范大学光电仪器厂)及Keithley4200测试系统测定实施例以及对比例中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率。具体而言，以每秒0.1V的速率提升电压，测定当有机电致发光器件的亮度达到1000cd/m2时的电压即驱动电压，同时测出此时的电流密度；亮度与电流密度的比值即为电流效率。
(2)LT95的寿命测试如下：使用亮度计在1500cd/m2亮度下，保持恒定的电流，测量有机电致发光器件的亮度降为95％的时间，单位为小时。
性能测试结果如表1所示。
表1
由表1可知，实施例1-23提供的显示装置具有较低的驱动电压和较高的电流效率，电压在3.6-4.3V范围内，电流效率在7.8-8.7cd/A范围内；对比例1相较于实施例1，区别仅在于使用精密金属掩膜板蒸镀蓝光辅助发光层，无法形成共同层，其工作电压升高至4.5V，电流效率降低至7.5cd/A。由此证明，本发明提供的显示装置之所以能够具有较低的驱动电压和较高的电流效率，是由于本发明中的第一辅助发光层不仅在第一发光单元中发挥作用，还可以在第二发光单元中与第二辅助发光层配合，共同发挥作用，相比较一个发光单元只有一个辅助发光层发挥作用的情况，具有更高的发光效率和更低的驱动电压。
对比实施例1和实施例10可知，当第一辅助发光层材料选自式(1)所示的化合物时(实施例1)，相较于普通化合物(实施例10)，能够进一步提高发光效率，降低驱动电压，这是由于所述化合物以咔唑的衍生物为母核结构，在母核上引入桥环苯基结构，再配合连接在苯基结构上的芳胺基，该结构使得该化合物具有较强的电子阻挡能力和空穴传输能力，不仅可以阻挡电子的传输，同时可以促进空穴的传输，因此，所述特定材料的第一辅助发光层可以作为共同层，与其他的辅助发光层共同发挥作用，能够进一步的提高显示装置的性能。
对比实施例1、5、6可知，当第二辅助发光层材料和第三辅助发光层材料均选自式(2)所示的化合物时(实施例1)，相较于将任一项替换为普通化合物(实施例5、6)，能够进一步提高发光效率，降低驱动电压，这是由于式(2)所示的化合物是以芴与2，4-二苯基苯胺联合的母核为主要结构，通过配合Ar基团，可以确保化合物具有良好的电子阻拦性能，能够与第一辅助发光层，能够进一步的提高所述显示装置的性能，提高发光效率，降低驱动电压。
通过上述实施例之间的对比，可以确定，当有机层中包括第三辅助发光层时，包含式(1)化合物的第一辅助发光层、包含式(2)化合物的第二辅助发光层及包含式(2)化合物的第三辅助发光层之间相互配合，能够使器件的性能达到最佳，将任一层的材料替换，都会导致器件性能下降。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (21)
1.一种显示装置，包括衬底基板、位于所述衬底基板之上的阳极层和阴极层以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的有机层；有机层包括空穴传输层、辅助发光层、发光层和电子传输层；
其特征在于，所述发光层包括第一发光层和第二发光层，第一发光层与第二发光层相互平行，所述辅助发光层包括第一辅助发光层和第二辅助发光层；所述第一辅助发光层和所述第一发光层形成第一发光单元；所述第一辅助发光层、第二辅助发光层和第二发光层形成第二发光单元；
所述有机层中还包括第三发光层和第三辅助发光层，第三发光层与第一发光层或第二发光层相互平行，第三发光层与第一发光层或者第二发光层在一个平面上，所述第一辅助发光层、第三辅助发光层和第三发光层形成第三发光单元；
所述第一辅助发光层包括具有式(1)所示结构的化合物中的任意一种或至少两种的组合；
式(1)中，所述Ar1、Ar2各自独立地选自取代或者未取代的C6-C30的芳基、取代或者未取代的C3-C30的杂环芳基中的任意一种；
式(1)中，所述R1选自取代或者未取代的C1-C30的烷基、取代或者未取代的C6-C30的芳基中的任意一种，n为1-5的整数；
式(1)中，所述R2、R3各自独立地选自H、取代或者未取代的C1-C12的烷基、取代或者未取代的C1-C8的烷氧基、取代或者未取代的C6-C30的芳基、取代或者未取代的C3-C30的杂环芳基中的任意一种，m和p分别独立为1-4的整数；
式(1)中，当m和p分别独立大于1时，R2相同或不同，且相邻的两个R2之间稠合成环或不稠合成环，R3相同或不同，且相邻的两个R3之间稠合成环或不稠合成环；
当所述Ar1、Ar2、R1、R2、R3含有取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的芳基。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一辅助发光层用开放式金属掩膜板蒸镀而成，所述第一发光层为蓝色发光层；所述第二发光层为蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层和黄色发光层中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第三发光层为蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层和黄色发光层中的任意一种。
4.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述第一辅助发光层所用有机材料的HOMO能级比所述第二辅助发光层所用有机材料的HOMO差值小于等于0.2eV。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第一辅助发光层所用有机材料的HOMO能级比所述第二辅助发光层所用有机材料的HOMO差值小于等于0.05eV。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一辅助发光层所用有机材料的HOMO能级比所述第三辅助发光层所用有机材料的HOMO差值小于等于0.2eV。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第一辅助发光层所用有机材料的HOMO能级比所述第三辅助发光层所用有机材料的HOMO差值小于等于0.05eV。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，式(1)中，所述R1选自取代或者未取代的C1-C10的烷基、取代或者未取代的C6-C20的芳基中的任意一种；
式(1)中，所述R2、R3各自独立地选自H、取代或者未取代的C1-C6的烷基、取代或者未取代的C1-C6的烷氧基、取代或者未取代的C6-C20的芳基、取代或者未取代的C3-C20的杂环芳基中的任意一种；
式(1)中，所述Ar1、Ar2各自独立地选自取代或者未取代的C6-C20的芳基、取代或者未取代的C3-C20的杂环芳基中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，式(1)中，当所述Ar1、Ar2、R1、R2、R3含有取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1-C5的烷基或环烷基、C6-C20的芳基、C3-C20的杂环芳基。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，式(1)中，所述R1选自甲基、乙基、丙基、环己基、苯基、联苯基、甲苯基、5-甲基四氢化萘基、萘基、苯并芴基、9,9-二苯基芴基、螺二芴基、三联苯基、蒽基、菲基、芘基或基中的任意一种；
式(1)中，所述R2、R3各自独立地选自H、甲基、乙基、苯基、联苯基、萘基、芴基、螺芴基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、吡咯基、苯基吡啶基、吡嗪基、喹啉基、三嗪基、苯并三嗪基、苯并吡嗪基、苯并喹啉基、二苯并吡咯基、咔唑基、9-苯基咔唑基、9-萘基咔唑并咔唑基或二苯并咔唑基中的任意一种；
式(1)中，所述Ar1、Ar2各自独立地选自苯基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基、对-三联苯基-4-基、对-三联苯基-3-基、对-三联苯基-2-基、间-三联苯基-4-基、间-三联苯基-3-基、间-三联苯基-2-基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、菲基、茚基、苯并芴基、1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、9-芴基、9，9’-二烷基芴、9，9’-螺二芴基、茚并芴基、荧蒽基、三亚苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、苝基、基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或二苯并硒吩基中的任意一种。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一辅助发光层包括如下化合物中的任意一种或至少两种组合：
12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二辅助发光层或所述第三辅助发光层独立地包含具有式(2)所示的结构的化合物中的任意一种或至少两种组合；
式(2)中，所述L独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基或者取代、未取代的C3-C30亚杂芳基中的任意一种；
式(2)中，所述Ra、Rb各自独立地选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基，Ra、Rb不连接或连接形成环结构；
式(2)中，所述R选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基、C1～C20的烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的任意一种；
式(2)中，所述c为0-7的整数；
式(2)中，所述Ar选自式(A)所示的杂芳基，或者所述Ar选自与式(A)不同的取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基中的任意一种；
式(A)中，所述L1选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的任意一种，*代表与母核的连接位点；
式(A)中，所述R4选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基、C1～C20的烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的任意一种，所述q为0-7的整数；
式(A)中，当q大于1时，R4相同或不同，且相邻的两个R4之间稠合成环或不稠合成环；
式(A)中，所述X选自O、S、NR5、SiR6R7中的任意一种；所述R5、R6、R7各自独立地选自C1～C12烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种，所述R6和R7不连接或者互相连接形成环；
当所述L、L1、Ar、R5、R6、R7含有取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1～C12的烷基、C1～C12的烷氧基、C6～C12的芳基、C3～C12的杂芳基、氰基、羟基。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述q为0或1。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一辅助发光层包括具有式(1)所示的结构的化合物中的任意一种或至少两种组合；
式(1)中，所述Ar1、Ar2各自独立地选自取代或者未取代的C6-C30的芳基、取代或者未取代的C3-C30的杂环芳基中的任意一种；
式(1)中，所述R1选自取代或者未取代的C1-C30的烷基、取代或者未取代的C6-C30的芳基中的任意一种，n为1-5的整数；
式(1)中，所述R2、R3各自独立地选自H、取代或者未取代的C1-C12的烷基、取代或者未取代的C1-C8的烷氧基、取代或者未取代的C6-C30的芳基、取代或者未取代的C3-C30的杂环芳基中的任意一种，m和p分别独立为1-4的整数；
式(1)中，当m和p分别独立大于1时，R2相同或不同，且相邻的两个R2之间稠合成环或不稠合成环，R3相同或不同，且相邻的两个R3之间稠合成环或不稠合成环；
当所述Ar1、Ar2、R1、R2、R3含有取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、C2-C10烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6-C30的芳基、C3-C30的杂环芳基；
所述第二辅助发光层或所述第三辅助发光层独立地包含具有式(2)所示的结构的化合物中的任意一种或至少两种组合；
式(2)中，所述L独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基或者取代、未取代的C3-C30亚杂芳基中的任意一种；
式(2)中，所述Ra、Rb各自独立地选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基，Ra、Rb不连接或连接形成环结构；
式(2)中，所述R选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基、C1～C20的烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的任意一种；
式(2)中，所述c为0-7的整数；
式(2)中，所述Ar选自式(A)所示的杂芳基，或者所述Ar选自与式(A)不同的取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3-C30杂芳基中的任意一种；
式(A)中，所述L1选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的任意一种，*代表与母核的连接位点；
式(A)中，所述R4选自C1～C20的烷基、C1～C20的烯基、C1～C20的炔基、C1～C20的烷氧基、C6～C30的芳基、C3～C30的杂芳基中的任意一种，所述q为0-7的整数；
式(A)中，当q大于1时，R4相同或不同，且相邻的两个R4之间稠合成环或不稠合成环；
式(A)中，所述X选自O、S、NR5、SiR6R7中的任意一种；所述R5、R6、R7各自独立地选自C1～C12烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种，所述R6和R7不连接或者互相连接形成环；
当所述L、L1、Ar、R5、R6、R7含有取代基时，所述取代基各自独立地选自卤素、C1～C12的烷基、C1～C12的烷氧基、C6～C12的芳基、C3～C12的杂芳基、氰基、羟基。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述第二辅助发光层或所述第三辅助发光层独立地包含如下结构的化合物中的任意一种或至少两种组合：
式(2-1)或式(2-2)中，所述Ra、Rb各自独立地选自C1～C6的烷基，Ra、Rb不连接或连接形成环结构；
式(2-1)或式(2-2)中，c为0或1；
式(2-1)或式(2-2)中，R选自取代或未取代的C6～C12的芳基；
式(2-1)或式(2-2)中，所述Ar的选择范围与式(2)中Ar具有相同的限定范围。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，式(2)中，所述Ar选自式(A)所示的杂芳基，或者所述Ar选自C6～C30的具有大共轭结构的稠合芳基或稠合杂芳基中的任意一种；
式(A)中，所述L1选自单键或者取代或未取代的C6～C12亚芳基；
式(A)中，所述R4选自C6～C30的芳基或C3～C30的杂芳基，所述q为0或1；
式(A)中，所述X选自NR5、O、S中的任意一种，所述R5选自取代或未取代的C6～C30芳基。
17.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，式(2)中，所述Ar选自式(A-1)所示的杂芳基，或者所述Ar选自C6～C30的具有大共轭结构的稠合芳基或稠合杂芳基中的任意一种；
式(A-1)中，所述X选自N-Ph、O、S中的任意一种，Ph表示苯基；
式(A-1)中，所述R4选自C6～C12的芳基；
式(A-1)中，所述r为0或1，t为0或1，且r和t不同时为1；
式(A-1)中，L1表示单键或取代或未取代的亚苯基；
所述C6-C30的具有大共轭结构的稠合芳基或稠合杂芳基包括取代或未取代的萘基、菲基、苯并菲基、荧蒽基、蒽基、芘、二氢芘、茴、茈、苯并蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、苯并呋喃、异苯并呋喃、苯并噻吩、异苯并噻吩、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并吡唑、吡啶并吡啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吲唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽并噁唑、菲并噁唑、苯并噻唑、苯并哒嗪、苯并嘧啶、喹喔啉、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、苯并三唑、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑中的任意一种或至少两种基团组合而成的基团。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述第二辅助发光层或所述第三辅助发光层包含具有式(2-3)结构的化合物中的任意一种或至少两种组合；
式(2-3)中，所述L、Ar的选择范围与式(2)中L、Ar具有相同的限定范围；
式(2-3)中，所述j为0-10的整数。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述第二辅助发光层或所述第三辅助发光层独立地包含如下化合物中的任意一种或至少两种组合：
20.一种根据权利要求1-19中任一项所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)在衬底基板上形成阳极层；
(2)在所述阳极层上形成有机层，所述有机层包括空穴传输层、辅助发光层、发光层和电子传输层；
(3)在所述有机层上形成阴极层；
所述发光层包括第一发光层和第二发光层，所述辅助发光层包括第一辅助发光层和第二辅助发光层；
所述空穴传输层、第一辅助发光层、电子传输层通过开放式金属掩膜版蒸镀而成，所述第二辅助发光层、第一发光层和第二发光层通过精密金属掩膜板蒸镀而成。
21.根据权利要求20所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括通过精密金属掩膜板分别蒸镀形成第三辅助发光层和第三发光层的步骤。
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