CN113517225A - 基于全n型tft中心频率可调的带通放大电路制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 41
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 28
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N [Si].O=[Si]=O Chemical compound [Si].O=[Si]=O FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N gallium nitrate Chemical compound [Ga+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229940044658 gallium nitrate Drugs 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明提供一种基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，该方法将沉积在衬底上的栅极金属图案化，再在衬底及栅极上沉积一层半导体材料并图案化，在有源层上沉积源漏极金属层，使用银墨水选通需要的电路各元件；采用该方法的电路易于制备、低成本、可放大微弱信号、电路可变性强、电路透明等优势，由于电路每个器件可选择，同面包板电路一样，故可以极大的降低电路成本，增大电路可变性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法。
背景技术
薄膜晶体管(TFTs)和场效应晶体管(FETs)是构建功能电子电路和探索传输物理学的基本单元。传统放大电路是硅基场效应晶体管，由于电路有两种不同的有源层，所以工艺复杂与高成本限制了平板电路的进一步实验性。在平板差分放大电路中，电路的对称性会极大影响到电路的共模抑制比，而实验室环境下很难做出高度对称的放大电路。
随着对柔性电路需求的日益增高，新型的单一有源层放大电路被报道，这种柔性电路主要基于有机薄膜晶体管，主要用于生物医疗领域，而有机薄膜晶体管往往寿命较短成本较高且对封装要求高。为了测试带通滤波器中心频率的影响因素，需要很多掩模版，成本巨大。
发明内容
本发明提供一种低成本的基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法。
为了达到上述技术效果，本发明的技术方案如下：
一种基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，该带通放大电路包括：驱动管、负载管、电容、栅漏短接的电阻管、阻值可调的源极负载管、金属线与打印的银墨水滴，包括以下步骤：
S1：将沉积在衬底上的栅极材料图案化，形成底栅与电容金属底极板；
S2：在整面样品表面相沉积介电层同时也是平板电容绝缘层并图形化；
S3：在介电层上直流磁控溅射有源层，在有源层上沉积源漏金属层；
S4：使用银墨水选通需要的电路各元件。
进一步地，所述步骤S1的具体过程是：
采用玻璃衬底在丙酮、乙醇、水中清洗，氮气吹干；通过DC溅射在衬底及沉积一层金属钼栅电极；对钼薄膜进行光刻和蚀刻，得到图案化的钼薄膜。
进一步地，所述步骤S2的具体过程是：
在衬底及栅极上PECVD沉积绝缘层，设置绝缘层为每层为二氧化硅-氮化硅-二氧化硅的夹层结构。
进一步地，所述步骤S3的具体过程是：
使用DC溅射方法在衬底及栅极上沉积IGZO，在光刻胶涂布机涂布光刻胶薄膜，透过铬板进行曝光，并通过显影液对未固化的光刻胶进行去除，得到图案化的所述图形化光刻胶薄膜，对涂布了图案化的所述光刻胶薄膜的IGZO薄膜进行蚀刻，涂布光刻胶是整面性光刻胶涂布，未固化部分的光刻胶将被显影液去除，并且蚀刻液会继续蚀刻下方的IGZO薄膜，已经固化的光刻胶将不会被蚀刻液蚀刻或者显影液去除，并且已固化的光刻胶将会保护下方的IGZO薄膜不被蚀刻，具体的，将此时的玻璃基板置入蚀刻机台，采用稀盐酸蚀刻液进行蚀刻；光刻露出需要打孔的位置，反应离子刻蚀除去绝缘层；光刻胶涂布机涂布光刻胶薄膜，透过铬板进行曝光，并通过显影液对未固化的光刻胶进行去除，得到图案化的所述图形化光刻胶薄膜，磁控溅射金属钼，使用丙酮超声剥离，金属钼会随着光刻胶一同脱落，只留下所需的源漏电极与电容的顶极板。
进一步地，所述步骤S4的具体过程是：
使用SonoPlot直写设备对电路单管与电容进行选通；测量每个驱动管的输入、输出特性曲线，从四个驱动管中选择两个进行选通，分别输入不同频率的正弦信号，测量输出信号，观察电路对不同频率信号的增益。
优选地，通过DC溅射在衬底沉积一层厚度为80～100nm金属钼栅电极；所述绝缘层厚度均为300nm；设置绝缘层为每层均为100nm二氧化硅-氮化硅-二氧化硅的夹层结构；IGZO薄膜的厚度范围为45nm～80nm；分别输入不同频率下直流偏置为5V，峰峰值为20mv的正弦信号，测量输出信号。
与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：
本发明通过采用全N型薄膜晶体管构成的频率与增益可调的放大电路具有易于制备、低成本、可放大微弱信号、电路可变性强、电路透明等优势，由于电路每个器件可选择，同面包板电路一样，故可以极大的降低电路成本，增大电路可变性。驱动管的漏极负载采用交流耦合的形式，栅漏短接的电阻管阻值可达100MΩ，大电阻可使电路无需大面积去制备大电容，当平板电容的金属极板为金属钼，介电层为每层均为100nm二氧化硅-氮化硅-二氧化硅的夹层结构得到的电容为0.14nf/mm2。当采用交流耦合负载时，极大的提高了对频率的选择特性，对1hz的与人类心率类似的低频弱生物电信号的放大倍数达到了20.3dB，而对高频信号增益均小于10dB，并且可放大20mV的微小信号，这对可穿戴式电路测量心电图研究有重要意义，当使用心电图信号R波峰值为1mv混合有峰峰值1mv频率为100hz的共模信号时，电路仿真可得到最大80mv的心电信号。
附图说明
图1为本发明方法制作的带通放大电路图。
具体实施方式
附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；
为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；
对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。
实施例1：
本发明提供一种基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，带通放大电路包括大宽长比的驱动管、小宽长比的负载管、电容、栅漏短接的电阻管组成的交流耦合负载、阻值可调的源极负载管、金属线与打印的银墨水滴组成，如图1所示。
本实施例中，有源层是非简并半导体材料为InGaZnO，只要材料具有半导体特性并与电极功函数匹配即可。
栅、源、漏电极为Mo、Al中的一种，还可以为ITO等导电材料，根据半导体材料功函数选择合适的栅、源、漏电极。
本实施例中，将沉积在衬底上的栅极金属图案化，再在衬底及栅极上沉积一层半导体材料并图案化，在有源层上沉积源漏极金属层，使用银墨水选通需要的电路各元件。
方法包括有以下步骤：
S1：玻璃衬底在丙酮、乙醇、水中清洗，氮气吹干；
S2：通过DC溅射在衬底沉积一层厚度为80～100nm金属钼栅电极；对初始化的所述钼薄膜进行光刻和蚀刻，得到图案化的所述钼薄膜；
在一种可选的实施方式中，设置钼薄膜的厚度为40nm；
在一种可选的实施方式中，设置钼薄膜的厚度为80nm，优选80nm的厚度的钼薄膜，退火时栅极金属损耗不会太大，又不过多增加整体器件的厚度；
在一种可选的实施方式中，设置钼薄膜的厚度为100nm；
S3：在衬底及栅极上PECVD沉积所述绝缘层，所述绝缘层厚度均为300nm；
在一种可选的实施方式中，设置绝缘层的厚度为300nm的氮化硅；
在一种可选的实施方式中，设置绝缘层为每层均为100nm二氧化硅-氮化硅-二氧化硅的夹层结构，优选该夹层结构，刻蚀时时间不会太久且绝缘层致密性好，不会漏电。
S4：使用DC溅射方法在衬底及栅极上沉积IGZO，在所述的光刻胶涂布机涂布光刻胶薄膜，透过铬板进行曝光，并通过显影液对未固化的光刻胶进行去除，得到图案化的所述图形化光刻胶薄膜，对涂布了图案化的所述光刻胶薄膜的IGZO薄膜进行蚀刻，涂布光刻胶是整面性光刻胶涂布，未固化部分的光刻胶将被显影液去除，并且蚀刻液会继续蚀刻下方的IGZO薄膜，已经固化的光刻胶将不会被蚀刻液蚀刻或者显影液去除，并且已固化的光刻胶将会保护下方的IGZO薄膜不被蚀刻，具体的，将此时的玻璃基板置入蚀刻机台，采用稀盐酸蚀刻液进行蚀刻，IGZO薄膜的厚度范围为45nm～80nm；在一种可选的实施方式中，IGZO薄膜的厚度为0.03um，PI薄膜的厚度为1um；
在一种可选的实施方法中，IGZO薄膜的厚度为45nm
在一种可选的实施方式中，IGZO薄膜的厚度为80nm
在一种可选的实施方式中，IGZO薄膜的厚度为65nm；IGZO薄膜厚度优选65nm，当IGZO薄膜厚度为65nm时，有源层中载流子数目足够以保证足够的开关特性，且开启电压不会负偏。
S5：光刻露出需要打孔的位置，反应离子刻蚀除去绝缘层。
S6：在所述的光刻胶涂布机涂布光刻胶薄膜，透过铬板进行曝光，并通过显影液对未固化的光刻胶进行去除，得到图案化的所述图形化光刻胶薄膜，磁控溅射80～100nm的金属钼，使用丙酮超声剥离，金属钼会随着光刻胶一同脱落，只留下所需的源漏电极与电容的顶极板。至此，单个器件全部制备完成。
S7：使用SonoPlot直写设备对电路单管与电容进行选通。测量每个驱动管的输入、输出特性曲线，从四个驱动管中选择两个进行选通，分别输入不同频率下直流偏置为5V,峰峰值为20mv的正弦信号，测量输出信号，观察电路对不同频率信号的增益。
实施例2：
本实施例提供另一种基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，包括有以下步骤：
S1：玻璃衬底在丙酮、乙醇、水中清洗，氮气吹干；
S2：通过DC溅射在衬底及沉积一层厚度为80～100nm金属钼栅电极；对初始化的所述钼薄膜进行光刻和蚀刻，得到图案化的所述钼薄膜；在一种可选的实施方式中，设置钼薄膜的厚度为80nm，优选80nm的厚度的钼薄膜，退火时栅极金属损耗不会太大，又不过多增加整体器件的厚度；
S3：在衬底及栅极上PECVD沉积所述绝缘层，所述绝缘层厚度均为300nm；设置绝缘层层为每层均为100nm二氧化硅-氮化硅-二氧化硅的夹层结构。
S4：配置IGZO溶液，所选溶质分别为硝酸铟金属盐水合物、硝酸稼金属盐水合物、硝酸锌金属盐水合物。称量溶质，溶剂选择2-ME有机溶剂，分别以转速800rpm/min磁力搅拌2小时，以6：1：3的溶液比例混合金属，以转速800rpm/min磁力搅拌2小时，溶液静置24小时使用。
S5：样品经过600W紫外处理20分钟以增强样品亲水性，将大烧杯扣在盛有去离子水的小烧杯上，提前开启热板产生水蒸气，后先以加速度100rpm/s2至500rpm/s转5秒，再以加速度500rpm/s2至2000rpm/s转60秒
在一种可选的实施方法中，涂布的转速可以为800rpm/s
在一种可选的实施方法中，涂布的转速可以为3000rpm/s
在一种可选的实施方法中，涂布的转速可以为2000rpm/s；涂布的转速优选2000rpm/s，膜厚适中，单管的输出特性最优。110℃水汽氛围下退火5分钟后400℃空气氛围退火2小时。样品旋涂正性光刻胶曝光，使用正胶显影液显影，将此时的玻璃基板置入蚀刻机台，采用稀盐酸蚀刻液进行蚀刻。大量去离子水冲洗，丙酮去胶后对样品进行清洗。400℃下后烘2小时用来修复刻蚀的损伤。
S6：光刻露出需要打孔的位置，反应离子刻蚀除去绝缘层。
S7：光刻显影后不去胶，磁控溅射金属钼，使用丙酮超声剥离，金属钼会随着光刻胶一同脱落，只留下所需的源漏电极与电容的顶极板。至此，单个器件全部制备完成。
S9：使用SonoPlot直写设备对电路单管与电容进行选通。测量每个驱动管的输入、输出特性曲线，从四个驱动管中选择两个进行选通，分别输入不同频率下直流偏置为5V,峰峰值为20mv的正弦信号，测量输出信号，观察电路对不同频率信号的增益。
相同或相似的标号对应相同或相似的部件；
附图中描述位置关系的用于仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，该带通放大电路包括：驱动管、负载管、电容、栅漏短接的电阻管、阻值可调的源极负载管、金属线与打印的银墨水滴，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将沉积在衬底上的栅极材料图案化，形成底栅与电容金属底极板；
S2：在整面样品表面相沉积介电层同时也是平板电容绝缘层并图形化；
S3：在介电层上直流磁控溅射有源层，在有源层上沉积源漏金属层；
S4：使用银墨水选通需要的电路各元件。
2.根据权利要求1所述的基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，其特征在于，所述步骤S1的具体过程是：
采用玻璃衬底在丙酮、乙醇、水中清洗，氮气吹干；通过DC溅射在衬底及沉积一层金属钼栅电极；对钼薄膜进行光刻和蚀刻，得到图案化的钼薄膜。
3.根据权利要求2所述的基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，其特征在于，所述步骤S2的具体过程是：
在衬底及栅极上PECVD沉积绝缘层，设置绝缘层为每层为二氧化硅-氮化硅-二氧化硅的夹层结构。
4.根据权利要求3所述的基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，其特征在于，所述步骤S3的具体过程是：
使用DC溅射方法在衬底及栅极上沉积IGZO，在光刻胶涂布机涂布光刻胶薄膜，透过铬板进行曝光，并通过显影液对未固化的光刻胶进行去除，得到图案化的所述图形化光刻胶薄膜，对涂布了图案化的所述光刻胶薄膜的IGZO薄膜进行蚀刻，涂布光刻胶是整面性光刻胶涂布，未固化部分的光刻胶将被显影液去除，并且蚀刻液会继续蚀刻下方的IGZO薄膜，已经固化的光刻胶将不会被蚀刻液蚀刻或者显影液去除，并且已固化的光刻胶将会保护下方的IGZO薄膜不被蚀刻，具体的，将此时的玻璃基板置入蚀刻机台，采用稀盐酸蚀刻液进行蚀刻；光刻露出需要打孔的位置，反应离子刻蚀除去绝缘层；光刻胶涂布机涂布光刻胶薄膜，透过铬板进行曝光，并通过显影液对未固化的光刻胶进行去除，得到图案化的所述图形化光刻胶薄膜，磁控溅射金属钼，使用丙酮超声剥离，金属钼会随着光刻胶一同脱落，只留下所需的源漏电极与电容的顶极板。
5.根据权利要求4所述的基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，其特征在于，所述步骤S4的具体过程是：
使用SonoPlot直写设备对电路单管与电容进行选通；测量每个驱动管的输入、输出特性曲线，从四个驱动管中选择两个进行选通，分别输入不同频率的正弦信号，测量输出信号，观察电路对不同频率信号的增益。
6.根据权利要求5所述的基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，其特征在于，通过DC溅射在衬底沉积一层厚度为80～100nm金属钼栅电极。
7.根据权利要求6所述的基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，其特征在于，所述绝缘层厚度均为300nm。
8.根据权利要求7所述的基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，其特征在于，设置绝缘层为每层均为100nm二氧化硅-氮化硅-二氧化硅的夹层结构。
9.根据权利要求8所述的基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，其特征在于，IGZO薄膜的厚度范围为45nm～80nm。
10.根据权利要求9所述的基于全N型TFT中心频率可调的带通放大电路制作方法，其特征在于，分别输入不同频率下直流偏置为5V，峰峰值为20mv的正弦信号，测量输出信号。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202110342370.3A CN113517225A (zh) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 基于全n型tft中心频率可调的带通放大电路制作方法 |
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| CN (1) | CN113517225A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US2691074A (en) * | 1949-08-31 | 1954-10-05 | Rca Corp | Amplifier having frequency responsive variable gain |
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| CN111865227A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-10-30 | 北京大学深圳研究生院 | 一种薄膜晶体管集成的放大器 |
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2021
- 2021-03-30 CN CN202110342370.3A patent/CN113517225A/zh active Pending
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