CN215767393U - 一种新型模拟光电探测器 - Google Patents
一种新型模拟光电探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN215767393U CN215767393U CN202122242213.3U CN202122242213U CN215767393U CN 215767393 U CN215767393 U CN 215767393U CN 202122242213 U CN202122242213 U CN 202122242213U CN 215767393 U CN215767393 U CN 215767393U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photoelectric detector
- simulation
- pin
- detector
- analog
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本实用新型涉及光电器件及光电检测的技术领域,特别是涉及一种新型模拟光电探测器,其提高稳定性,优化器件的布局,提高实用性;所述模拟光电探测器本体设置有探测器管壳、尾纤、探测器电气引脚和内部元件,所述模拟光电探测器本体内部设置有APD光探测器芯片,所述模拟光电探测器本体内部设置有模拟运放、跨阻和补偿电容,跨阻和补偿电容并联,所述模拟运放采用正负2.5V电压为模拟光电探测器本体供电,所述探测器管壳采用六毫米同轴封装结构,所述探测器电气引脚数量为八个。
Description
技术领域
本实用新型涉及光电器件及光电检测的技术领域,特别是涉及一种新型模拟光电探测器。
背景技术
运算放大器,也称模拟运放,是直流耦合的高增益电子电压放大器具有差分输入和输出。
跨阻放大器,简称跨阻,是放大器类型的一种,放大器类型是根据其输入输出信号的类型来定义的。
电容补偿就是无功补偿或者功率因数补偿,电力系统的用电设备在使用时会产生无功功率,而且通常是电感性的,它会使电源的容量使用效率降低,而通过在系统中适当地增加电容的方式就可以得以改善,增加的电容简称补偿电容。
APD也叫雪崩光电二极管,指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后,射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”(即光电流成倍地激增)的现象。
现有的模拟光电探测器,包括模拟光电探测器本体,所述模拟光电探测器本体设置有探测器管壳、尾纤、连接头和内部元件,对于光电检测和传感产品,常规的光探测器只是实现从光到光电流的变换,后面还需连接各种放大电路才能完成光信号到电信号的转换,模拟光探测信号可能需要实现从直流到高频信号的连续检测,由于电路寄生电容、干扰、电路布板等的影响,使直流到高频大带宽的模拟信号探测变得十分困难。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种提高稳定性,优化器件的布局,提高实用性的新型模拟光电探测器。
本实用新型的一种新型模拟光电探测器,包括模拟光电探测器本体,所述模拟光电探测器本体设置有探测器管壳和探测器电气引脚,所述模拟光电探测器本体内部设置有APD光探测器芯片,所述模拟光电探测器本体内部设置有模拟运放、跨阻和补偿电容,跨阻与补偿电容并联,所述模拟运放采用正负2.5V电压为模拟光电探测器本体供电,所述探测器管壳采用六毫米同轴封装结构,所述探测器电气引脚数量为八个。
本实用新型的一种新型模拟光电探测器,八个探测器电气引脚分别为RTH+引脚、GND引脚、VOUT引脚、VBias引脚、+2.5V引脚、-2.5V引脚、TEC+引脚和TEC-引脚。
本实用新型的一种新型模拟光电探测器,所述模拟光电探测器本体内部集成有微型半导体制冷器和热敏电阻,所述热敏电阻的一端共地。
本实用新型的一种新型模拟光电探测器,所述模拟光电探测器本体设置有尾纤,所述尾纤为多模光纤或单模光纤。
本实用新型的一种新型模拟光电探测器,所述补偿电容的电容值为0.1pF,所述跨阻的阻值为五千欧姆。
与现有技术相比本实用新型的有益效果为:模拟光电探测器本体通电后,模拟光电探测器本体通过八个探测器电气引脚与外部相连接,模拟运放采用正负2.5V电压为模拟光电探测器本体供电,跨阻并联补偿电容使模拟运放减少振荡,优化前端模拟放大电路及与光电探测器的集成方式,提高稳定性,优化器件的布局,提高了实用性。
附图说明
图1是本实用新型的主视结构示意图;
图2是本实用新型的探测器管壳左视结构示意图;
图3是本实用新型的电气原理框图;
附图中标记:1、模拟光电探测器本体;2、探测器管壳;3、探测器电气引脚。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
如图1至图3所示,本实用新型的一种新型模拟光电探测器,包括模拟光电探测器本体1,所述模拟光电探测器本体1设置有探测器管壳2和探测器电气引脚3,所述模拟光电探测器本体1内部设置有APD光探测器芯片,所述模拟光电探测器本体1内部设置有模拟运放、跨阻和补偿电容,跨阻与补偿电容并联,所述模拟运放采用正负2.5V电压为模拟光电探测器本体1供电,所述探测器管壳2采用六毫米同轴封装结构,所述探测器电气引脚3数量为八个;模拟光电探测器本体1通过八个探测器电气引脚3与外部相连接,模拟运放采用正负2.5V电压为模拟光电探测器本体供电,跨阻并联补偿电容使模拟运放减少振荡,优化前端模拟放大电路及与光电探测器的集成方式,提高稳定性,优化器件的布局,提高了实用性。
本实用新型的一种新型模拟光电探测器,八个探测器电气引脚3分别为RTH+引脚、GND引脚、VOUT引脚、VBias引脚、+2.5V引脚、-2.5V引脚、TEC+引脚和TEC-引脚;模拟光电探测器本体通过TEC+引脚和TEC-引脚进行微调,并且通过GND引脚进行接地,并且通过Vbias引脚进行电路电源电压控制,并且通过+2.5V引脚、-2.5V引脚供电,并且通过RTH引脚进行过温保护,并且通过VOUT引脚进行电压输出,提高了实用性。
本实用新型的一种新型模拟光电探测器,所述模拟光电探测器本体1内部集成有微型半导体制冷器和热敏电阻,所述热敏电阻的一端共地;所述模拟光电探测器本体1在微型半导体制冷器和热敏电阻配合下,使得其内部温度动态维持在恒定的值,提高了实用性。
本实用新型的一种新型模拟光电探测器,所述模拟光电探测器本体1设置有尾纤,所述尾纤为多模光纤或单模光纤。
本实用新型的一种新型模拟光电探测器,所述补偿电容的电容值为0.1pF,所述跨阻的阻值为五千欧姆;补偿电容的电容值为0.1pF,跨阻的阻值为五千欧姆,跨阻和补偿电容并联,从而减少了输入电压的振荡。
本实用新型的一种新型模拟光电探测器,其在工作时,模拟光电探测器本体1通电后,依据热敏电阻的变化,当为微型半导体制冷器提供正向电流时,微型半导体制冷器制冷,当为微型半导体制冷器提供反向电流时,微信半导体制冷器制热,从而使模拟光电探测器本体1的内部温度动态维持在恒定的值,模拟光电探测器本体1通过八个探测器电气引脚3与外部相连接,模拟运放采用正负2.5V电压为模拟光电探测器本体供电,跨阻并联补偿电容使模拟运放减少振荡。
本实用新型的一种新型模拟光电探测器,其安装方式、连接方式或设置方式均为常见机械方式,只要能够达成其有益效果的均可进行实施。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变型,这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (7)
1.一种新型模拟光电探测器,其特征在于,包括模拟光电探测器本体(1),所述模拟光电探测器本体(1)设置有探测器管壳(2)和探测器电气引脚(3),所述模拟光电探测器本体(1)内部设置有APD光探测器芯片,所述模拟光电探测器本体(1)内部设置有模拟运放、跨阻和补偿电容,跨阻与补偿电容并联,所述模拟运放采用正负2.5V电压为模拟光电探测器本体(1)供电,所述探测器管壳(2)采用六毫米同轴封装结构,所述探测器电气引脚(3)数量为八个。
2.如权利要求1所述的一种新型模拟光电探测器,其特征在于,八个探测器电气引脚(3)分别为RTH+引脚、GND引脚、VOUT引脚、VBias引脚、+2.5V引脚、-2.5V引脚、TEC+引脚和TEC-引脚。
3.如权利要求1所述的一种新型模拟光电探测器,其特征在于,所述模拟光电探测器本体(1)内部集成有微型半导体制冷器和热敏电阻,所述热敏电阻的一端共地。
4.如权利要求1所述的一种新型模拟光电探测器,其特征在于,所述模拟光电探测器本体(1)上设置有尾纤。
5.如权利要求4所述的一种新型模拟光电探测器,其特征在于,所述尾纤为多模光纤。
6.如权利要求4所述的一种新型模拟光电探测器,其特征在于,所述尾纤为单模光纤。
7.如权利要求1所述的一种新型模拟光电探测器,其特征在于,所述补偿电容的电容值为0.1pF,所述跨阻的阻值为五千欧姆。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202122242213.3U CN215767393U (zh) | 2021-09-15 | 2021-09-15 | 一种新型模拟光电探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202122242213.3U CN215767393U (zh) | 2021-09-15 | 2021-09-15 | 一种新型模拟光电探测器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN215767393U true CN215767393U (zh) | 2022-02-08 |
Family
ID=80088093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202122242213.3U Active CN215767393U (zh) | 2021-09-15 | 2021-09-15 | 一种新型模拟光电探测器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN215767393U (zh) |
-
2021
- 2021-09-15 CN CN202122242213.3U patent/CN215767393U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6720830B2 (en) | Low-power, differential optical receiver in silicon on insulator | |
CN202548286U (zh) | 雪崩光电二极管探测电路 | |
CN203691410U (zh) | 光模块以及光模块主芯片 | |
CN102213806A (zh) | 温度控制型低功耗10G 80km SFP+光模块 | |
CN108923754A (zh) | 一种光电探测器信号放大装置 | |
CN215767393U (zh) | 一种新型模拟光电探测器 | |
CN109639343A (zh) | 一种模块化光电探测器装置 | |
Li et al. | A 112 Gb/s PAM4 CMOS optical receiver with sub-pJ/bit energy efficiency | |
CN108362393A (zh) | 一种低噪声apd光电转换装置 | |
CN108287020B (zh) | 一种基于雪崩光电探测器的光电检测模块 | |
CN113809062A (zh) | 一种带光放大功能的光接收器件 | |
CN202550965U (zh) | 一种雪崩光电二极管探测电路 | |
CN211061739U (zh) | 一种光探测器接收组件 | |
US20090194674A1 (en) | Controller for a photosensor | |
CN106597563A (zh) | 一种空间耦合壳式高速平衡光电探测器 | |
CN203039695U (zh) | 40g pin/tia探测器 | |
CN107389189B (zh) | 一种带有差分放大功能的小型化光电探测器 | |
CN214586122U (zh) | 一种抗5G wifi TO-CAN光器件 | |
CN106873701A (zh) | 一种apd偏压温度补偿电路 | |
CN111024220B (zh) | 一种消除象限光电探测器串扰的信号处理系统 | |
Hein et al. | Low-power 300 Mbit/s OEIC with large-area photodiode | |
CN113805288A (zh) | 一种带光放大功能的光接收to | |
CN202384374U (zh) | 一种pin-fet光接收组件 | |
CN207968495U (zh) | 一种远距离传输的100g小型化光模块 | |
Gudyriev et al. | Low-power, ultra-compact, fully-differential 40Gbps direct detection receiver in 0.25 μm photonic BiCMOS SiGe technology |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |