KR20090122647A - 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법 - Google Patents

정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090122647A
KR20090122647A KR1020080048568A KR20080048568A KR20090122647A KR 20090122647 A KR20090122647 A KR 20090122647A KR 1020080048568 A KR1020080048568 A KR 1020080048568A KR 20080048568 A KR20080048568 A KR 20080048568A KR 20090122647 A KR20090122647 A KR 20090122647A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pellicle
pellicle membrane
membrane
conductive material
charged
Prior art date
Application number
KR1020080048568A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100935763B1 (ko
Inventor
최하규
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Priority to KR1020080048568A priority Critical patent/KR100935763B1/ko
Publication of KR20090122647A publication Critical patent/KR20090122647A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100935763B1 publication Critical patent/KR100935763B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법으로써,이를 실현하기 위한 본 발명은 전도성 물질로 이루어진 펠리클 프레임 및 펠리클 멤브레인에 전기적으로 양극(+) 또는 음극(-)으로 대전되도록 전원을 공급하는 단계, 컬렉터에 상기 펠리클 멤브레인과 전기적으로 동일하게 대전되도록 전원을 공급하는 단계 및 상기 컬렉터를 상기 펠리클 멤브레인 아래로 지나가는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 펠리클을 교환하는 빈도가 감소하고 장비내에서 파티클을 제거함으로써 시간을 절약하는 장점이 있다.
사진공정, 레티클, 펠리클(Pellicle), particle 제거,

Description

정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법{Method of removing particle of pellicle}
본 발명은 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 펠리클 멤브레인과 펠리클 프레임에 전도성 물질로 제작하여 전기적으로 대전시켜 펠리클 표면에 발생한 파티클을 전기적 극성을 이용하여 제거할 수 있도록 하는 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법에 관한 것이다.
일반적으로 현대 사회에서 과학 기술이 발전함에 따라 여러 전자 제품도 발전을 거듭하고 있다. 특히, 반도체의 경우에는 하루가 다르게 발전하고 있으며, 초고집적 밀도를 갖는 반도체 소자의 개발은 전자 통신 산업 및 멀티 미디어 시대를 한층 더 발전시키고 있다. 이와 같이 초고집적 밀도를 갖는 반도체 소자는 회로 설계기술, 장비기술 및 공정기술이 함께 뒷받침 된 현대 과학 기술의 집합체로 일컬어지고 있다. 반도체 소자의 공정기술은 크게 세정, 리소그래피, 에칭, 이온주입, 박막형성, 금속배선 공정 등으로 이루어져 있으며, 이 가운데에서도 포토 리소그래피 공정의 패턴 형성 기술은 대단히 중요한 기술로써 반도체 소자의 초고집적화의 견인차 역할을 하고 있다. 이러한 포토 리소그래피 공정은 크게 코팅, 노광, 현상으로 나눌 수 있으며, 이중에서 장비를 포함한 노광기술이 포토 리소그래피 공정의 핵심을 차지하고 있다. 여기서, 노광공정에 대해 살펴보면, 노광공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하여 소프트 베이크를 마친 후, 포토레지스트 상에 잠정적인 상을 형성하는 것이다.
이러한 노광공정에는 웨이퍼상에 미세한 회로 패턴을 전사하여 집적회로로 이루어지는 반도체 장치를 제조하기 위한 노광 장치가 이용되고 있으며, 현재는 포토 마스크 또는 레티클(이하 '레티클'이라 함)의 패턴을 투영 광학계를 통하여, 표면에 포토레지스트 등의 감광 재료가 도포된 웨이퍼 또는 유리판 등의 기판 상에 전사하는 투영 노광장치가 사용되고 있다.
이러한 종래의 노광장치 등에는 패턴이 형성되는 레티클(reticle)의 전면 또는 후면의 파티클(particle)을 검출하기 위한 목적으로 반도체 엘이디(LED)레이저(laser)를 이용한 스캔(scan)장치 등이 파티클 검출장치로써 구비된다.
도 1은 일반적인 레티클을 나타낸 도면이다. 석영(100)기판위에 크롬패턴이(110) 형성되어 있으며 상기 석영기판위에 펠리클 프레임(120)이 접착되어 있으며 상기 펠리클 프레임에 펠리클 멤브레인(130)이 접착되어 있다. 이러한 레티클에는 회로 패턴이 형성된 면을 보호하기 위해 펠리클(pellicle)이 부착될 수 있다. 펠리클 멤브레인이란, 레티클 등에 공기중의 먼지 등 오염물질이 닿지 않도록 형성된 얇고 투명한 니트로 셀룰로스(nitrocellulose) 등의 재질로 이루어진 보호막을 말하는 것으로 포토 리소그래피 공정에서 레티클의 표면을 대기중의 먼지 등으로부 터 보호하는 역할을 한다.
이러한 펠리클 멤브레인에 파티클이 부착된 경우 노광시 그 부분에 해당되는 웨이퍼에 형성되는 포토레지스트 패턴에 불량이 발생 될 가능성이 매우 높고 펠리클 멤브레인 표면에 파티클이 존재할 때 제거할 수 있는 방법이 대부분 챔버내에서 세정가스를 분사하는 등 물리적인 방법으로 사용에 제한이 많은 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 펠리클 멤브레인과 펠리클 프레임에 전도성 물질로 제작하여 전기적으로 대전시켜 펠리클 멤브레인 표면에 발생한 파티클을 전기적 극성을 이용하여 제거할 수 있도록 하는 펠리클 표면의 파티클 제거 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 정전기를 이용한 펠리클 멥브레인 표면의 파티클 제거방법은, 전도성 물질로 이루어진 펠리클 프레임 및 펠리클 멤브레인에 전기적으로 양극(+) 또는 음극(-)으로 대전되도록 전원을 공급하는 단계, 컬렉터에 상기 펠리클 멤브레인과 전기적으로 동일하게 대전되도록 전원을 공급하는 단계 및 상기 컬렉터를 상기 펠리클 멤브레인 아래로 지나가는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거 방법에 의하면 펠리클을 교환하는 빈도가 감소하고 장비내에서 파티클을 제거함으로써 시간을 절약하는 장점이 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 도 2는 본 발명의 정전기를 이용하여 펠리클 멤브레인 표면에 발생한 파티클을 제거하는 방법을 나타낸 구성도이다. 대부분의 펠리클 표면에 붙어있는 파티클은 펠리클 멤브레인(130) 표면과 화학적 결합방법에 의하여 표면에 붙어있는 것이 아니라, 물리적 결합방법에 의하여 붙어있는 것이다. 따라서 정전기를 이용하여 펠리클 멤브레인(130) 표면에 붙어있는 파티클을 제거하는 것에 많은 에너지가 필요하지 않는다. 본 발명에서 사용하는 레티클은 종래 레티클의 구성요소인 펠리클 프레임(120)과 펠리클 멤브레인(130)을 전도성 물질을 사용하여 제작하는 것이다. 펠리클 프레임(120)의 전도성 물질은 알루미늄, 스테인레스 또는 폴리에틸렌 등이고, 펠리클 멤브레인(130)의 전도성 물질은니트로셀룰로오스, 초산셀룰로오스 등의 셀룰로오스 유도체인 것으로 구성된다.
먼저 전원공급원을 이용하여 상기 전도성 물질로 만들어진 펠리클 프레임(120)을 통하여 펠리클 멤브레인(130)을 양극(+)으로 대전시키면 펠리클 멤브레인 표면에 부착된 파티클은 상기 펠리클 멤브레인(130)과는 반대극성을 갖는 음극(-)로 대전되어 지게 된다. 다른 방법으로 상기 펠리클 멤브레인(130)을 음극(-)으로 대전시킬 경우에는 펠리클 멤브레인 표면에 부착된 파티클은 양극(+)으로 대전됨은 당연하다.
이후 펠리클 멤브레인(130)에 대전되어 있는 극성과 동일 극성을 띠게 하기위하여 전원공급원을 이용하여 컬렉터(200)를 대전시킨다. 이후 상기 대전된 컬렉터(200)를 펠리클 멤브레인 아래에서 이동한다. 따라서 종래의 레티클에 질소가스를 분사하는 물리적,화학적인 방법에 의하지 아니하고도 정전기를 이용하여 펠리클 표면에 있는 파티클을 제거할 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 펠리클 프레임에 공급하는 전류를 보여주는 그래프이다. 전원공급원은 펠리클 멤브레(130)인 및 컬렉터(200)를 + 또는 - 의 극성을 띠도록 전기적으로 대전시킨다.
도 4는 본 발명에 따른 펠리클 멤브레인 표면에 발생한 파티클 제거과정을 보여주는 순서도이다. 펠리클 멤브레인(130)표면에 파티클이 검출되면, 전원공급원을 통하여 펠리클 멤브레인(130)을 양극(+) 또는 (-)을 띠도록 대전시킨다. 이후 컬렉터(200)에 상기 펠리클 멤브레인(130)과 동일한 전기적 극성을 띠도록 대전 시킨 후 정전기 원리를 이용하여 펠리클 멤브레인 표면에 붙은 파티클과 결합하여 제거하기 위하여 펠리클 멤브레인 아래를 지나간다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
도 1은 일반적인 레티클을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 정전기를 이용하여 펠리클 멤브레인 표면에 발생한 파티클을 제거하는 방법을 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 펠리클 프레임에 공급하는 전류를 보여주는 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따른 펠리클 멤브레인 표면에 발생한 파티클 제거과정을 보여주는 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100:석영 기판 110:크롬
120:펠리클 프레임 130:펠리클 멤브레인
200:컬렉터

Claims (3)

  1. 전도성 물질로 이루어진 펠리클 프레임 및 펠리클 멤브레인에 전기적으로 양극(+) 또는 음극(-)으로 대전되도록 전원을 공급하는 단계; 컬렉터에 상기 펠리클 멤브레인과 전기적으로 동일하게 대전되도록 전원을 공급하는 단계 및 상기 컬렉터를 상기 펠리클 멤브레인 아래로 지나가는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 펠리클 프레임의 전도성 물질은 알루미늄, 스테인레스 또는 폴리에틸렌 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 펠리클 멤브레인의 전도성 물질은 셀룰로오스 유도체인 것을 특징으로 하는 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거 방법.
KR1020080048568A 2008-05-26 2008-05-26 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법 KR100935763B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080048568A KR100935763B1 (ko) 2008-05-26 2008-05-26 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080048568A KR100935763B1 (ko) 2008-05-26 2008-05-26 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090122647A true KR20090122647A (ko) 2009-12-01
KR100935763B1 KR100935763B1 (ko) 2010-01-06

Family

ID=41685099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080048568A KR100935763B1 (ko) 2008-05-26 2008-05-26 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100935763B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2024289A (en) * 2018-11-27 2020-06-03 Asml Netherlands Bv Membrane cleaning apparatus
KR102194012B1 (ko) * 2020-04-10 2020-12-22 숭실대학교산학협력단 탄소나노튜브 박막을 이용한 커패시터형 펠리클 및 이의 제조 방법
US20210157227A1 (en) * 2019-11-25 2021-05-27 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Reticle pod for preventing haze contamination and reticle stocker having the same
US11681235B2 (en) * 2021-03-05 2023-06-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for cleaning an EUV mask

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102402035B1 (ko) 2014-11-14 2022-05-26 삼성전자주식회사 펠리클을 포함하는 마스크, 펠리클 리페어 장치, 및 기판 제조 설비
KR102612028B1 (ko) 2016-12-12 2023-12-07 삼성전자주식회사 리소그래피 장치
KR102119515B1 (ko) 2018-05-25 2020-06-05 주식회사 에프에스티 펠리클 오염물질 제거 장치
KR20220166494A (ko) 2021-06-10 2022-12-19 주식회사 에프에스티 극자외선 리소그라피용 펠리클 막의 결함 제거방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260245A (ja) * 1996-03-21 1997-10-03 Canon Inc マスクの異物除去装置
KR100396381B1 (ko) * 2001-05-14 2003-09-02 아남반도체 주식회사 포토마스크상의 미세 입자 제거장치 및 제거 방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2024289A (en) * 2018-11-27 2020-06-03 Asml Netherlands Bv Membrane cleaning apparatus
WO2020109152A1 (en) * 2018-11-27 2020-06-04 Asml Netherlands B.V. Membrane cleaning apparatus
CN113168088A (zh) * 2018-11-27 2021-07-23 Asml荷兰有限公司 隔膜清洁设备
US11673169B2 (en) 2018-11-27 2023-06-13 Asml Netherlands B.V. Membrane cleaning apparatus
US20210157227A1 (en) * 2019-11-25 2021-05-27 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Reticle pod for preventing haze contamination and reticle stocker having the same
US11693307B2 (en) * 2019-11-25 2023-07-04 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Reticle pod for preventing haze contamination and reticle stocker having the same
KR102194012B1 (ko) * 2020-04-10 2020-12-22 숭실대학교산학협력단 탄소나노튜브 박막을 이용한 커패시터형 펠리클 및 이의 제조 방법
US11681235B2 (en) * 2021-03-05 2023-06-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for cleaning an EUV mask

Also Published As

Publication number Publication date
KR100935763B1 (ko) 2010-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100935763B1 (ko) 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법
US7387855B2 (en) Anti-ESD photomask blank
JP5535194B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法、クリーニングシステム、およびパターニングデバイスをクリーニングする方法
WO2018212604A1 (ko) 유기물 희생층 기판을 이용한 초극자외선용 펠리클의 제조방법
TW460928B (en) Method of removing particles from stage and cleaning plate
KR20120113205A (ko) 세정용 레티클, 레티클 스테이지의 세정 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US11333984B2 (en) Apparatus for and method of in-situ particle removal in a lithography apparatus
US12009238B2 (en) Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device
US20120115328A1 (en) Electroforming technique for mask formation
CN101989035B (zh) 光掩膜的铬金属膜去除方法
JP3158892B2 (ja) 投影露光装置
WO2018226004A1 (ko) 펠리클 제조방법
CN110737175A (zh) 一种掩模曝光前去除薄膜颗粒的方法
JP2003156836A (ja) フォトマスク構造体、露光方法及び露光装置
US9721783B2 (en) Methods for particle reduction in semiconductor processing
CN102629571A (zh) 一种阵列基板制造方法和刻蚀设备
TW202106404A (zh) 用於去除半導體製造中的微粒的設備和方法
US20200057365A1 (en) Mask and method for forming the same
KR20160134087A (ko) 웨이퍼 파티클 제거 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 공정 장비, 노광 방법
JP2005033072A (ja) 荷電粒子線用転写マスクの異物除去方法及び異物除去装置
JP2009105238A (ja) 基板ホルダ、露光装置、デバイスの製造方法及び基板搬送方法。
KR100711908B1 (ko) 레티클 및 그 제조 방법, 그리고 노광 장비 및 그 구동방법
CN108398857B (zh) 光刻装置及物品的制造方法
JP2000131823A (ja) 半導体レチクル・マスク
JP2014192499A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee