CN113620283A - 一种石墨烯及其处理方法和应用 - Google Patents

一种石墨烯及其处理方法和应用 Download PDF

Info

Publication number
CN113620283A
CN113620283A CN202111033812.2A CN202111033812A CN113620283A CN 113620283 A CN113620283 A CN 113620283A CN 202111033812 A CN202111033812 A CN 202111033812A CN 113620283 A CN113620283 A CN 113620283A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
temperature
treatment
subjected
protection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202111033812.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113620283B (zh
Inventor
陈跃峰
朱振明
陈甜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shaanxi Six Carbon Crystal Co ltd
Original Assignee
Shaanxi Six Carbon Crystal Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaanxi Six Carbon Crystal Co ltd filed Critical Shaanxi Six Carbon Crystal Co ltd
Priority to CN202111033812.2A priority Critical patent/CN113620283B/zh
Publication of CN113620283A publication Critical patent/CN113620283A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113620283B publication Critical patent/CN113620283B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/194—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20—Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/22—Electronic properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20—Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/30—Purity
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明提供了一种石墨烯及其处理方法和应用，属于新能源材料制备技术领域。石墨烯的处理方法为：将原始石墨烯依次经过低温、中温、高温和降温处理，包括以下处理：S1、在还原气体或含还原气体的混合气体的保护下，进行低温处理阶段，S2、在惰性气体的保护下，进行中温纯化阶段，S3、在惰性气体的保护下，进行高温处理阶段，S4、在惰性气体的保护下，进行降温处理阶段，S5、在惰性气体的保护下，将S4中的石墨烯冷却至室温，得到石墨烯。本发明通过四级热处理方式，提高了石墨烯的纯度，提高了石墨烯的本征性能。

Description

一种石墨烯及其处理方法和应用
技术领域
本发明涉及新能源材料制备技术领域，更具体的涉及一种石墨烯及其处理方法和应用。
背景技术
2004年，英国曼彻斯特大学的两位科学家安德烈·盖姆和康斯坦丁诺沃洛夫发现他们能用一种非常简单的方法得到越来越薄的石墨薄片，他们从高定向热解石墨中剥离出石墨片，然后将薄片的两面粘在一种特殊的胶带，撕开胶带，就能把石墨片一分为二，不断地这样操作，于是薄片越来越薄，最后，他们得到一种仅由一层碳原子构成的薄片，这就是石墨烯。
石墨烯是一种以sp2杂化连接的碳原子紧密堆积成单层二维蜂蜜状晶格结构的新材料。石墨烯内部碳原子的排列方式与石墨单原子层一样以sp2杂化轨道成键，并有如下的特点：碳原子有4个价电子，其中3个电子生成sp2键，即每个碳原子都贡献一个位于pz轨道上的未成键电子，近邻原子的pz轨道与平面成垂直方向可形成π键，新形成的π键呈半填满状态。研究证实，石墨烯中碳原子的配位数为3，每两个相邻碳原子间的键长为1.42×10-10米，键与键之间的夹角为120°。除了σ键与其他碳原子链接成六角环的蜂窝式层状结构外，每个碳原子的垂直于层平面的pz轨道可以形成贯穿全层的多原子的大π键(与苯环类似)，因而具有优良的导电和光学性能。石墨烯具有非常良好的光学特性，在较宽波长范围内吸收率约为2.3％，看上去几乎是透明的。在几层石墨烯厚度范围内，厚度每增加一层，吸收率增加2.3％。大面积的石墨烯薄膜同样具有优异的光学特性，且其光学特性随石墨烯厚度的改变而发生变化。这是单层石墨烯所具有的不寻常低能电子结构。室温下对双栅极双层石墨烯场效应晶体管施加电压，石墨烯的带隙可在0～0.25eV间调整。施加磁场，石墨烯纳米带的光学响应可调谐至太赫兹范围。除了优异的光学特性、电学性能，石墨烯还具有良好的力学性能、溶解性等，在材料学、微纳加工、能源、生物医药和药物传递等方面得到了广泛的研究。但是用氧化还原法制得的石墨烯，是指将天然石墨与强酸和强氧化性物质反应生成氧化石墨，经过超声分散制备成氧化石墨烯，然后加入还原剂去除氧化石墨表面的含氧基团后得到石墨烯，它虽然仍保持着特殊的表面性能与层状结构，但是在氧化的过程中破坏了石墨烯高度共轭结构，并且由于在制备石墨烯的石墨原料中还存在着各种杂质，所以制备出的石墨烯中它存在着许多杂质，它的结构存在着缺陷从而导致石墨烯部分电学和力学性能的损失。机械剥离法制备石墨烯，也会带入大量杂质，影响石墨烯的性能。使得石墨烯在应用过程中，常常因为制造过程中存在的缺陷，使其性能无法得到有效的发挥。
发明内容
针对以上问题，本发明提供了一种石墨烯的处理方法，以提高石墨烯的纯度。
本发明的第一个目的是提供一种石墨烯的处理方法，将原始石墨烯依次经过低温、中温、高温和降温处理，包括以下处理：
S1、低温处理阶段
在还原气体或含还原气体的混合气体的保护下，将原始石墨烯加热至300-1800℃作低温预热处理，得到低温处理的石墨烯；
S2、中温纯化阶段
在惰性气体的保护下，将S1中低温处理的石墨烯继续加热至1800-2300℃，做中温处理，得到中温处理后的石墨烯；
S3、高温处理阶段
在惰性气体的保护下，将S2中经过中温处理后的石墨烯继续加热至2300-2800℃作高温处理，得到高温处理后的石墨烯；
S4、降温处理阶段
在惰性气体的保护下，将S3中高温处理后的石墨烯降温至2800-1800℃，得到降温处理后的石墨烯；
S5、在惰性气体的保护下，将S4中降温处理后的石墨烯冷却至室温，得到石墨烯。
优选的，所述原始石墨烯为氧化还原法、机械剥离法、电弧法、化学气相沉积法制备的石墨烯中的一种。
优选的，低温预热处理的处理时间为2-8h。
优选的，中温处理的处理时间为1-4h。
优选的，高温处理的处理时间为1-4h。
优选的，降温处理的处理时间为2-8h。
优选的，S1中的还原气体为氢气，混合气体为氢气和惰性气体的混合物。
优选的，所述处理方法在连续式气氛真空炉中进行。
本发明的第二个目的是提供上述方法制备的石墨烯。
本发明的第三个目的是提供上述石墨烯在制备超级电容器、电池、隐身材料、电子电力材料中的应用。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明对石墨烯经过碳化还原、纯化、无定型碳石墨化、重整型，重组，根本上增强了石墨烯本征性能，提高了石墨烯表面残碳的纯度和导电性。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
将氧化还原法制备的原始石墨烯置于连续式气氛真空炉中，所述连续式气氛真空炉包括低温区、高温区和降温区，分别在低温区、高温区和降温区进行分级处理，包括以下处理：
S1、低温处理阶段
在氢气的保护下，将氧化还原法制备的原始石墨烯推进至低温区，加热至300-1800℃做低温预处理，处理时间为2h，得到低温处理的石墨烯；
S2、中温纯化阶段
在氩气的保护下，将S1中低温处理的石墨烯从低温区推进至中温区，继续加热至1800-2300℃，做中温处理，处理时间为2h，得到中温处理后的石墨烯；
S3、高温处理阶段
在氩气的保护下，将S2中经过中温处理后的石墨烯从中温区推进至高温区，继续加热至2300-2800℃作高温处理，处理时间为3h，得到高温处理后的石墨烯；
S4、降温处理阶段
在氩气的保护下，将S3中高温处理后的石墨烯从高温区推进至降温区，降温区的温度范围为2800-1800℃，作降温处理，处理时间为5h，得到降温处理后的石墨烯；
S5、在氩气的保护下，将S4中降温处理后的石墨烯冷却至室温，得到石墨烯。
原始石墨烯的石墨化度为0.85，纯度为99％，石墨烯的石墨化度为0.97，纯度为99.995％。
实施例2
将机械剥离法制备的原始石墨烯置于连续式气氛真空炉中，所述连续式气氛真空炉包括低温区、中温区、高温区和降温区，分别在低温区、中温区、高温区和降温区进行分级处理，包括以下处理：
S1、低温处理阶段
在氢气与氮气的混合气体的保护下，将机械剥离法制备的原始石墨烯推进至低温区，加热至300-1200℃做低温预处理，处理时间为8h，得到低温处理的石墨烯，其中，氢气与氮气的体积比为4％:96％；
S2、中温纯化阶段
在氮气的保护下，将S1中低温处理的石墨烯从低温区推进至中温区，继续加热至1800-2300℃，做中温处理，处理时间为1h，得到中温处理后的石墨烯；
S3、高温处理阶段
在氮气的保护下，将S2中经过中温处理后的石墨烯从中温区推进至高温区，继续加热至2300-2800℃作高温处理，处理时间为1h，得到高温处理后的石墨烯；
S4、降温处理阶段
在氮气的保护下，将S3中高温处理后的从高温区推进至降温区，降温区的温度范围为2800-1800℃，作降温处理，处理时间为2h，得到降温处理后的石墨烯；
S5、在氮气的保护下，将S4中降温处理后的石墨烯冷却至室温，得到石墨烯。
原始石墨烯的石墨化度为0.87，纯度为99.1％，石墨烯的石墨化度为0.98，纯度为99.995％。
实施例3
将电弧法制备的原始石墨烯置于连续式气氛真空炉中，所述连续式气氛真空炉包括低温区、中温区、高温区和降温区，分别在低温区、中温区、高温区和降温区进行分级处理，包括以下处理：
S1、低温处理阶段
在氢气与氦气的混合气体的保护下，将电弧法制备的原始石墨烯推进至低温区，加热至300-1800℃做低温预处理，处理时间为3h，得到低温处理的石墨烯，其中，氢气和氦气的体积比为3％:97％；
S2、中温纯化阶段
在氦气的保护下，将S1中低温处理的石墨烯从低温区推进至中温区，继续加热至1800-2300℃，做中温处理，处理时间为4h，得到中温处理后的石墨烯；
S3、高温处理阶段
在氦气的保护下，将S2中经过中温处理后的石墨烯从中温区推进至高温区，继续加热至23000-2800℃作高温处理，处理时间为4h，得到高温处理后的石墨烯；
S4、降温处理阶段
在氦气的保护下，将S3中高温处理后的石墨烯从高温区推进至降温区，降温区的温度范围为2800-1800℃，作降温处理，处理时间为8h，得到降温处理后的石墨烯；
S5、在氦气的保护下，将S4中降温处理后的石墨烯冷却至室温，得到石墨烯。
原始石墨烯的石墨化度为0.9，纯度为99.9％，石墨烯的石墨化度为0.98，纯度为99.995％。
实施例4
将化学气相沉积法制备的原始石墨烯置于连续式气氛真空炉中，所述连续式气氛真空炉包括低温区、中温区、高温区和降温区，分别在低温区、中温区、高温区和降温区进行分级处理，包括以下处理：
S1、低温处理阶段
在氢气的保护下，将化学气相沉积法制备的原始石墨烯推进至低温区，加热至300-1800℃做低温预处理，处理时间为5h，得到低温处理的石墨烯；
S2、中温纯化阶段
在氮气的保护下，将S1中低温处理的石墨烯从低温区推进至中温区，继续加热至1800-2300℃，做中温处理，处理时间为3h，得到中温处理后的石墨烯；
S3、高温处理阶段
在氮气的保护下，将S2中经过中温处理后的石墨烯从中温区推进至高温区，继续加热至2300-2800℃作高温处理，处理时间为2h，得到高温处理后的石墨烯；
S4、降温处理阶段
在氮气的保护下，将S3中的高温处理后的石墨烯从高温区推进至降温区，降温至2800-1800℃作降温处理，处理时间为5h，得到降温处理后的石墨烯；
S5、在氮气的保护下，将S4中降温处理后的石墨烯冷却至室温，得到石墨烯。
原始石墨烯的石墨化度为0.83，纯度为99.2％，石墨烯的石墨化度为0.97，纯度为99.99％。
原始石墨烯经过低温预热处理、中温处理、高温处理和降温处理的过程，在低温区，进行低温预热处理，在300-1200℃的范围内，氩气保护下，石墨烯表面的官能团及有机物低温裂解碳化、使石墨烯去氧还原；在1200-1800℃的温度范围内，非碳物以CO、CO2、H2O、SO2、NO等气体方式排出，残留的酸、氧化剂等化学残留品及氮、硫等杂质元素挥发、脱出、除掉有机物杂质。在中温区，进行中温纯化处理，在1800-2300℃下，使石墨烯中的残留卤族元素、氧族元素、氮族元素等排出；在高温区，进行高温处理，在2300-2600℃下，不规则的5环、7环石墨烯在脱杂及热动力驱动下，原位振荡重组，结构不断修饰，石墨烯变得更纯，结构变得更完美、更完整；在2600-2800℃处理，表面无定型碳会重组石墨化，无定形碳转变成有序排列的层状结构，导电性能提高；残留的金属、硅等杂质有效气化排出，石墨烯经过高温处理，得到高纯、完整的石墨烯。在降温处理后，石墨烯经2800-1800℃降温定型，保留石墨烯经热处理后的本征性能。
本发明中通过四级热处理的方式，提高了石墨烯的纯度，有利于石墨烯的导电性提高。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种石墨烯的处理方法，其特征在于，将原始石墨烯依次经过低温、中温、高温和降温处理，包括以下处理：
S1、低温处理阶段
在还原气体或含还原气体的混合气体的保护下，将原始石墨烯加热至300-1800℃作低温预热处理，得到低温处理的石墨烯；
S2、中温纯化阶段
在惰性气体的保护下，将S1中低温处理的石墨烯继续加热至1800-2300℃，做中温处理，得到中温处理后的石墨烯；
S3、高温处理阶段
在惰性气体的保护下，将S2中经过中温处理后的石墨烯继续加热至2300-2800℃作高温处理，得到高温处理后的石墨烯；
S4、降温处理阶段
在惰性气体的保护下，将S3中高温处理后的石墨烯降温至2800-1800℃，得到降温处理后的石墨烯；
S5、在惰性气体的保护下，将S4中降温处理后的石墨烯冷却至室温，得到石墨烯。
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯的处理方法，其特征在于，所述原始石墨烯为氧化还原法、机械剥离法、电弧法、化学气相沉积法制备的原始石墨烯中的一种。
3.根据权利要求2所述的一种石墨烯的处理方法，其特征在于，低温预热处理的处理时间为2-8h。
4.根据权利要求3所述的一种石墨烯的处理方法，其特征在于，中温处理的处理时间为1-4h。
5.根据权利要求4所述的一种石墨烯的处理方法，其特征在于，高温处理的处理时间为1-4h。
6.根据权利要求5所述的一种石墨烯的处理方法，其特征在于，降温处理的处理时间为2-8h。
7.根据权利要求6所述的一种石墨烯的处理方法，其特征在于，S1中的还原气体为氢气，混合气体为氢气和惰性气体的混合物。
8.根据权利要求7所述的一种石墨烯的处理方法，其特征在于，所述处理方法在连续式气氛真空炉中进行。
9.一种权利要求1-8任一项所述的方法制备的石墨烯。
10.一种权利要求9所述的一种石墨烯在制备超级电容器、电池、隐身材料、电子电力材料中的应用。
CN202111033812.2A 2021-09-03 2021-09-03 一种石墨烯及其处理方法和应用 Active CN113620283B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111033812.2A CN113620283B (zh) 2021-09-03 2021-09-03 一种石墨烯及其处理方法和应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111033812.2A CN113620283B (zh) 2021-09-03 2021-09-03 一种石墨烯及其处理方法和应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113620283A true CN113620283A (zh) 2021-11-09
CN113620283B CN113620283B (zh) 2023-01-31

Family

ID=78389093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111033812.2A Active CN113620283B (zh) 2021-09-03 2021-09-03 一种石墨烯及其处理方法和应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113620283B (zh)

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101462719A (zh) * 2009-01-16 2009-06-24 北京大学 石墨烯的制备方法
KR20100099586A (ko) * 2009-03-03 2010-09-13 한국과학기술연구원 그래펜 복합 나노섬유 및 그 제조 방법
CN101993061A (zh) * 2009-08-19 2011-03-30 中国科学院金属研究所 一种层数可控的高质量石墨烯的制备方法
CN103213976A (zh) * 2013-04-22 2013-07-24 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 一种在衬底表面直接制备石墨烯的方法
CN103613093A (zh) * 2013-11-25 2014-03-05 黄德欢 一种用氢气还原制备石墨烯的方法
GB201402650D0 (en) * 2014-02-14 2014-04-02 Cambridge Entpr Ltd Method of producing graphene
CN104099577A (zh) * 2014-07-29 2014-10-15 苏州斯迪克新材料科技股份有限公司 一种石墨烯的制备方法
CN104291322A (zh) * 2014-11-20 2015-01-21 青岛金墨自动化科技有限公司 一种石墨烯气氛保护连续式还原炉
CN104591168A (zh) * 2015-01-16 2015-05-06 浙江大学 一种硅掺杂石墨烯材料的制备方法
KR20160134369A (ko) * 2015-05-15 2016-11-23 숙명여자대학교산학협력단 그래핀의 제조방법
IT201600104397A1 (it) * 2016-10-18 2018-04-18 Fond Bruno Kessler Materiale composito a base di grafene per la generazione di idrogeno e calore in ambiente acquoso e processo per la sua produzione
CN108178148A (zh) * 2015-08-07 2018-06-19 常州富烯科技股份有限公司 一种石墨烯薄膜的制备方法及石墨烯薄膜
CN108529601A (zh) * 2017-03-01 2018-09-14 中国科学院福建物质结构研究所 一种高品质氮掺杂石墨烯量子点的制备方法
CN109292762A (zh) * 2018-12-07 2019-02-01 四川聚创石墨烯科技有限公司 一种低结构缺陷石墨烯生产方法
CN111302332A (zh) * 2020-04-21 2020-06-19 福建永安市永清石墨烯研究院有限公司 一种超高导热石墨烯厚膜及其制备方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101462719A (zh) * 2009-01-16 2009-06-24 北京大学 石墨烯的制备方法
KR20100099586A (ko) * 2009-03-03 2010-09-13 한국과학기술연구원 그래펜 복합 나노섬유 및 그 제조 방법
CN101993061A (zh) * 2009-08-19 2011-03-30 中国科学院金属研究所 一种层数可控的高质量石墨烯的制备方法
CN103213976A (zh) * 2013-04-22 2013-07-24 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 一种在衬底表面直接制备石墨烯的方法
CN103613093A (zh) * 2013-11-25 2014-03-05 黄德欢 一种用氢气还原制备石墨烯的方法
GB201402650D0 (en) * 2014-02-14 2014-04-02 Cambridge Entpr Ltd Method of producing graphene
CN104099577A (zh) * 2014-07-29 2014-10-15 苏州斯迪克新材料科技股份有限公司 一种石墨烯的制备方法
CN104291322A (zh) * 2014-11-20 2015-01-21 青岛金墨自动化科技有限公司 一种石墨烯气氛保护连续式还原炉
CN104591168A (zh) * 2015-01-16 2015-05-06 浙江大学 一种硅掺杂石墨烯材料的制备方法
KR20160134369A (ko) * 2015-05-15 2016-11-23 숙명여자대학교산학협력단 그래핀의 제조방법
CN108178148A (zh) * 2015-08-07 2018-06-19 常州富烯科技股份有限公司 一种石墨烯薄膜的制备方法及石墨烯薄膜
IT201600104397A1 (it) * 2016-10-18 2018-04-18 Fond Bruno Kessler Materiale composito a base di grafene per la generazione di idrogeno e calore in ambiente acquoso e processo per la sua produzione
CN108529601A (zh) * 2017-03-01 2018-09-14 中国科学院福建物质结构研究所 一种高品质氮掺杂石墨烯量子点的制备方法
CN109292762A (zh) * 2018-12-07 2019-02-01 四川聚创石墨烯科技有限公司 一种低结构缺陷石墨烯生产方法
CN111302332A (zh) * 2020-04-21 2020-06-19 福建永安市永清石墨烯研究院有限公司 一种超高导热石墨烯厚膜及其制备方法

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RUBÉN ROZADA ET AL: "Towards full repair of defects in reduced graphene oxide films by two-step graphitization", 《NANO RESEARCH》 *
WANG, ZL ET AL.: "Verification Study of Nanostructure Evolution with Heating Treatment between Thin and Thick Fullerene-Like Hydrogen Carbon Films", 《COATINGS》 *
聂仁峰: "石墨烯基材料的制备及其在多相催化中的应用", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 *
肖勇等: "石墨烯制备与应用研究进展", 《功能材料与器件学报 》 *
赵扬: "石墨烯结构调控、功能组装及其应用研究", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 *
郭喜涛: "石墨烯及其复合结构的光学和光电性能研究", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113620283B (zh) 2023-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wang et al. A review of graphene synthesisatlow temperatures by CVD methods
Wu et al. A review of graphene synthesis by indirect and direct deposition methods
Guo et al. Direct formation of wafer-scale single-layer graphene films on the rough surface substrate by PECVD
Hernandez Ruiz et al. Chemical vapor deposition mediated phase engineering for 2D transition metal dichalcogenides: Strategies and applications
CN107572511A (zh) 一种绿色规模化生产石墨烯的方法
CN102351173A (zh) 一种大量制备高质量石墨烯的方法
KR20140056570A (ko) 마이크로웨이브를 이용한 도핑된 그래핀의 제조방법
WO2012109968A1 (zh) 一种在可控气氛环境中用微波辐照制备改性石墨烯材料的方法
KR20110119270A (ko) 그래핀 나노 시트의 형성 방법 및 상기 방법을 이용하여 형성된 그래핀 나노 시트
CN108666358B (zh) 过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备方法
CN107686108B (zh) 介质阻挡放电等离子体制备还原氧化石墨烯的方法
CN109179388B (zh) 一种一氧化碳制备石墨烯的方法
CN103613094A (zh) 一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法
CN108033441A (zh) 一种石墨烯材料的制备方法及石墨烯材料
CN104386676A (zh) 一种石墨烯的制备方法
CN108658064B (zh) 一种氮掺杂石墨烯及其制备方法
KR102413334B1 (ko) 팽창성 흑연(expandable graphite)을 사용한 전도성 박막의 제조방법
KR101419340B1 (ko) 그라파이트 산화물 및 그래핀 나노시트 제조 방법
Wu et al. Suitable surface oxygen concentration on copper contributes to the growth of large graphene single crystals
CN113620283B (zh) 一种石墨烯及其处理方法和应用
KR101837478B1 (ko) 그래핀 하이브리드 소재 제조 방법, 그래핀류 소재의 불순물 제거 방법 및 그래핀류 소재
CN103359713A (zh) 一种石墨烯的制备方法
Sarfraz et al. Biomass‐Derived Graphene‐Based Supercapacitors
CN115011922B (zh) 一种石墨烯薄膜及由原位非晶碳转为石墨烯薄膜的方法
SUN et al. Effect of copper pretreatment on growth of graphene films by chemical vapor deposition

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant