CN113488572B - 一种器件转移方法及转移装置 - Google Patents
一种器件转移方法及转移装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113488572B CN113488572B CN202110791359.5A CN202110791359A CN113488572B CN 113488572 B CN113488572 B CN 113488572B CN 202110791359 A CN202110791359 A CN 202110791359A CN 113488572 B CN113488572 B CN 113488572B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plate
- photosensitive
- target substrate
- photosensitive plate
- charges
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 13
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 claims description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
Abstract
本发明公开了一种器件转移方法及转移装置,器件转移方法包括以下步骤:对带电荷的感光板进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失,形成正像及负像;移动所述感光板,使所述感光板的正像或负像吸附待转移的带电荷的器件,并将所述器件压在目标基板上;对所述目标基板施加与所述器件所带电荷极性相反的电压,以吸附所述器件;移动所述感光板,使所述器件脱离所述感光板。本发明实施例提供的一种器件转移方法及转移装置,可以实现器件的巨量转移,尤其适用于微小器件的巨量转移,提高巨量转移的效率,不仅适合生产新的目标基板,将器件批量转移至目标基板上,而且适合修复目标基板,在目标基板存在需修复器件的情况下批量修补器件。
Description
技术领域
本发明属于巨量转移技术领域,尤其涉及一种器件转移方法及转移装置。
背景技术
随着显示技术的进步,市场对LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的低对比度、低色域、低响应速度等缺点,以及OLED(Organic LightEmitting Display,有机发光显示器)的烧屏、颗粒感重、偏色、光舒适度差等缺点越发地不满。Micro LED显示技术作为下一代显示技术,具有高对比度、高色域、高响应速度、超高分辨率和寿命长等优点,其兼有LCD及OLED的优点的同时又没有其缺点。Micro LED还具有可柔性显示及低能耗的优点,被誉为一种终极显示技术。
制作Micro LED显示器需要将百万颗的微米级LED转移至背板上,即巨量转移。现有巨量转移有以下几种方法,如静电力转移技术、范德华力转移技术、磁场力转移技术、自对准滚轮转印技术、自组装转移技术和激光转移技术,但均有优缺点。如范德华力转移技术,难以做到拾取与释放的一致性;自组装转移技术组装后的Micro LED推拉力差,修复困难。
另外,转移后难免存在LED缺失或损坏的情况,如果不进行修补,便会造成显示不良。如何对缺失点进行修补是迫切需要解决的难题。现有技术提供的修补方式为:首先对背板进行检测,找到缺失点再逐一进行修补;或者加电测试找到缺失点,再一一修补。故现有修补方式存在效率低的问题。
发明内容
本发明提供了一种器件转移方法及转移装置,可以解决或者至少部分解决现有技术中Micro LED巨量转移效率低的技术问题。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,提供了一种器件转移方法,包括:
判断为生产模式还是修复模式;
若是生产模式,则获取目标基板的器件设计分布位置,并根据所述器件设计分布位置确定感光板的曝光处位置;
若是修复模式,则获取目标基板的器件修复分布位置,并根据所述器件修复分布位置确定所述感光板的曝光处位置;
对带电荷的感光板进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失,形成正像(曝光处)及负像(非曝光处),所述电荷为负电荷;
移动所述感光板,所述器件所带电荷由所述感光板所带电荷形成的静电场感应产生,所述器件所带电荷为负电荷,使所述感光板的正像或负像吸附待转移的带电荷的器件,并将所述器件压在目标基板上;
将所述器件释放在所述目标基板上。
可选地,所述对带电荷的感光板进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失之前,还包括:
向感光板供电,所述感光板的一侧接地,另一侧通过充电板连接电压,电流通过充电板,使所述感光板整体带上电荷。
可选地,所述感光板包括感光层和连接所述感光层的金属层,所述感光板的一侧为所述金属层,所述感光板的另一侧为所述感光层。
可选地,所述金属层为铝板,所述感光层为硒板或硒膜。
可选地,所述对带电荷的感光板进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失,形成正像及负像,包括:
通过激光进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失。
可选地,所述将所述器件释放在所述目标基板上,包括:
所述器件硬连接所述目标基板;
移动所述感光板,使所述器件脱离所述感光板。
可选地,在所述器件硬连接所述目标基板之前,还包括:
对所述目标基板施加与所述器件所带电荷极性相反的电压,以吸附所述器件。
可选地,所述对所述目标基板施加与所述器件所带电荷极性相反的电压,以吸附所述器件,包括:
在所述目标基板背离所述感光板的一侧电性连接导电板;
对所述导电板施加与所述器件所带电荷极性相反的电压。
第二方面,提供了一种器件转移装置,包括:
曝光组件,用于对带电荷的感光板进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失,形成正像及负像,所述电荷为负电荷;
移动组件,用于移动所述感光板,所述器件所带电荷由所述感光板所带电荷形成的静电场感应产生,所述器件所带电荷为负电荷,利用所述感光板的正像或负像吸附待转移的带电荷的器件,并将所述器件压在目标基板上;
第一电源,用于向感光板供电,所述感光板的一侧接地,另一侧通过充电板连接电压,电流通过所述充电板,使所述感光板整体上带上电荷。
可选地,还包括:
第二电源,用于对所述目标基板施加与所述器件所带电荷极性相反的电压,以吸附所述器件。
与现有技术相比,本发明实施例具有以下有益效果:
通过曝光使感光板的曝光处的电荷减少或者消失,接着可以利用感光板的正像或负像吸附待转移的带电荷的器件,并将器件压在目标基板上,然后可以将器件释放在目标基板上,从而实现器件的转移。
本发明实施例提供的一种器件转移方法及转移装置,可以实现器件的巨量转移,尤其适用于微小器件(如Micro LED)的巨量转移,提高巨量转移的效率,不仅适合生产新的目标基板,将器件批量转移至目标基板上,而且适合修复目标基板,在目标基板存在需修复器件的情况下批量修补器件。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
本说明书所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本发明可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。
图1为本发明实施例提供的一种器件转移方法流程图;
图2至图8为本发明实施例提供的一种器件转移的过程示意图;
图9为本发明实施例提供的一种器件转移装置的结构示意图。
具体实施方式
为使得本发明的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而非全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一
本实施例提供了一种器件转移方法,拥有更高的转移效率,尤其适用于微小器件的转移,如Micro LED的巨量转移。
请参阅图1所示,该器件转移方法包括以下步骤:
S101、对带电荷的感光板进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失,形成曝光处的正像及非曝光处的负像;可选地,该电荷可以为负电荷;
S102、移动感光板,使感光板的正像或负像吸附待转移的带电荷的器件,并将器件压在目标基板上;可选地,当用正像(带正电)吸附器件时,器件可以带负电荷;当用负像吸附器件时,器件可以带正电荷。
S103、将器件释放在所述目标基板上。
作为一种可选实施方式,感光板包括感光层和与感光层连接的金属层,如图2所示。可选地,感光层为硒板或硒膜,金属层为铝板。
为了产生负电荷,在进行步骤S101之前,可以通过向感光板充电实现,感光板的一侧接地,即金属层接地,另一侧的充电板连接负电压,如-600至-700V的电压,所带的负电荷通过接触放电,即静电转移的方式部分转移至感光层,使感光层的表面带负电荷,如图3所示。
因此,电流通过充电板时,可以使感光板表面带上负电荷,如图3所示。可选地,电流可以为恒流。
应当理解,上述负电荷产生方法仅是感光板产生负电荷的一种可选实施方式,其还可通过其他方式产生负电荷。
具体地,在步骤S101中,可以通过激光照射感光板的方式,使曝光处的负电荷减少或者消失,如图4所示,光源发出激光,并照射在曝光处位置。
在步骤S102中,可以移动感光板,使其正像靠近器件,进而吸附源基板上的器件,如图5所示。图5中,“↑”代表吸附力,“↓”代表排斥力,“-”代表带负电荷。由于需要进行批量吸附,因此器件在一开始可以预先设计分布排列位置,例如可以是呈密排阵列分布在源基板上。待吸附完器件后,如图6,感光板转移至目标基板的上方,并将器件压在目标基板上,如图7所示。在一实施例中,可通过静电转移的方式使所述器件带电荷。在另一实施例中,所述器件所带电荷由感光板所带电荷形成的静电场感应产生。
该步骤S102中,可以通过移动组件实现移动感光板,例如使用具备三轴(三个直线坐标)或者五轴(三个直线坐标和两个旋转坐标)运动功能的机械手作为移动组件。
作为一种可选实施方式,步骤S103包括:
对目标基板施加与器件所带电荷极性相反的电压,以吸附器件。可选地,该电压可以为正电压。具体地,该步骤包括:
在目标基板背离感光板的一侧电性连接导电板,如图7所示;
对导电板施加正电压。
进一步地,为了将器件释放在目标基板上,步骤S103还包括:
器件硬连接所述目标基板;
移动所述感光板,使所述器件脱离所述感光板,如图8所示。
因此,通过对目标基板施加与器件所带电荷极性相反的电压,以吸附器件后,将器件硬连接所述目标基板,从而可以移动所述感光板,使所述器件脱离所述感光板,完成器件的释放。本实施例提供的器件转移方法,不仅可以提高器件转移效率,而且可以克服现有技术存在的拾取与释放的一致性差、推拉力差和修复困难的问题。
实施例二
在实施例一中,为了使曝光处吸附的器件与目标基板上待接收位置一一对应,在进行步骤S101之前,应当执行确定感光板的曝光处位置的步骤。
进一步地,确定感光板的曝光处位置的步骤包括以下步骤:
判断为生产模式还是修复模式;
若是生产模式,则获取目标基板的器件设计分布位置,并根据器件设计分布位置确定感光板的曝光处位置;
若是修复模式,则获取目标基板的器件修复分布位置,并根据器件修复分布位置确定感光板的曝光处位置。
生产模式可以理解为,目标基板首次接收器件转移。因此可以通过获取目标基板的设计资料等,获取目标基板的器件设计分布位置,然后可以根据器件设计分布位置确定感光板的曝光处位置。
修复模式可以理解为,目标基板上的器件发生了损坏,需要进行修复更换,或者是目标基板上的器件有缺失,需要进行修复更换。因此可以通过检测哪些器件发生了损坏或缺失,确定目标基板的器件修复分布位置,然后可以根据器件修复分布位置确定感光板的曝光处位置。
本实施例提供的器件转移方法,不仅适合生产新的目标基板,将器件批量转移至目标基板上,而且适合修复目标基板,在目标基板存在需修复器件的情况下批量修补器件。
实施例三
本实施例提供了一种器件转移装置,可以实现上述实施例提供的器件转移方法,如图9所示。该器件转移装置包括:
曝光组件,用于对带电荷的感光板进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失,形成正像及负像;
移动组件,用于移动感光板,使感光板的正像或负像吸附待转移的带电荷的器件,并将器件压在目标基板上;
第一电源,用于向感光板供电,所述感光板的一侧接地,另一侧通过充电板连接电压,电流通过所述充电板,使所述感光板整体上带上电荷;
第二电源,用于对所述目标基板施加与所述器件所带电荷极性相反的电压,以吸附所述器件。
由于器件转移方法已经在上述实施例详细描述,此处不再赘述。
本实施例提供的器件转移装置,可以实现器件的巨量转移,尤其适用于微小器件的巨量转移,提高巨量转移的效率,不仅适合生产新的目标基板,将器件批量转移至目标基板上,而且适合修复目标基板,在目标基板存在需修复器件的情况下批量修补器件。
以上所述,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (9)
1.一种器件转移方法,其特征在于,包括:
判断为生产模式还是修复模式;
若是生产模式,则获取目标基板的器件设计分布位置,并根据所述器件设计分布位置确定感光板的曝光处位置;
若是修复模式,则获取目标基板的器件修复分布位置,并根据所述器件修复分布位置确定所述感光板的曝光处位置;
对带电荷的所述感光板进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失,形成正像及负像,所述电荷为负电荷;
移动所述感光板,所述器件所带电荷由所述感光板所带电荷形成的静电场感应产生,所述器件所带电荷为负电荷,使所述感光板的正像或负像吸附待转移的带电荷的器件,并将所述器件压在目标基板上;
将所述器件释放在所述目标基板上。
2.根据权利要求1所述的器件转移方法,其特征在于,所述对带电荷的感光板进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失,形成正像及负像之前,还包括:
向感光板供电,所述感光板的一侧接地,另一侧通过充电板连接电压,电流通过充电板,使所述感光板整体带上电荷。
3.根据权利要求2所述的器件转移方法,其特征在于,所述感光板包括感光层和连接所述感光层的金属层,所述感光板的一侧为所述金属层,所述感光板的另一侧为所述感光层。
4.根据权利要求1所述的器件转移方法,其特征在于,所述对带电荷的感光板进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失,形成正像及负像,包括:
通过激光进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失。
5.根据权利要求1所述的器件转移方法,其特征在于,所述将所述器件释放在所述目标基板上,包括:
所述器件硬连接所述目标基板;
移动所述感光板,使所述器件脱离所述感光板。
6.根据权利要求5所述的器件转移方法,其特征在于,在所述器件硬连接所述目标基板之前,还包括:
对所述目标基板施加与所述器件所带电荷极性相反的电压,以吸附所述器件。
7.根据权利要求6所述的器件转移方法,其特征在于,所述对所述目标基板施加与所述器件所带电荷极性相反的电压,以吸附所述器件,包括:
在所述目标基板背离所述感光板的一侧电性连接导电板;
对所述导电板施加与所述器件所带电荷极性相反的电压。
8.一种器件转移装置,其特征在于,包括:
曝光组件,用于对带电荷的感光板进行曝光,使曝光处的电荷减少或者消失,形成正像及负像,所述电荷为负电荷;
移动组件,用于移动所述感光板,所述器件所带电荷由所述感光板所带电荷形成的静电场感应产生,所述器件所带电荷为负电荷,使所述感光板的正像或负像吸附待转移的带电荷的器件,并将所述器件压在目标基板上;
第一电源,用于向感光板供电,所述感光板的一侧接地,另一侧通过充电板连接电压,电流通过所述充电板,使所述感光板整体上带上电荷。
9.根据权利要求8所述的器件转移装置,其特征在于,还包括:
第二电源,用于对所述目标基板施加与所述器件所带电荷极性相反的电压,以吸附所述器件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110791359.5A CN113488572B (zh) | 2021-07-13 | 2021-07-13 | 一种器件转移方法及转移装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110791359.5A CN113488572B (zh) | 2021-07-13 | 2021-07-13 | 一种器件转移方法及转移装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113488572A CN113488572A (zh) | 2021-10-08 |
CN113488572B true CN113488572B (zh) | 2023-01-03 |
Family
ID=77939191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110791359.5A Active CN113488572B (zh) | 2021-07-13 | 2021-07-13 | 一种器件转移方法及转移装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113488572B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114420607B (zh) * | 2022-01-19 | 2022-09-09 | 曲面超精密光电(深圳)有限公司 | Micro LED巨量转移和修复装置、方法及其设备 |
CN116352738B (zh) * | 2023-02-10 | 2023-10-24 | 中科合肥技术创新工程院 | 一种自定义形状的静电吸附装置及其吸附方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109427643A (zh) * | 2017-09-04 | 2019-03-05 | 东捷科技股份有限公司 | 改变电子元件排列的方法 |
CN110350063B (zh) * | 2019-07-22 | 2020-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管、显示基板和转移方法 |
-
2021
- 2021-07-13 CN CN202110791359.5A patent/CN113488572B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113488572A (zh) | 2021-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113488572B (zh) | 一种器件转移方法及转移装置 | |
US10128451B2 (en) | Flexible display substrate, flexible display panel, and flexible display apparatus, and fabrication methods thereof | |
US8581167B2 (en) | Optically patterned virtual electrodes and interconnects on polymer and semiconductive substrates | |
CN110634840A (zh) | 检测基板及其制备方法、检测装置和检测方法 | |
CN103229105A (zh) | 光学成像 | |
JP2011040464A (ja) | 異物除去装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
US20240194841A1 (en) | Led display panel and manufacturing method thereof | |
CN112490261A (zh) | 一种Micro LED检测和转移方法 | |
JP2002527783A5 (zh) | ||
KR20090122647A (ko) | 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법 | |
CN109427643A (zh) | 改变电子元件排列的方法 | |
CN1885197A (zh) | 成像设备及成像方法 | |
TWI653703B (zh) | Method of changing the arrangement of electronic components | |
US20220352440A1 (en) | Target transferring structure and manufacturing method thereof, and light-emitting diode fixing method | |
JPH0973091A (ja) | 帯電スペーサ塗布装置 | |
JP3321225B2 (ja) | 露光装置 | |
CN101719446B (zh) | 贴膜机除屑装置 | |
CN101543146B (zh) | 图像形成装置、图像形成方法、图案形成系统以及图案形成方法 | |
CN213026087U (zh) | 一种微型器件转移装置和系统 | |
TW579537B (en) | Apparatus for image display forming with projection and apparatus and methods for image forming on conductive substrates | |
TWM556928U (zh) | 改變電子元件排列的設備 | |
TW201812458A (zh) | 直接成像曝光裝置及方法 | |
CN1112244A (zh) | 成象装置 | |
US20070161133A1 (en) | Method for implanting carbon nanotube | |
CN111799207A (zh) | 一种微型器件转移装置、系统及转移方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |