CN113524848A - 一种低粗糙度离型膜基膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及聚酯薄膜技术领域，尤其涉及一种低粗糙度离型膜基膜及其制备方法。目前国内生产的聚酯薄膜表面粗糙度Rz、Rmax值较大，Rz与Ra的比值较高，聚酯薄膜的表面粗糙度和粗糙度波动较大，严重影响聚酯薄膜在高端光电显示行业的应用。基于上述问题，本发明提供一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，其A层材料成分中包括表面改性母料Ⅰ和表面改性母料Ⅱ，所述表面改性母料Ⅱ可以使聚酯薄膜获得较好的光学性能、加工稳定性和较低的表面粗糙度，所述表面改性母料Ⅰ可以有效填补表面改性母料Ⅱ产生的表面轮廓起伏，减小粗糙度的波动范围。

Description

一种低粗糙度离型膜基膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及聚酯薄膜技术领域，尤其涉及一种低粗糙度离型膜基膜及其制备方法。
背景技术
双向拉伸聚酯薄膜由于具有良好的光学性能、综合力学性能、收缩稳定性、耐热耐寒性以及优良电气绝缘性能及加工性能，广泛应用于包装、工业、电子、电气等众多领域。随着聚酯薄膜在光电显示领域应用的不断深入和拓展，对聚脂薄膜的要求越来越高，需要赋予聚酯薄膜更优异的光学性能、机械强度性能、表面性能等。由于高端基膜技术壁垒较高，国内大部分聚酯薄膜在光电显示行业主要应用于离型保护膜，最终需要剥离。
粗糙度是聚脂薄膜应用中重要指标，其中，Ra为轮廓算数平均偏差，Rz为微观不平度十点高度，Rmax为轮廓最大高度。一般来说，Rz的值是Ra值的10倍，倍数越高，说明粗糙度波动范围越大，粗糙度波动范围较大，不利于薄膜产品的后续加工，尤其是在高端光电显示用聚酯薄膜行业，较高的Rz和Rmax可能会直接导致产品加工不良。
目前国内生产的聚酯薄膜普遍存在的问题是：（1）聚酯薄膜表面粗糙度Rz、Rmax值较大，后续加工过程中容易出现针眼、漏涂等现象，降低产品良品率；（2）粗糙度波动范围较大，涂胶过程中出现厚度不均，剥离过程中，经常会出现离型剂或胶脱落，并迁移至加工层，导致加工层产品质量下降，甚至影响使用。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明要解决的技术问题是：目前国内生产的聚酯薄膜表面粗糙度Rz、Rmax值较大，Rz与Ra的比值较高，聚酯薄膜的表面粗糙度和粗糙度波动较大，严重影响聚酯薄膜在高端光电显示行业的应用。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明提供一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 40-90%
表面改性母料Ⅰ 5-45%
表面改性母料Ⅱ 5-45%
具体地，所述聚酯切片为FG600基料型膜级聚酯切片、CZ-5011超有光聚酯切片、TN8065S膜级PEN切片中的一种或两种以上的组合物。
具体地，所述表面改性母料Ⅰ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
（1）在反应器中加入1820份对苯二甲酸、10.9-54.4份纳米无机分散液Ⅰ、680-700份乙二醇、0.5-1份稳定剂、1-1.5份催化剂，在氮气保护下将反应器的温度升至170-235℃，恒温熔融10-100min；
（2）待步骤（1）中的物料熔融后，将反应器内的温度升至210-290℃，恒温反应60-360min；然后将反应器内的压力降至10-500Pa，将反应器内的温度升至260-340℃，恒温反应10-120min，反应结束后，反应过程中通过蒸馏的方式去除小分子杂质，最后通过熔融挤出造粒得到粘度为0.60-0.65dL/g、熔点为253-262℃、分子量为20000-30000、纳米无机填料Ⅰ质量百分比为0.2%-1%的表面改性母料Ⅰ。
具体地，所述无机分散液Ⅰ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
将100份纳米无机填料Ⅰ、2-4份分散剂、700份的乙二醇加入高速混合机中进行分散混合，分散速度为1000-1200rpm，分散时间为30-60min，即得无机分散液Ⅰ。
具体地，所述纳米无机填料Ⅰ的粒径为20-100nm。
具体地，所述纳米无机填料Ⅰ为二氧化硅、二氧化钛、碳酸钙、硫酸钡、蒙脱土、氧化铝、云母中的一种或两种以上混合物。
具体地，所述表面改性母料Ⅱ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
（1）在反应器中加入1690份对苯二甲酸、10.2-170份无机分散液Ⅱ、680-700份乙二醇、0.5-1份稳定剂、1-1.5份催化剂，在氮气保护下将反应器的温度升至170-235℃，恒温熔融10-100min；
（2）待步骤（1）中的物料熔融后，将反应器内的温度升至210-290℃，恒温反应60-360min；然后将反应器内的压力降至10-500Pa，将反应器内的温度升至260-340℃，恒温反应10-120min；反应过程中通过蒸馏的方法去除小分子杂质，最后通过熔融挤出造粒得到粘度为0.60-0.68dL/g、熔点为255-265℃、分子量为20000-30000、纳米无机填料Ⅱ质量百分比为0.3%-5%的表面改性母料Ⅱ。
具体地，所述无机分散液Ⅱ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
将100份纳米无机填料Ⅱ、1-2份分散剂、400份的乙二醇加入高速混合机中进行分散混合，分散速度为800-1000rpm，分散时间为20-40min，即得到无机分散液Ⅱ。
具体地，所述纳米无机填料Ⅱ的粒径为500-900nm。
具体地，所述纳米无机填料Ⅱ为二氧化硅、二氧化钛、碳酸钙、硫酸钡、蒙脱土、氧化铝、云母中的一种或两种以上混合物。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜，所述A层物料与B层物料的投料比为4：11；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）铸片在预热后进行双向拉伸，纵向拉伸2.6-3.6倍，横向拉伸3-4倍；
（4）双向拉伸后的铸片经热定型、冷却后得到厚度为10-300μm的低粗糙度离型膜基膜。
具体地，步骤（3）中所述的预热温度为65-90℃。
具体地，步骤（4）中所述的热定型温度为225-250℃。
本发明的有益效果是：
（1）本发明采用表面改性母料Ⅰ和表面改性母料Ⅱ两种混合材料作为聚酯薄膜表层填料，较好地解决了纳米填料分散过程中出现的团聚问题，从而可以较好地降低聚酯薄膜的粗糙度Rz和Rmax值；
（2）本发明聚酯表层成分中采用500-900nm的表面改性母料Ⅱ，不仅可以获得较好的光学性能，满足生产过程中需要的开口性能还能降低聚酯薄膜表层的粗糙度；成分中添加粒径为10-100nm的表面改性母料Ⅰ，可以有效填补表面改性母料2产生的表面轮廓起伏，进一步减小表层薄膜粗糙度的波动范围；
（3）本发明聚酯薄膜的制备工艺简单，容易操作，成本低，加工性好，适用性强。
具体实施方式
现在结合实施例对本发明作进一步详细的说明。
本发明以下实施例中所采用的分散剂是氨基硅烷类N-β-（氨乙基）-γ-氨丙基三甲氧基硅烷；
本发明以下实施例中所采用的稳定剂为磷酸三甲酯与磷酸三苯酯按重量比1:1组成的混合物。
本发明以下实施例中所采用的催化剂为日本三井CA135钛基催化剂。
本发明以下实施例中所采用的聚酯切片为FG600基料型膜级聚酯切片、CZ-5011超有光聚酯切片、TN8065S膜级PEN切片中的一种或两种以上的组合物。
本发明以下实施例中所采用的表面改性母料Ⅰ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
（1）在反应器中加入1820份对苯二甲酸、10.9-54.4份纳米无机分散液Ⅰ、680-700份乙二醇、0.5-1份稳定剂、1-1.5份催化剂，在氮气保护下将反应器的温度升至170-235℃，恒温熔融10-100min；
（2）待步骤（1）中的物料熔融后，将反应器内的温度升至210-290℃，恒温反应60-360min；然后将反应器内的压力降至10-500Pa，将反应器内的温度升至260-340℃，恒温反应10-120min，反应结束后，反应过程中通过蒸馏的方式去除小分子杂质，最后通过熔融挤出造粒得到粘度为0.60-0.65dL/g、熔点为253-262℃、分子量为20000-30000、纳米无机填料Ⅰ质量百分比为0.2%-1%的表面改性母料Ⅰ。
本发明以下实施例中所采用的无机分散液Ⅰ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
将100份纳米无机填料Ⅰ、2-4份分散剂、700份的乙二醇加入高速混合机中进行分散混合，分散速度为1000-1200rpm，分散时间为30-60min，即得无机分散液Ⅰ。
本发明以下实施例中所采用的纳米无机填料Ⅰ是粒径为20-100nm的二氧化硅、二氧化钛、碳酸钙、硫酸钡、蒙脱土、氧化铝、云母中的一种或两种以上混合物。
本发明以下实施例中所采用的表面改性母料Ⅱ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
（1）在反应器中加入1690份对苯二甲酸、10.2-170份无机分散液Ⅱ、680-700份乙二醇、0.5-1份稳定剂、1-1.5份催化剂，在氮气保护下将反应器的温度升至170-235℃，恒温熔融10-100min；
（2）待步骤（1）中的物料熔融后，将反应器内的温度升至210-290℃，恒温反应60-360min；然后将反应器内的压力降至10-500Pa，将反应器内的温度升至260-340℃，恒温反应10-120min；反应过程中通过蒸馏的方法去除小分子杂质，最后通过熔融挤出造粒得到粘度为0.60-0.68dL/g、熔点为255-265℃、分子量为20000-30000、纳米无机填料Ⅱ质量百分比为0.3%-5%的表面改性母料Ⅱ。
本发明以下实施例中所采用的无机分散液Ⅱ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
将100份纳米无机填料Ⅱ、1-2份分散剂、400份的乙二醇加入高速混合机中进行分散混合，分散速度为800-1000rpm，分散时间为20-40min，即得到无机分散液Ⅱ。
本发明以下实施例中所采用的纳米无机填料Ⅱ是粒径为500-900nm的二氧化硅、二氧化钛、碳酸钙、硫酸钡、蒙脱土、氧化铝、云母中的一种或两种以上混合物。
实施例1
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 90%
表面改性母料Ⅰ 5%
表面改性母料Ⅱ 5%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在80℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸3.1倍，横向拉伸3.5倍；
（4）双向拉伸后的铸片经230℃下热定型、冷却后得到厚度为150μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为20μm，A层表面的粗糙度Ra为9nm，
粗糙度Rz为53nm，粗糙度Rmax为98nm。
实施例2
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 85%
表面改性母料Ⅰ 5%
表面改性母料Ⅱ 10%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在83℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸3.0倍，横向拉伸3.3倍；
（4）双向拉伸后的铸片经225℃下热定型、冷却后得到厚度为188μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为15μm，A层表面的粗糙度Ra为10nm，粗糙度Rz为57nm，粗糙度Rmax为101nm。
实施例3
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 80%
表面改性母料Ⅰ 15%
表面改性母料Ⅱ 5%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在81℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸3.4倍，横向拉伸3.8倍；
（4）双向拉伸后的铸片经232℃下热定型、冷却后得到厚度为75μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为15μm，A层表面的粗糙度Ra为10nm，粗糙度Rz为58nm，粗糙度Rmax为103nm。
实施例4
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 75%
表面改性母料Ⅰ 10%
表面改性母料Ⅱ 15%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在87℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸3.0倍，横向拉伸3.5倍；
（4）双向拉伸后的铸片经238℃下热定型、冷却后得到厚度为250μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为15μm，A层表面的粗糙度Ra为11nm，粗糙度Rz为60nm，粗糙度Rmax为108nm。
实施例5
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 70%
表面改性母料Ⅰ 15%
表面改性母料Ⅱ 15%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在79℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸3.3倍，横向拉伸3.9倍；
（4）双向拉伸后的铸片经235℃下热定型、冷却后得到厚度为50μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为16μm，A层表面的粗糙度Ra为11nm，粗糙度Rz为61nm，粗糙度Rmax为106nm。
实施例6
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 65%
表面改性母料Ⅰ 25%
表面改性母料Ⅱ 10%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在70℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸3.6倍，横向拉伸4倍；
（4）双向拉伸后的铸片经250℃下热定型、冷却后得到厚度为10μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为5μm，A层表面的粗糙度Ra为14nm，粗糙度Rz为77nm，粗糙度Rmax为121nm。
实施例7
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 60%
表面改性母料Ⅰ 10%
表面改性母料Ⅱ 30%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在83℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸2.9倍，横向拉伸3.8倍；
（4）双向拉伸后的铸片经238℃下热定型、冷却后得到厚度为125μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为12μm，A层表面的粗糙度Ra为11nm，粗糙度Rz为62nm，粗糙度Rmax为108nm。
实施例8
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 55%
表面改性母料Ⅰ 40%
表面改性母料Ⅱ 5%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在90℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸2.6倍，横向拉伸3倍；
（4）双向拉伸后的铸片经245℃下热定型、冷却后得到厚度为300μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为20μm，A层表面的粗糙度Ra为9nm，粗糙度Rz为50nm，粗糙度Rmax为97nm。
实施例9
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 50%
表面改性母料Ⅰ 5%
表面改性母料Ⅱ 45%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在80℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸3.5倍，横向拉伸3.6倍；
（4）双向拉伸后的铸片经242℃下热定型、冷却后得到厚度为50μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为12μm，A层表面的粗糙度Ra为12nm，粗糙度Rz为68nm，粗糙度Rmax为109nm。
实施例10
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 48%
表面改性母料Ⅰ 20%
表面改性母料Ⅱ 32%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在87℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸2.8倍，横向拉伸3.3倍；
（4）双向拉伸后的铸片经235℃下热定型、冷却后得到厚度为275μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为18μm，A层表面的粗糙度Ra为10nm，粗糙度Rz为55nm，粗糙度Rmax为98nm。
实施例11
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 45%
表面改性母料Ⅰ 45%
表面改性母料Ⅱ 10%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在75℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸3.6倍，横向拉伸3.8倍；
（4）双向拉伸后的铸片经248℃下热定型、冷却后得到厚度为38μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为10μm，A层表面的粗糙度Ra为13nm，粗糙度Rz为74nm，粗糙度Rmax为113nm。
实施例12
一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 40%
表面改性母料Ⅰ 30%
表面改性母料Ⅱ 30%。
具体地，所述的低粗糙度离型膜基膜，按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）将铸片在83℃下预热后进行双向拉伸，纵向拉伸3.2倍，横向拉伸3.5倍；
（4）双向拉伸后的铸片经240℃下热定型、冷却后得到厚度为100μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为14μm，A层表面的粗糙度Ra为10nm，粗糙度Rz为53nm，粗糙度Rmax为100nm。
对比例1同实施例1，不同之处在于，对比例1中A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 90%
表面改性母料Ⅰ 10%。
对比例1也得到厚度为150μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为20μm，A层表面的粗糙度Ra为14nm，粗糙度Rz为102nm，粗糙度Rmax为129nm。
对比例2同实施例1，不同之处在于，对比例2中A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 90%
表面改性母料Ⅱ 10%。
对比例2也得到厚度为150μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为20μm，A层表面的粗糙度Ra为15nm，粗糙度Rz为120nm，粗糙度Rmax为143nm。
对比例3同实施例1，不同之处在于，对比例3中所用的稳定剂为磷酸三甲酯，对比例3也得到厚度为150μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为20μm，A层表面的粗糙度Ra为17nm，粗糙度Rz为148nm，粗糙度Rmax为177nm。
对比例4同实施例1，不同之处在于，对比例4中所采用的稳定剂为磷酸三苯酯，对比例4也得到厚度为150μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为20μm，A层表面的粗糙度Ra为17nm，粗糙度Rz为153nm，粗糙度Rmax为186nm。
对比例5同实施例1，不同之处在于，对比例5中所采用的稳定剂为磷酸三甲酯与磷酸三苯酯按重量比1:2组成的混合物，对比例5也得到厚度为150μm的低粗糙度离型膜基膜，其中，所述A层薄膜的厚度为20μm，A层表面的粗糙度Ra为16nm，粗糙度Rz为151nm，粗糙度Rmax为190nm。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (10)

1.一种低粗糙度离型膜基膜，包括ABA三层共挤薄膜，所述B层材料成分为聚酯切片，其特征在于：
所述A层材料成分，以质量百分含量计，包括以下组成：
聚酯切片 40-90%
表面改性母料Ⅰ 5-45%
表面改性母料Ⅱ 5-45%。
2.根据权利要求1所述的低粗糙度离型膜基膜，其特征在于：所述聚酯切片为FG600基料型膜级聚酯切片、CZ-5011超有光聚酯切片、TN8065S膜级PEN切片中的一种或两种以上的组合物。
3.根据权利要求1所述的低粗糙度离型膜基膜，其特征在于，所述表面改性母料Ⅰ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
（1）在反应器中加入1820份对苯二甲酸、10.9-54.4份纳米无机分散液Ⅰ、680-700份乙二醇、0.5-1份稳定剂、1-1.5份催化剂，在氮气保护下将反应器的温度升至170-235℃，恒温熔融10-100min；
（2）待步骤（1）中的物料熔融后，将反应器内的温度升至210-290℃，恒温反应60-360min；然后将反应器内的压力降至10-500Pa，将反应器内的温度升至260-340℃，恒温反应10-120min，反应结束后，反应过程中通过蒸馏的方式去除小分子杂质，最后通过熔融挤出造粒得到粘度为0.60-0.65dL/g、熔点为253-262℃、分子量为20000-30000、纳米无机填料Ⅰ质量百分比为0.2%-1%的表面改性母料Ⅰ。
4.根据权利要求3所述的低粗糙度离型膜基膜，其特征在于，所述无机分散液Ⅰ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
将100份纳米无机填料Ⅰ、2-4份分散剂、700份的乙二醇加入高速混合机中进行分散混合，分散速度为1000-1200rpm，分散时间为30-60min，即得无机分散液Ⅰ。
5.根据根据权利要求4所述的低粗糙度离型膜基膜，其特征在于：所述纳米无机填料Ⅰ的粒径为20-100nm。
6.根据权利要求1所述的低粗糙度离型膜基膜，其特征在于，所述表面改性母料Ⅱ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
（1）在反应器中加入1690份对苯二甲酸、10.2-170份无机分散液Ⅱ、680-700份乙二醇、0.5-1份稳定剂、1-1.5份催化剂，在氮气保护下将反应器的温度升至170-235℃，恒温熔融10-100min；
（2）待步骤（1）中的物料熔融后，将反应器内的温度升至210-290℃，恒温反应60-360min；然后将反应器内的压力降至10-500Pa，将反应器内的温度升至260-340℃，恒温反应10-120min；反应过程中通过蒸馏的方法去除小分子杂质，最后通过熔融挤出造粒得到粘度为0.60-0.68dL/g、熔点为255-265℃、分子量为20000-30000、纳米无机填料Ⅱ质量百分比为0.3%-5%的表面改性母料Ⅱ。
7.根据权利要求6所述的低粗糙度离型膜基膜，其特征在于：所述无机分散液Ⅱ，以重量份数计，按照以下步骤制备：
将100份纳米无机填料Ⅱ、1-2份分散剂、400份的乙二醇加入高速混合机中进行分散混合，分散速度为800-1000rpm，分散时间为20-40min，即得到无机分散液Ⅱ。
8.根据权利要求7所述的低粗糙度离型膜基膜，其特征在于：所述纳米无机填料Ⅱ的粒径为500-900nm。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的低粗糙度离型膜基膜，其特征在于：按照以下步骤制备：
（1）按照配方量，将B层物料送至芯层挤出机腔体中熔融挤出；将A层物料送至面层挤出机腔体中熔融挤出，所述芯层挤出机和芯层挤出机通过三层共挤模头熔融挤出，即得到ABA三层共挤结构复合膜，所述A层物料与B层物料的投料比为4；11；
（2）将步骤（1）得到的ABA三层共挤结构复合膜经冷却铸片；
（3）铸片在预热后进行双向拉伸，纵向拉伸2.6-3.6倍，横向拉伸3-4倍；
（4）双向拉伸后的铸片经热定型、冷却后得到厚度为10-300μm的低粗糙度离型膜基膜。
10.根据权利要求9所述的低粗糙度离型膜基膜，其特征在于：步骤（4）中所述的热定型温度为225-250℃。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114347621A (zh) * 2022-01-14 2022-04-15 宁波长阳科技股份有限公司 聚酯光学基膜及其应用
CN114393904A (zh) * 2022-01-20 2022-04-26 宁波勤邦新材料科技有限公司 一种多层陶瓷电容器用离型膜的基膜
CN114407474A (zh) * 2022-03-30 2022-04-29 宁波长阳科技股份有限公司 一种高耐温润滑性聚酯基膜及其制备方法
CN114854178A (zh) * 2022-05-25 2022-08-05 宁波勤邦新材料科技有限公司 一种光学胶离型膜基膜及其制作方法
CN118163443A (zh) * 2024-05-14 2024-06-11 江苏康辉新材料科技有限公司 一种mlcc离型膜及制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107915960A (zh) * 2017-11-17 2018-04-17 江苏东材新材料有限责任公司 一种超低表面粗糙度聚酯基膜/复合基膜及其制备方法
CN111873587A (zh) * 2019-12-23 2020-11-03 江苏东材新材料有限责任公司 一种低粗糙度mlcc制程用离型膜基膜及其制备方法
CN112339384A (zh) * 2020-11-08 2021-02-09 合肥乐凯科技产业有限公司 一种光学聚酯薄膜及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107915960A (zh) * 2017-11-17 2018-04-17 江苏东材新材料有限责任公司 一种超低表面粗糙度聚酯基膜/复合基膜及其制备方法
CN111873587A (zh) * 2019-12-23 2020-11-03 江苏东材新材料有限责任公司 一种低粗糙度mlcc制程用离型膜基膜及其制备方法
CN112339384A (zh) * 2020-11-08 2021-02-09 合肥乐凯科技产业有限公司 一种光学聚酯薄膜及其制备方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114347621A (zh) * 2022-01-14 2022-04-15 宁波长阳科技股份有限公司 聚酯光学基膜及其应用
CN114347621B (zh) * 2022-01-14 2023-09-15 宁波长阳科技股份有限公司 聚酯光学基膜及其应用
CN114393904A (zh) * 2022-01-20 2022-04-26 宁波勤邦新材料科技有限公司 一种多层陶瓷电容器用离型膜的基膜
CN114407474A (zh) * 2022-03-30 2022-04-29 宁波长阳科技股份有限公司 一种高耐温润滑性聚酯基膜及其制备方法
CN114854178A (zh) * 2022-05-25 2022-08-05 宁波勤邦新材料科技有限公司 一种光学胶离型膜基膜及其制作方法
CN114854178B (zh) * 2022-05-25 2023-05-02 宁波勤邦新材料科技有限公司 一种光学胶离型膜基膜及其制作方法
CN118163443A (zh) * 2024-05-14 2024-06-11 江苏康辉新材料科技有限公司 一种mlcc离型膜及制备方法
CN118163443B (zh) * 2024-05-14 2024-09-03 江苏康辉新材料科技有限公司 一种mlcc离型膜及制备方法

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