CN113488455B - 抗干扰的高速光接收器件 - Google Patents
抗干扰的高速光接收器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113488455B CN113488455B CN202110564012.7A CN202110564012A CN113488455B CN 113488455 B CN113488455 B CN 113488455B CN 202110564012 A CN202110564012 A CN 202110564012A CN 113488455 B CN113488455 B CN 113488455B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electronic element
- capacitor
- electrically connected
- base
- gold wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/071—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种抗干扰的高速光接收器件,涉及芯片封装技术领域,主要目的是提高ROSA器件的抗无线网络信号的效果,以提高其在无线网络环境中的抗干扰性能。该抗干扰的高速光接收器件包括底座,所述底座上设置有引脚;第一电子元件,所述第一电子元件设置于所述底座上,且与所述引脚电连接;第一电容,所述第一电容叠设于所述第一电子元件上,且分别与所述底座和所述引脚电连接;第二电子元件,所述第二电子元件叠设于所述第一电容上,所述第二电子元件通过第一金线与所述第一电容电连接,所述第二电子元件通过第二金线与所述第一电子元件电连接。
Description
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域,尤其是涉及到一种抗干扰的高速光接收器件。
背景技术
目前,光接收次组件(Receiver Optical Subassembly,ROSA)通常需要具有抵抗无线网络信号的性能,以便ROSA器件能够在无线网络环境下信号不受干扰或者干扰较小。例如,现有的光猫通常带有无线路由功能,这便要求光猫具备抗无线网络信号干扰的性能,以保证其正常工作。
相关技术中,通常采用增设电容的方式来滤除器件回路中的杂散信号,但是这种方式的抗无线网络信号的效果通常较差,导致ROSA器件在无线网络环境中的抗干扰性能不佳。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种抗干扰的高速光接收器件,主要目的是提高ROSA器件的抗无线网络信号的效果,以提高其在无线网络环境中的抗干扰性能。
为达到上述目的,本发明实施例主要提供如下技术方案:
本发明实施例提供了一种抗干扰的高速光接收器件,包括:
底座,所述底座上设置有引脚;
第一电子元件,所述第一电子元件设置于所述底座上,且与所述引脚电连接;
第一电容,所述第一电容叠设于所述第一电子元件上,且分别与所述底座和所述引脚电连接;
第二电子元件,所述第二电子元件叠设于所述第一电容上,所述第二电子元件通过第一金线与所述第一电容电连接,所述第二电子元件通过第二金线与所述第一电子元件电连接。
进一步地,所述第一电子元件包括第一焊盘;
所述第二电子元件的正极与所述第一焊盘相对,所述第二电子元件的正极通过所述第一金线与所述第一焊盘电连接。
进一步地,所述第一电容靠近所述第一电子元件的所述第一焊盘所在端设置;
所述第二电子元件的正极端与所述第一电容上靠近所述第一焊盘的一端仅预留有位于所述第一电容上的打线区域,所述打线区域用于连接金线。
进一步地,所述引脚包括第一引脚和第二引脚;所述第一电子元件与所述第一引脚电连接;
所述打线区域通过第三金线与所述第二引脚电连接;
所述第二电子元件的负极通过所述第一金线与所述打线区域电连接。
进一步地,所述的抗干扰的高速光接收器件还包括:
第二电容,所述第二电容通过第一导电层贴于所述底座上;
所述第一电子元件包括第一接地焊盘,所述第一接地焊盘通过第四金线与所述第二电容电连接。
进一步地,所述的抗干扰的高速光接收器件还包括:
第三电容,所述第三电容通过第二导电层贴设于所述底座上;
所述引脚还包括第三引脚;所述第三电容与所述第三引脚电连接。
进一步地,所述第一电容通过第三导电层叠设于所述第一电子元件上;
所述第一电子元件还包括第二接地焊盘,所述第二接地焊盘与所述底座电连接,所述第二接地焊盘还通过导电件与所述第三导电层电连接。
进一步地,所述第一电子元件为跨阻放大器;
所述第二电子元件为雪崩光电二极管,所述雪崩光电二极管位于所述底座的中心位置。
借由上述技术方案,本发明至少具有以下有益效果:
本发明实施例提供的技术方案,通过将第一电子元件、第一电容和第二电子元件依次叠封在底座上,可以使得连接第二电子元件与第一电容的第一金线,以及连接第一电子元件和第二电子元件之间的第二金线长度变短而形成长度较短的滤波回路,使得第一电子元件和第二电子元件的杂散信号能够通过短回路快速地流走,从而减小直流信号噪声,提高了整个抗干扰的高速光接收器件的信号纯净度,进而提高了抗干扰的高速光接收器件的抗无线网络信号的效果,保证了ROSA器件在无线网络环境中的抗干扰性能,同时也保证了各个电子元件优异的信号传输性能。此外,将第一电子元件、第一电容和第二电子元件依次叠封在底座上,还可以降低抗干扰的高速光接收器件的整个输入信号回路的寄生电感,有利于信号振荡的控制。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例提供的一种抗干扰的高速光接收器件的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明的优选实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中,自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明。
在本实施例的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实施例保护范围的限制。
如图1所示,本发明实施例提供了一种抗干扰的高速光接收器件,该抗干扰的高速光接收器件可以为ROSA器件抗干扰的高速光接收器件,其包括底座1,该底座1可以为金属底座,在底座1上设置有引脚,该引脚的数量可以为多个,多个引脚可以呈环形排布;第一电子元件2,设置于底座1上,且与引脚电连接;第一电容3,该第一电容3可以为高压电容,其叠设于第一电子元件2上,且分别与底座1和引脚电连接,以实现第一电容3接地;第二电子元件4,叠设于第一电容3上,第二电子元件4通过第一金线41与第一电容3电连接,第二电子元件4通过第二金线42与第一电子元件2电连接。其中,第一电子元件2可以通过成本较低的导电银胶固定于底座1上,相应地,第一电容3和第二电子元件4也分别可以通过导电银胶依次叠设在第一电子元件2上。
本发明实施例提供的抗干扰的高速光接收器件,通过将第一电子元件2、第一电容3和第二电子元件4依次叠封在底座1上,可以使得连接第二电子元件4与第一电容3的第一金线41,以及连接第一电子元件2和第二电子元件4之间的第二金线42长度变短而形成长度较短的滤波回路,使得第一电子元件2和第二电子元件4的杂散信号能够通过短回路快速地流走,从而减小直流信号噪声,提高了整个抗干扰的高速光接收器件的信号纯净度,进而提高了抗干扰的高速光接收器件的抗无线网络信号的效果,保证了ROSA器件在无线网络环境中的抗干扰性能,同时也保证了各个电子元件优异的信号传输性能。此外,将第一电子元件2、第一电容3和第二电子元件4依次叠封在底座1上,还可以降低抗干扰的高速光接收器件的整个输入信号回路的寄生电感,有利于信号振荡的控制。
在一可选的实施例中,参见图1,第一电子元件2包括第一焊盘21;第二电子元件4的正极与第一焊盘21相对,第二电子元件4的正极通过第一金线41与第一焊盘21电连接。
上述实施例中,通过将第二电子元件4的正极设置为与第一焊盘21相对,以使得第一焊盘21与第二电子元件4的正极之间的距离较短,从而进一步缩短第一金线41的长度,进而使整个线路电感减少,直流信号流通路程更短,噪声信号产生更少,内部干扰更低,从而进一步提高了该抗干扰的高速光接收器件的抗无线网络信号的效果。
在一可选的实施例中,参见图1,第一电容3靠近第一电子元件2的第一焊盘21所在端设置;第二电子元件4的正极端与第一电容3上靠近所述第一焊盘21的一端仅预留有位于第一电容3上的打线区域31,该打线区域31用于连接金线。
根据上述实施例,第一电容3靠近第一电子元件2的第一焊盘21所在端设置,可以使得叠设在第一电容3上的第二电子元件4距离第一焊盘21的距离更近;同时,第二电子元件4的正极所在端与第一电容3上靠近第一焊盘21的一端仅预留有位于第一电容3上的打线区域31,即第二电子元件4在第一电容3上的叠设位置应尽可能地靠近第一焊盘21,只要在第一电容3上预留出打线位置即可,以便能够更进一步地缩短第一金线41的长度,从而更进一步缩短形成的滤波回路,使得第一电子元件2的杂散信号能够通过短回路更加快速地流走,进而更好地减小直流信号噪声,更进一步地提高整个抗干扰的高速光接收器件的信号纯净度,更好地提高该抗干扰的高速光接收器件的抗无线网络信号的效果。
在一可选的实施例中,参见图1,底座1上的引脚可以包括第一引脚11和第二引脚12;第一电子元件2与第一引脚11电连接;第一电容3上的打线区域31通过第三金线32与第二引脚12电连接;第二电子元件4的负极通过第一金线41与打线区域31电连接。
上述实施例中,通过将连接第二电子元件4和第一电容3的第一金线41也打在第一电容3的打线区域31,使得第一金线41和第三金线32之间的距离更短,避免了直流信号在电容表面进行大面积的流通,杂散信号产生较少,更好地减小直流信号噪声,更进一步地提高整个抗干扰的高速光接收器件的信号纯净度,更好地提高该抗干扰的高速光接收器件的抗无线网络信号的效果。
为了更进一步减少该抗干扰的高速光接收器件的杂散信号,在一可选的实施例中,参见图1,该抗干扰的高速光接收器件还可以包括第二电容5,该第二电容5可以为低压电容,其通过第一导电层贴于底座1上;第一电子元件2包括第一接地焊盘22,第一接地焊盘22通过第四金线221与第二电容5电连接。
由于地线端的杂散信号通常较多,上述实施例中,第一电子元件2的第一接地焊盘22通过第四金线221与第二电容5电连接,实现将地线处的交流信号通过第二电容5滤掉,而且,第二电容5通过第一导电层贴在底座1上,即第二电容5直接接地,使得交流信号直接与地连接,保证了交流信号滤除的更干净,更进一步地提高整个抗干扰的高速光接收器件的信号纯净度,更好地提高该抗干扰的高速光接收器件的抗无线网络信号的效果。其中,第一导电层具体可以为导电银胶。
为了更进一步减少该抗干扰的高速光接收器件的杂散信号,在一可选的实施例中,参见图1,该抗干扰的高速光接收器件还可以包括第三电容6,该第三电容6可以为低压电容,其通过第二导电层贴设于底座1上;引脚还可以包括第三引脚13;第三电容6与第三引脚13电连接。本实施例中,通过第三电容6对封装结构中的杂散信号进一步滤除,而且,第三电容6通过第二导电层贴在底座1上,即第三电容6直接接地,使得交流信号直接与地连接,保证了交流信号滤除的更干净,更进一步地提高整个抗干扰的高速光接收器件的信号纯净度,更好地提高该抗干扰的高速光接收器件的抗无线网络信号的效果。其中,第二导电层具体可以为导电银胶。
在一可选的实施例中,参见图1,第一电容3通过第三导电层叠设于第一电子元件2上;第一电子元件2还包括第二接地焊盘23,第二接地焊盘23与底座1电连接,具体可以通过金线与底座1电连接,第二接地焊盘还通过导电件7与第三导电层电连接,从而实现了叠设在第一电子元件2上的第一电容3的接地。其中,导电件7可以为导电材料如导电银胶等。
在一可选的实施例中,第一电子元件2可以为跨阻放大器;第二电子元件4可以为雪崩光电二极管,且雪崩光电二极管位于底座1的中心位置,以便底座1封帽后光能够通过管帽汇聚到雪崩光电二极管的光敏面上而转换为电信号。
本发明实施例中,该抗干扰的高速光接收器件的封装过程可以为:首先将第一电子元件2、第二电容5和第三电容6通过导电银胶粘贴在底座1上,并加热固化;分别通过导电银胶将第一电容3和第二电子元件4依次叠设地粘贴在第一电子元件2的表面,并加热固化;然后通过导电件7将第一电容3与第一电子元件2之间的导电银胶与第一电子元件2的接地焊盘进行连接;再通过金丝键合设备将第二电子元件4与第一电容3、第二电子元件4与第一电子元件2、第一电容3与底座1以及第一电子元件2的接地焊盘与底座1进行连接;在纯氮环境中为底座1封帽,形成产品的物理保护、气氛保护和光路定型;最后通过塑料适配器进行光路耦合,并以粘胶形式固定,最终形成接收器件ROSA。
本发明实施例提供的抗干扰的高速光接收器件,通过将第一电子元件2、第一电容3和第二电子元件4依次叠封在底座1上,可以使得连接第二电子元件4与第一电容3的第一金线41,以及连接第一电子元件2和第二电子元件4之间的第二金线42长度变短而形成长度较短的滤波回路,使得第一电子元件2和第二电子元件4的杂散信号能够通过短回路快速地流走,从而减小直流信号噪声,提高了整个抗干扰的高速光接收器件的信号纯净度,进而提高了抗干扰的高速光接收器件的抗无线网络信号的效果,保证了ROSA器件在无线网络环境中的抗干扰性能,同时也保证了各个电子元件优异的信号传输性能。此外,将第一电子元件2、第一电容3和第二电子元件4依次叠封在底座1上,还可以降低抗干扰的高速光接收器件的整个输入信号回路的寄生电感,有利于信号振荡的控制。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (5)
1.一种抗干扰的高速光接收器件,其特征在于,包括:
底座,所述底座上设置有引脚;
第一电子元件,所述第一电子元件设置于所述底座上,且与所述引脚电连接;
第一电容,所述第一电容叠设于所述第一电子元件上,且分别与所述底座和所述引脚电连接;
第二电子元件,所述第二电子元件叠设于所述第一电容上,所述第二电子元件通过第一金线与所述第一电容电连接,所述第二电子元件通过第二金线与所述第一电子元件电连接;
所述第一电子元件包括第一焊盘;
所述第二电子元件的正极与所述第一焊盘相对,所述第二电子元件的正极通过所述第二金线与所述第一焊盘电连接;
所述第一电容靠近所述第一电子元件的所述第一焊盘所在端设置;
所述第二电子元件的正极端与所述第一电容上靠近所述第一焊盘的一端仅预留有位于所述第一电容上的打线区域,所述打线区域用于连接金线;
所述引脚包括第一引脚和第二引脚;所述第一电子元件与所述第一引脚电连接;
所述打线区域通过第三金线与所述第二引脚电连接;
所述第二电子元件的负极通过所述第一金线与所述打线区域电连接。
2.根据权利要求1所述的抗干扰的高速光接收器件,其特征在于,还包括:
第二电容,所述第二电容通过第一导电层贴于所述底座上;
所述第一电子元件包括第一接地焊盘,所述第一接地焊盘通过第四金线与所述第二电容电连接。
3.根据权利要求1所述的抗干扰的高速光接收器件,其特征在于,还包括:
第三电容,所述第三电容通过第二导电层贴设于所述底座上;
所述引脚还包括第三引脚;所述第三电容与所述第三引脚电连接。
4.根据权利要求1所述的抗干扰的高速光接收器件,其特征在于,
所述第一电容通过第三导电层叠设于所述第一电子元件上;
所述第一电子元件还包括第二接地焊盘,所述第二接地焊盘与所述底座电连接,所述第二接地焊盘还通过导电件与所述第三导电层电连接。
5.根据权利要求1所述的抗干扰的高速光接收器件,其特征在于,
所述第一电子元件为跨阻放大器;
所述第二电子元件为雪崩光电二极管,所述雪崩光电二极管位于所述底座的中心位置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110564012.7A CN113488455B (zh) | 2021-05-24 | 2021-05-24 | 抗干扰的高速光接收器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110564012.7A CN113488455B (zh) | 2021-05-24 | 2021-05-24 | 抗干扰的高速光接收器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113488455A CN113488455A (zh) | 2021-10-08 |
CN113488455B true CN113488455B (zh) | 2023-03-21 |
Family
ID=77933095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110564012.7A Active CN113488455B (zh) | 2021-05-24 | 2021-05-24 | 抗干扰的高速光接收器件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113488455B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117079975B (zh) * | 2023-07-28 | 2024-04-30 | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 | 高速tia抗5g wifi电磁干扰方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002244153A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法及び電子機器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007242708A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信サブアセンブリ |
CN107317637B (zh) * | 2016-04-26 | 2020-10-27 | 苏州旭创科技有限公司 | 光接收组件及光模块 |
CN209561384U (zh) * | 2019-04-12 | 2019-10-29 | 武汉电信器件有限公司 | 一种光电探测器 |
CN111865429B (zh) * | 2019-04-30 | 2022-05-27 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 光电接收器及光电接收器的制作方法 |
CN210668367U (zh) * | 2019-09-03 | 2020-06-02 | 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 | 光器件 |
-
2021
- 2021-05-24 CN CN202110564012.7A patent/CN113488455B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002244153A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113488455A (zh) | 2021-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR0167628B1 (ko) | 광수신모듈과 그 제조방법 | |
CN102625907A (zh) | 红外线传感器 | |
CN111404494B (zh) | 跨阻放大器芯片及光接收模组 | |
CN113488455B (zh) | 抗干扰的高速光接收器件 | |
CN106793455B (zh) | 一种光模块 | |
CN202172395U (zh) | 超薄无引线的光mos继电器 | |
CN211375138U (zh) | 一种光模块 | |
CN113380879A (zh) | 一种SiC MOSFET子模组单元及其压接型封装 | |
CN216351386U (zh) | 一种光发射器件和光模块 | |
CN106549299B (zh) | 一种用于直接调制激光器芯片的子载体封装结构 | |
CN107317637B (zh) | 光接收组件及光模块 | |
US9172335B2 (en) | Optical receiver module | |
CN212461686U (zh) | 一种高速光电探测器to封装结构 | |
CN108873190A (zh) | 一种含有低噪声放大器的集成化光电接收模块及其生产工艺 | |
CN105977241A (zh) | 一种用于光电子集成芯片的封装结构 | |
CN208156254U (zh) | 基于ngpon2技术的可调谐接收端壳体及接收端组件 | |
CN211045438U (zh) | 一种可控硅输出光电耦合器结构 | |
CN209526080U (zh) | 智能功率模块 | |
CN214586122U (zh) | 一种抗5G wifi TO-CAN光器件 | |
CN209561384U (zh) | 一种光电探测器 | |
CN109659301A (zh) | 一种阵列聚焦式激光传能光电接收设备 | |
CN106019500A (zh) | 一种同轴型光电组件 | |
CN117079975B (zh) | 高速tia抗5g wifi电磁干扰方法 | |
JP3623144B2 (ja) | 光受信モジュ−ル | |
CN205941988U (zh) | 一种同轴型光电组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |