CN202384374U - 一种pin-fet光接收组件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种PIN-FET光接收组件，包括一封装外壳，该外壳内设有：一光电二极管芯片PD、一温度传感器、一热沉、一信号光输入光纤、一半导体致冷器和一跨阻抗放大器集成芯片，所述温度传感器与一外部控制电路连接，所述跨阻抗放大器集成芯片输入端与所述光电二极管芯片PD阴极连接，PD阳极接地；所述热沉底部安装半导体致冷器，所述光电二极管芯片PD、温度传感器、信号光输入光纤和跨阻抗放大器集成芯片固定于所述热沉表面，所述光电二极管芯片PD将输入光信号转换为电信号后，经所述跨阻抗放大器集成芯片放大输出。由于跨阻抗放大器集成芯片代替传统分离元件，且带有致冷器，其接收灵敏度高，能保证在恒温状态下工作，参数稳定，可靠性好。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种光接收组件，尤其涉及一种PIN-FET光接收组件。
背景技术
原有PIN-FET(P-Intrinsic-N Field Effect Transistor)光接收组件，由光电转换器、跨阻抗放大器(TIA)组成，均不带致冷器，而且跨阻抗放大电路由分立元件组装而成，如图1所示的跨阻放大电路：包括：一个NPN型三极管Q3、一PNP型三极管Q2、和一个场效应管Q1，其中所述场效应管Q1的栅极与光电转换器(PD或APD)的电信号连接、源极接地、漏极与PNP型三极管Q2的发射极连接；PNP三极管的基极与预定电压值的正电源连接、集电极与预定电压值的负电源连接并与NPN三极管的基极连接；NPN三极管的发射极与第一电阻串联后作为放大信号输出端、发射极与第二电阻串联与负电源连接、集电极与预定电压值的电源连接，所述跨阻连接在NPN三极管Q3的发射极与场效应管的栅极之间。上述电路缺点：跨阻抗放大器由分离元件组成，容易产生寄生电感，信号容易受干扰，影响接收精度，可靠性差，同时由于应用环境温度变化影响光电器件和半导体器件的工作特性，特别是在军工产品和要求接收精度高的传感系统应用中，其接收灵敏度难以保证。
实用新型内容
为克服以上缺点，本实用新型提供接收灵敏度高、可靠性好的PIN-FET光接收组件。
本实用新型提供一种PIN-FET光接收组件，包括一封装外壳，该外壳内设有：一光电二极管芯片PD、一温度传感器、一热沉、一信号光输入光纤、一半导体致冷器和一跨阻抗放大器集成芯片，所述温度传感器与一外部控制电路连接，所述跨阻抗放大器集成芯片输入端与所述光电二极管芯片PD阴极连接，PD阳极接地；所述热沉底部安装半导体致冷器，所述光电二极管芯片PD、温度传感器、信号光输入光纤和跨阻抗放大器集成芯片固定于所述热沉表面，所述光电二极管芯片PD将输入光信号转换为电信号后，经所述跨阻抗放大器集成芯片放大输出。
所述光电二极管芯片PD为一PIN或APD芯片。
所述温度传感器为一热敏电阻。
所述光纤通过低温玻璃焊料与热沉焊接固定。
所述外壳为双列直插式管壳或蝶型管壳。
由于本实用新型PIN-FET光接收组件采用跨阻抗放大器集成芯片代替传统分离元件构成的跨阻抗放大电路，且该结构PIN-FET光接收组件带有致冷器，既能满足军工产品和高灵敏度传感系统所要求的灵敏度和线性度高的要求，又能保证PIN-FET光接收组件在恒温状态下工作，参数稳定，集成化气密封装保证了组件的可靠性要求。
附图说明
图1表示现有技术的PIN-FET光接收组件的跨阻抗放大电路图；
图2表示本实用新型PIN-FET光接收组件结构示意图；
图3表示图2所示的跨阻抗放大器集成芯片电路示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细描述本实用新型最佳实施例。
如图2所示的一种PIN-FET光接收组件，包括一封装外壳，该外壳内设有：一光电二极管芯片PD1、一温度传感器2、一热沉3、一信号光输入光纤4、一半导体致冷器5和一跨阻抗放大器集成芯片6，光电二极管芯片PD1为一PIN或APD芯片。温度传感器2与一外部控制电路连接，温度传感器2可以是一热敏电阻。如图3所示的跨阻抗放大器集成芯片6输入端与光电二极管芯片PD1阴极连接，PD阳极接地。热沉3底部安装半导体致冷器5，光电二极管芯片PD1、温度传感器2、信号光输入光纤和跨阻抗放大器集成芯片6固定于热沉3表面，其中信号光输入光纤4通过低温玻璃焊料与热沉3焊接固定。光电二极管芯片PD1将输入光信号转换为电信号后，经跨阻抗放大器集成芯片6放大输出。封装外壳根据组件封装要求，可以是双列直插式管壳或蝶型管壳。
Claims (5)
1.一种PIN-FET光接收组件，包括一封装外壳，其特征在于，该外壳内设有：一光电二极管芯片PD(1)、一温度传感器(2)、一热沉(3)、一信号光输入光纤(4)、一半导体致冷器(5)和一跨阻抗放大器集成芯片(6)，所述温度传感器(2)与一外部控制电路连接，所述跨阻抗放大器集成芯片(6)输入端与所述光电二极管芯片PD(1)阴极连接，PD阳极接地；所述热沉(3)底部安装半导体致冷器(5)，所述光电二极管芯片PD(1)、温度传感器(2)、所述光纤(4)和跨阻抗放大器集成芯片(6)固定于所述热沉(3)表面，所述光电二极管芯片PD(1)将输入光信号转换为电信号后经所述跨阻抗放大器集成芯片(6)放大输出。
2.根据权利要求1所述的PIN-FET光接收组件，其特征在于，所述光电二极管芯片PD(1)为一PIN或APD芯片。
3.根据权利要求2所述的PIN-FET光接收组件，其特征在于，所述温度传感器(2)为一热敏电阻。
4.根据权利要求3所述的PIN-FET光接收组件，其特征在于，所述光纤(4)通过低温玻璃焊料与热沉(3)焊接固定。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的PIN-FET光接收组件，其特征在于，所述封装外壳为双列直插式管壳或蝶型管壳。
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| CN 201220013715 CN202384374U (zh) | 2012-01-12 | 2012-01-12 | 一种pin-fet光接收组件 |
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| CN (1) | CN202384374U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104426051A (zh) * | 2013-08-26 | 2015-03-18 | 江西飞信光纤传感器件有限公司 | 一种蝶型激光器组件的光纤耦合固定方法 |
| CN106768317A (zh) * | 2016-11-14 | 2017-05-31 | 中国电子科技集团公司第四十研究所 | 一种单光子探测器探测效率的标定装置及方法 |
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2012
- 2012-01-12 CN CN 201220013715 patent/CN202384374U/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN106768317A (zh) * | 2016-11-14 | 2017-05-31 | 中国电子科技集团公司第四十研究所 | 一种单光子探测器探测效率的标定装置及方法 |
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