CN113594146A - 一种液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，包括以下步骤：在基板上沉积电极层，并对电极层进行图案化制程；在电极层上依次沉积无机平坦层和金属反射层；对无机平坦层和金属反射层进行图案化制程，形成多个贯穿所述无机平坦层和金属反射层上的公共孔；在所述金属反射层和公共孔内沉积钝化层，对所述钝化层进行图案化制程，在多个所述公共孔内分别形成贯穿所述钝化层的过孔；在钝化层上排布多个LED，并使多个LED分别与电极层连接。本发明所述制作方法制得的直下式背光灯板不仅克服直下式背光灯板制作过程中温度的影响，解决了反射率不均匀导致的异色风险，降低了老化风险，而且增加了反射区域面积，提升了光效利用率。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示模组技术领域，具体涉及一种液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展，不同种类的显示也纷纷走进人们的视野，如AMOLED显示因具有高色域和高对比度等特点已在手机领域占据主导地位，在电视领域也是独占鳌头，LED直显也在户外和商显展露头角，但液晶显示因为有成熟的工艺、高良率、高信赖行、价格亲民等优势，在手机、平板电脑、笔记本电脑、监视器、电视、电子白板、车载显示及商业广告机等领域依然是显示主流。显示作为信息交互的重要工具，人们对高性价比的显示设备始终孜孜追求，价廉质优的显示始终是广大用户的首选。
现有液晶显示模组直下式背光灯板的结构如图1所示，包括基板1a、电极层2a、白色油墨层3a、电极保护层4a、焊锡5a、LED 6a和透明层7a，现有的液晶显示模组的制作流程通常包括：电极层2a溅射或电镀、电极层2a图案化、电极保护层4a沉积、白色油墨层3a制作、锡膏5a印刷、LED 6a转移、回流焊、透明层7a涂布和固化，白色油墨层3a为有机成分，在将LED 6a通过回流焊接在电极层2a上的过程中，因温度比较高容易造成白色油墨层3a反射率降低或者反射率分布不均并产生异色；如图2所示，白色油墨层3a在LED 6a绑定区预留面积较大，LED 6a的周边存在未涂覆白色油墨层3a的区域，且未涂覆白色油墨层3a的区域不能有效的反射光，导致光利用率下降。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种直下式背光灯板的制作方法，技术方案为：
一种液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、在基板上沉积电极层，并对电极层进行图案化制程形成所需图案结构；
步骤2、在电极层上依次沉积无机平坦层和金属反射层；
步骤3、对无机平坦层和金属反射层进行图案化制程，形成多个贯穿所述无机平坦层和金属反射层上的公共孔；
步骤4、在所述金属反射层和公共孔内沉积钝化层，对所述钝化层进行图案化制程，在多个所述公共孔内分别形成贯穿所述钝化层的过孔，且过孔的孔径小于公共孔的孔径；
步骤5、在钝化层上排布多个LED，并使多个LED分别设置在多个过孔处并与电极层连接。
作为优选，所述金属反射层的材质为金属铝、金属银、金属铬和金属锡中的一种或多种的合金。
作为优选，金属反射层的厚度≥25nm。
作为优选，所述金属反射层背离所述基板的一侧设有凸凹纹理结构。
作为优选，所述金属反射层的截面背离所述基板的一侧呈锯齿形。
作为优选，所述步骤5中，在过孔内沉积电极保护层，再在所述过孔内涂布锡膏，再将多个LED设置在所述过孔处并通过锡膏与电极层连接。
作为优选，还包括步骤6：在所述钝化层上沉积透明膜层并固化，使透明膜层将多个LED包覆在其内部。
本申请还提出了一种液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、在基板上沉积金属反射层；
步骤2、在金属反射层上沉积钝化层；
步骤3、在所述钝化层上沉积电极层，对所述电极层进行图案化制程形成所需图案结构；
步骤4、在电极层上排布多个LED，并使多个LED与电极层连接。
作为优选，所述金属反射层的材质为金属铝、金属银、金属铬和金属锡中的一种或多种的合金。
作为优选，金属反射层的厚度≥25nm。
本发明所述制作方法制得的直下式背光灯板在基板上设置金属反射层，以使金属反射层能够克服直下式背光灯板制作过程中温度的影响，解决了反射率不均匀导致的异色风险，同时降低了老化风险，使直下式背光灯板的使用寿命更长；
金属发射层通过上设置粗糙表面，有利于多个背光灯的均匀混光，减少了液晶显示模组所需膜片的数量，降低液晶显示模组所需的成本，减小液晶显示模组的厚度。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为现有液晶显示模组直下式背光灯板的剖视图；
图2为现有液晶显示模组直下式背光灯板的俯视图；
图3为本发明实施例1所述制作方法制得的直下式背光灯板的剖视图；
图4为本发明实施例1所述金属反射层的结构示意图；
图5为本发明实施例2所述制作方法制得的直下式背光灯板的剖视图。
附图标记的具体含义为：
1、基板；2、背光灯；3、电极层；4、无机平坦层；5、金属反射层；6、公共孔；61、过孔；7、钝化层；8、透明膜层；9、电极保护层；10、锡膏。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例1
参照图3-4，提出本申请的实施例1，实施例1提出一种液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、在基板上沉积电极层，并对电极层进行图案化制程形成所需图案结构；
步骤2、在电极层上依次沉积无机平坦层和金属反射层；
步骤3、对无机平坦层和金属反射层进行图案化制程，形成多个贯穿所述无机平坦层和金属反射层上的公共孔；
步骤4、在所述金属反射层和公共孔内沉积钝化层，对所述钝化层进行图案化制程，在多个所述公共孔内分别形成多个贯穿所述钝化层的过孔，且过孔的孔径小于公共孔的孔径；
步骤5、在钝化层上排布多个LED，并使多个LED分别设置在多个过孔处并与电极层连接。
参照图3所示，采用本实施例制作的所述直下式背光灯板的包括基板1，且所述基板1的一侧依次设有电极层3、无机平坦层4和金属反射层5，且所述金属反射层5位于所述无机平坦层4背离所述基板1的一侧，所述无机平坦层4和金属反射层5上均设有与多个所述背光灯2相匹配的多个公共孔6，每个所述公共孔6的孔壁以及所述金属反射层5背离所述基板1的一侧均覆盖有钝化层7，每个所述公共孔6内分别设有贯穿所述钝化层7的过孔61，多个所述背光灯2分别设置在对应所述过孔61处并与所述电极层3连接。
所述基板1的材质为玻璃基板或有机聚合物复合(PCB/FPC)基板；
所述电极层3材质为金属铜、金属铝、金属钼、金属银、金属铂、金属铬和金属镍中的一种或多种的合金；所述电极层3通过磁控溅射或电镀方式沉积在基板1上，并通过黄光工艺制备成所需的图案结构，电极层3的厚度为0.2-10μm；
所述无机平坦层4和钝化层7是通过化学气相沉积或磁控溅射方法沉积的氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等无机薄膜，无机平坦层4和钝化层7的厚度为0.1-5μm；
金属反射层5是通过磁控溅射或电镀方式沉积在无机平坦层4上的金属层，所述金属反射层5的厚度≥25nm；
所述无机平坦层4、所述金属反射层5通过黄光工艺形成所述公共孔6，所述钝化层7通过黄光工艺形成所述所述过孔61，且所述过孔61的孔径小于所述公共孔6的孔径。
采用本实施例所述制作方法制得的直下式背光灯板中利用金属反射层5来替换现有直下式背光灯板中的白色油墨层，并将金属反射层5设置在无机平坦层4和钝化层7之间并与电极层3隔开，避免所述金属反射层5影响所述直下式背光灯板的正常运行；金属反射层5的反射率比白色油墨的反射率高，提高光效利用率，降低直下式背光灯板的功耗，同时还避免LED在回流焊的过程中影响所述金属反射层5的反射率，保证所述金属反射层5反射率的均一性和产品良率，解决了反射率不均匀导致灯板异色风险，同时降低了老化风险，延长了直下式背光灯板的使用寿命；金属反射层5可以覆盖除公共孔6外的全部区域，所述金属反射层更接近LED，反射面积更大，可以进一步有效提升光的利用率。
具体地，所述步骤5中，在过孔内沉积电极保护层，再在所述过孔内涂布锡膏，再将多个LED设置在所述过孔处并通过锡膏与电极层连接。
还包括步骤6：在所述钝化层上沉积透明膜层并固化，使透明膜层将多个LED包覆在其内部。
所述透明膜层8为纯硅胶、硅树脂、环氧树脂中的一种或多种制作成的透明胶层。
具体的，所述金属反射层5的材质为金属铝、金属银、金属铬和金属锡中的一种或多种的合金，金属铝、金属银、金属铬和金属锡的反射率高，可以达到90％以上，提高光效利用率。
优选地，所述金属反射层5背离所述基板1的一侧为粗糙面。
所述金属反射层5背离所述基板1的一侧为粗糙面以提高混光效果，所述金属反射层5背离所述基板1的粗糙面可以通过设置凸凹纹理结构实现，具体的，参照图4所示，所述金属反射层5的截面背离所述基板1的一侧为锯齿形，或所述金属反射层5的截面背离所述基板1的一侧为波浪形或其它凸凹纹理结构，以使所述金属反射层5背离所述基板1的一侧为粗糙面，有效的改善所述直下式背光灯板的混光效果，减少光学膜片使用数量，有利于降低成本，降低液晶模组厚度。
实施例2
参照图5所示，提出本申请的实施例2，实施例2提出的制作方法包括以下步骤：
步骤1、在基板上沉积金属反射层；
步骤2、在金属反射层上沉积钝化层；
步骤3、在所述钝化层上沉积电极层，对所述电极层进行图案化制程形成所需图案结构；
步骤4、在电极层上排布多个LED，并使多个LED与电极层连接。
参照图5，采用本实施例所述制作方法制作的直下式背光灯板包括基板1，基板1的一侧依次设有金属反射层5和钝化层7，且所述钝化层7位于所述金属反射层5背离所述基板1的一侧，所述钝化层7背离所述金属反射层5的一侧设有电极层3，多个所述背光灯2设置在所述钝化层7背离所述金属反射层5的一侧并与所述电极层3连接。
与实施例1相比，实施例2所述金属反射层5直接沉积在所述基板1上，且金属反射层5设置在基板1和钝化层7之间，以隔开所述电极层3和所述金属反射层5，金属反射层5和无机钝化层7可以覆盖整个灯板或灯板有效混光区，不需要通过过孔连接电极层3和LED，工艺更为简单。
具体地，所述步骤4中，在所述电极层3上沉积电极保护层9，再通过印刷锡膏10用回流焊将Mini-LED焊接在所述电极层3连接。
本实施例中，还包括步骤5：在所述钝化层7上沉积透明膜层8，且透明膜层8将所述电极层3和所述背光灯2均包覆在其内部。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制；凡本行业的普通技术人员均可按说明书附图所示和以上所述而顺畅地实施本发明；但是，凡熟悉本专业的技术人员在不脱离本发明技术方案范围内，利用以上所揭示的技术内容而做出的些许更动、修饰与演变的等同变化，均为本发明的等效实施例；同时，凡依据本发明的实质技术对以上实施例所作的任何等同变化的更动、修饰与演变等，均仍属于本发明的技术方案的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在基板上沉积电极层，并对电极层进行图案化制程形成所需图案结构；
步骤2、在电极层上依次沉积无机平坦层和金属反射层；
步骤3、对无机平坦层和金属反射层进行图案化制程，形成多个贯穿所述无机平坦层和金属反射层上的公共孔；
步骤4、在所述金属反射层和公共孔内沉积钝化层，对所述钝化层进行图案化制程，在多个所述公共孔内分别形成贯穿所述钝化层的过孔，且过孔的孔径小于公共孔的孔径；
步骤5、在钝化层上排布多个LED，并使多个LED分别设置在多个过孔处并与电极层连接。
2.根据权利要求1所述液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，其特征在于，所述金属反射层的材质为金属铝、金属银、金属铬和金属锡中的一种或多种的合金。
3.根据权利要求2所述液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，其特征在于，金属反射层的厚度≥25nm。
4.根据权利要求1所述液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，其特征在于，所述金属反射层背离所述基板的一侧设有凸凹纹理结构。
5.根据权利要求4所述液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，其特征在于，所述金属反射层的截面背离所述基板的一侧呈锯齿形。
6.根据权利要求1所述液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，其特征在于，所述步骤5中，在过孔内沉积电极保护层，再在所述过孔内涂布锡膏，再将多个LED设置在所述过孔处并通过锡膏与电极层连接。
7.根据权利要求1所述液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，其特征在于，还包括步骤6：在所述钝化层上沉积透明膜层并固化，使透明膜层将多个LED包覆在其内部。
8.一种液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在基板上沉积金属反射层；
步骤2、在金属反射层上沉积钝化层；
步骤3、在所述钝化层上沉积电极层，对所述电极层进行图案化制程形成所需图案结构；
步骤4、在电极层上排布多个LED，并使多个LED与电极层连接。
9.根据权利要求8所述液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，其特征在于，所述金属反射层的材质为金属铝、金属银、金属铬和金属锡中的一种或多种的合金。
10.根据权利要求9所述液晶显示模组的直下式背光灯板的制作方法，其特征在于，金属反射层的厚度≥25nm。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023103058A1 (zh) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板以及其制造方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002229022A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Sony Corp | 液晶表示装置及び液晶表示素子用のバックライト装置 |
| US20030086046A1 (en) * | 2001-11-02 | 2003-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflection-transmission type liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| CN101162316A (zh) * | 2006-10-13 | 2008-04-16 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 直下式背光模组 |
| TW200900763A (en) * | 2007-06-25 | 2009-01-01 | ying-jie He | Thin back light module |
| CN101807552A (zh) * | 2010-03-16 | 2010-08-18 | 信利半导体有限公司 | 一种半透射式tft阵列基板制造方法 |
| CN101986189A (zh) * | 2010-10-21 | 2011-03-16 | 友达光电股份有限公司 | 一种反射式液晶显示面板 |
| WO2012035760A1 (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | パナソニック株式会社 | バックライト装置、およびそのバックライト装置を用いた液晶表示装置、およびそれらに用いる発光ダイオード |
| JP2012212824A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｌｅｄ搭載用基板 |
| CN103698918A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 直下式背光模组测试装置 |
| CN104733600A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种倒装led芯片及其制备方法 |
| US20210124215A1 (en) * | 2019-10-28 | 2021-04-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Backlight source manufacturing method, backlight source, and display apparatus |
-
2021
- 2021-08-26 CN CN202110993272.6A patent/CN113594146A/zh active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002229022A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Sony Corp | 液晶表示装置及び液晶表示素子用のバックライト装置 |
| US20030086046A1 (en) * | 2001-11-02 | 2003-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflection-transmission type liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| CN101162316A (zh) * | 2006-10-13 | 2008-04-16 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 直下式背光模组 |
| TW200900763A (en) * | 2007-06-25 | 2009-01-01 | ying-jie He | Thin back light module |
| CN101807552A (zh) * | 2010-03-16 | 2010-08-18 | 信利半导体有限公司 | 一种半透射式tft阵列基板制造方法 |
| WO2012035760A1 (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-22 | パナソニック株式会社 | バックライト装置、およびそのバックライト装置を用いた液晶表示装置、およびそれらに用いる発光ダイオード |
| CN101986189A (zh) * | 2010-10-21 | 2011-03-16 | 友达光电股份有限公司 | 一种反射式液晶显示面板 |
| JP2012212824A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｌｅｄ搭載用基板 |
| CN104733600A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种倒装led芯片及其制备方法 |
| CN103698918A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 直下式背光模组测试装置 |
| US20210124215A1 (en) * | 2019-10-28 | 2021-04-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Backlight source manufacturing method, backlight source, and display apparatus |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023103058A1 (zh) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板以及其制造方法 |
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