CN109427643A - 改变电子元件排列的方法 - Google Patents
改变电子元件排列的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109427643A CN109427643A CN201710784567.6A CN201710784567A CN109427643A CN 109427643 A CN109427643 A CN 109427643A CN 201710784567 A CN201710784567 A CN 201710784567A CN 109427643 A CN109427643 A CN 109427643A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electronic component
- substrate
- reprinting
- photosensitive drums
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 230000008859 change Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 146
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 47
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 claims description 3
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 claims 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 claims 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000004064 dysfunction Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWGNOEDOFJKLST-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Sb] Chemical compound [Cd].[Sb] WWGNOEDOFJKLST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开一种改变电子元件排列的方法包括以下步骤:提供一承载基板。承载基板有多个电子元件,该电子元件以一第一方式排列。接着,激活一转载基板,以形成一个或多个吸附区域及一个或多个非吸附区域。然后,引入承载基板上被选择的一个或多个电子元件至转载基板的一个或多个吸附区域,以使被选择的该一个或多个电子元件被吸附在转载基板的一个或多个吸附区域。最后,转载被吸附在转载基板上的一个或多个电子元件至一目标基板,而使目标基板上一个或多个电子元件以一第二方式排列。第二方式排列是不同于第一方式排列。如此,本发明能达成有效率改变电子元件的排列。
Description
技术领域
本发明涉及电子电路制造设备,特别是指一种改变电子元件排列的方法。
背景技术
随着芯片工艺发展,各式晶体管工艺都已被缩小至纳米等级,缩小的晶体管不仅能缩减体积更可减少耗电,相对地,由晶体管组成的芯片的体积也可以对应被缩减或是放入更多晶体管,以满足现今电子产品(智能型手机、平板计算机及显示器等)的发展。
微发光二极管显示器(Micro Light Emitting Diode Display)的结构是通过微形化LED阵列,而可单独驱动微发光二极管(Micro-LED),使得显示器的像素点距离缩小至微米等级。
这种微型化LED阵列在电路制造方面,不仅电子元件的体积更小,而且阵列排列的密度更高且数量更多,因此,其困难度不仅超越目前的制造方式,且需更有效率缩短电子元件排列的时间,才能达成量产的目的。
此外,转移后的巨量电子元件在功能测试仍容易发现部分功能异常,异常原因有电子元件损坏及电子元件与焊料接触不佳等问题,当要进行修补(repair)时,由于位置分布不均且非固定,因此,修补作业也变得困难。
发明内容
有鉴于上述缺失,本发明的目的在于提供一种改变电子元件排列的方法,以有效率地改变电子元件的排列,而将电子元件固定在目标基板的适当位置以进行各种应用。
为达成上述目的,本发明提供一种改变电子元件排列的方法包括以下步骤:提供一承载基板。承载基板有多个电子元件,该多个电子元件以一第一方式排列。接着,激活一转载基板,以形成一个或多个吸附区域及一个或多个非吸附区域。然后,引入承载基板上被选择的一个或多个电子元件至转载基板的一个或多个吸附区域,以使被选择的该一个或多个电子元件被吸附在转载基板的一个或多个吸附区域。最后,转载被吸附在转载基板上的一个或多个电子元件至一目标基板,而使目标基板上一个或多个电子元件以一第二方式排列。第二方式排列是不同于第一方式排列。
其中,该承载基板是一晶圆,该电子元件是芯片,该第一方式排列是固定间距。
其中,该第二方式排列的间距是大于该第一方式排列的间距。
其中,激活及转载步骤可以通过静电、磁力、凡德瓦力、真空及黏胶的其中一程序移动该电子元件。
其中,转载步骤之后包括:提供一电路基板,具有一导电层及连接该导电层的多个焊料;及转印该电子元件至该电路基板,以使该电子元件的接脚与该电路基板的焊料形成电性连接。
其中,转印步骤包括对焊料及该电子元件的接脚加热。
其中,激活该转载基板包括:在该转载基板的整个表面上引起电荷;及照射电磁波至该转载基板的部分表面,以除去电荷,而使没有电荷的表面形成该一个或多个吸附区域。
其中,该电子元件具有一电荷。
其中,激活该转载基板包括:在该转载基板的整个表面上引起电荷;及照射电磁波至该转载基板的部分表面,以除去电荷,而使存在电荷的表面形成该一个或多个吸附区域。
其中,该电子元件具有一相反电荷,该相反电荷的极性与该一个或多个吸附区域的电荷的极性相反。
其中,被引入的该一个或多个电子元件被吸附在该转载基板的一个或多个吸附区域包括:选择该承载基板上不同排的该一个或多个电子元件,该不同排之间存在其它排的电子元件;及被选择的该电子元件被吸附在该转载基板的一个或多个吸附区域。
其中,被选择的该一个或多个电子元件被吸附在该转载基板的一个或多个吸附区域是该电子元件没有接触该转载基板。
其中,被选择的该一个或多个电子元件被吸附在该转载基板的一个或多个吸附区域是该电子元件接触该转载基板。
其中,转载步骤包括去除激活该转载基板。
其中,激活、引入及转载的步骤是以部分滚动程序执行。
其中,该滚动程序通过一滚动设备来排列电子元件,该滚动设备包括:一第一运输系统,用以输送该承载基板;一第二运输系统,用以输送该目标基板;一感光鼓,是能转动,且具有一光电导体层;及一曝光系统,选择地对转动中的该感光鼓的光电导体层的至少一个部分进行曝光,以使该光电导体层未曝光的部分对该电子元件具有吸引力;其中,该感光鼓是连续转动,该光电导体层附接该承载基板的该电子元件,并将附接的该电子元件转移至该目标基板的对应位置。
其中,该曝光系统包括一照明模块及一扫描模块,该照明模块对该感光鼓的光电导体层进行曝光,该扫描模块对该感光鼓的光电导体层进行扫描。
其中,该滚动程序通过一滚动设备来排列电子元件,该滚动设备包括:一第一运输系统,用以输送该承载基板;一第二运输系统,用以输送该目标基板;一第一感光鼓,是能转动,且具有一光电导体层;一第二感光鼓,是能转动,且具有一光电导体层;及两曝光系统,分别选择地对转动中的该第一感光鼓的光电导体层及该第二感光鼓的光电导体层的至少一个部分进行曝光,以使该第一感光鼓的光电导体层及该第二感光鼓的光电导体层未曝光的部分对该电子元件产生吸引力;其中,该第一感光鼓及该第二感光鼓是连续转动,该第一感光鼓的光电导体层附接该承载基板的该电子元件,该第二感光鼓的光电导体层附接在该第一感光鼓上的该电子元件,且改变该电子元件的间距,将附接在该第二感光鼓的该光电导体层的该电子元件转移至该目标基板的对应位置。
其中,该两曝光系统包括两照明模块及两扫描模块,该两照明模块分别对该第一感光鼓的光电导体层及该第二感光鼓的光电导体层进行曝光,该两扫描模块分别对该第一感光鼓的光电导体层及该第二感光鼓的光电导体层进行扫描。
如此,本发明的改变电子元件排列的方法是可以有效率的改变电子元件的排列,而达成更有效率生产及修补的目的。
有关本发明所提供的改变电子元件排列的方法的详细步骤、特点、组成或运作方式,将于后续的实施方式详细说明中结合附图和具体实施例予以详细描述。然而,在本发明领域中具有通常知识的技术人员应能了解,该等详细说明以及实施本发明所列举的特定实施例,仅用于说明本发明,并非作为对本发明的限定。
附图说明
图1是本发明的改变电子元件排列的方法的实施例流程图。
图2是延续图1附加可选择的方法的流程图。
图3及图4是转载基板的剖视,代表激活步骤的剖视示意图。
图5-图6是转载基板及承载基板的剖视,代表引入步骤的示意图。
图7是转载基板及目标基板的剖视,代表转载步骤的示意图。
图8是承载基板的剖视示意图。
图9是转载基板及承载基板的剖视,代表引入步骤的示意图。
图10是转载基板及目标基板的剖视,代表转载步骤的示意图。
图11是目标基板及电路基板的剖视,代表转印步骤的示意图
图12是电路基板的剖视示意图。
图13是电路基板的俯视示意图。
图14是电路基板经功能测试后发现部分电子元件损坏的俯视示意图。
图15是转载基板依据图14的吸附电子元件的俯视示意图。
图16是通过本发明的方法进行修补后的电路基板的俯视示意图。
图17-图19是滚动设备用以改变电子元件排列的示意图。
其中,附图标记:
10方法过程 11-17、121、141步骤
20转载基板 21工作表面
22负电荷 30、743、763电磁波
40承载基板 41、43、45电子元件
411接脚 50目标基板
60电路基板 61导电层
62焊料 70滚动设备
71第一运输系统 711、721、722支撑滚轮
72第二运输系统 73感光鼓
731光电导体层 74、76曝光系统
741、761照明模块 742、762扫描模块
具体实施方式
以下,兹配合各图式列举对应的较佳实施例来对本发明的改变电子元件排列方法的步骤、制造设备及达成功效来作说明。然各图式中改变电子元件排列方法的步骤、设备构件、基板尺寸及形状仅用来说明本发明的技术特征,而非对本发明构成限制。
如图1所示,该图是本发明的改变电子元件排列的方法过程的流程图。方法过程10绘示五个步骤,但这不是对本发明的限制,且在其它实施例中,本发明可以不同的顺序执行,或者存在更多或较少的步骤。方法过程10从提供承载基板的步骤11开始,承载基板11可以是三五族半导体(III-V)材料(如砷化镓GaAs、氮化镓GaN及磷化镓GaP等)、二六族半导体(例如硫化锌(ZnS)及镉化锑(CdTe)等)、硅晶圆、蓝宝石晶圆、料盘、料带或其它供存放电子元件器具。电子元件可以是晶体管或半导体组成的芯片或其它半导体工艺后的产物,例如被动元件。
步骤12是激活(activating)转载基板,这个步骤可以激活转载基板的工作表面的全部或部分区域,以形成一个或多个吸附区域,吸附区域在工作表面上形成特定的图案排列,且用以一次或分次将承载基板上的部分电子元件或全部电子元件吸附在吸附区域上。相反地,工作表面上没有被激活的区域是不会吸附电子元件,此外,当吸附区域被以去除或减少激活(remove activation)作业后,吸附区域将不再有对电子元件的吸附能力。
步骤13是引入(introducing)被选择的电子元件至转载基板,该步骤中是转载基板吸附承载基板上被选择的电子元件,在这个步骤中,被选择的电子元件可以是一个或者多个,电子元件被附接在转载基板上可通过接触或没有接触的方式,因为,静电力可以通过接触或非接触方式对电子元件产生吸引力。步骤14是提供目标基板。步骤15是从转载基板转载(transferring)被吸附的电子元件至目标基板,其中,目标基板的表面可形成可剥离(debonding)层以暂时黏住电子元件,可剥离层可以是可剥胶、静电力、磁力或凡德瓦力或真空力等方式以暂时固定电子元件。
其中,承载基板上该些电子元件是以一第一方式排列,通常第一方式排列的电子元件是固定间距且大致紧密排列。转载至目标基板的电子元件是以第二方式排列,第二方式排列是不同于第一方式排列,第二方式排列中相邻电子元件的间距通常是大于第一方式排列中相邻电子元件的间距,在其它实施例中,第一方式排列也可以是非固定间距,且非紧密排列,本发明也可以将较大间距排列的电子元件转换为较小间距排列的电子元件,或者相等间距转换。如此,以改变电子元件的排列方式。
在其它实施例中,目标基板也可以利用与转载基板相同的组成而产生对电子元件的吸引力。
延续图1说明,本发明的方法过程包括附加步骤。如图2所示,该图是本发明的方法过程的另一实施例的流程图,且包含可选择性增加的四个步骤。步骤121是先选择承载基板上不同排的电子元件,这个步骤中是其中一种增加电子元件间距的方式,不同排之间存在其它排的电子元件。随后将介绍其它方式,例如控制行进中转载基板吸附电子元件的时间或者行进速度等。步骤141是去除激活转载基板,这个步骤是指转载基板接近或靠近目标基板时,通过去除或减少激活转载基板,而使转载基板失去吸附能力来释放电子元件,以使目标基板上电子元件的接脚(pads)都是朝外,以便于后续制造。电子元件的接脚朝外是指接脚不是面对目标基板,但在其它实施例中,接脚也可以朝向目标基板。
步骤16是提供电路基板,电路基板有绝缘层、导电层及多个焊料。绝缘层可以在电路基板的上或内部。导电层也可以在电路基板的上面或内部。焊料连接导电层,焊料可以是锡膏或导电胶,导电胶组成包含结合树脂与金属粒,金属粒分成单一金属及金属合金,单一金属例如铟、银、锡、金、及铝等),金属合金例如银锡、金锡及铟锡等)。另外,电路基板可以是硬板、软板或软硬结合板,材质可以是金属、高分子聚合物、陶瓷、玻璃、蓝宝石、及业界熟悉的印刷电路板材质等。步骤17是转印电子元件至电路基板,以使电子元件的接脚与电路基板的焊料形成电性连接,这个步骤中可通过加热焊料及电子元件的接脚,以固定电子元件,在其它实施例中也可以单独加热焊料或电子元件的接脚。因为电子元件与目标基板之间是可剥离的,因此,电子元件被固定在电路基板时,电子元件是可以轻易与目标基板分离。
依据图1的步骤12激活转载基板的工作表面,工作表面是光电导体层(photoconductive layer),转载基板的主要组成包括金属层及披覆在金属层上的光电导体层。当转载基板被充电时,光电导体层的部分或全部分布均匀电荷(electricalcharge),然后可借由曝光来改变导通状态,被曝光的部分或区域的电荷会被中和或下降,未被曝光的部分则可保留电荷。如图3所示,转载基板20的工作表面21带有负电荷22。但在其它实施例中,工作表面21也可以带有正电荷、或不带正/负电荷。在其它实施例中,转载基板的工作表面也可以是其它材料或结构组成的吸附层,这些材料或结构让转载基板的工作表面具有吸附力,吸引力除了上述的静电还包括磁力或凡德瓦力、真空力或黏贴力,真空力例如通过转载基板上形成真空通道,黏贴力例如通过可剥胶。
然后,在图4中,转载基板20的工作表面21的一个或多个部分被暴露在电磁波30,例如雷射光、辐射等的照射,致使负电荷被移除或减少。未被电磁波30照射的区域,则可保留负电荷,以进行图1中步骤13引入被选择的电子元件至转载基板,如图5所示,承载基板40上电子元件41的排列是固定间距,且负电荷22对应电子元件41,如图6所示,通过工作表面21接近承载基板40,以使工作表面21上被保留的负电荷22吸附电子元件41,电子元件41可以不带电荷或带正(反相)电荷。然后,如图7所示,提供目标基板50,以将电子元件41转换到目标基板50的适当位置,而完成改变电子元件的排列。
在其它实施例中,若电子元件带有正/负电荷,被吸附的区域也可以选择工作表面上不带电荷的区域,也就是借由电磁波去除或减少被吸附区域的电荷。或者,在工作表面上形成(选择)与电子元件相反电荷(opposite electrical charge),相反电荷的极性与吸附区域的电荷的极性相反。此外,电子元件41被吸附至承载基板40上也可通过移动承载基板40接近工作表面21,或者两者同步运动而相互接近。
在另一实施例中,如图8所示,该图对应图1的步骤11,承载基板40上电子元件41的接脚(pad)411是朝上,且是固定间距排列。对应图1的步骤12是与图3及图4,这部分不再赘述。如图9所示,本领域技术人员从图及说明可理解前述说明中接脚411朝上是指接脚411朝向转载基板20,该图对应图1的步骤13,以使电子元件41被吸附在转载基板20上,此时,电子元件41的接脚411是靠近转载基板20的工作表面21。然后,如图10,将吸附有电子元件41的转载基板20对准目标基板50,以使电子元件41被固定在目标基板50上,此时,电子元件41的接脚411均朝外,也就是没有与目标基板50贴合。接着,对应图2的步骤16及17,并参照的图11,提供电路基板60并从目标基板50转印电子元件41至电路基板60,以使电子元件41的接脚411与电路基板60的焊料62形成电性连接,焊料62与导电层61形成电性连接。
转印的步骤包括对焊料62及电子元件41的接脚411加热,以固定电子元件41在电路基板60的适当位置,并使电子元件41的接脚411与电路基板60的导电层61的形成电性连接。
如图12及图13所示,电路基板60上电子元件41的排列方式是不同于承载基板40上电子元件41的排列方式,而能有效率转移或改变电子元件41的排列,在其它实施例中,通过本发明的方法也可以搬运或挑拣电子元件。
此外,续参照图12及图13,电路基板60可以保留多个焊料,这些保留的焊料62与相邻的电子元件41形成电性连接。本发明还可用以修补作业,如图14所示,当测试电路基板60功能后发现一个或多个电子元件43损坏或功能异常,则可再借由本发明的方法进行修补作业。
在图14中找出功能异常的电子元件43可借由影像辨识及人眼判断等方式建立相关位置,并通过上述方法于转载基板20上保留对应的电荷,以吸附电子元件45(如图15所示),最终利用转载基板20上的电子元件45转换至目标基板来进行修补,图16显示最后修补结果,如此,以提高修补效率。其中,功能测试、影像辨识及人眼判断都是已知技术,于此不赘述。
在其它实施例中,要使电子元件41的接脚411朝外也可以通过两次或两次以上目标基板的转换。此外,在其它实施例中,图1的步骤14及15的目标基板也可以是电路基板。
虽然上述实施例中激活及转载步骤都是通过静电程序来完成移动电子元件,但在其它实施例中也可以通过磁力、凡德瓦力、真空及黏胶的其中一程序或组合程序来达成移动巨量电子元件的目的。
图1或图2中激活、引入及转载步骤都可以通过部分滚动(roll)程序来执行。如图17所示,滚动程序是通过滚动设备70来排列电子元件41,滚动设备70包括一第一运输系统71、一第二运输系统72、一感光鼓(durm)73及一曝光系统74。第一运输系统71用以输送承载基板40。第二运输系统72用以输送目标基板50。第一运输系统71及第二运输系统72分别有多个支撑滚轮711、721,用以支撑及输送承载基板40及目标基板50,但在其它实施例中,第一运输系统71及第二运输系统72也可以通过气压、真空、履带等方式输送基板。感光鼓73是可以转动且具有光电导体层731(吸附层),感光鼓73的功能及结构与前述转载基板相同,不同之处在于外观,因此,转载基板的外观可以是其它几何形状。曝光系统74是选择地对转动中的感光鼓73的光电导体层731的至少一部分进行曝光,以使光电导体层731未曝光的部分对电子元件41产生吸引力。曝光系统74包括一照明模块741及一扫描模块742。照明模块741对感光鼓73的光电导体层731照射电磁波743,也就是进行曝光。扫描模块742对感光鼓73的光电导体层731进行扫描。
其中,感光鼓73是连续转动,光电导体层731附接承载基板40的该些电子元件41,并将附接的该些电子元件41转移至目标基板50的对应位置。
相较于图17,承载基板及目标基板可选择为软性材料,例如可剥离干膜,如图18所示,第一输送系统71借由转动支撑滚轮711而带动承载基板40移动。当电子元件41接近感光鼓73时,感光鼓73的光电导体层731附接电子元件41,因此,可借由控制感光鼓73的转速来改变电子元件41的排列。最后,感光鼓73带动电子元件41至目标基板50的对应位置,而使电子元件41和目标基板50的导电层的接脚形成电性连接。特别的,这个实施例中,电子元件41与目标基板50通过接触而形成连接,因此,第二运输系统72的支撑滚轮722可支撑软性目标基板50,以确保电子元件41转换至目标基板50上。但其它实施例中,电子元件41与目标基板50的连接方式也可以是非接触的。
此外,感光鼓也可以选择多个的组合,以调整电子元件41的间距符合目标基板的导电层接脚的配置。延续图17的说明,在图19中感光鼓73、75是选择一大一小的组合,因此,曝光系统74、76也需要两套。小感光鼓73及大感光鼓75的光电导体层731、751分别被曝光系统74、76(曝光系统76包括照明模块761及一扫描模块762)产生的电磁波743、763激活。小感光鼓73率先从承载基板41附接电子元件41,接着大感光鼓75从小感光鼓73上附接电子元件41,最后由大感光鼓75将电子元件74附接至目标基板50的对应位置。
在其它实施例中,滚动设备也适用软板及硬板材料的混合应用,及各种尺寸感光鼓的组合,且感光鼓的数量也可以是两个以上。此外,通过图1-图16的说明可知,本发明也可以采用其它设备来进行,而不以滚动设备为限。
如此,本发明的改变电子元件排列的方法可以有效率的制造电子电路上电子元件的排列,且能快速改变转载基板的吸附区域的分布,而能适应各种电路配置。
最后,强调,本发明于前揭实施例中所揭露的构成元件,仅为举例说明,并非用来限制本发明的范围。当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (19)
1.一种改变电子元件排列的方法,其特征在于,包括:
提供一承载基板,该承载基板有多个电子元件,该多个电子元件以一第一方式排列;
激活一转载基板,以形成一个或多个吸附区域及一个或多个非吸附区域;
引入该承载基板上被选择的该一个或多个电子元件至该转载基板的该一个或多个吸附区域,以使被选择的该一个或多个电子元件被吸附在该转载基板的该一个或多个吸附区域;及
转载被吸附在该转载基板上的该一个或多个电子元件至一目标基板,而使该目标基板上该一个或多个电子元件以一第二方式排列,该第二方式排列是不同于该第一方式排列。
2.根据权利要求1所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,该承载基板是一晶圆,该电子元件是芯片,该第一方式排列是固定间距。
3.根据权利要求1所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,该第二方式排列的间距是大于该第一方式排列的间距。
4.根据权利要求1所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,激活及转载步骤可以通过静电、磁力、凡德瓦力、真空及黏胶的其中一程序移动该电子元件。
5.根据权利要求1所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,转载步骤之后包括:
提供一电路基板,具有一导电层及连接该导电层的多个焊料;及
转印该电子元件至该电路基板,以使该电子元件的接脚与该电路基板的焊料形成电性连接。
6.根据权利要求5所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,转印步骤包括对焊料及该电子元件的接脚加热。
7.根据权利要求1所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,激活该转载基板包括:
在该转载基板的整个表面上引起电荷;及
照射电磁波至该转载基板的部分表面,以除去电荷,而使没有电荷的表面形成该一个或多个吸附区域。
8.根据权利要求7所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,该电子元件具有一电荷。
9.根据权利要求1所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,激活该转载基板包括:
在该转载基板的整个表面上引起电荷;及
照射电磁波至该转载基板的部分表面,以除去电荷,而使存在电荷的表面形成该一个或多个吸附区域。
10.根据权利要求9所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,该电子元件具有一相反电荷,该相反电荷的极性与该一个或多个吸附区域的电荷的极性相反。
11.根据权利要求1所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,被引入的该一个或多个电子元件被吸附在该转载基板的一个或多个吸附区域包括:
选择该承载基板上不同排的该一个或多个电子元件,该不同排之间存在其它排的电子元件;及
被选择的该电子元件被吸附在该转载基板的一个或多个吸附区域。
12.根据权利要求11所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,被选择的该一个或多个电子元件被吸附在该转载基板的一个或多个吸附区域是该电子元件没有接触该转载基板。
13.根据权利要求11所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,被选择的该一个或多个电子元件被吸附在该转载基板的一个或多个吸附区域是该电子元件接触该转载基板。
14.根据权利要求1所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,转载步骤包括去除激活该转载基板。
15.根据权利要求1所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,激活、引入及转载的步骤是以部分滚动程序执行。
16.根据权利要求15所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,该滚动程序通过一滚动设备来排列电子元件,该滚动设备包括:
一第一运输系统,用以输送该承载基板;
一第二运输系统,用以输送该目标基板;
一感光鼓,是能转动,且具有一光电导体层;及
一曝光系统,选择地对转动中的该感光鼓的光电导体层的至少一个部分进行曝光,以使该光电导体层未曝光的部分对该电子元件具有吸引力;
其中,该感光鼓是连续转动,该光电导体层附接该承载基板的该电子元件,并将附接的该电子元件转移至该目标基板的对应位置。
17.根据权利要求16所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,该曝光系统包括一照明模块及一扫描模块,该照明模块对该感光鼓的光电导体层进行曝光,该扫描模块对该感光鼓的光电导体层进行扫描。
18.根据权利要求15所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,该滚动程序通过一滚动设备来排列电子元件,该滚动设备包括:
一第一运输系统,用以输送该承载基板;
一第二运输系统,用以输送该目标基板;
一第一感光鼓,是能转动,且具有一光电导体层;
一第二感光鼓,是能转动,且具有一光电导体层;及
两曝光系统,分别选择地对转动中的该第一感光鼓的光电导体层及该第二感光鼓的光电导体层的至少一个部分进行曝光,以使该第一感光鼓的光电导体层及该第二感光鼓的光电导体层未曝光的部分对该电子元件产生吸引力;
其中,该第一感光鼓及该第二感光鼓是连续转动,该第一感光鼓的光电导体层附接该承载基板的该电子元件,该第二感光鼓的光电导体层附接在该第一感光鼓上的该电子元件,且改变该电子元件的间距,将附接在该第二感光鼓的该光电导体层的该电子元件转移至该目标基板的对应位置。
19.根据权利要求18所述的改变电子元件排列的方法,其特征在于,该两曝光系统包括两照明模块及两扫描模块,该两照明模块分别对该第一感光鼓的光电导体层及该第二感光鼓的光电导体层进行曝光,该两扫描模块分别对该第一感光鼓的光电导体层及该第二感光鼓的光电导体层进行扫描。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710784567.6A CN109427643A (zh) | 2017-09-04 | 2017-09-04 | 改变电子元件排列的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710784567.6A CN109427643A (zh) | 2017-09-04 | 2017-09-04 | 改变电子元件排列的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109427643A true CN109427643A (zh) | 2019-03-05 |
Family
ID=65513338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710784567.6A Pending CN109427643A (zh) | 2017-09-04 | 2017-09-04 | 改变电子元件排列的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109427643A (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111392417A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-07-10 | 深圳市海铭德科技有限公司 | 一种芯片摆盘方法及摆盘机构 |
WO2021102877A1 (zh) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种巨量转移的载板、巨量转移装置及其方法 |
CN113488572A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-10-08 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种器件转移方法及转移装置 |
CN116352738A (zh) * | 2023-02-10 | 2023-06-30 | 中科合肥技术创新工程院 | 一种自定义形状的静电吸附装置及其吸附方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105632985A (zh) * | 2014-11-23 | 2016-06-01 | 美科米尚技术有限公司 | 元件的转移方法 |
-
2017
- 2017-09-04 CN CN201710784567.6A patent/CN109427643A/zh active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105632985A (zh) * | 2014-11-23 | 2016-06-01 | 美科米尚技术有限公司 | 元件的转移方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021102877A1 (zh) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种巨量转移的载板、巨量转移装置及其方法 |
CN111392417A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-07-10 | 深圳市海铭德科技有限公司 | 一种芯片摆盘方法及摆盘机构 |
CN113488572A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-10-08 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种器件转移方法及转移装置 |
CN116352738A (zh) * | 2023-02-10 | 2023-06-30 | 中科合肥技术创新工程院 | 一种自定义形状的静电吸附装置及其吸附方法 |
CN116352738B (zh) * | 2023-02-10 | 2023-10-24 | 中科合肥技术创新工程院 | 一种自定义形状的静电吸附装置及其吸附方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109427643A (zh) | 改变电子元件排列的方法 | |
JP7003032B2 (ja) | 照明フェイスプレート及びこのような照明フェイスプレートの製造方法 | |
CN108682370B (zh) | 显示器及用于制造显示器的方法 | |
US10177016B2 (en) | Pre-screening method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED | |
US9842782B2 (en) | Intermediate structure for transfer, method for preparing micro-device for transfer, and method for processing array of semiconductor device | |
US10020420B2 (en) | Repairing method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED | |
US7476557B2 (en) | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices | |
CN107924866B (zh) | 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备 | |
US7723733B2 (en) | Roll-to-roll fabricated electronically active device | |
US20180053751A1 (en) | Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led | |
US7952107B2 (en) | Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits with electrical insulator | |
KR101718829B1 (ko) | 발광 디바이스 및 발광 디바이스 통합 방법 | |
CN109300931A (zh) | 一种Micro LED显示面板及制作方法、显示装置 | |
US20080191220A1 (en) | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices | |
US20130153277A1 (en) | Electrically bonded arrays of transfer printed active components | |
CN109920812A (zh) | 电子装置及其制造方法 | |
US9209019B2 (en) | Method and system for manufacturing a semi-conducting backplane | |
US9647029B2 (en) | Light-emitting device and manufacturing method of a display | |
AU2005232074A1 (en) | Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices | |
CN107681033B (zh) | 微型led器件及制备方法、显示装置 | |
CN109545731A (zh) | 转移头及其制备方法、转移方法、转移装置 | |
CN109548396A (zh) | 微型发光二极管芯片的巨量转移系统以及方法 | |
TW202107588A (zh) | 薄膜結構、晶片承載組件及晶片承載設備 | |
CN110707015B (zh) | 一种检测基板及其制作方法、检测方法 | |
CN110391165A (zh) | 转移载板与晶粒载板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190305 |