CN113555500B - 一种阻变存储器及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种阻变存储器及制备方法，所述阻变存储器包括顶电极、底电极和设置在所述顶电极和所述底电极之间的阻变层，所述阻变层的材料为银咪唑配合物，所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子。本发明将银咪唑配合物作为制备阻变存储器的阻变层的材料，银离子的迁移范围限制在银咪唑配合物晶粒中，缩短了银离子迁移的距离，从而降低了因银离子迁移所消耗的能量，降低了阻变存储器操作电压和功耗。同时，银咪唑配合物晶粒限制银离子的迁移范围可以有效降低银离子迁移随机性，从而提升阻变存储器的均一性和稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种阻变存储器及制备方法。
背景技术
随着信息技术的发展，用户对存储器件的性能要求越来越高，制备高性能的存储器件一直是半导体领域追求的方向。
阻变存储器由于具有结构简单以及数据保持时间长等优点，被业界认为是下一代非易失性存储器的最有力的竞争候选者。而阻变存储器在走向大规模应用之前还需要克服许多困难，其中最关键的难点在于降低器件功耗及提高器件均一性和稳定性等电学性能。
阻变存储器的结构由上至下依次为顶电极、阻变层和底电极。其中，阻变层是影响阻变存储器电学性能的最关键部分。根据2019年《河南科技》关于阻变存储器阻变层材料的专利技术综述中的记载，阻变层材料可以大致分为氧化物材料、有机材料以及固态电解质材料三类。但上述材料作为阻变层仍然存在一些问题，例如固态电解质材料难以与硅基集成电路集成，有机材料的稳定性差等。
因此，探索出完美契合阻变存储器需求的新型阻变层材料以降低阻变存储器的功耗、提高阻变存储器的均一性和稳定性对阻变存储器的发展具有重要意义。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种阻变存储器及制备方法，旨在解决现有阻变存储器的稳定性差的问题。
本发明的技术方案如下：
本发明的第一方面，提供一种阻变存储器，其中，包括顶电极、底电极和设置在所述顶电极和所述底电极之间的阻变层，所述阻变层的材料包括银咪唑配合物，所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子。
可选地，所述咪唑基配体选自咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-硝基咪唑中的一种或多种。
可选地，所述能与银离子形成可溶性盐的阴离子选自硝酸根、氟离子、氯酸根、高氯酸根中的一种或多种。
可选地，所述阻变层的厚度为50-200nm。
可选地，所述顶电极选自Au电极、Pt电极中的一种，和/或，所述底电极选自氧化铟锡电极、铝掺杂氧化锌电极中的一种。
本发明的第二方面，提供一种本发明所述的阻变存储器的制备方法，其中，包括步骤：
提供含有底电极的基底；
将银咪唑配合物加入到水中，得到银咪唑配合物悬浊液，所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子；
将所述银咪唑配合物悬浊液转移到所述底电极上，干燥后得到阻变层；
在所述阻变层上制备顶电极，得到所述阻变存储器。
可选地，所述银咪唑配合物悬浊液中银咪唑配合物的浓度为0.02-0.05mol/L。
可选地，所述银咪唑配合物的制备方法选自水热法、微波法、界面合成法中的一种。
可选地，所述银咪唑配合物的制备方法选自水热法时，所述银咪唑配合物的制备方法包括步骤：
将可溶性银盐和咪唑基配体溶于水中，得到含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液；
将所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液在100-150℃的温度下反应1-6h，离心洗涤后得到所述银咪唑配合物。
可选地，所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液中可溶性银盐的浓度为0.01-0.5mol/L，和/或，所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液中咪唑基配体浓度为1-25mol/L。
有益效果：本发明提供了一种阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括顶电极、底电极和设置在所述顶电极和所述底电极之间的阻变层，所述阻变层的材料包括银咪唑配合物，所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子。本发明将银咪唑配合物作为制备阻变存储器的阻变层的材料，银离子的迁移范围限制在银咪唑配合物晶粒中，缩短了银离子迁移的距离，从而降低了因银离子迁移所消耗的能量，降低了阻变存储器操作电压和功耗。同时，银咪唑配合物晶粒限制银离子的迁移范围可以有效降低银离子迁移随机性，从而提升阻变存储器的均一性和稳定性。
附图说明
图1为本发明实施例中阻变存储器的结构示意图。
图2为本发明实施例1中的银咪唑配合物Ag(C3H4N2)2NO3的X射线衍射图。
图3中(a)为本发明实施例1中的银咪唑配合物Ag(C3H4N2)2NO3的透射电子显微镜图，(b)为本发明实施例1中的银咪唑配合物Ag(C3H4N2)2NO3的Ag元素Mapping图，(c)为本发明实施例1中的银咪唑配合物Ag(C3H4N2)2NO3的C元素Mapping图，(d)为本发明实施例1中的银咪唑配合物Ag(C3H4N2)2NO3的N元素的Mapping图。
图4为本发明实施例1中的阻变存储器的存储性测试结果图。
图5为本发明实施例1中的阻变存储器的稳定性测试结果图。
具体实施方式
本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种阻变存储器，其中一种结构示意图如图1所示，从上到下依次为顶电极、阻变层和底电极，所述阻变层的材料包括银咪唑配合物，所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子。
本实施例中，银咪唑配合物由银离子、咪唑基配体及能与银离子形成可溶性盐的阴离子构成，其中银离子和咪唑基配体中的N原子配位形成基本骨架，咪唑基配体再与未配位的能与银离子形成可溶性盐的阴离子通过氢键结合，也即银离子和咪唑基配体通过银离子与咪唑基配体中的N原子形成的配位键结合在一起，未配位的能与银离子形成可溶性盐的阴离子与咪唑基配体通过氢键结合在一起，从而构成银咪唑配合物。本实施方式中将银咪唑配合物作为阻变存储器中阻变层的材料，银咪唑配合物能够在电激励下获得一个电子被还原成银原子和咪唑基配体分子，该银原子在阻变层中作为银导电细丝的组成部分，而银导电细丝的形成是阻变存储器电致电阻转变行为的重要因素(银导电细丝可连通顶电极和底电极使阻变存储器处于低阻状态)，随后，银原子能够在电激励下失去一个电子被氧化成银离子，该银离子与阻变层中的咪唑基配体分子中的N原子配位，重新生成银咪唑配合物，此时银导电细丝断裂，阻变存储器恢复高阻状态。因此，银咪唑配合物具有氧化还原反应的结构可逆性和电致电阻转变行为。由于银咪唑配合物以纳米晶体的形态存在，晶体之间有物理界面，银离子的迁移范围会限制在银咪唑配合物晶粒中也即晶体限域作用，缩短了银离子迁移的距离，从而降低了因银离子迁移所消耗的能量，降低了阻变存储器操作电压和功耗。同时，银咪唑配合物晶粒限制银离子的迁移范围可以有效降低银离子迁移随机性，从而提升阻变存储器的均一性和稳定性。
在一种实施方式中，所述阻变层的厚度为50-200nm。
在一种实施方式中，所述顶电极的厚度为30-50nm，所述底电极的厚度为200-500nm。
在一种实施方式中，所述阻变层的材料为银咪唑配合物，所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子。例如，当x＝1，y＝2时，所述银咪唑配合物的化学式为Ag(MI)2Z；当x＝1，y＝3时，所述银咪唑配合物的化学式为Ag(MI)3Z；当x＝2，y＝3时，所述银咪唑配合物的化学式为Ag2(MI)3Z2。当然本发明所述银咪唑配合物的化学式不限于上述举例。
在一种实施方式中，所述阻变层由银咪唑配合物纳米颗粒构成，所述纳米颗粒的形貌可以为圆形、方形、棱柱形等中的一种，但不限于此。
本实施方式中，采用不同的制备方法制备得到的银咪唑配合物纳米颗粒会有不同的形貌。一般来说，采用水热法制备的银咪唑配合物纳米颗粒的形貌为棱柱形，采用微波法和界面合成法制备的银咪唑配合物纳米颗粒形貌为方形。本发明对银咪唑配合物的微观形貌不作限制，其他微观形貌只要满足所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子都适用于本发明。
在一种实施方式中，所述咪唑基配体选自咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-硝基咪唑中的一种或多种，但不限于此。
在一种实施方式中，所述能与银离子形成可溶性盐的阴离子选自硝酸根、氟离子、氯酸根、高氯酸根中的一种或多种，但不限于此。需要说明的是，可溶性盐指的是在水中具有较大溶解度的盐。
在一种实施方式中，所述顶电极选自Au电极、Pt电极中的一种，但不限于此。所述顶电极一般由具有延伸性的金属材料构成，所述金属材料选自不参与电化学氧化还原反应的惰性金属，例如可以是金属Au、金属Pt。
在一种实施方式中，所述底电极选自氧化铟锡电极、铝掺杂氧化锌电极中的一种，但不限于此，所述氧化铟锡电极、铝掺杂氧化锌电极具有导电率高和化学稳定性好的优点。
在一种实施方式中，所述顶电极选自Au电极、Pt电极中的一种，所述底电极选自氧化铟锡电极、铝掺杂氧化锌电极中的一种。
本发明实施例还提供一种本发明实施例所述的阻变存储器的制备方法，其中，包括步骤：
S1、提供含有底电极的基底；
S2、将银咪唑配合物加入到水中，得到银咪唑配合物悬浊液，所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子；
S3、将所述银咪唑配合物悬浊液转移到所述底电极上，干燥后得到阻变层；
S4、在所述阻变层上制备顶电极，得到所述阻变存储器。
步骤S1中，在一种实施方式中，所述基底的厚度为0.1-1cm。
在一种实施方式中，所述基底选自玻璃基底，但不限于此，其他适用于阻变存储器的基底也适用于本发明。玻璃基底具有机械性能好的特性，能够为制备的阻变存储器提供有效的支撑作用。
在一种实施方式中，所述底电极的厚度为200-500nm。
在一种实施方式中，所述底电极选自氧化铟锡电极、铝掺杂氧化锌电极中的一种，但不限于此，所述氧化铟锡电极、铝掺杂氧化锌电极具有导电率高和化学稳定性好的优点。
步骤S2中，在一种实施方式中，所述银咪唑配合物悬浊液中银咪唑配合物的浓度为0.02-0.05mol/L。
在一种实施方式中，所述银咪唑配合物的制备方法选自水热法、微波法、界面合成法中的一种。
在一种实施方式中，所述银咪唑配合物的制备方法选自水热法时，所述银咪唑配合物的制备方法包括步骤：
将可溶性银盐和咪唑基配体溶于水中，得到含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液；
将所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液在100-150℃的温度下反应1-6h，离心洗涤后得到所述银咪唑配合物。
可将本实施方式中制备得到的银咪唑配合物加入到水中，得到银咪唑配合物悬浊液，然后再转移到底电极上，也可以将最后一次洗涤的去离子水保留，直接配制成银咪唑配合物悬浊液，然后再转移到底电极上。
在一种实施方式中，所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液中可溶性银盐的浓度为0.01-0.5mol/L。
因为过高的银盐浓度会使阻变层的电阻急剧下降，丧失电致电阻转变能力，所以本实施方式中，所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液中可溶性银盐的浓度为0.01-0.5mol/L。
在一种实施方式中，所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液中咪唑基配体浓度为1-25mol/L。
在一种实施方式中，所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液中可溶性银盐的浓度为0.01-0.5mol/L，所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液中咪唑基配体浓度为1-25mol/L。
在一种实施方式中，所述可溶性银盐选自硝酸银、氟化银、氯酸银、高氯酸银中的一种或多种，但不限于此。
在一种实施方式中，所述咪唑基配体选自咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-硝基咪唑中的一种或多种，但不限于此。
步骤S3中，在一种实施方式中，所述阻变层的厚度为50-200nm。
在一种实施方式中，所述将所述银咪唑配合物悬浊液转移到所述底电极上前，还包括步骤：将所述银咪唑配合物悬浊液震荡均匀。
在一种实施方式中，将所述银咪唑配合物悬浊液转移到所述底电极上，可以通过包括但不限于旋涂的方法将所述银咪唑配合物悬浊液涂覆在所述底电极上。通过旋涂速度和旋涂时间的控制可以制备不同厚度的阻变层，进而优化阻变存储器的电学性能。
在一种实施方式中，所述干燥的温度小于60℃，也就是说将所述银咪唑配合物悬浊液转移到所述底电极上，然后在小于60℃的温度下干燥后得到阻变层。过高的干燥温度会使阻变层中银咪唑配合物的结构发生改变，破坏阻变存储器存储性能。
步骤S4中，在一种实施方式中，可以通过包括但不限于蒸镀法在所述阻变层上制备顶电极。
在一种实施方式中，所述通过蒸镀法在所阻变层上制备所述顶电极，所述蒸镀速度为0.05-0.1埃米/秒，仪器真空度为10-6Torr以下，制备的顶电极厚度为30-50nm。蒸镀速度和仪器真空度影响顶电极的厚度和均匀性，当蒸镀速度为0.05-0.1埃米/秒，仪器真空度为10-6Torr以下，可以使得顶电极具有较佳的厚度和均匀性。
下面通过具体的实施例对本发明作进一步地说明。
实施例1
银咪唑配合物Ag(C3H4N2)2NO3悬浮液的制备：
将0.005mol硝酸银(AgNO3)和0.5mol咪唑加入到100mL去离子水中，磁力搅拌30min后移入外壳为不锈钢、内衬为四氟乙烯的反应釜中，在常压150℃条件下加热6h，冷却至室温，将反应釜中的溶液用去离子水离心洗涤，最后一次洗涤的去离子水保留，得到0.05mol/L银咪唑配合物Ag(C3H4N2)2NO3悬浊液。所制备的银咪唑配合物Ag(C3H4N2)2NO3为正交晶系，空间群为P212121，其X射线衍射图如图2所示，透射电子显微镜图及其对应元素Mapping图如图3所示，其中(a)为透射电子显微镜图，(b)为Ag元素Mapping图，(c)为C元素Mapping图，(d)为N元素Mapping图。
阻变存储器的制备：
将上述银咪唑配合物Ag(C3H4N2)2NO3悬浮液逐滴滴加至ITO底电极上(ITO底电极底部设置有玻璃基底，其中玻璃基底厚度为0.5cm，ITO底电极的厚度为300nm)，然后进行旋涂操作，旋涂过程中先以500rpm旋涂5s，再以3000rpm旋涂35s，然后在50℃下烘干，制备得到厚度为100nm银咪唑配合物阻变层，然后放入热蒸镀仪中，蒸镀速度为0.1埃米/秒，真空度为10-6Torr，在银咪唑配合物阻变层上蒸镀得到厚度为40nm金顶电极，该阻变存储器的结构由下至上依次为玻璃基底、ITO底电极、银咪唑配合物阻变层、金顶电极。
对阻变存储器进行存储性能测试、稳定性测试，阻变存储器的以上测试是通过Keysight B1500A半导体器件参数分析仪来进行测试。
阻变存储器的存储性测试结果如图4所示，从图4中可以看出，该阻变存储器具有电致电阻转变行为，由于银咪唑配合物阻变层中银离子的迁移范围限制在银咪唑晶粒中，缩短了银离子迁移的距离，从而降低了因银离子迁移所消耗的能量，降低了阻变存储器的操作电压，进而降低了功耗。其开启电压在0.5V左右，低于正常的开启电压(1-5V)，说明该阻变存储器具有开启电压低的特性。
阻变存储器的稳定性测试结果如图5所示，从图5中可以看出，该阻变存储器在高电阻态和低电阻态下在一段时间内表现出优秀的稳定性。
实施例2
银咪唑配合物Ag(C4H6N2)2NO3悬浮液的制备：
将0.001mol硝酸银(AgNO3)和0.1mol 2-甲基咪唑加入到100mL去离子水中，磁力搅拌30min后移入外壳为不锈钢、内衬为四氟乙烯的反应釜中，在常压100℃条件下加热3h，冷却至室温；将反应釜中的溶液用去离子水离心洗涤，最后一次洗涤后去离子水保留，得到0.02mol/L银咪唑配合物Ag(C4H6N2)2NO3悬浊液。
阻变存储器的制备：
将上述银咪唑配合物Ag(C4H6N2)2NO3悬浊液逐滴滴加至ITO底电极上(ITO底电极底部设置有玻璃基底，其中玻璃基底厚度为0.5cm，ITO底电极的厚度为300nm)，然后进行旋涂操作，旋涂过程中先以500rpm旋涂5s，再以3000rpm旋涂35s，然后在50℃下烘干，制备得到厚度为100nm银咪唑配合物阻变层，然后放入热蒸镀仪中，蒸镀速度为0.1埃米/秒，真空度为10-6Torr，在银咪唑配合物阻变层上蒸镀得到厚度为30nm金电极，该阻变存储器的结构由下至上依次为玻璃基底、ITO底电极、银咪唑配合物阻变层、金顶电极。
实施例3
银咪唑配合物Ag(C5H6N2)4NO3悬浮液的制备：
将0.05mol硝酸银(AgNO3)和2.5mol 2-乙基咪唑加入到100mL去离子水中，磁力搅拌30min后移入外壳为不锈钢、内衬为四氟乙烯的反应釜中，在常压120℃条件下加热6h，冷却至室温；将反应釜中的溶液用去离子水离心洗涤，最后一次洗涤后去离子水保留，得到0.05mol/L银咪唑配合物Ag(C5H6N2)4NO3悬浊液。
阻变存储器的制备：
将上述银咪唑配合物Ag(C5H6N2)4NO3悬浊液逐滴滴加至ITO底电极上(ITO底电极底部设置有玻璃基底，其中玻璃基底厚度为0.5cm，ITO底电极的厚度为300nm)，然后进行旋涂操作，旋涂过程中先以500rpm旋涂5s，再以3000rpm旋涂35s，然后再50℃下烘干，制备得到厚度为100nm银咪唑配合物阻变层，然后放入热蒸镀仪中，蒸镀速度为0.1埃米/秒，真空度为10-6Torr，在银咪唑配合物阻变层上蒸镀得到厚度为50nm金电极，该阻变存储器的结构由下至上依次为玻璃基底、ITO底电极、银咪唑配合物阻变层、金顶电极。
综上所述，本发明提供的一种阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括顶电极、底电极和设置在所述顶电极和所述底电极之间的阻变层，所述阻变层的材料为银咪唑配合物，所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子。本发明将银咪唑配合物作为制备阻变存储器的阻变层的材料，银离子的迁移范围限制在银咪唑配合物晶粒中，缩短了银离子迁移的距离，从而降低了因银离子迁移所消耗的能量，降低了阻变存储器操作电压和功耗。同时，银咪唑配合物晶粒限制银离子的迁移范围可以有效降低银离子迁移随机性，从而提升阻变存储器的均一性和稳定性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种阻变存储器，其特征在于，包括顶电极、底电极和设置在所述顶电极和所述底电极之间的阻变层，所述阻变层的材料包括银咪唑配合物，所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子；
在电激励下所述银咪唑配合物中的银离子在银咪唑配合物的晶体中原位被还原形成导电细丝，所述导电细丝连通顶电极和底电极使得所述阻变存储器处于低阻状态，逆过程时所述导电细丝在电激励下失去一个电子被氧化成银离子，该银离子与阻变层中的咪唑基配体分子中的N原子配位，重新生成银咪唑配合物，此时银导电细丝断裂。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述咪唑基配体选自咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-硝基咪唑中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述能与银离子形成可溶性盐的阴离子选自硝酸根、氟离子、氯酸根、高氯酸根中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的厚度为50-200nm。
5.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极选自Au电极、Pt电极中的一种，和/或，所述底电极选自氧化铟锡电极、铝掺杂氧化锌电极中的一种。
6.一种如权利要求1-5任一项所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供含有底电极的基底；
将银咪唑配合物加入到水中，得到银咪唑配合物悬浊液，所述银咪唑配合物的化学式为Agx(MI)yZx，其中，1≤x≤2，2≤y≤4，x、y均为正整数，MI为咪唑基配体，Z为能与银离子形成可溶性盐的阴离子；
将所述银咪唑配合物悬浊液转移到所述底电极上，干燥后得到阻变层；
在所述阻变层上制备顶电极，得到所述阻变存储器。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述银咪唑配合物悬浊液中银咪唑配合物的浓度为0.02-0.05mol/L。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述银咪唑配合物的制备方法选自水热法、微波法、界面合成法中的一种。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述银咪唑配合物的制备方法选自水热法时，所述银咪唑配合物的制备方法包括步骤：
将可溶性银盐和咪唑基配体溶于水中，得到含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液；
将所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液在100-150℃的温度下反应1-6h，离心洗涤后得到所述银咪唑配合物。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液中可溶性银盐的浓度为0.01-0.5mol/L，和/或，所述含有可溶性银盐和咪唑基配体的水溶液中咪唑基配体浓度为1-25mol/L。
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