CN113620342B - 一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法 - Google Patents
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- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 23
- LBXYYEWFEQPEFO-UHFFFAOYSA-N [Bi]=S.[Ag]=S Chemical compound [Bi]=S.[Ag]=S LBXYYEWFEQPEFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 claims abstract description 3
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N aminothiocarboxamide Natural products NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-bromo-5-chlorophenyl)-3-methylpyrazole Chemical compound N1=C(C)C=CN1C1=CC(Cl)=CC=C1Br QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- MNOILHPDHOHILI-UHFFFAOYSA-N Tetramethylthiourea Chemical compound CN(C)C(=S)N(C)C MNOILHPDHOHILI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KKMOSYLWYLMHAL-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-6-nitroaniline Chemical compound NC1=C(Br)C=CC=C1[N+]([O-])=O KKMOSYLWYLMHAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RBWNDBNSJFCLBZ-UHFFFAOYSA-N 7-methyl-5,6,7,8-tetrahydro-3h-[1]benzothiolo[2,3-d]pyrimidine-4-thione Chemical compound N1=CNC(=S)C2=C1SC1=C2CCC(C)C1 RBWNDBNSJFCLBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KQJQICVXLJTWQD-UHFFFAOYSA-N N-Methylthiourea Chemical compound CNC(N)=S KQJQICVXLJTWQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N N-methylthiourea Natural products CNC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 claims description 2
- BRWIZMBXBAOCCF-UHFFFAOYSA-N hydrazinecarbothioamide Chemical compound NNC(N)=S BRWIZMBXBAOCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M silver acetate Chemical compound [Ag+].CC([O-])=O CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229940071536 silver acetate Drugs 0.000 claims description 2
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 claims description 2
- VZZHAYFWMLLWGG-UHFFFAOYSA-K triazanium;bismuth;2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[Bi+3].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O VZZHAYFWMLLWGG-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- -1 and various shapes Substances 0.000 description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 4
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000643 oven drying Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G29/00—Compounds of bismuth
- C01G29/006—Compounds containing, besides bismuth, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
- C01P2004/52—Particles with a specific particle size distribution highly monodisperse size distribution
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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Abstract
本发明属于纳米材料制备领域，具体为一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法，包括如下制备步骤：(1)将铋源和银源在常温下超声均匀分散到乙二醇溶液中；(2)将硫源和控制剂加入圆底玻璃瓶中磁搅拌均匀；(3)一步溶剂热法制备得到AgBiS2纳米材料：将(1)种的铋源和银源加入(2)中硫源的玻璃瓶中搅拌并加热至70～90℃反应0.5～2h；(4)将(3)中反应结束的反应物倒至反应釜中放入烘箱中，在设定温度下反应一定时间得到黑色混浊物，经真空泵抽滤分离，抽虑过程中用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤；(5)将(4)中洗涤好的产物放入烘箱中干燥，在设定干燥温度下干燥完全后得到目标材料样品，得到的AgBiS2材料呈现梭子状，尺寸均一，纯度高。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料制备领域，特别是一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法
背景技术
硫系半导体是一种很有前途的材料，在催化、能量储存和转换以及光电子器件等领域有着潜在的应用前景，是第三代太阳能电池光伏器件用半导体材料。因为硫系半导体具有环境稳定性、制造成本低和用途广泛等优势，在未来电子行业有着巨大潜力。
硫系半导体的物理和化学性质与无机纳米材料的形状、尺寸和结构密切相关，通过采用溶液化学方法，获得了各种硫系材料所需的形状、晶体结构和形态。最近，三元硫系化合物I-V-VI2(其中I＝铜、银、金；V＝As，Sb，Bi；及VI＝S、Se，Te)得到了广泛关注，因为它们显示出可调的电子和光学特性，适用于太阳能电池、热电和相位电荷存储器件以及线性、非线性和光电子器件。二硫化银铋(AgBiS2)以两种结构相存在，即低温相β-AgBiS2为六方结构，高温相α-AgBiS2为立方结构，相变温度为468±5K。立方相AgBiS2具有～0.8eV的直接带隙，高吸收系数α＝～105cm-1(λ＝600nm)，已被证明在如量子点太阳能电池，热电器件等不同领域有潜在的应用。AgBiS2材料无毒害，地球资源丰富，这使其成为高效太阳能吸收器的潜在候选材料。然而，在可控形状和尺寸的AgBiS2的合成中，仍然是一个重大挑战。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种梭子状二硫化银铋纳米材料的制备方法，实现对二硫化银铋纳米材料结构和尺寸的调控。
本发明采用的技术方案如下：
一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法，包括如下制备步骤：
(1)将铋源和银源在常温下超声均匀分散到乙二醇溶液中；
(2)将硫源和控制剂加入圆底玻璃瓶中磁搅拌均匀；
(3)一步溶剂热法制备得到AgBiS2纳米材料：将(1)种的铋源和银源加入(2)中硫源的玻璃瓶中搅拌并加热至70～90℃反应0.5～2h，其中，搅拌速度先快后慢，转速为300～1200r/min，加热升温速度为5～8℃/min；
(4)将(3)中反应结束的反应物倒至反应釜中放入烘箱中，在设定温度下反应一定时间得到黑色混浊物，经真空泵抽滤分离，抽虑过程中用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤；
(5)将(4)中洗涤好的产物放入烘箱中干燥，在设定干燥温度下干燥完全后得到目标材料样品，得到的AgBiS2材料呈现梭子状，尺寸均一，纯度高。
作为优选，所述铋源采用柠檬酸铋、柠檬酸铋铵、乙酸铋中的一种或多种。
作为优选，所述硫源采用硫代硫酸钠、1.3-二甲基硫脲、N-甲硫脲、氨基硫脲、四甲基硫脲、1.3-二乙基硫脲、硫脲中的一种或多种。
作为优选，所述银源采用硝酸银、高氯酸银和醋酸银中的一种或多种。
作为优选，所述控制剂为六甲基四胺、三甲基二胺、四甲基乙二胺中的一种或多种。
作为优选，银源、铋源、硫源中铋：银：铋：硫的摩尔比为1：1：2～3。
作为优选，所述银源和铋源中银元素和铋元素在乙二醇溶液中的摩尔浓度相同，其具体为0.01-0.8mol/l，所述铋源与控制剂的摩尔浓度之比为1:5～1:50。
作为优选，所述步骤(4)中设置烘箱反应温度为120-180℃，反应时间为2-6h。
作为优选，所述步骤(5)中烘箱干燥温度控制在60℃。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
(1)本发明将铋源和银源先分散至溶剂中，再加入分散好的硫源控制溶剂中，并通过控制制备搅拌、温度和反应及干燥等工艺条件，使反应得到的AgBiS2结构呈梭子状，并且均一；
(2)AgBiS2的梭子状结构使其制备的半导体材料结构规整，缺陷少，导电性能优异，储电量大；
(3)本发明采用一步法制备AgBiS2的梭子状半导体材料，操作简单，成本低，并且通过工艺过程和产物处理的优化，使得到的AgBiS2纯度较高。
附图说明
图1是本发明中实施例1得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的X射线电子衍射图谱。
图2是本发明中实施例1得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的扫描电子显微镜图片。
图3是本发明中实施例1得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的扫描电子显微镜图片。
图4是本发明中实施例2得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的扫描电子显微镜图片。
图5是本发明中实施例2得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的扫描电子显微镜图片。
图6是本发明中实施例3得到的梭子状二硫化银铋纳米材料的扫描电子显微镜图片。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例1
将5mmol乙酸铋和5mmol硝酸银在常温下超声均匀分散到50mL乙二醇溶液中；将10mmol四甲基硫脲和50mmol六甲基四胺加入圆底玻璃瓶中，搅拌从1000r/min逐步降低至500r/min，以6℃/min的升温速度加热至80℃反应1.5h；然后将混合溶液人转移至80ml聚四氟乙烯反应釜中150℃，保持12h，反应结束后得到的黑色混浊物使用真空泵抽滤分离，抽虑过程中需要用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤，最后放入真空干燥箱中60℃干燥，后将目标材料样品收集。对制备得到的AgBiS2纳米团簇的进行X射线电子衍射表征，如图1所示，图谱中的衍射峰对应于立方相的AgBiS2(JCPDS No.89-2046)，且没有其他杂峰出现，XRD图谱证明了该反应合成了AgBiS2纳米材料；将制备的样品进行扫描电子显微镜表征如图2、3所示，可以看出AgBiS2纳米材料为梭子状，结构和大小均匀。
实施例2
将5mmol乙酸铋和5mmol硝酸银在常温下超声均匀分散到50mL乙二醇溶液中；将10mmol四甲基硫脲和80mmol六甲基四胺加入圆底玻璃瓶中，搅拌从1200r/min逐步降低至300r/min，以8℃/min的升温速度加热至70℃反应1.0h；
然后将混合溶液人转移至80ml聚四氟乙烯反应釜中180℃，保持12h，反应结束后得到的黑色混浊物使用真空泵抽滤分离，抽虑过程中需要用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤，最后放入真空干燥箱中60℃干燥，后将目标材料样品收集。将制备的样品进行扫描电子显微镜表征如图4、5所示，可以看出AgBiS2纳米材料为梭子状，结构和大小均匀。
实施例3
将5mmol乙酸铋和5mmol硝酸银在常温下超声均匀分散到50mL乙二醇溶液中；将10mmol1.3-二甲基硫脲和25mmol六甲基四胺加入圆底玻璃瓶中，搅拌从1100r/min逐步降低至500r/min，以5℃/min的升温速度加热至90℃反应1.0h；然后将混合溶液人转移至聚四氟乙烯反应釜中150℃，保持12h，反应结束后得到的黑色混浊物使用真空泵抽滤分离，抽虑过程中需要用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤，最后放入真空干燥箱中60℃干燥，后将目标材料样品收集。将制备的样品进行扫描电子显微镜表征如图6所述。
Claims (4)
1.一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：
将铋源和银源在常温下超声均匀分散到乙二醇溶液中；
将硫源和控制剂加入圆底玻璃瓶中磁搅拌均匀；
一步溶剂热法制备得到AgBiS2纳米材料：将（1）种的铋源和银源加入（2）中硫源的玻璃瓶中搅拌并加热至70~90℃反应0.5~2 h，其中，搅拌速度先快后慢，转速为300~1200 r/min，加热升温速度为5~8℃/min；
将（3）中反应结束的反应物倒至反应釜中放入烘箱中，在设定温度下反应一定时间得到黑色混浊物，经真空泵抽滤分离，抽虑过程中用去离子水和无水乙醇进行多次洗涤；所述烘箱反应温度为120-180℃，反应时间为2-6h；
将（4）中洗涤好的产物放入烘箱中干燥，在设定干燥温度下干燥完全后得到目标材料样品，所述烘箱干燥温度控制在60℃，得到的AgBiS2材料呈现梭子状，尺寸均一，纯度高；所述控制剂为六甲基四胺、三甲基二胺、四甲基乙二胺中的一种或多种；
银源、铋源、硫源中铋：银：铋：硫的摩尔比为1：1：2~3；
所述银源和铋源中银元素和铋元素在乙二醇溶液中的摩尔浓度相同，其具体为0.01-0.8mol/l，所述铋源与控制剂的摩尔浓度之比为1:5~1:50。
2.如权利要求1所述一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法，其特征在于，所述铋源采用柠檬酸铋、柠檬酸铋铵、乙酸铋中的一种或多种。
3.如权利要求1或2所述一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法，其特征在于，所述硫源采用硫代硫酸钠、1.3-二甲基硫脲、N-甲硫脲、氨基硫脲、四甲基硫脲、1.3-二乙基硫脲、硫脲中的一种或多种。
4.如权利要求3所述一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法，其特征在于，所述银源采用硝酸银、高氯酸银和醋酸银中的一种或多种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111006582.0A CN113620342B (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111006582.0A CN113620342B (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113620342A CN113620342A (zh) | 2021-11-09 |
| CN113620342B true CN113620342B (zh) | 2023-07-14 |
Family
ID=78388391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111006582.0A Active CN113620342B (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113620342B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115893488B (zh) * | 2022-11-28 | 2024-04-16 | 西北大学 | 一种低温一步合成AgBiS2纳米晶的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111437437A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-07-24 | 陈雨歆 | 一种聚丙烯酰胺水凝胶敷料及其制备方法和应用 |
| CN112566290A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-03-26 | 深圳市德龙电器有限公司 | 一种柔性电发热膜发热层及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3116043B1 (en) * | 2015-07-10 | 2021-09-15 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | A photovoltaic material and use of it in a photovoltaic device |
| CN109686817A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-04-26 | 中南大学 | 一种AgBiS2半导体薄膜的制备方法 |
| CN109830552B (zh) * | 2019-02-25 | 2021-05-04 | 景德镇陶瓷大学 | 一种用于太阳能电池吸光层的纳米晶薄膜制备方法 |
| CN109761275B (zh) * | 2019-03-25 | 2021-07-27 | 合肥工业大学 | 一种硫化铋银空心纳米球及其制备方法 |
| CN111838184A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-10-30 | 云南中烟工业有限责任公司 | 一种以天然植物为原料合成无机抑菌材料的方法及应用 |
-
2021
- 2021-08-30 CN CN202111006582.0A patent/CN113620342B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111437437A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-07-24 | 陈雨歆 | 一种聚丙烯酰胺水凝胶敷料及其制备方法和应用 |
| CN112566290A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-03-26 | 深圳市德龙电器有限公司 | 一种柔性电发热膜发热层及其制备方法 |
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| Title |
|---|
| 0.94Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-0.06BaTiO_3无铅压电陶瓷凝胶注模成型;黎慧;周东祥;龚树萍;韩轲;;无机材料学报(第03期);全文 * |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113620342A (zh) | 2021-11-09 |
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