CN113496891A - 一种集成电路硅片表面氧化膜自适应均匀腐蚀方法 - Google Patents

一种集成电路硅片表面氧化膜自适应均匀腐蚀方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种集成硅片（wafer）表面氧化膜均匀腐蚀去膜方法，应用于集成电路硅片分析过程中硅片表面膜层的均匀腐蚀。本发明方法包含硅片吸附夹具和表面腐蚀方法。硅片吸附夹具主要由托盘、支架、真空管路和高度调整四部分组成，托盘上面有三个真空吸盘，等分分布在以托盘中心为圆心的圆周上，通过内部管路联通真空吸附硅片，通过高度控制器使硅片处于水平状态。硅片表面膜层的均匀腐蚀方法为在硅片中心滴一滴腐蚀液，然后三个真空吸盘按照一定的频率振动，使腐蚀液滴在硅片表面匀速以螺纹渐开线形式运动，从硅片中心一直运动到硅片边缘，达到硅片表面膜层均匀去除的目的。

Description

一种集成电路硅片表面氧化膜自适应均匀腐蚀方法
技术领域
本发明涉及一种集成电路硅片表面自适应均匀腐蚀去膜方法，特别涉及吸附硅片的夹具，以及在硅片表面进行自适应均匀腐蚀去除表面膜层的方法，样品用于后续测试。
背景技术
集成电路技术近年来飞速发展，布线宽度从微米级别一直下降到现在的7纳米级别，这就对制造芯片的抛光硅片质量提出更高的要求。为了测试表征抛光硅片质量，许多抛光硅片制造厂会对生产出的抛光硅片（或称 wafer）进行栅极氧化层完整性测试（或称GOI测试）来确认生产出的wafer品质。在进行测试过程中，需要先在wafer表面生长几十到几百Å不等的氧化膜，之后在保证正面氧化膜完整的前提下去除背面的氧化膜，进行GOI测试。因为双面氧化膜的wafer会对GOI测试结果造成严重的影响，使测试失败，测试结果不具备参考价值。因此，在集成电路用硅片生长氧化膜之后，为了测量GOI结果，要对硅片的一个表面进行氧化膜去除。去除氧化膜的技术要求为均匀完整，不完整会造成氧化膜残留，使测量结果不可靠，或者不能进行测量；如果去除均匀性不好，使电学性能不稳定，测量结果不准确，严重影响GOI的评估。
目前的腐蚀技术，多采用吸附头吸附腐蚀液，在硅片表面进行控制式腐蚀。当硅片表面氧化膜具有厚度差，或者氧化膜较厚或较薄时，这种方法都会产生腐蚀不均匀、腐蚀不完全、或者过腐蚀的现象。
还有采用甩干式的腐蚀方法，是在硅片的表面滴腐蚀液，硅片旋转，腐蚀液在离心力的作用下，一边腐蚀一边向硅片边缘运动，同时对硅片表面的氧化膜进行腐蚀。但是，这种方法的腐蚀过程中，腐蚀液在硅片中心和边缘时，由于离心力的作用，腐蚀液的运动速度变化十分显著，达到十倍甚至几十倍的差异，使硅片表面氧化膜的腐蚀产生各种各样的不均匀，严重时影响GOI的测量结果。
为了克服以上方法的缺陷，实现集成电路用硅片表面氧化膜层的均匀腐蚀，本发明提供一种自适应的腐蚀方法，达到硅片表面氧化膜层均匀腐蚀的目的，保证GOI测量结果的准确性。
发明内容
为了实现集成电路硅片表面氧化膜层的均匀腐蚀，本发明通过以下的自适应方法来实现。
本发明包含一个硅片吸附夹具和一个自适应腐蚀方法。硅片吸附夹具由防溅外檐环（1）、托盘（2）、连接螺母（3）、主体支架（4）、真空吸孔（5）、高度调整（6）、真空连接管（7）、和基座（8）构成，材质为高纯聚丙烯（PP）或聚四氟乙烯（PTFE）；目的是由于测试的wafer用于集成电路设计制造，避免污染，所以对夹具的材质的洁净度要求很高，另外还需要耐受化学腐蚀，尤其是稀氢氟酸的腐蚀。
所述的防溅外檐环（1）在托盘（2）的上方，位置在以托盘圆心为圆心，根据所腐蚀硅片的直径不同而不同，当所腐蚀硅片的直径分别为150mm、200mm和300mm时，防溅外檐环（1）的直径分别为160mm、220mm和320mm，高度10mm，防溅外檐（1）上有一个缺口，缺口宽10mm，高度10mm，用于真空吸笔夹取硅片。
托盘（2）内部有三个真空吸盘，分别为真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三，三个真空吸盘尺寸相同；根据所腐蚀硅片的直径不同而不同，当所腐蚀硅片的直径分别为150mm、200mm和300mm时，其直径分别为5mm、10mm和10mm，高度都为15mm，同时三个真空吸盘位置分布在以托盘（2）的圆心为圆心，直径分别为100mm、160mm和200mm圆周的三等分点上，为减少对于氧化膜直接接触所形成的污染，材质为高纯聚四氟乙烯；三个真空吸盘通过真空连接管（7）与真空吸孔（5）连接，用于固定硅片；同时所述的真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三可以按照设定的频率进行伸缩振动。
所述的自适应腐蚀方法为，在硅片的中心滴一滴腐蚀液，同步启动真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的正弦曲线振动，硅片形成一个以硅片圆心为中心的偏转式旋转运动，腐蚀液滴在腐蚀硅片表面氧化膜后，暴露单晶硅表面，腐蚀液滴与单晶硅表面不浸润，在偏转和重力的作用下，沿硅片表面氧化膜未腐蚀的边缘运动，持续自适应腐蚀硅片表面氧化膜；在本发明所述的振动频率下，随着腐蚀液滴在硅片表面的运动，频率不断发生变化，腐蚀液滴始终保持运动速率相同，自动适应表面氧化膜的厚度和位置状态，达到自适应均匀腐蚀的效果。
具体的自适应腐蚀步骤为：
步骤一、用真空吸笔将带有表面氧化膜的集成电路硅片放置在真空吸盘一、 真空吸盘二和真空吸盘三上，待腐蚀面向上，硅片的圆心与托盘(2)的圆心重 合，通过真空吸附固定硅片；
步骤二、调整高度调整(6)，使硅片处于水平状态；
步骤三、在硅片的中心滴一滴HF腐蚀液，测量腐蚀液滴的直径Ddrop，单 位mm；
步骤四、同步启动真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动，硅片形成 一个以硅片圆心为中心的偏转式旋转运动；真空吸盘的振动特征为：真空吸盘一、 真空吸盘二和真空吸盘三振动方式为都正弦曲线振动，且振幅相同，振幅与硅片 直径DSi的关系为
Figure RE-GDA0002470481140000031
式中，Hsucker1、Hsucker2和Hsucker3分别为真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘 三的振幅，DSi为硅片的直径，单位mm；
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动的相位关系为
Figure RE-GDA0002470481140000032
式中，
Figure RE-GDA0002470481140000033
和
Figure RE-GDA0002470481140000034
分别为真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘 三的相位，单位为°；
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动频率相同，
Figure RE-GDA0002470481140000035
式中，V为腐蚀液滴的运动速率，单位为mm/s，r为腐蚀液与硅片中心的距离， 单位为mm；
Figure RE-GDA0002470481140000036
式中，A为腐蚀速率常数，mHF为腐蚀液浓度,单位为％，Tfilm为硅片表面氧化膜 厚度，单位为
Figure RE-GDA0002470481140000037
Figure RE-GDA0002470481140000038
Figure RE-GDA0002470481140000041
Figure RE-GDA0002470481140000042
式中，B为积分常数，θ为腐蚀液滴在硅片上转过的角度，θdrop为腐蚀液滴在硅 片上转过的总角度，Ddrop为腐蚀液滴的直径，DSi为硅片的直径，单位mm；
步骤五、当腐蚀液滴从硅片表面边缘，滴落到夹具内之后，释放三个真空吸 盘内的真空，然后用真空吸笔取出硅片。
附图说明
图1 单面腐蚀夹具的主视图。
图2 单面腐蚀夹具的右视图。
图3 单面腐蚀夹具的俯视图。
图4 单面腐蚀夹具的剖视图。
图5 腐蚀液滴在硅片表面的运动轨迹示意图。
具体实施方式
实施例1
腐蚀直径为150mm的集成电路抛光硅片，带有双面氧化膜，氧化膜厚度为20Å，硅片吸附夹具尺寸为：防溅外檐环（1）的直径为160mm，高度10mm，防溅外檐（1）上缺口宽10mm，高度10mm，材质为高纯聚丙烯（PP）；三个真空吸盘尺寸相同；直径为5mm，高度为15mm，分布在以托盘（2）的圆心为圆心，直径为100mm圆周的三等分点上，材质为高纯聚四氟乙烯。
自适应腐蚀方法的腐蚀步骤为：
步骤一、用真空吸笔将带有表面氧化膜的集成电路硅片放置在真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三上，待腐蚀面向上，硅片的圆心与托盘（2）的圆心重合，通过真空吸附固定硅片；
步骤二、调整高度调整（6），使硅片处于水平状态；
步骤三、在硅片的中心滴一滴浓度为5%的HF腐蚀液，测量腐蚀液滴的直径5mm；
步骤四、同步启动真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动，硅片形成一个以硅片圆心为中心的偏转式旋转运动；真空吸盘的振动特征为：真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动方式为都正弦曲线振动，且振幅相同，为1.15mm。
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动的相位关系为
Figure 696313DEST_PATH_IMAGE042
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动频率相同，按照方程(4)执行。
步骤五、腐蚀进行353s后，腐蚀液滴从硅片表面边缘滴落到夹具内，释放三个真空吸盘内的真空，然后用真空吸笔取出硅片。
检测硅片发现，硅片表面氧化膜完整均匀去除，无残留以及过腐蚀点、线等身陷出现。背面氧化膜的完整度99.5%，达到GOI检测的技术要求。
实施例2
腐蚀直径为150mm的集成电路抛光硅片，带有双面氧化膜，氧化膜厚度为120Å，硅片吸附夹具尺寸为：防溅外檐环（1）的直径为160mm，高度10mm，防溅外檐（1）上缺口宽10mm，高度10mm，材质为聚四氟乙烯（PTFE）；三个真空吸盘尺寸相同；直径为5mm，高度为15mm，分布在以托盘（2）的圆心为圆心，直径为100mm圆周的三等分点上，材质为高纯聚四氟乙烯。
自适应腐蚀方法的腐蚀步骤为：
步骤一、用真空吸笔将带有表面氧化膜的集成电路硅片放置在真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三上，待腐蚀面向上，硅片的圆心与托盘（2）的圆心重合，通过真空吸附固定硅片；
步骤二、调整高度调整（6），使硅片处于水平状态；
步骤三、在硅片的中心滴一滴浓度为10%的HF腐蚀液，测量腐蚀液滴的直径10mm；
步骤四、同步启动真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动，硅片形成一个以硅片圆心为中心的偏转式旋转运动；真空吸盘的振动特征为：真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动方式为都正弦曲线振动，且振幅相同，为1.00mm。
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动的相位关系为
Figure 196564DEST_PATH_IMAGE043
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动频率相同，按照方程(4)执行。
步骤五、腐蚀进行530s后，腐蚀液滴从硅片表面边缘滴落到夹具内，释放三个真空吸盘内的真空，然后用真空吸笔取出硅片。
检测硅片发现，硅片表面氧化膜完整均匀去除，无残留以及过腐蚀点、线等身陷出现。背面氧化膜的完整度99.2%，达到GOI检测的技术要求。
实施例3
腐蚀直径为200mm的集成电路抛光硅片，带有双面氧化膜，氧化膜厚度为50Å，硅片吸附夹具尺寸为：防溅外檐环（1）的直径为220mm，高度10mm，防溅外檐（1）上缺口宽10mm，高度10mm，材质为高纯聚丙烯（PP）；三个真空吸盘尺寸相同；直径为10mm，高度为15mm，分布在以托盘（2）的圆心为圆心，直径为160mm圆周的三等分点上，材质为高纯聚四氟乙烯。
自适应腐蚀方法的腐蚀步骤为：
步骤一、用真空吸笔将带有表面氧化膜的集成电路硅片放置在真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三上，待腐蚀面向上，硅片的圆心与托盘（2）的圆心重合，通过真空吸附固定硅片；
步骤二、调整高度调整（6），使硅片处于水平状态；
步骤三、在硅片的中心滴一滴浓度为5%的HF腐蚀液，测量腐蚀液滴的直径8mm；
步骤四、同步启动真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动，硅片形成一个以硅片圆心为中心的偏转式旋转运动；真空吸盘的振动特征为：真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动方式为都正弦曲线振动，且振幅相同，为1.00mm。
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动的相位关系为
Figure 679498DEST_PATH_IMAGE042
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动频率相同，按照方程(4)执行。
步骤五、腐蚀进行981s后，腐蚀液滴从硅片表面边缘滴落到夹具内，释放三个真空吸盘内的真空，然后用真空吸笔取出硅片。
检测硅片发现，硅片表面氧化膜完整均匀去除，无残留以及过腐蚀点、线等身陷出现。背面氧化膜的完整度99.9%，达到GOI检测的技术要求。
实施例4
腐蚀直径为200mm的集成电路抛光硅片，带有双面氧化膜，氧化膜厚度为18Å，硅片吸附夹具尺寸为：防溅外檐环（1）的直径为220mm，高度10mm，防溅外檐（1）上缺口宽10mm，高度10mm，材质为聚四氟乙烯（PTFE）；三个真空吸盘尺寸相同；直径为10mm，高度为15mm，分布在以托盘（2）的圆心为圆心，直径为160mm圆周的三等分点上，材质为高纯聚四氟乙烯。
自适应腐蚀方法的腐蚀步骤为：
步骤一、用真空吸笔将带有表面氧化膜的集成电路硅片放置在真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三上，待腐蚀面向上，硅片的圆心与托盘（2）的圆心重合，通过真空吸附固定硅片；
步骤二、调整高度调整（6），使硅片处于水平状态；
步骤三、在硅片的中心滴一滴浓度为10%的HF腐蚀液，测量腐蚀液滴的直径10mm；
步骤四、同步启动真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动，硅片形成一个以硅片圆心为中心的偏转式旋转运动；真空吸盘的振动特征为：真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动方式为都正弦曲线振动，且振幅相同，为1.00mm。
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动的相位关系为
Figure 152068DEST_PATH_IMAGE044
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动频率相同，按照方程(4)执行。
步骤五、腐蚀进行141s后，腐蚀液滴从硅片表面边缘滴落到夹具内，释放三个真空吸盘内的真空，然后用真空吸笔取出硅片。
检测硅片发现，硅片表面氧化膜完整均匀去除，无残留以及过腐蚀点、线等身陷出现。背面氧化膜的完整度99.1%，达到GOI检测的技术要求。
实施例5
腐蚀直径为300mm的集成电路抛光硅片，带有双面氧化膜，氧化膜厚度为24Å，硅片吸附夹具尺寸为：防溅外檐环（1）的直径为320mm，高度10mm，防溅外檐（1）上缺口宽10mm，高度10mm，材质为高纯聚丙烯（PP）；三个真空吸盘尺寸相同；直径为10mm，高度为15mm，分布在以托盘（2）的圆心为圆心，直径为200mm圆周的三等分点上，材质为高纯聚四氟乙烯。
自适应腐蚀方法的腐蚀步骤为：
步骤一、用真空吸笔将带有表面氧化膜的集成电路硅片放置在真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三上，待腐蚀面向上，硅片的圆心与托盘（2）的圆心重合，通过真空吸附固定硅片；
步骤二、调整高度调整（6），使硅片处于水平状态；
步骤三、在硅片的中心滴一滴浓度为8%的HF腐蚀液，测量腐蚀液滴的直径10mm；
步骤四、同步启动真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动，硅片形成一个以硅片圆心为中心的偏转式旋转运动；真空吸盘的振动特征为：真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动方式为都正弦曲线振动，且振幅相同，为0.81mm。
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动的相位关系为
Figure 327834DEST_PATH_IMAGE042
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动频率相同，按照方程(4)执行。
步骤五、腐蚀进行530s后，腐蚀液滴从硅片表面边缘滴落到夹具内，释放三个真空吸盘内的真空，然后用真空吸笔取出硅片。
检测硅片发现，硅片表面氧化膜完整均匀去除，无残留以及过腐蚀点、线等身陷出现。背面氧化膜的完整度99.3%，达到GOI检测的技术要求。
实施例6
腐蚀直径为300mm的集成电路抛光硅片，带有双面氧化膜，氧化膜厚度为66Å，硅片吸附夹具尺寸为：防溅外檐环（1）的直径为320mm，高度10mm，防溅外檐（1）上缺口宽10mm，高度10mm，材质为聚四氟乙烯（PTFE）；三个真空吸盘尺寸相同；直径为10mm，高度为15mm，分布在以托盘（2）的圆心为圆心，直径为200mm圆周的三等分点上，材质为高纯聚四氟乙烯。
自适应腐蚀方法的腐蚀步骤为：
步骤一、用真空吸笔将带有表面氧化膜的集成电路硅片放置在真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三上，待腐蚀面向上，硅片的圆心与托盘（2）的圆心重合，通过真空吸附固定硅片；
步骤二、调整高度调整（6），使硅片处于水平状态；
步骤三、在硅片的中心滴一滴浓度为10%的HF腐蚀液，测量腐蚀液滴的直径15mm；
步骤四、同步启动真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动，硅片形成一个以硅片圆心为中心的偏转式旋转运动；真空吸盘的振动特征为：真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动方式为都正弦曲线振动，且振幅相同，为0.81mm。
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动的相位关系为
Figure 253065DEST_PATH_IMAGE045
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动频率相同，按照方程(4)执行。
步骤五、腐蚀进行777s后，腐蚀液滴从硅片表面边缘滴落到夹具内，释放三个真空吸盘内的真空，然后用真空吸笔取出硅片。
检测硅片发现，硅片表面氧化膜完整均匀去除，无残留以及过腐蚀点、线等身陷出现。背面氧化膜的完整度99.0%，达到GOI检测的技术要求。

Claims (4)

1.一种集成电路硅片表面氧化膜自适应均匀腐蚀方法，包含一个硅片吸附夹具和一个自适应腐蚀方法：
硅片吸附夹具由防溅外檐环（1）、托盘（2）、连接螺母（3）、主体支架（4）、真空吸孔（5）、高度调整（6）、真空连接管（7）、和基座（8）构成，材质为高纯聚丙烯（PP）或聚四氟乙烯（PTFE）；所述的自适应腐蚀方法为，在硅片的中心滴一滴腐蚀液，同步启动真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的正弦曲线振动，硅片形成一个以硅片圆心为中心的偏转式旋转运动，腐蚀液滴在腐蚀硅片表面氧化膜后，暴露单晶硅表面，腐蚀液滴与单晶硅表面不浸润，在偏转和重力的作用下，沿硅片表面氧化膜未腐蚀的边缘运动，持续自适应腐蚀硅片表面氧化膜；在本发明所述的振动频率下，随着腐蚀液滴在硅片表面的运动，频率不断发生变化，腐蚀液滴始终保持运动速率相同，自动适应表面氧化膜的厚度和位置状态，达到自适应均匀腐蚀的效果。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路硅片表面氧化膜自适应均匀腐蚀方法，其特征在于防溅外檐环（1）在托盘（2）的上方，位置在以托盘圆心为圆心，根据所腐蚀硅片的直径不同而不同，当所腐蚀硅片的直径分别为150mm、200mm和300mm时，防溅外檐环（1）的直径分别为160mm、220mm和320mm，高度10mm，防溅外檐（1）上有一个缺口，缺口宽10mm，高度10mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种集成电路硅片表面氧化膜自适应均匀腐蚀方法，其特征在于：托盘（2）内部有三个真空吸盘，分别为真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三，三个真空吸盘尺寸相同；根据所腐蚀硅片的直径不同而不同，当所腐蚀硅片的直径分别为150mm、200mm和300mm时，其直径分别为5mm、10mm和10mm，高度都为15mm，同时三个真空吸盘位置分布在以托盘（2）的圆心为圆心，直径分别为100mm、160mm和200mm圆周的三等分点上，材质为高纯聚四氟乙烯；三个真空吸盘通过真空连接管（7）与真空吸孔（5）连接，用于固定硅片；同时所述的真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三可以按照设定的频率进行伸缩振动。
4.根据权利要求1或3所述的一种集成电路硅片表面氧化膜自适应均匀腐蚀方法，其特征在于：具体的自适应腐蚀步骤为：
步骤一、用真空吸笔将带有表面氧化膜的集成电路硅片放置在真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三上，待腐蚀面向上，硅片的圆心与托盘（2）的圆心重合，通过真空吸附固定硅片；
步骤二、调整高度调整（6），使硅片处于水平状态；
步骤三、在硅片的中心滴一滴HF腐蚀液，测量腐蚀液滴的直径
Figure DEST_PATH_IMAGE001
，单位mm；
步骤四、同步启动真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动，硅片形成一个以硅片圆心为中心的偏转式旋转运动；真空吸盘的振动特征为：真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动方式为都正弦曲线振动，且振幅相同，振幅与硅片直径
Figure 441246DEST_PATH_IMAGE002
的关系为
Figure DEST_PATH_IMAGE003
(1)
式中，
Figure 486562DEST_PATH_IMAGE004
、
Figure DEST_PATH_IMAGE005
和
Figure 412930DEST_PATH_IMAGE006
分别为真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振幅，
Figure DEST_PATH_IMAGE007
为硅片的直径，单位mm；
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三振动的相位关系为
Figure 804466DEST_PATH_IMAGE008
(2)
式中，
Figure DEST_PATH_IMAGE009
、
Figure 892507DEST_PATH_IMAGE010
和
Figure DEST_PATH_IMAGE011
分别为真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的相位，单位为º；
真空吸盘一、真空吸盘二和真空吸盘三的振动频率相同，
Figure 487437DEST_PATH_IMAGE012
(3)
式中，V为腐蚀液滴的运动速率，单位为mm/s，r为腐蚀液与硅片中心的距离，单位为mm；
Figure DEST_PATH_IMAGE013
(4)
式中，A为腐蚀速率常数，
Figure 702649DEST_PATH_IMAGE014
为腐蚀液浓度,单位为%，
Figure DEST_PATH_IMAGE015
为硅片表面氧化膜厚度，单位为Å；
Figure 699423DEST_PATH_IMAGE016
(5)
Figure DEST_PATH_IMAGE017
(6)
Figure 958367DEST_PATH_IMAGE018
(7)
式中，B为积分常数，
Figure DEST_PATH_IMAGE019
为腐蚀液滴在硅片上转过的角度，
Figure 352176DEST_PATH_IMAGE020
为腐蚀液滴在硅片上转过的总角度，
Figure DEST_PATH_IMAGE021
为腐蚀液滴的直径，
Figure 63691DEST_PATH_IMAGE007
为硅片的直径，单位mm；
步骤五、当腐蚀液滴从硅片表面边缘，滴落到夹具内之后，释放三个真空吸盘内的真空，然后用真空吸笔取出硅片。
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