CN214586122U - 一种抗5G wifi TO-CAN光器件 - Google Patents
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Abstract
一种抗5G wifi TO‑CAN光器件，属于光器件技术领域，包括管座，管座上罩设有管帽，管座上焊接有5个引脚，所述管座中部粘接有陶瓷垫片，所述陶瓷垫片外粘接有第一电容、跨阻放大器及第二电容，所述第一电容上放置有电阻，所述陶瓷垫片上粘接有第三电容，第三电容上粘接有雪崩二极管。本实用新型中，通过将雪崩光电二极管粘接在第三电容上，第三电容粘接到陶瓷垫片上，雪崩光电二极管产生的电流进入跨阻放大器的正极，电流再从跨阻放大器负极通过第三电容回到跨阻放大器正极，形成一个交流回路，提高光器件抗5G wifi干扰的能力，同时，也保留了原来CRC回路，能够满足高速率的10G PON传输要求，仅增加一颗陶瓷垫片，结构紧凑，适用于批量生产。
Description
技术领域
本实用新型属于光器件技术领域，涉及一种TO-CAN封装光器件，特别是涉及一种抗5G wifi TO-CAN光器件。
背景技术
目前市场上常见的TO-CAN一般通过APD、TIA方案搭配、金线匹配、外加屏蔽罩等减少5G wifi干扰影响。
随着现在5G网络发展，5G wifi频宽宽，无线环境比较干净，网速稳定，支持较高的无线速率，5G网络已经被大量运用。因此对光器件抗5G wifi干扰有一定要求，常规TO-CAN封装对APD、TIA芯片本身性能要求较高，或者对客户端使用有一定要求，需要增加屏蔽罩屏蔽5G wifi。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种抗5G wifi TO-CAN光器件，用于解决现有技术中TO-CAN封装光器件需要外加屏蔽罩来屏蔽5G wifi的干扰的技术问题。
为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供一种抗5G wifi TO-CAN光器件，包括管座，管座上罩设有管帽，管座上焊接有5个引脚，所述管座中部粘接有陶瓷垫片，所述陶瓷垫片外粘接有第一电容、跨阻放大器及第二电容，所述第一电容上放置有电阻，所述陶瓷垫片上粘接有第三电容，第三电容上粘接有雪崩二极管。
优选的，所述雪崩二极管的中心与管座的中心在同一竖直直线上。
优选的，所述雪崩光电二极管采用10G。
优选的，所述跨阻放大器采用10G。
优选的，所述跨阻放大器与陶瓷垫片之间连接有焊线九和焊线十。
优选的，所述管帽与管座的中心同轴。
优选的，所述管帽通过储能焊焊接在管座上。
优选的，所述管帽为球型管帽或水滴球管帽。
如上所述，本实用新型的一种抗5G wifi TO-CAN光器件，具有以下有益效果：
1、本实用新型通过将雪崩光电二极管粘接在第三电容上，第三电容粘接到陶瓷垫片上，雪崩光电二极管产生的电流进入跨阻放大器的正极，电流再从跨阻放大器负极通过第三电容回到跨阻放大器正极，形成一个交流回路，提高光器件抗5G wifi干扰的能力，同时，也保留了原来CRC回路，能够满足高速率的10G PON传输要求，仅增加一颗陶瓷垫片，结构紧凑，适用于批量生产。
2、本实用新型不会造成其他指标裂化，同时可降低wifi的干扰，无需外置屏蔽罩，也无需更改APD、TIA设计的TO-CAN封装光器件。
附图说明
图1显示为本实用新型的结构示意图。
图2显示为管座的结构示意图。
图3显示为本实用新型的焊线俯视图。
图4显示为本实用新型的焊线立体图。
图5显示为本实用新型的电路原理图。
元件标号说明
1-管帽，2-雪崩二极管，3-第三电容，4-陶瓷垫片，5-电阻，6-第一电容，7-跨阻放大器，8-管座，9-第二电容，10-引脚，11-APD工作电压输入脚，12-TIA信号反向信号输出脚OUT-，13-地脚，14-TIA信号正向信号输出脚OUT+，15-TIA工作电压输入脚，16-焊线一， 17-焊线二，18-焊线三，19-焊线四，20-焊线五，21-焊线六，22-焊线七，23-焊线八，24- 焊线九，25-焊线十，26-焊线十一。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
请参阅图1至图5。须知，本说明书所附图式所绘示的接构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何接构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
请参阅图1-5，本发明提供一种抗5G wifi TO-CAN光器件，包括管座8，管座8上罩设有管帽1，管座8上焊接有5个引脚10，所述管座8中部粘接有陶瓷垫片4，所述陶瓷垫片4外粘接有第一电容6、跨阻放大器7及第二电容9，所述第一电容6上放置有电阻5，所述陶瓷垫片4上粘接有第三电容3，第三电容3上粘接有雪崩二极管2。
本实施例使用时，第一电容6、陶瓷垫片4、跨阻放大器7及第二电容9通过银胶粘接放置在管座8上，电阻5放置在第一电容6上，第三电容3通过银胶粘接放置在陶瓷垫片4上。雪崩二极管2通过银胶粘接放置在第三电容3上，与管座8同心，接收通过管帽1入射的光。
本实施例中，在原有的TO-CAN光器件上增设了一个陶瓷垫片4，用于匹配TO-CAN焦距，同时使电容3不与地连接。本实施例通过将雪崩二极管2粘接在第三电容3上，第三电容3粘接在陶瓷垫片4上，雪崩二极管2产生的电流进入跨阻放大器7的正极后电流再从跨阻放大器7的负极通过第三电容3回到跨阻放大器7的正极，形成一个交流回路，提高光器件抗5Gwifi干扰的能力，也保留了原来CRC回路，能够满足高速率的10G PON传输要求，仅增加一颗陶瓷垫片4，结构紧凑，适用于批量生产。
本实施例中，引脚10负责输入电源，同时输出信号。5个引脚10分别为APD工作电压输入脚Vapd 11，提供APD偏置电压，使APD工作；TIA信号反向信号输出脚OUT-12；地脚GND13，与地连接；TIA信号正向信号输出脚OUT+14；TIA工作电压输入脚VCC 15，为TIA供电，常规输入3.3V电压。
作为上述实施例的进一步描述，所述雪崩二极管2采用10G。
本实施例使用时，雪崩二极管2主要采用10G的APD，但不限于使用10G的APD，其他能够符合要求的APD均可。
作为上述实施例的进一步描述，所述跨阻放大器7采用是10G。
本实施例使用时，跨阻放大器7主要采用10G，但不限于使用10G，其他能够符合要求的TIA均可。
作为上述实施例的进一步描述，所述跨阻放大器7与陶瓷垫片4之间连接有焊线九24和焊线十25。
本实施例使用时，第一电容6、第二电容9、第三电容3、陶瓷垫片4、跨阻放大器7、电阻5、雪崩二极管2及引脚10之间通过金线焊接，使光器件内部的电容、TIA7、APD2及电阻5连通。具体金线焊接连接方式如图3、4所示。
其中，
焊线一16表示从TIA上GND PAD连接到管座8上；
焊线二17和焊线三18表示从VCC 15脚连接到电容2再到TIA VCC PAD；
焊线四19和焊线五20分别表示从TIA7上OUT±输出PAD引出到TIA信号正向信号输出脚OUT+14、TIA信号反向信号输出脚OUT-12；
焊线四19、焊线六21、焊线八23、焊线十一26表示从Vapd 11脚连接到第一电容6、电阻5、第三电容3，再到APD2正负极；
焊线九24和焊线十25表示连接TIA PINK Pad和陶瓷垫片4。
其中，关于TIAPAD的说明如表1所示：
表1
| 序号 | PAD名称 | 说明 |
| 1 | Vcc | 电源 |
| 2 | OUT+ | 正相信号输出端 |
| 3 | OUT- | 反相信号输出端 |
| 4 | GND | 地电位 |
| 5 | PINA | 信号输入端，光电二极管阳极连接端口 |
| 6 | PINK | 光电二极管阴极连接端口 |
| 7 | PINK | 光电二极管阴极连接端口 |
TO-CAN光器件的电路原理图如图5所示，工作时，通过TIA工作电压输入脚15给跨阻放大器(TIA)7加工作电压，再通过APD工作电压输入脚11给雪崩二极管(APD)2加反向偏置工作电压，当APD2工作，输入的光信号通过透镜汇聚入射到APD2光敏面上，经过光电效应和雪崩倍增效应，转换为光电流，再经过TIA跨阻放大器7，从TIA信号反向信号输出脚OUT-12和TIA信号正向信号输出脚OUT+14输出电压信号，实现光信号的探测和放大。
作为上述实施例的进一步描述，所述管帽1通过储能焊焊接在管座8上。
本实施例使用时，管帽1通过储能焊焊接放置在管座8上，提供该TO-Can封装高速率光器件工作的密封环境。管帽1与管座8同轴。管帽1可以为球型管帽1或者水滴球管帽1，但不限于球型或水滴球，其他能够满足相应指标的形状均可。
综上所述，本发明易于批量生产，不会造成其它指标裂化，同时可以降低wifi的干扰，无需外置屏蔽罩，也无需更改APD、TIA设计的TO-CAN封装光器件。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (8)
1.一种抗5G wifi TO-CAN光器件，包括管座(8)，管座(8)上罩设有管帽(1)，管座(8)上焊接有5个引脚(10)，其特征在于：所述管座(8)中部粘接有陶瓷垫片(4)，所述陶瓷垫片(4)外粘接有第一电容(6)、跨阻放大器(7)及第二电容(9)，所述第一电容(6)上放置有电阻(5)，所述陶瓷垫片(4)上粘接有第三电容(3)，第三电容(3)上粘接有雪崩二极管(2)。
2.根据权利要求1所述的抗5G wifi TO-CAN光器件，其特征在于：所述雪崩二极管(2)的光敏面中心与管座(8)中心同轴。
3.根据权利要求1所述的抗5G wifi TO-CAN光器件，其特征在于：所述雪崩二极管采用10G。
4.根据权利要求1所述的抗5G wifi TO-CAN光器件，其特征在于：所述跨阻放大器(7)采用10G。
5.根据权利要求1所述的抗5G wifi TO-CAN光器件，其特征在于：所述跨阻放大器(7)与陶瓷垫片(4)之间连接有焊线九(24)和焊线十(25)。
6.根据权利要求1所述的抗5G wifi TO-CAN光器件，其特征在于：所述管帽(1)与管座(8)的中心同轴。
7.根据权利要求1所述的抗5G wifi TO-CAN光器件，其特征在于：所述管帽(1)通过储能焊焊接在管座(8)上。
8.根据权利要求1所述的抗5G wifi TO-CAN光器件，其特征在于：所述管帽(1)为球型管帽或水滴球管帽。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN117079975A (zh) * | 2023-07-28 | 2023-11-17 | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 | 高速tia抗5g wifi电磁干扰方法 |
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2021
- 2021-05-11 CN CN202120989474.9U patent/CN214586122U/zh active Active
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| CN117079975B (zh) * | 2023-07-28 | 2024-04-30 | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 | 高速tia抗5g wifi电磁干扰方法 |
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