CN113495643A - 显示面板以及显示装置 - Google Patents
显示面板以及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113495643A CN113495643A CN202110134904.3A CN202110134904A CN113495643A CN 113495643 A CN113495643 A CN 113495643A CN 202110134904 A CN202110134904 A CN 202110134904A CN 113495643 A CN113495643 A CN 113495643A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- region
- display device
- display
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 299
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- 108010067930 structure-specific endonuclease I Proteins 0.000 description 9
- 101100230101 Arabidopsis thaliana GRV2 gene Proteins 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 101100285899 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SSE2 gene Proteins 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 4
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
- G02F1/136281—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon having a transmissive semiconductor substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
提供了一种显示面板以及显示装置。所述显示装置包括:显示面板,包括基体基底,基体基底具有显示区域和包括在显示区域中的孔区域;触摸传感器,包括设置在显示面板上的光阻挡构件、覆盖光阻挡构件的第一感测绝缘层、设置在第一感测绝缘层上的感测电极层以及覆盖感测电极层的第二感测绝缘层;偏振层,设置在触摸传感器上;以及覆盖窗,设置在偏振层上。第一感测绝缘层和第二感测绝缘层中的至少一个暴露孔区域的至少部分。
Description
本申请要求于2020年3月20日提交的第10-2020-0034366号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此,如同在此充分阐述的一样。
技术领域
发明的示例性实施方式总体上涉及一种显示装置,更特别地,涉及一种具有显示区域的显示装置,该显示区域具有用于容纳相机、传感器等的孔。
背景技术
随着信息技术的发展,作为用户与信息之间的连接媒介的显示装置的重要性已经增加。因此,已经越来越多地使用诸如液晶显示装置、有机发光显示装置和等离子体显示装置的显示装置。
显示装置可以包括显示面板和与显示面板叠置的用于接收用户的触摸输入或指纹信息的触摸传感器。例如,触摸传感器可以附着到显示面板的一个表面或者可以与显示面板一体地形成。
最近,显示装置可以包括在显示区域(或有效区域)中的用于容纳相机或传感器的孔(或开口),以使包括显示装置的边框的非显示区域最小化。
在本背景技术部分中公开的上面的信息仅用于理解发明构思的背景技术,因此,它可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人发现,当显示面板的封装层与发光元件层之间的空间浅时,通过显示区域中的孔区域接收的入射在相机、传感器等上的光被散射或反射,使得通过相机或传感器获得的图像失真。
根据发明的原理和示例性实施方式构造的显示装置能够减少通过显示区域的孔区域接收的入射在相机、传感器等上的光的散射和反射。例如,可以提供用于增加封装层与发光元件层之间的空间的深度的间隙,并且/或者触摸传感器的设置在显示面板上的绝缘层中的至少一个不与孔区域叠置。因此,可以通过减少入射在孔区域中的光的散射和反射以改善光的透射率并且/或者防止相机或传感器的颜色失真来增强相机、传感器等的图像的质量。
例如,根据发明的原理和一些示例性实施方式构造的显示装置通过去除触摸传感器的无机绝缘层的部分来改善光的透射率并且/或者防止孔区域中的相机、传感器等的颜色失真。
此外,通过提供包括与孔区域的至少部分叠置的凹槽的封装层以增加封装层与发光元件层之间的间隙的深度,根据发明的原理和一些示例性实施方式构造的显示装置能够减少通过显示装置的显示区域中的孔区域入射在相机上的光的散射和反射。
将在以下的描述中阐述发明构思的附加特征,并且部分通过该描述将是清楚的,或者通过发明构思的实践而获知。
根据发明的方面,一种显示装置包括:显示面板,包括基体基底,基体基底具有显示区域和包括在显示区域中的孔区域;触摸传感器,包括设置在显示面板上的光阻挡构件、覆盖光阻挡构件的第一感测绝缘层、设置在第一感测绝缘层上的感测电极层以及覆盖感测电极层的第二感测绝缘层;偏振层,设置在触摸传感器上;以及覆盖窗,设置在偏振层上,其中,第一感测绝缘层和第二感测绝缘层中的至少一个暴露孔区域的至少部分。
孔区域可以包括光透射通过其的第一区域以及围绕第一区域的外围并且阻挡光的第二区域。
第一感测绝缘层和第二感测绝缘层中的至少一个可以不与第一区域叠置,而与第二区域叠置。
显示面板还可以包括:像素电路层,设置在基体基底上;发光元件层,设置在像素电路层上;以及封装层,设置在发光元件层上方同时与发光元件层竖直地间隔开,以覆盖发光元件层并且限定位于封装层与发光元件层之间的空间。
封装层可以与孔区域基本上完全叠置。
封装层可以具有包括凹槽的下表面,凹槽与孔区域的至少部分叠置。
凹槽可以与第一区域基本上完全叠置。
第一感测绝缘层和第二感测绝缘层中的至少一个可以与凹槽的至少部分叠置。
光阻挡构件可以直接设置在封装层上以与第二区域叠置并且不与第一区域叠置。
封装层可以包括透明玻璃。
感测电极层可以与显示区域叠置并且不与孔区域叠置。
像素电路层和发光元件层可以与显示区域叠置并且可以不与第一区域叠置。
像素电路层可以包括缓冲层、设置在缓冲层上的半导体层、设置在半导体层之上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上的第一导电层以及设置在第一导电层之上的第二绝缘层,其中,第一绝缘层和第二绝缘层中的至少一个可以与第二区域叠置。
发光元件层可以包括第一像素电极、设置在第一像素电极之上的像素限定层、设置在被像素限定层暴露的第一像素电极上的发光层以及设置在发光层上的第二像素电极,其中,像素限定层和发光层可以与显示区域叠置,并且不与孔区域叠置。
偏振层可以与第二区域的至少部分叠置并且不与第一区域叠置。
第一感测绝缘层和第二感测绝缘层中的至少一个可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。
根据本发明的另一方面,一种显示面板包括:基体基底,具有显示区域和包括在显示区域中的孔区域;像素电路层,设置在基体基底上;发光元件层,设置在像素电路层上;以及封装层,以预定距离与发光元件层间隔开,封装层设置在发光元件层上方以覆盖发光元件层并且限定位于封装层与发光元件层之间的空间,其中,封装层与孔区域基本上完全叠置。
孔区域可以包括光透射通过其的第一区域和围绕第一区域的外围以阻挡光的第二区域,其中,封装层可以具有包括凹槽的下表面,凹槽与孔区域的至少部分叠置。
凹槽可以与第一区域基本上完全叠置。
像素电路层和发光元件层可以与显示区域叠置并且不与第一区域叠置。
将理解的是,前面的总体描述和以下的详细描述两者是示例性的和解释性的,并且旨在提供对如所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例并且与描述一起用于解释发明构思,附图被包括以提供对发明的进一步理解并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。
图1A是根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的透视图。
图1B是图1A的显示装置的平面图。
图2是沿着图1B的线C1-C1’截取的剖视图。
图3是图1A的显示装置的显示面板的平面图。
图4是图1A的显示装置的触摸传感器的平面图。
图5是沿着图1B的线C2-C2’截取的剖视图。
图6是沿着图1B的线C2-C2’截取的更详细地示出了图5的剖视图的剖视图。
图7是沿着图1B的线C2-C2’截取的示出了图1A的显示装置的另一示例性实施例的剖视图。
图8是沿着图1B的线C2-C2’截取的更详细地示出了图7的剖视图的剖视图。
图9是沿着图1B的线C2-C2’截取的示出了图1A的显示装置的另一示例性实施例的剖视图。
图10是沿着图1B的线C2-C2’截取的更详细地示出了图9的剖视图的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中,出于解释的目的,阐述了许多特定细节以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如在此所使用的,“实施例”和“实施方式”是作为采用在此所公开的发明构思中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例的可互换的词语。然而,清楚的是,可以在没有这些特定细节的情况下或者在具有一个或更多个等效布置的情况下实践各种示例性实施例。在其它实例中,以框图形式示出了已知的结构和装置,以避免不必要地混淆各种示例性实施例。此外,各种示例性实施例可以是不同的,但是不必是排他的。例如,在不脱离发明构思的情况下,示例性实施例的特定形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中被使用或实施。
除非另有说明,否则所示的示例性实施例将被理解为提供其中发明构思可以在实践中被实施的一些方式的不同细节的示例性特征。因此,除非另有说明,否则各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或共同地被称为“元件”)可以另外地组合、分离、互换和/或重新布置,而不脱离发明构思。
附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。如此,除非说明,否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外,在附图中,为了清楚和/或描述性的目的,可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时,可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如,可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外,同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层,或者可以存在中间元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时,不存在中间元件或层。为此,术语“连接”可以指具有或没有中间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外,D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三个轴,并且可以在更宽泛的意义上解释。例如,D1轴、D2轴和D3轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合,诸如,以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在此所使用的,术语“和(并且)/或(或者)”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种类型的元件,但是这些元件不应该被这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
空间相对术语(诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高”、“侧”(例如,如在“侧壁”中)等)可以在此用于描述性目的,从而来描述如附图中所示的一个元件与另一(其它)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外,空间相对术语还旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将然后被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两种方位。此外,设备可以被另外地定位(例如,旋转90度或在其它方位处),如此,相应地解释在此所使用的空间相对描述符。
在此所使用的术语是出于描述具体实施例的目的,并且不旨在是限制性的。如在此所使用的,除非上下文另外清楚地指示,否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。此外,当在本说明书中使用术语“包含”及其变型和/或“包括”及其变型时,所述术语说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组,但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。也注意的是,如在此所使用的,术语“基本上”、“约”和其它类似术语被用作近似术语而不被用作程度术语,如此,它们被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
在此参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。如此,将预期例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此,在此公开的示例性实施例不应该必须被解释为限于区域的具体的所示形状,而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。以这种方式,附图中所示的区域本质上可以是示意性的,这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状,如此,不必须旨在是限制性的。
除非另有定义,否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常所理解含义相同的含义。术语(诸如在通用词典中定义的那些术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且不应该以理想化或过于形式化的意义来解释,除非在此明确地如此定义。
图1A是根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的透视图。图1B是图1A的显示装置的平面图。
参照图1A和图1B,显示装置100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。
显示区域DA可以被限定为其中显示图像的区域。显示装置100可以在显示区域DA中包括多个像素。显示区域DA不仅可以用作其中显示图像的区域而且可以用作用于识别用户的触摸输入或指纹的区域。
显示区域DA可以包括由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。第二方向DR2可以相对于第一方向DR1形成90度的角度,或者可以相对于第一方向DR1形成90度或更小的角度。显示区域DA可以具有大致平板形状,但是示例性实施例不限于此。例如,显示区域DA中的与非显示区域NDA相邻的至少部分区域可以是在第三方向DR3的相反方向上延伸的曲面(curved surface)。第三方向DR3是与第一方向DR1和第二方向DR2垂直的方向,并且可以是限定显示装置100的厚度的方向或者沿其暴露显示区域DA以显示图像的方向。显示区域DA可以具有大致四边形或矩形形状,并且可以具有至少一个圆形拐角。然而,示例性实施例不限于此。
在下文中,术语“叠置”及其变型形式表示当在显示装置100的第三方向DR3上观看显示装置100时,至少两个组件被设置为一个在另一个之上。此外,在第三方向DR3上在其处暴露显示区域DA的表面可以被指定为显示装置100的前表面,显示装置100的在第三方向DR3的相反方向上面对前表面的表面可以被指定为显示装置100的后表面。然而,图1A和图1B中所示的第一方向DR1至第三方向DR3是相对概念,并且可以被改变为其它方向。
非显示区域NDA可以是其中不显示图像的区域。非显示区域NDA可以是至少部分地围绕显示区域DA的外围的区域。显示装置100的各种驱动电路、电源等可以设置在与非显示区域NDA叠置的区域中。
显示装置100可以包括相机模块和传感器模块等中的至少一个。传感器模块可以包括红外传感器、亮度传感器和加速度传感器中的至少一个。
显示区域DA可以包括与相机模块和传感器模块中的至少一个叠置的孔区域HA(表述“显示区域DA包括孔区域HA”或其类似表述指显示区域DA围绕孔区域HA)。孔区域HA可以如图1A和图1B中所示地设置在显示区域DA的上端的中间,但是也可以与显示区域DA的拐角中的一个相邻地设置。例如,孔区域HA可以与定位在显示区域DA的右(或左)上端处的拐角相邻地设置。
孔区域HA可以包括通过其透射(或接收)入射光使得不显示图像的区域。特别地,孔区域HA可以包括光透射通过其的第一区域MA和围绕第一区域MA的外围并阻挡光的第二区域OA。第二区域OA可以是阻挡光入射在发光元件层30上以减少或防止在发光元件层30中生成的光与从外部入射的光之间相互干涉的区域。
因此,光通过孔区域HA(更具体地,通过第一区域MA)到达相机模块,使得显示装置100可以拍摄物体。当孔区域HA如图1A和图1B中所示地设置在显示区域DA中时,显示装置100的非显示区域NDA被最小化。因此,可以减小显示装置100的边框,并且可以增加显示区域DA的宽度。
在下文中,上面描述的显示区域DA、非显示区域NDA和孔区域HA被限定在包括在显示装置100中的显示面板DP的基体基底10上。
图2是沿着图1B的线C1-C1’截取的剖视图。
图2示出了显示装置100,以描述构成显示装置100的组件的堆叠关系和它们的相对布置关系。但是,示例性实施例不限于所示的细节(包括每个组件的相对厚度或面积)。
参照图2,显示装置100可以包括显示面板DP、触摸传感器50、偏振层60、粘合层70和/或覆盖窗80。
显示面板DP可以包括其上限定有显示区域DA和包括在显示区域DA中的孔区域HA的基体基底10、设置在基体基底10上的像素电路层20、设置在像素电路层20上的发光元件层30以及覆盖像素电路层20和发光元件层30的封装层40。
基体基底10可以是刚性基底。例如,基体基底10可以由包括玻璃、石英、聚合物树脂等的透明绝缘材料制成。例如,聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)和它们的组合。然而,示例性实施例不限于此,基体基底10可以是具有柔性的柔性基底。
构成像素PX中的每个的晶体管、扫描线SL、数据线DL、电力线PL、扫描控制线SCL、数据连接线DLL、垫(pad,或被称为“焊盘”)连接线PLL(见图3)等可以设置在像素电路层20中。晶体管中的每个可以包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极。
包括在各个像素PX中用于生成光的发光元件可以设置在发光元件层30中。例如,发光元件可以是有机发光二极管(OLED)。可选地,发光元件可以是包括无机发光材料的无机发光元件或者由于通过使用量子点改变发射光的波长而发射光的发光元件(例如,量子点显示元件)。
封装层40可以通过保护发光元件免受包括湿气和氧的外部环境的影响来减少或防止发光元件的特性劣化。封装层40可以是透明的刚性玻璃。作为刚性玻璃的封装层40可以由设置在基体基底10上的密封构件(例如,设置在基体基底10上的非显示区域NDA中的玻璃料密封件)支撑。因此,封装层40可以在竖直方向(即,第三方向DR3)上以特定距离G与发光元件层30的顶部间隔开,可以在发光元件层30与封装层40之间形成空的空间。然而,封装层40不限于此,并且可以形成为包括至少一个无机层和至少一个有机层的薄膜封装层以具有柔性。
触摸传感器50可以直接设置在显示面板DP的上表面上。表述“直接设置”表示在显示面板DP与触摸传感器50之间不设置任何单独的粘合层或粘合构件。触摸传感器50可以通过连续工艺形成在包括在显示面板DP中的封装层40上(或以覆盖表面式(on-cell)方式形成)。更特别地,可以通过将封装层40上的感测电极(见稍后将描述的图4)图案化来形成触摸传感器50。触摸传感器50可以感测用户的触摸或识别用户的指纹。
偏振层60可以防止外部光的反射,以改善在诸如室外环境的明亮地方处的可见度。例如,偏振层60可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜或三乙酰纤维素(TAC)膜,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜或三乙酰纤维素(TAC)膜作为能够通过选择性地透射或阻挡竖直入射光或水平入射光来执行入射光的竖直偏振或水平偏振的膜。偏振层60可以通过粘合层70粘合到覆盖窗80的下表面。因此,覆盖窗80可以设置在偏振层60上。
粘合层70可以通过使用透明的粘合材料填充偏振层60与覆盖窗80之间的空气间隙来形成,以防止光的损失并改善光的透射率。例如,粘合层70可以是光学透明粘合剂(OCA)。
覆盖窗80可以保护显示面板DP免受外部冲击、刮擦等,同时允许显示面板DP上显示的图像透射通过其。覆盖窗80可以包括具有刚性或柔性的透明材料。例如,覆盖窗80可以包括超薄玻璃(UTG)和无色PI(CPI)。
图3是图1A的显示装置的显示面板的平面图。
参照图3,显示面板DP可以包括基体基底10、像素PX、扫描线SL、数据线DL、电力线PL、扫描控制线SCL、扫描驱动器110、显示驱动电路120、显示电极垫EP、数据连接线DLL和/或垫连接线PLL。
显示区域DA、非显示区域NDA和包括在显示区域DA中的孔区域HA可以限定在基体基底10上。
像素PX中的每个可以包括驱动晶体管、至少一个开关晶体管、发光元件、电容器等。驱动晶体管、至少一个开关晶体管和电容器可以设置在图2中所示的像素电路层20中,发光元件可以设置在图2中所示的发光元件层30中。当以各种电路形式电连接上面描述的组件时,可以实现像素PX。在该描述中,像素PX不限于特定像素PX。像素PX中的每个可以连接到扫描线SL中的至少一条、数据线DL中的至少一条和电力线PL中的至少一条。像素PX中的每个可以与显示区域DA叠置,并且可以不与非显示区域NDA和孔区域HA叠置。然而,限定像素PX的一些绝缘层(或绝缘膜)可以与孔区域HA的部分(或更具体地,第二区域OA)叠置,并且可以不与第一区域MA叠置。
在示例性实施例中,扫描线SL可以在第二方向DR2上延伸,数据线DL可以在第一方向DR1上延伸。电力线PL可以包括在第一方向DR1上延伸的至少一条线和从所述至少一条线在第二方向DR2或第二方向DR2的相反方向上分支出的多条线。
此外,扫描线SL之中的穿过孔区域HA的第一扫描线SL1可以在外侧处围绕第一区域MA的边缘的至少部分的同时穿过第二区域OA,并且可以在第二方向DR2上延伸。例如,第一扫描线SL1可以沿着第一区域MA的轮廓延伸。此外,数据线DL之中的穿过孔区域HA的第一数据线DL1可以在外侧处围绕第一区域MA的边缘的至少部分的同时穿过第二区域OA,并且可以在第一方向DR1上延伸。例如,第一数据线DL1可以沿着第一区域MA的轮廓延伸。第一数据线DL1和第一扫描线SL1可以彼此电绝缘。例如,第一数据线DL1和第一扫描线SL1的一些部分可以在平面图中并排延伸,并且可以是弯曲的。
扫描驱动器110、显示驱动电路120、扫描控制线SCL、数据连接线DLL和垫连接线PLL可以与非显示区域NDA叠置。虽然已经在图3中示出了扫描驱动器110设置在定位在显示区域DA(在第二方向DR2的相反方向上)的一侧处的非显示区域NDA中的情况,但是示例性实施例不限于此。例如,扫描驱动器110可以设置在定位在显示区域DA(在第二方向DR2和第二方向DR2的相反方向上)的两侧处的非显示区域NDA中。
显示驱动电路120可以连接到与显示垫区域EPA叠置的显示电极垫EP。显示垫区域EPA可以包括在非显示区域NDA中。显示驱动电路120可以通过数据连接线DLL向数据线DL供应数据信号。此外,显示驱动电路120可以生成用于控制扫描驱动器110的扫描控制信号,并且可以通过扫描控制线SCL向扫描驱动器110提供扫描控制信号。显示驱动电路120可以包括向数据线DL供应数据信号的数据驱动器以及控制数据驱动器和扫描驱动器110的时序控制器。
在示例性实施例中,显示驱动电路120可以用集成电路(IC)来构造,以便以玻璃上芯片(COG)法、塑料上芯片(COP)法或超声结合法附着到基体基底10上。
图4是图1A的显示装置的触摸传感器的平面图。
参照图4,触摸传感器50可以包括多个感测电极SE、第一信号线CL1、第二信号线CL2、光阻挡构件LB(被指定为OA的外孔区域)和/或至少一个触摸电极垫TP。
感测电极SE中的每个可以具有大致菱形形状,并且可以是由透明电极制成的大致平坦型电极。然而,示例性实施例不必限于此。感测电极SE中的每个可以具有各种多边形形状,并且可以是具有柔性且从外部观看不到的网状电极。例如,感测电极SE可以由低温工艺可应用于其的银、铝、铜、铬、镍、钛等制成。
感测电极SE可以包括第一感测电极SSE1和第二感测电极SSE2。第一感测电极SSE1可以沿第一方向DR1布置,第一感测电极SSE1之中的相邻第一感测电极可以通过第一连接图案彼此连接。第一连接图案可以通过使用与第一感测电极SSE1的材料相同的材料与第一感测电极SSE1一体地形成。可选地,第一连接图案可以通过使用单独的材料与第一感测电极SSE1分开地形成。第二感测电极SSE2可以沿第二方向DR2布置,并且第二感测电极SSE2之中的相邻的第二感测电极可以通过第二连接图案彼此连接。第二连接图案可以通过使用与第二感测电极SSE2的材料相同的材料与第二感测电极SSE2一体地形成。可选地,第二连接图案可以通过使用单独的材料与第二感测电极SSE2分开地形成。第一连接图案和第二连接图案可以彼此电绝缘,并且可以形成在彼此独立的层(沿着第三方向DR3彼此独立的层)中。
第一感测电极SSE1之中布置在同一列中的第一感测电极可以通过一条第一信号线CL1连接到触摸电极垫TP。第二感测电极SSE2之中布置在同一行中的第二感测电极可以通过一条第二信号线CL2连接到触摸电极垫TP。例如,第一信号线CL1和第二信号线CL2中的一者可以将用于触摸感测的驱动信号传输到触摸电极垫TP,第一信号线CL1和第二信号线CL2中的另一者可以将触摸感测信号传输到触摸电极垫TP。触摸电极垫TP可以连接到外部驱动电路,以与感测电极SE中继驱动信号和触摸感测信号的发送/接收。
感测电极SE可以与显示区域DA叠置并且不与孔区域HA叠置。例如,感测电极SE可以不与孔区域HA的第一区域MA和第二区域OA叠置。第一信号线CL1和第二信号线CL2可以与非显示区域NDA叠置。此外,触摸电极垫TP可以与包括在非显示区域NDA中的触摸垫区域TPA叠置。
光阻挡构件LB可以与第二区域OA叠置,并且可以由金属材料制成。例如,光阻挡构件LB是不透明金属导电层,并且可以是由钼(Mo)、铌(Nb)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种或者它们的任意组合制成的单层或多层。
图5是沿着图1B的线C2-C2’截取的剖视图。图6是沿着图1B的线C2-C2’截取的更详细地示出了图5的剖视图的剖视图。
在此所描述的层中的每个可以被设置为单层或多层,至少另一层可以进一步设置在所述层之间,并且可以省略一些层。此外,对应于图1B中所示的线C2-C2’的剖面可以与对应于图4中所示的线C2-C2’的剖面相同或对应。
参照图5和图6,示出了显示装置100的组件与孔区域HA之间的叠置关系。
相机模块和传感器模块等中的至少一个可以设置在基体基底10的底部上(或者沿第三方向DR3的相反方向设置)并且可以被容纳在孔区域HA内。特别地,例如,相机模块的镜头可以被容纳在孔区域HA的第一区域MA中。第一区域MA可以具有等于或大于相机模块的镜头的面积的面积。
基体基底10可以与孔区域HA完全叠置。例如,当基体基底10是诸如玻璃或石英的透明基底时,光可以在穿过基体基底10的同时透射,因此,基体基底10可以与孔区域HA完全叠置。
像素电路层20和发光元件层30可以不与孔区域HA叠置。在另一示例中,像素电路层20和发光元件层30可以与显示区域DA叠置,并且可以不与第一区域MA叠置。然而,像素电路层20和发光元件层30中的至少一个可以与第二区域OA的至少部分叠置。例如,像素电路层20可以与第二区域OA的至少部分叠置,发光元件层30可以不与第二区域OA叠置。
显示装置100可以包括显示面板DP、触摸传感器50、偏振层60、粘合层70和/或覆盖窗80。
显示面板DP可以包括其上限定有显示区域DA和包括在显示区域DA中的孔区域HA的基体基底10、设置在基体基底10上的像素电路层20、设置在像素电路层20上的发光元件层30以及覆盖像素电路层20和发光元件层30的封装层40。
参照图6,像素电路层20可以包括缓冲层201、半导体层AE、第一绝缘层202、第一导电层203、第二绝缘层204、第二导电层205、第三绝缘层206、第三导电层207和第四绝缘层208。
包括驱动晶体管TR和开关晶体管的多个薄膜晶体管设置在缓冲层201上。像素PX可以包括至少一个驱动晶体管TR。
驱动晶体管TR可以包括半导体层AE、栅电极GE、源电极SE’和漏电极DE。半导体层AE可以设置在缓冲层201上。半导体层AE可以包括非晶硅、多晶硅、低温多晶硅(LTPS)和有机半导体中的至少一种。在另一示例性实施例中,半导体层AE可以是氧化物半导体。半导体层AE可以包括沟道区以及设置在沟道区的两侧处并且掺杂有杂质的源区和漏区。
第一绝缘层202可以设置在半导体层AE之上。第一绝缘层202可以是栅极绝缘层。第一绝缘层202可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如,第一绝缘层202可以包括可以单独使用或者作为其组合使用的氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。第一绝缘层202可以是单层或用不同材料的堆叠层构造的多层。
第一导电层203可以设置在第一绝缘层202上。第一导电层203的至少部分可以与半导体层AE叠置。第一导电层203可以包括栅电极GE。第一导电层203可以包括从钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的至少一种金属。第一导电层203可以是单层或多层。
覆盖第一导电层203的第二绝缘层204可以设置在第一导电层203之上。第二绝缘层204可以是具有栅极绝缘功能的栅极绝缘层。第二绝缘层204可以包括与第一绝缘层202的材料相同的材料,或者可以包括从被示例为构成第一绝缘层202的材料的材料中选择的至少一种材料。第二绝缘层204可以是单层或用不同材料的堆叠层构造的多层。
第一绝缘层202和第二绝缘层204中的至少一个可以与第二区域OA的至少部分叠置。
第二导电层205可以设置在第二绝缘层204上。第二导电层205的至少部分可以与半导体层AE和栅电极GE中的至少一个叠置。第二导电层205可以包括与第一导电层203的材料相同的材料,或者可以包括从被示例为构成第一导电层203的材料的材料中选择的至少一种材料。第二导电层205可以是单层或用不同材料的堆叠层构造的多层。
第二导电层205可以包括像素PX的存储电容器的一个电极、第一信号线CL1和第二信号线CL2中的至少一个。
覆盖第二导电层205的第三绝缘层206可以设置在第二导电层205之上。第三绝缘层206可以是层间绝缘层。第三绝缘层206可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化锌的无机绝缘材料,或者诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。第三绝缘层206可以是单层或用不同材料的堆叠层构造的多层。
第三导电层207可以设置在第三绝缘层206上。第三导电层207可以包括电连接到半导体层AE的源电极SE’和漏电极DE。
覆盖第三导电层207的第四绝缘层208可以设置在第三导电层207之上。第四绝缘层208可以是保护层、钝化层和/或过孔层。第四绝缘层208可以以单层结构或多层结构由无机材料、有机材料或有机/无机复合材料形成,并且可以通过各种沉积方法形成。在一些示例性实施例中,第四绝缘层208可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)中的至少一种材料形成。
发光元件层30可以设置在第四绝缘层208上。发光元件层30可以包括第一像素电极31、像素限定层32、发光层33和第二像素电极34。
第一像素电极31可以设置在第四绝缘层208上。第一像素电极31可以是有机发光二极管(OLED)的阳极电极。
第一像素电极31可以包括具有高功函数的材料。第一像素电极31可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等。示例的导电材料具有透明性质,同时具有相对高的功函数。当显示装置100是顶部发射型时,除了示例的导电材料之外,第一像素电极31还可以包括反射材料,例如,银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的混合物。因此,第一像素电极31可以具有用示例的导电材料和示例的反射材料构造的单层结构,或者可以具有其中堆叠有示例的导电材料和示例的反射材料的多层结构。
像素限定层32可以设置在第一像素电极31之上。像素限定层32包括暴露第一像素电极31的至少部分的开口。像素限定层32可以包括有机材料或无机材料。在示例性实施例中,像素限定层32可以包括诸如光致抗蚀剂、聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、硅化合物和聚丙烯酸类树脂的材料。
发光层33可以设置在被像素限定层32暴露的第一像素电极31上。第二像素电极34设置在发光层33上。第二像素电极34可以是多个像素PX的共电极。此外,第二像素电极34可以是有机发光二极管(OLED)的阴极电极。
第二像素电极34可以包括具有低功函数的材料。第二像素电极34可以包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF、Ba或者它们的化合物或混合物(例如,Ag和Mg的混合物)。第二像素电极34可以通过与第一像素电极31形成在同一层中的电极连接到电力线PL。上面描述的第一像素电极31、发光层33和第二像素电极34可以构成有机发光二极管(OLED)。
盖层209可以设置在发光元件层30之上。盖层209可以向显示面板DP的外部提供从发光元件层30发射的光。例如,盖层209可以由无机材料(诸如碱性氟化物(例如,LiF)、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅)、有机材料(诸如α-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3或CuPc)或有机/无机复合材料形成。盖层209可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。此外,在一些情况下可以省略盖层209。
封装层40可以与孔区域HA基本上完全叠置。例如,当封装层40是透明的刚性玻璃时,光可以在穿过封装层40之后被传输到相机模块或传感器模块。
触摸传感器50可以包括直接设置在封装层40上的光阻挡构件LB和第一感测电极SSE1的第一感测电极层(第一感测电极层在沿着垂直于线C2-C2’的剖面截取显示装置100时可以被示出,并且可以设置在封装层40上)、覆盖第一感测电极层和光阻挡构件LB的第一感测绝缘层501、第二感测电极SSE2的设置在第一感测绝缘层501上的第二感测电极层52以及覆盖第二感测电极层52的第二感测绝缘层502。第一感测电极SSE1可以包括第一感测电极层,第二感测电极SSE2可以包括第二感测电极层52。在一些示例性实施例中,封装层40可以被解释为触摸传感器50的基体层。
第一感测电极层和第二感测电极层52中的至少一个可以包括使光能够透射通过其的透明导电材料。例如,第一感测电极层和第二感测电极层52可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料。第一感测电极层和第二感测电极层52不与孔区域HA叠置,但是可以与显示区域DA叠置。在另一示例中,第一感测电极层和第二感测电极层52可以与第二区域OA的部分叠置。此外,设置在孔区域HA的外围处的第二感测电极层52可以通过第二连接线CP彼此电连接。第二连接线CP可以通过接触孔CNT电连接到第二感测电极层52。类似地,设置在孔区域HA的外围处的第一感测电极SSE1可以通过设置在封装层40上的第一连接线彼此电连接。第一连接线可以通过接触孔电连接到第一感测电极层。
光阻挡构件LB可以与孔区域HA的第二区域OA完全叠置或者与第二区域OA的部分叠置。光阻挡构件LB可以被设置为不与第一区域MA叠置。
第一感测绝缘层501可以使第一感测电极层和第二感测电极层52彼此电绝缘。例如,第一感测绝缘层501可以是无机层,并且可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。
第二感测绝缘层502可以使第二感测电极层52电绝缘。例如,第二感测绝缘层502可以是无机层,并且可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。
在图5和图6中,第一感测绝缘层501和第二感测绝缘层502可以与孔区域HA完全叠置。
偏振层60可以与第二区域OA的至少部分和显示区域DA叠置,并且可以不与第一区域MA叠置。因为当覆盖窗80是透明玻璃时光透射通过覆盖窗80,所以覆盖窗80可以与孔区域HA完全叠置。
参照图6,基体基底10的上表面(面对第三方向DR3的表面)可以在与孔区域HA叠置的区域(更具体地,与孔区域HA的第二区域OA叠置的区域)中包括第一凹槽GRV1、第二凹槽GRV2和第三凹槽GRV3中的至少一个。例如,基体基底10的上表面可以包括第一凹槽GRV1、第二凹槽GRV2和第三凹槽GRV3。
第一凹槽GRV1可以在孔区域HA的外围处比显示区域DA邻近第一区域MA,第三凹槽GRV3可以在孔区域HA的外围处比第一区域MA邻近显示区域DA,第二凹槽GRV2可以定位在第一凹槽GRV1与第三凹槽GRV3之间。
第一凹槽GRV1、第二凹槽GRV2和第三凹槽GRV3可以阻挡可以从孔区域HA引入到显示区域DA的氧或湿气的渗透。第一凹槽GRV1、第二凹槽GRV2和第三凹槽GRV3可以在去除基体基底10的至少部分时形成。例如,第一凹槽GRV1、第二凹槽GRV2和第三凹槽GRV3可以在从前表面朝向后表面的方向上去除基体基底10的至少部分时形成。当在平面上观看时,第一凹槽GRV1、第二凹槽GRV2和第三凹槽GRV3可以被设置为围绕第一区域MA的闭合曲线或环的形状。
坝DM1和DM2可以设置在基体基底10的与孔区域HA叠置的部分上。例如,坝DM1和坝DM2可以包括第一坝DM1和第二坝DM2。第一坝DM1可以形成为比第二坝DM2靠近第一区域MA。在一些示例性实施例中,坝DM1和DM2可以包括在显示面板DP中。
第一坝DM1可以包括具有与第三绝缘层206的材料相同的材料的部分。第一坝DM1的所述部分可以与第三绝缘层206同时形成。第一坝DM1的所述部分和第三绝缘层206可以设置在同一层上。第一坝DM1可以定位在第一凹槽GRV1与第二凹槽GRV2之间。
第二坝DM2可以包括具有与像素限定层32的材料相同的材料的部分。第二坝DM2的所述部分可以与像素限定层32同时形成。第二坝DM2的所述部分和像素限定层32可以设置在同一层上。第二坝DM2可以定位在第二凹槽GRV2与第三凹槽GRV3之间。
坝DM1和DM2可以阻挡可能从孔区域HA引入到显示区域DA的氧或湿气的渗透,并且可以防止孔区域HA的外围被损坏。
图7是沿着图1B的线C2-C2’截取的示出了图1A的显示装置的另一示例性实施例的剖视图。图8是沿着图1B的线C2-C2’截取的更详细地示出了图7的剖视图的剖视图。
在图5和图6中所示的显示装置100的情况下,包括在触摸传感器50中的第一感测绝缘层501和第二感测绝缘层502与孔区域HA(更具体地,第一区域MA)叠置。因此,当光通过第一区域MA入射时,光将穿过覆盖窗80、第一感测绝缘层501、第二感测绝缘层502、封装层40和基体基底10。然而,穿过覆盖窗80、第一感测绝缘层501、第二感测绝缘层502、封装层40和基体基底10的光的透射率比根据光源波长而彼此不同,因此可能发生被拍摄的物体的一些颜色失真。
为了解决该问题,在图7和图8中所示的显示装置中,第一感测绝缘层501和第二感测绝缘层502中的至少一个可以不与孔区域HA叠置。
更特别地,第一感测绝缘层501和第二感测绝缘层502中的至少一个可以与第二区域OA叠置,并且可以不与整个第一区域MA或第一区域MA的部分叠置。
因此,在图7和图8中所示的显示装置的情况下,光可以在仅穿过覆盖窗80、封装层40和基体基底10之后到达相机模块,而不穿过第一感测绝缘层501和第二感测绝缘层502,相应地,可以解决上述问题。
图9是沿着图1B的线C2-C2’截取的示出了图1A的显示装置的另一示例性实施例的剖视图。图10是沿着图1B的线C2-C2’截取的更详细地示出了图9的剖视图的剖视图。
在图5和图6中所示的显示装置100中,由于封装层40和发光元件层30被设置为以特定距离G彼此间隔开,所以在封装层40与发光元件层30之间形成空间。然而,当上面描述的形成的空间太浅(即,空间在第三方向DR3上的厚度薄)时,通过第一区域MA透射的光仍然可能在第一区域MA中散射或可能在第一区域MA中反射。
为了解决该问题,在图9和图10中所示的显示装置中,封装层40的与第一区域MA叠置的下表面(面对第三方向DR3的相反方向的表面)可以朝向第三方向DR3被蚀刻。因此,封装层40的下表面可以包括与孔区域HA的至少部分叠置的凹槽MGRV。凹槽MGRV可以形成为与第一区域MA基本上完全地叠置并且与第二区域OA的至少部分叠置。例如,凹槽MGRV可以包括设置在第二区域OA中的台阶部分。
此外,凹槽MGRV的至少部分可以与第一感测绝缘层501和第二感测绝缘层502中的至少一个叠置。
因此,在图9和图10中所示的显示装置中,可以在封装层40的下表面与基体基底10之间充分地形成具有比距离G大的深度的腔,相应地,可以将通过第一区域MA透射的光传输到相机模块或传感器模块,而没有过度的干扰或失真。
在根据发明的原理和示例性实施例构造的显示装置中,改善了通过定位在显示区域中的孔区域传输的光的透射率,使得可以减少或防止通过与孔区域叠置的相机模块获得的物体的颜色失真。
尽管在此已经描述了某些示例性实施例和实施方式,但是通过该描述,其它实施例和修改将是清楚的。因此,发明构思不限于这样的实施例,而是限于权利要求以及如对于本领域普通技术人员将是清楚的各种明显的修改和等同布置的更宽范围。
Claims (20)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
显示面板,包括基体基底,所述基体基底具有显示区域和包括在所述显示区域中的孔区域;
触摸传感器,包括设置在所述显示面板上的光阻挡构件、覆盖所述光阻挡构件的第一感测绝缘层、设置在所述第一感测绝缘层上的感测电极层以及覆盖所述感测电极层的第二感测绝缘层;
偏振层,设置在所述触摸传感器上;以及
覆盖窗,设置在所述偏振层上,
其中,所述第一感测绝缘层和所述第二感测绝缘层中的至少一个暴露所述孔区域的至少部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述孔区域包括光透射通过其的第一区域以及围绕所述第一区域的外围并且阻挡光的第二区域。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一感测绝缘层和所述第二感测绝缘层中的至少一个不与所述第一区域叠置,而与所述第二区域叠置。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述显示面板还包括:
像素电路层,设置在所述基体基底上;
发光元件层,设置在所述像素电路层上;以及
封装层,设置在所述发光元件层上方同时与所述发光元件层竖直地间隔开,以覆盖所述发光元件层并且限定位于所述封装层与所述发光元件层之间的空间。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述封装层与所述孔区域完全叠置。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述封装层具有包括凹槽的下表面,所述凹槽与所述孔区域的至少部分叠置。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述凹槽与所述第一区域完全叠置。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一感测绝缘层和所述第二感测绝缘层中的至少一个与所述凹槽的至少部分叠置。
9.根据权利要求4至权利要求8中的任意一项所述的显示装置,其中,所述光阻挡构件直接设置在所述封装层上以与所述第二区域叠置并且不与所述第一区域叠置。
10.根据权利要求4至权利要求8中的任意一项所述的显示装置,其中,所述封装层包括透明玻璃。
11.根据权利要求4至权利要求8中的任意一项所述的显示装置,其中,所述感测电极层与所述显示区域叠置并且不与所述孔区域叠置。
12.根据权利要求4至权利要求8中的任意一项所述的显示装置,其中,所述像素电路层和所述发光元件层与所述显示区域叠置并且不与所述第一区域叠置。
13.根据权利要求4至权利要求8中的任意一项所述的显示装置,其中,所述像素电路层包括缓冲层、设置在所述缓冲层上的半导体层、设置在所述半导体层之上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的第一导电层以及设置在所述第一导电层之上的第二绝缘层,
其中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少一个与所述第二区域叠置。
14.根据权利要求4至权利要求8中的任意一项所述的显示装置,其中,所述发光元件层包括第一像素电极、设置在所述第一像素电极之上的像素限定层、设置在被所述像素限定层暴露的所述第一像素电极上的发光层以及设置在所述发光层上的第二像素电极,
其中,所述像素限定层和所述发光层与所述显示区域叠置,并且不与所述孔区域叠置。
15.根据权利要求2至权利要求8中的任意一项所述的显示装置,其中,所述偏振层与所述第二区域的至少部分叠置并且不与所述第一区域叠置。
16.根据权利要求1至权利要求8中的任意一项所述的显示装置,其中,所述第一感测绝缘层和所述第二感测绝缘层中的至少一个包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。
17.一种显示面板,所述显示面板包括:
基体基底,具有显示区域和包括在所述显示区域中的孔区域;
像素电路层,设置在所述基体基底上;
发光元件层,设置在所述像素电路层上;以及
封装层,以预定距离与所述发光元件层间隔开,所述封装层设置在所述发光元件层上方以覆盖所述发光元件层并且限定位于所述封装层与所述发光元件层之间的空间,
其中,所述封装层与所述孔区域完全叠置。
18.根据权利要求17所述的显示面板,其中,所述孔区域包括光透射通过其的第一区域和围绕所述第一区域的外围以阻挡光的第二区域,
其中,所述封装层具有包括凹槽的下表面,所述凹槽与所述孔区域的至少部分叠置。
19.根据权利要求18所述的显示面板,其中,所述凹槽与所述第一区域完全叠置。
20.根据权利要求18和权利要求19中的任意一项所述的显示面板,其中,所述像素电路层和所述发光元件层与所述显示区域叠置并且不与所述第一区域叠置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2020-0034366 | 2020-03-20 | ||
KR1020200034366A KR20210118313A (ko) | 2020-03-20 | 2020-03-20 | 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113495643A true CN113495643A (zh) | 2021-10-12 |
Family
ID=77748262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110134904.3A Pending CN113495643A (zh) | 2020-03-20 | 2021-01-29 | 显示面板以及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11309367B2 (zh) |
KR (1) | KR20210118313A (zh) |
CN (1) | CN113495643A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114300637A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN114639709A (zh) * | 2022-02-28 | 2022-06-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2023168580A1 (zh) * | 2022-03-07 | 2023-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示母板及显示装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210118313A (ko) * | 2020-03-20 | 2021-09-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220063774A (ko) * | 2020-11-09 | 2022-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102425836B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102534107B1 (ko) | 2016-03-24 | 2023-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102521080B1 (ko) | 2016-03-28 | 2023-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 일체형 표시 장치 |
KR102568924B1 (ko) | 2016-06-14 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 포함하는 룸미러 모듈 |
KR102511525B1 (ko) | 2017-12-19 | 2023-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102580450B1 (ko) * | 2018-06-22 | 2023-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시모듈, 표시패널 및 그 제조방법 |
KR102598230B1 (ko) * | 2018-08-13 | 2023-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10541380B1 (en) * | 2018-08-30 | 2020-01-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with substrate comprising an opening and adjacent grooves |
KR20200060002A (ko) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200073544A (ko) * | 2018-12-14 | 2020-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200120845A (ko) * | 2019-04-12 | 2020-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210079614A (ko) * | 2019-12-20 | 2021-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR20210118313A (ko) * | 2020-03-20 | 2021-09-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2020
- 2020-03-20 KR KR1020200034366A patent/KR20210118313A/ko unknown
- 2020-10-28 US US17/083,248 patent/US11309367B2/en active Active
-
2021
- 2021-01-29 CN CN202110134904.3A patent/CN113495643A/zh active Pending
-
2022
- 2022-04-18 US US17/723,403 patent/US11696482B2/en active Active
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114300637A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN114300637B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN114639709A (zh) * | 2022-02-28 | 2022-06-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2023159682A1 (zh) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
WO2023168580A1 (zh) * | 2022-03-07 | 2023-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示母板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210118313A (ko) | 2021-09-30 |
US20210296404A1 (en) | 2021-09-23 |
US20220246686A1 (en) | 2022-08-04 |
US11309367B2 (en) | 2022-04-19 |
US11696482B2 (en) | 2023-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3660639B1 (en) | Electronic device including crack detection wiring | |
US11256357B2 (en) | Display device | |
US11696482B2 (en) | Display device | |
EP3346514A1 (en) | Organic light emitting display | |
CN111223897A (zh) | 显示装置 | |
EP3343628B1 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing thereof | |
CN108155214B (zh) | 具有任意形状的显示装置 | |
US11730043B2 (en) | Display device | |
CN113257861A (zh) | 显示装置 | |
US11552132B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US20210063806A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
CN114203769A (zh) | 显示设备及制造该显示设备的方法 | |
CN113540182A (zh) | 显示装置和电子设备 | |
KR102587708B1 (ko) | 유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이 및 그의 제조방법 | |
US11882725B2 (en) | Display apparatus | |
CN113066826A (zh) | 显示设备和制造显示设备的方法 | |
CN218353027U (zh) | 显示设备 | |
EP4156887A1 (en) | Display device | |
US11943992B2 (en) | Display device including optical module | |
CN219843922U (zh) | 显示装置 | |
KR102667252B1 (ko) | 플렉서블 표시 장치 | |
US20230232676A1 (en) | Display apparatus | |
US20230006013A1 (en) | Display device | |
CN117079541A (zh) | 显示装置 | |
CN117238921A (zh) | 显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |