CN103746744A - 一种支持apd应用的平均光电流监控电路 - Google Patents
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 28
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种支持APD应用的平均光电流监控电路，其特征在于：它包括一主电流回路，包括一正常偏置的光电二极管，该光电二极管阳极接入一跨阻放大器的输入端；以及一副电流回路，包括与跨阻放大器相同的一虚拟跨阻放大器、一个受控电流镜和一个差放模块；其中，所述跨阻放大器的输入端连接于该差放模块的负输入端，所述虚拟跨阻放大器的输入端连接于该差放模块的正输入端；该受控电流镜其虚拟输出端连接于该虚拟跨阻放大器的输入端，其控制端连接于该差放模块的差放输出端；本方案副电流回路可以使用低压电路来实现光电流监控作用，不受光电二极管本身偏置电压的影响；良好兼容不同偏置光电二极管，节省了成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于光纤通信领域、实现光电二极管平均光功率监控的电路。
背景技术
如图1和图2所示，在光纤通信系统中，光脉冲信号经过光电二极管（photodiode）转化为电流信号，再输入到跨阻放大器20（Trans-ImpedanceAmplifier,TIA）放大并转化为电压信号，再传输到后续电路进行信号处理。光电二极管分为两种，一种是PIN管，其特点是反向偏置电压低，可直接由TIA芯片1提供反向偏置电压，与跨阻放大器一起封装在TO-CAN内部，但不具有倍增效应，因此接收灵敏度指标较低；另一种是基于雪崩效应的APD管（AvalanchePhoto Diode,APD），APD管的特点是反向偏置电压高，并且无法由TIA芯片1提供反向偏置电压，需要由另外的升压芯片提供高压偏置，设置于TO-CAN模块2外，但具有倍增效应，因此灵敏度指标较高。
在光纤通信网络管理中，需要监控光纤传输网络中的光功率，包括发射及接收端。在接收端可通过监控光电二极管的平均响应光电流，来推算接收平均光功率。传统做法在光电二极管D的电压偏置端串接一个电流镜10来镜像监控流过光电二极管的光电流，由于PIN管和APD管两种不同的偏置电压需要，因此监控电路也分为两种实现方法。图1所示为适应PIN管的光电流监视电路，图2为适应APD管的监视电路。
图1和图2这两种方法无法通用，因为电流镜10串接在光电二极管D的阴极端，直接通过电流镜10的镜像功能监控光电二极管D的光电流。在PIN型的光电二极管应用中，监控电路可以整合到TIA芯片1内，但APD类型的光电二极管应用中，由于特殊的高压要求，无法集成到TIA芯片；同时在图2所示针对APD管的应用中，由于APD管偏置在高压（一般为40-60V左右），因此所需的电流镜10也是特殊的高压器件，成本较高。
发明内容
针对上述现有适用于PIN型和APD型光电二极管的监控电路无法实现兼容、成本较高的缺陷，本发明提出一种支持APD应用的平均光电流监控电路，其技术方案如下：
一种支持APD应用的平均光电流监控电路，它包括：
一主电流回路，包括一正常偏置的光电二极管，该光电二极管阳极接入一跨阻放大器的输入端；以及
一副电流回路，包括一虚拟跨阻放大器、一个受控电流镜和一个差放模块；
其中，所述跨阻放大器的输入端连接于该差放模块的负输入端，所述虚拟跨阻放大器的输入端连接于该差放模块的正入端；
该受控电流镜其虚拟输出端连接于该虚拟跨阻放大器的输入端，其控制端连接于该差放模块的差放输出端，其镜像电流端作为整个装置的监控电流输出；
所述跨阻放大器和虚拟跨阻放大器其结构、电气参数和生成工艺保持一致；
在差放模块的控制下，该跨阻放大器和虚拟跨阻放大器的输入共模电压、输入电流均保持一致。
本方案的优选者如下：
在较佳实施例中，所述跨阻放大器包括：MOS管M0，其栅极连接所述光电二极管的阳极；其漏极连接电阻R1和电阻R0的一端；其源极接地；电阻R1的另一端接M0栅极；电阻R0另一端接Vdd；
所述虚拟跨阻放大器包括：MOS管M1，其漏极连接电阻R2和电阻R3的一端；其源极接地；电阻R2的另一端接M0栅极；电阻R3另一端接Vdd；
所述受控电流镜包括：MOS管M2和M3，两者栅极相连成为所述控制端；M2的漏极为所述虚拟输出端，M3的漏极为所述镜像电流端；M2和M3的源极接Vdd；
所述差放模块包括一误差放大器，其引脚与该差放模块的所述正输入端、负输入端和差放输出端一一对应。
在另一类较佳实施例中，所述跨阻放大器包括：MOS管M0和M4，二者漏极源极同向相串联，M0栅极连接所述光电二极管的阳极；M4漏极连接电阻R1和电阻R0的一端；M0源极接地；电阻R1的另一端接M0栅极；电阻R0另一端接Vdd；
所述虚拟跨阻放大器包括：MOS管M1和M5，M5漏极连接电阻R2和电阻R3的一端；M1源极接地；电阻R2的另一端接M0栅极；电阻R3另一端接Vdd；
其中MOS管M4和M5栅极相连成为一偏置设置端；
所述受控电流镜包括：MOS管M2、M3和M6，其中M2和M3栅极相连再连接于M2漏极和M6源极；M6的栅极成为所述控制端；M6的漏极为所述虚拟输出端，M3的漏极为所述镜像电流端；M2和M3的源极接Vdd；
所述差放模块包括一误差放大器，其引脚与该差放模块的所述正输入端、负输入端和差放输出端一一对应。
所述跨阻放大器和副电流回路集成于一同一芯片。
本方案带来的有益效果有：
通过使用一个虚拟的跨阻放大器，以及结合用来模拟光电二极管的受控电流镜，以副电流回路的形式映射了光电二极管的监控电流，因而不受光电二极管本身偏置电压的影响；实现了不同偏置光电二极管的良好兼容性。其优势在于，副电流回路可以使用低压电路来实现光电流监控作用，同时可以被集成在跨阻放大器IC芯片的产品中，构成通用模块，也避免了高压器件的高昂成本。
附图说明
以下结合附图实施例对本发明作进一步说明：
图1是传统适用于PIN型光电二极管D的监控电路结构示意图；
图2是传统适用于APD型光电二极管D的监控电流结构示意图；
图3是本发明实施例一的模块示意图；
图4是本发明实施例二的模块示意图；
图5是本发明实施例三的模块示意图。
具体实施方式
实施例一：
如图3所示，本发明一个实施例的结构示意图。本领域的技术人员在该结构披露之后可以立刻获得具体的实施方案。
本实施例一种用于高速光通信的支持APD应用的平均光电流监控电路，它总共具有两个电流回路，分别是主电流回路和副电流回路；其中，主电流回路包括一正常偏置的光电二极管D，可以是APD型也可以是PIN型；该光电二极管D阳极接入一跨阻放大器20的输入端21；其光电流输出就直接进入跨阻放大器20实现信号读取。副电流回路包括一虚拟跨阻放大器30、一个受控电流镜40和一个差放模块50。
跨阻放大器20的输入端还连接于差放模块50的正输入端，虚拟跨阻放大器30的输入端连接于该差放模块50的负输入端；受控电流镜40其虚拟输出端41连接于虚拟跨阻放大器30的输入端31，其控制端42连接于差放模块50的差放输出端，其镜像电流端43作为整个装置的监控电流输出；跨阻放大器20和虚拟跨阻放大器30其结构、电气参数和生成工艺保持一致，使二者的输入输出性能、温度特性等均对称。
在差放模块50的控制下，跨阻放大器20和虚拟跨阻放大器30的输入共模电压、输入电流均保持一致。
可见，本方案通过使用一个虚拟的跨阻放大器30，以及结合用来模拟光电二极管的受控电流镜40，以副电流回路的形式映射了光电二极管D的监控电流，同时该电流实现了与光电二极管D所在主电流回路的电压分离，因而不受光电二极管D本身偏置电压的影响；通过差放模块50的反馈作用，使得镜像电流端43得到与光电二极管D同步变化的镜像电流。本方案实现了不同偏置光电二极管D的良好兼容性。其优势在于，副电流回路可以使用低压电路来实现光电流监控作用，同时可以被集成在跨阻放大器IC芯片的产品中，构成通用模块。
实施例二：
如图4所示，本发明实施例二的电路示意图。
本实施例的主要结构与实施例一类似。跨阻放大器包括：MOS管M0，其栅极连接光电二极管D的阳极，D已经处于正常偏置的状态；M0漏极连接电阻R1和电阻R0的一端；其源极接地；电阻R1的另一端接M0栅极；电阻R0另一端接Vdd；虚拟跨阻放大器30包括：MOS管M1，其漏极连接电阻R2和电阻R3的一端；其源极接地；电阻R2的另一端接M0栅极；电阻R3另一端接Vdd；受控电流镜40包括：MOS管M2和M3，两者栅极相连成为控制端42；M2的漏极为虚拟输出端41，M3的漏极为镜像电流端43；M2和M3的源极接Vdd；差放模块50包括一误差放大器，其引脚与该差放模块的正输入端、负输入端和差放输出端一一对应。
可见，本方案采用十分简洁的结构实现了主、副电流回路，其跨阻放大器20和虚拟跨阻放大器30也容易实现结构、工艺的对称，故一致性较好，易于在实现在跨阻放大器集成芯片中。
实施例三：
如图4所示，本发明实施例三的示意图。本实施例基本结构与实施例一类似。跨阻放大器20包括MOS管M0和M4，二者漏极源极同向相串联，M0栅极连接光电二极管D的阳极；M4漏极连接电阻R1和电阻R0的一端；M0源极接地；电阻R1的另一端接M0栅极；电阻R0另一端接Vdd；虚拟跨阻放大器30包括：MOS管M1和M5，M5漏极连接电阻R2和电阻R3的一端；M1源极接地；电阻R2的另一端接M0栅极；电阻R3另一端接Vdd；其中MOS管M4和M5栅极相连成为一偏置设置端，可便利实现偏置可调的功能。
受控电流镜40包括：MOS管M2、M3和M6，其中M2和M3栅极相连再连接于M2漏极和M6源极；M6的栅极成为控制端42；M6的漏极为虚拟输出端41，M3的漏极为镜像电流端43；M2和M3的源极接Vdd；差放模块50与实施例二相同，包括一误差放大器，其引脚与该差放模块的正输入端、负输入端和差放输出端一一对应。
以上所述，仅为本发明较佳实施例而已，故不能依此限定本发明实施的范围，即依本发明专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本发明涵盖的范围内。
Claims (4)
1.一种支持APD应用的平均光电流监控电路，其特征在于：它包括：
一主电流回路，包括一正常偏置的光电二极管，该光电二极管阳极接入一跨阻放大器的输入端；以及
一副电流回路，包括一虚拟跨阻放大器、一个受控电流镜和一个差放模块；
其中，所述跨阻放大器的输入端连接于该差放模块的负输入端，所述虚拟跨阻放大器的输入端连接于该差放模块的正输入端；
该受控电流镜其虚拟输出端连接于该虚拟跨阻放大器的输入端，其控制端连接于该差放模块的差放输出端，其镜像电流端作为整个装置的监控电流输出；
所述跨阻放大器和虚拟跨阻放大器其结构、电气参数和生成工艺保持一致；
在差放模块的控制下，该跨阻放大器和虚拟跨阻放大器的输入共模电压、输入电流均保持一致。
2.根据权利要求1所述一种支持APD应用的平均光电流监控电路，其特征在于：
所述跨阻放大器包括：MOS管M0，其栅极连接所述光电二极管的阳极；其漏极连接电阻R1和电阻R0的一端；其源极接地；电阻R1的另一端接M0栅极；电阻R0另一端接Vdd；
所述虚拟跨阻放大器包括：MOS管M1，其漏极连接电阻R2和电阻R3的一端；其源极接地；电阻R2的另一端接M0栅极；电阻R3另一端接Vdd；
所述受控电流镜包括：MOS管M2和M3，两者栅极相连成为所述控制端；M2的漏极为所述虚拟输出端，M3的漏极为所述镜像电流端；M2和M3的源极接Vdd；
所述差放模块包括一误差放大器，其引脚与该差放模块的所述正输入端、负输入端和差放输出端一一对应。
3.根据权利要求1所述一种支持APD应用的平均光电流监控电路，其特征在于：所述跨阻放大器包括：MOS管M0和M4，二者漏极源极同向相串联，M0栅极连接所述光电二极管的阳极；M4漏极连接电阻R1和电阻R0的一端；M0源极接地；电阻R1的另一端接M0栅极；电阻R0另一端接Vdd；
所述虚拟跨阻放大器包括：MOS管M1和M5，M5漏极连接电阻R2和电阻R3的一端；M1源极接地；电阻R2的另一端接M0栅极；电阻R3另一端接Vdd；
其中MOS管M4和M5栅极相连成为一偏置设置端；
所述受控电流镜包括：MOS管M2、M3和M6，其中M2和M3栅极相连再连接于M2漏极和M6源极；M6的栅极成为所述控制端；M6的漏极为所述虚拟输出端，M3的漏极为所述镜像电流端；M2和M3的源极接Vdd；
所述差放模块包括一误差放大器，其引脚与该差放模块的所述正输入端、负输入端和差放输出端一一对应。
4.根据权利要求1或2或3所述一种支持APD应用的平均光电流监控电路，其特征在于：所述跨阻放大器和副电流回路集成于一同一芯片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310320421.8A CN103746744B (zh) | 2013-07-26 | 2013-07-26 | 一种支持apd应用的平均光电流监控电路 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310320421.8A CN103746744B (zh) | 2013-07-26 | 2013-07-26 | 一种支持apd应用的平均光电流监控电路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103746744A true CN103746744A (zh) | 2014-04-23 |
| CN103746744B CN103746744B (zh) | 2016-03-09 |
Family
ID=50503740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310320421.8A Active CN103746744B (zh) | 2013-07-26 | 2013-07-26 | 一种支持apd应用的平均光电流监控电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103746744B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105656547A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-06-08 | 烽火通信科技股份有限公司 | 用于光接收模块中apd的输入信号强度显示电路 |
| CN106026940A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-10-12 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种跨阻放大器的直流偏置电路 |
| CN106941379A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-07-11 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种用于apd跨阻放大器的自动增益控制电路 |
| WO2019140740A1 (zh) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种复用光通信光接收组件mon管脚的电路 |
| CN110595530A (zh) * | 2018-06-13 | 2019-12-20 | 益加义电子有限公司 | 电子装置、光学的气体传感器和测量光电流和温度的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070058989A1 (en) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Shinkyo Kaku | In-situ power monitor providing an extended range for monitoring input optical power incident on avalanche photodiodes |
| CN101026415A (zh) * | 2007-04-16 | 2007-08-29 | 烽火通信科技股份有限公司 | 用于跨阻放大器的光电流监控电路 |
| CN101854209A (zh) * | 2009-03-30 | 2010-10-06 | 三菱电机株式会社 | 监控电路和使用它的光接收器 |
| CN102185647A (zh) * | 2011-03-02 | 2011-09-14 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种光电流监控装置 |
| CN102394692A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-03-28 | 索尔思光电（成都）有限公司 | 一种ddmi光模块收端监控电路及其突发模式光功率监控方法 |
-
2013
- 2013-07-26 CN CN201310320421.8A patent/CN103746744B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070058989A1 (en) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Shinkyo Kaku | In-situ power monitor providing an extended range for monitoring input optical power incident on avalanche photodiodes |
| CN101026415A (zh) * | 2007-04-16 | 2007-08-29 | 烽火通信科技股份有限公司 | 用于跨阻放大器的光电流监控电路 |
| CN101854209A (zh) * | 2009-03-30 | 2010-10-06 | 三菱电机株式会社 | 监控电路和使用它的光接收器 |
| CN102185647A (zh) * | 2011-03-02 | 2011-09-14 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种光电流监控装置 |
| CN102394692A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-03-28 | 索尔思光电（成都）有限公司 | 一种ddmi光模块收端监控电路及其突发模式光功率监控方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105656547A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-06-08 | 烽火通信科技股份有限公司 | 用于光接收模块中apd的输入信号强度显示电路 |
| CN105656547B (zh) * | 2016-01-29 | 2018-02-16 | 烽火通信科技股份有限公司 | 用于光接收模块中apd的输入信号强度显示电路 |
| CN106026940A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-10-12 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种跨阻放大器的直流偏置电路 |
| CN106026940B (zh) * | 2016-04-27 | 2018-12-18 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种跨阻放大器的直流偏置电路 |
| CN106941379A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-07-11 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种用于apd跨阻放大器的自动增益控制电路 |
| WO2019140740A1 (zh) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种复用光通信光接收组件mon管脚的电路 |
| CN110595530A (zh) * | 2018-06-13 | 2019-12-20 | 益加义电子有限公司 | 电子装置、光学的气体传感器和测量光电流和温度的方法 |
| CN110595530B (zh) * | 2018-06-13 | 2022-02-01 | 益加义电子有限公司 | 电子装置、光学的气体传感器和测量光电流和温度的方法 |
| US11262295B2 (en) | 2018-06-13 | 2022-03-01 | E+E Elektronik Ges.M.B.H. | Electronic arrangement, optical gas sensor including such an electronic arrangement, and method for combined photocurrent and temperature measurement using such an electronic arrangement |
Also Published As
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
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|
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