CN113471385B - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板及显示装置，光提取层包括多个光提取结构及外围结构且外围结构围绕光提取结构，沿显示面板的厚度方向，第二子提取结构设置在第一子提取结构远离发光器件的一侧；至少部分发光器件在衬底基板的投影与光提取结构在衬底基板上的投影交叠；第一子提取结构的折射率为第一折射率n1，第二子提取结构的折射率为第二折射率n2，n1＞n2；第一子提取结构的侧面的切面中，靠近发光器件的切面与衬底基板所在平面之间的夹角为第一夹角α；第二子提取结构的侧面的切面中，靠近第一子提取结构的切面与衬底基板所在平面之间的夹角为第二夹角β，α＜β。本申请能够提高显示面板及显示装置的出光亮度及分辨率且降低光线的界面损耗。

Description

一种显示面板及显示装置

【技术领域】

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

【背景技术】

有机电致发光二极管(Organic Electroluminescence Display，OLED)显示面板基于其高亮度、高效率、宽视角、自主发光等优良特性，得到了广泛应用。

目前，OLED显示面板多采用顶发光模式，为更大限度将发光元件所发出的光线提取出去，提高面板的出光效率，面板内通常会设有光提取层。其中，光提起层中设置有简单的透镜结构作为光提取结构，但是现有技术中的光提取结构的光提取效率不高。

【申请内容】

有鉴于此，本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，以解决以上问题。

第一方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括衬底基板、发光器件层、光提取层，发光器件层设置在衬底基板朝向显示面板出光面的一侧，光提取层设置在发光器件层朝向显示面板出光面的一侧；发光器件层包括多个发光器件，光提取层包括多个光提取结构及外围结构且外围结构围绕光提取结构；光提取结构包括第一子提取结构和第二子提取结构，且沿显示面板的厚度方向，第二子提取结构设置在第一子提取结构远离发光器件的一侧；其中，多个发光器中，至少部分发光器件在衬底基板的投影与光提取结构在衬底基板上的投影交叠；第一子提取结构的折射率为第一折射率n1，第二子提取结构的折射率为第二折射率n2，n1＞n2；并且第一子提取结构的侧面为第一侧面，第二子提取结构的侧面为第二侧面；第一侧面的切面中，靠近发光器件的切面与衬底基板所在平面之间的夹角为第一夹角α；第二侧面的切面中，靠近第一子提取结构的切面与衬底基板所在平面之间的夹角为第二夹角β，α＜β。

在第一方面的一种实现方式中，外围结构的折射率为第三折射率n3，其中，n1＞n2＞n3。

在第一方面的一种实现方式中，第一子提取结构靠近发光器件的底边为第一底面，第二子提取结构靠近发光器件的底边为第二底面；发光器件在衬底基板上的投影面积大于对应的第一底面在衬底基板上的投影面积，且发光器件在衬底基板上的投影覆盖对应的第一底面在衬底基板上的投影；发光器件在衬底基板上的投影面积小于对应的第二底面在衬底基板上的投影面积，且第二底面在衬底基板上的投影覆盖对应的发光器件在衬底基板上的投影。

在第一方面的一种实现方式中，发光器件在衬底基板上的投影的边缘与对应的第一底面在衬底基板上的投影的边缘之间的距离为第一距离d1；发光器件在衬底基板上的投影的边缘与对应的第二底面在衬底基板上的投影的边缘之间的距离为第二距离d2；其中，1.2μm≥d1≥0.3μm，1μm≥d2≥0μm。

在第一方面的一种实现方式中，第一子提取结构沿显示面板厚度方向的高度为第一高度H1，第二子提取结构沿显示面板厚度方向的高度为第二高度H2，其中，H1＞H2。

在第一方面的一种实现方式中，第一侧面为平面结构，且第二侧面为平面结构。

在第一方面的一种实现方式中，第一侧面为向外围结构一侧凸起的曲面结构，且第二侧面为向光提取结构一侧凸起的曲面结构。

在第一方面的一种实现方式中，多个发光器件中包括第一发光器件和第二发光器件，其中，第一发光器件在衬底基板上的投影与光提取结构交叠，第二发光器件在衬底基板上的投影与光提取结构无交叠；其中，第一发光器件的数量大于第二发光器件的数量。

在第一方面的一种实现方式中，与光提取结构在衬底基板上的正投影存在交叠的多个发光器件中，蓝色发光器件的数量多于绿色发光器件的数量，和/或蓝色发光器件的数量多于红色发光器件的数量。

第二方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括如第一方面提供的显示面板。

本申请实施例提供的显示面板及显示装置中，光提取结构中折射率不同的第一子提取结构与第二子提取结构的侧面分别设置为不同的倾斜角度，则可以分别实现对发光器件发射出的大角度光的折射和反射，进而将大角度光转换为小角度光并出射，提高显示面板及显示装置的出光亮度及分辨率。本申请通过将远离出光面一侧设置为折射率较大的第一子提取结构且靠近出光面一侧设置为折射率较小的第一子提取结构很大的则折射率相对较小的第二子提取结构，则光线在出射至显示面板及显示装置出光面时，所经过的光提取结构为折射率渐变过渡的光提取结构，降低界面损耗。

【附图说明】

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的示意图；

图3为本申请实施例提供的一种显示面板的局部放大图；

图4为本申请实施例提供的一种光提取结构的示意图；

图5为本申请实施例提供的显示面板的效果示意图；

图6为本申请实施例提供的又一种显示面板的示意图；

图7为本申请实施例中发光器件与光提取结构的关系示意图；

图8为图7所示关系示意图的投影图；

图9为本申请实施例中光提取结构的边缘与发光器件的边缘之间距离对应的亮度变化效果；

图10为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。

【具体实施方式】

为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

本说明书的描述中，需要理解的是，本申请权利要求及实施例所描述的“基本上”、“近似”、“大约”、“约”、“大致”“大体上”等词语，是指在合理的工艺操作范围内或者公差范围内，可以大体上认同的，而不是一个精确值。

应当理解，尽管在本申请实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述方向、金属块、信号线等，但这些方向、金属块、信号线等不应限于这些术语。这些术语仅用来将方向、金属块、信号线等彼此区分开。例如，在不脱离本申请实施例范围的情况下，第一方向也可以被称为第二方向，类似地，第二方向也可以被称为第一方向。

本案申请人通过细致深入研究，对于现有技术中所存在的问题，而提供了一种解决方案。

本申请提供一种显示面板及显示装置。

图1为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图，图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的示意图，图3为本申请实施例提供的一种显示面板的局部放大图，图4为本申请实施例提供的一种光提取结构的示意图。

如图1及图2所示，本申请实施例提供的显示面板，包括衬底基板01、像素电路层02、发光器件层03及光提取层04，其中，像素电路层02、发光器件层03及光提取层04均设置在衬底基板01朝向显示面板出光面的一侧上，且发光器件层03可以设置在像素电路层02朝向显示面板出光面的一侧，光提取层04设置在发光器件层朝向显示面板出光面的一侧。

发光器件层03包括多个发光器件30，其中，发光器件30可以为有机发光器件，也可以为微型发光二极管。

光提取层04包括多个光提取结构41及外围结构42，并且外围结构42围绕光提取结构41。其中，在发光器件层03所包括的多个发光器30中，至少部分发光器件30在衬底基板01的投影与光提取结构41在衬底基板01上的投影交叠。例如，如图1所示，发光器件层03所包括的多个发光器30在衬底基板01的投影均与光提取结构41在衬底基板01上的投影交叠。例如，如图2所示，发光器件层03所包括的多个发光器件30中，部分发光器件03在衬底基板01的投影与光提取结构41在衬底基板01上的投影交叠，另一部分发光器件03在衬底基板01的投影与光提取结构41在衬底基板01上的投影未交叠。

请结合图1、图2与图3、图4，光提取结构41包括第一子提取结构411和第二子提取结构412，且沿显示面板的厚度方向Z，第二子提取结构412设置在第一子提取结构411远离发光器件30的一侧。也就是，沿显示面板的厚度方向Z层叠设置的第一子提取结构411与第二子提取结构412中，第二子提取结构412设置在第一子提取结构411靠近显示面板出光面的一侧。并且，第一子提取结构411的折射率为第一折射率n1，第二子提取结构412的折射率为第二折射率n2，n1＞n2。

如图4所示，第一子提取结构411的侧面为第一侧面411a，且在第一侧面41a的切面中，靠近发光器件30的切面与所述衬底基板所在平面之间的夹角为第一夹角α；第二子提取结构412的侧面为第二侧面412a；且在第二侧面412a的切面中，靠近第一子提取结构411的切面与所述衬底基板所在平面之间的夹角为第二夹角β，α＜β。

也就是说，在光提取结构41所包括的重叠设置第一子提取结构411与第二子提取结构412中，远离显示面板出光面且靠近发光器件30的第一子提取结构411折射率较大且其侧面的倾斜角度较小，靠近显示面板出光面且远离发光器件30的第二子提取结构412的折射率较小且其侧面的倾斜角度较大。

图5为本申请实施例提供的显示面板的效果示意图。

请结合图1-图4与图5，光提取结构41中折射率不同的第一子提取结构411与第二子提取结构412的侧面分别设置为不同的倾斜角度，则可以分别实现对发光器件30发射出的大角度光的折射和反射，进而将大角度光转换为小角度光并出射，提高显示面板的出光亮度及分辨率。

具体地，距离发光器件30较近的第一子提取结构411相对于距离发光器件30较远的第二子提取结构412，第一子提取结构411接收发光器件30发射的大角度光L1相对于第二子提取结构412接收发光器件30发射的大角度光L2的角度更小一些，则第一子提取结构411的侧面相对于衬底基板01倾斜角度更小可以接收较多的相对角度较小的大角度光L1。并且第一子提取结构411的折射率较大，可以使得第一子提取结构411接收的相对角度较小的大角度光L1发生折射后转换为小角度光。

具体地，距离发光器件30较远的第二子提取结构412相对于距离发光器件30较近的第一子提取结构411，第二子提取结构412接收发光器件30发射的大角度光L2相对于第一子提取结构411接收发光器件30发射的大角度光L1的角度更大一些，则第二子提取结构412的侧面相对于衬底基板01倾斜角度更大可以接收较多的相对角度较大的大角度光L2。并且第二子提取结构412的折射率较大，可以使得第二子提取结构412接收的相对角度较大的大角度光L2发生反射后转换为小角度光。

此外，相对于衬底基板01倾斜角度更小的第一子提取结构411主要通过折射作用将大角度光L1转换为小角度光，则其折射率越大，将大角度光L1转换为小角度光的效果越明显；相对于衬底基板01倾斜角度更大的第二子提取结构412主要通过反射作用将大角度光L2转换为小角度光，则其折射率无需太大，即可以将大角度光L2转换为小角度光。

并且，若为了将大角度光转换为小角度光，将光提取结构设置为折射率一致且折射率为n1的结构，则光线会在折射率为n1的光提取结构与其出光面一侧的膜层界面处发生较大损耗。而本申请通过将远离出光面一侧设置为折射率较大的第一子提取结构411且靠近出光面一侧设置为折射率较小的第一子提取结构412很大的则折射率相对较小的第二子提取结构412，则光线在出射至显示面板出光面时，所经过的光提取结构41为折射率渐变过渡的光提取结构，降低界面损耗。

在本申请的一个实现方式中，60°≥α≥30°，优选地，α＝55°。

在本申请的一个实现方式中，90°≥α≥60°，优选地，α＝65°、75°、80°。

需要说明的是，如图1-图3所示，光提取结构41与对应的发光器件30对应设置，也就是，一个光提取结构41对应一个发光器件30设置。此外，虽然光提取结构41与发光器件30对应设置，但是光提取结构41中的第二子提取结构412可以为整面结构。因此，光提取结构41实际包括被外围结构42围绕的第一子提取结构411和第二提取结构412设置在外围结构42围绕区域内的部分。

在本申请的一个实施例中，当发光器件层03所包括的多个发光器件30中，部分发光器件03在衬底基板01的投影与光提取结构41在衬底基板01上的投影交叠，另一部分发光器件03在衬底基板01的投影与光提取结构41在衬底基板01上的投影未交叠时，也就是说，如图2所示，显示面板所包括的多个发光器件30中包括第一发光器件30a和第二发光器件30b，其中，第一发光器件30a在衬底基板01上的投影与光提取结构41交叠，第二发光器件30b在衬底基板01上的投影与光提取结构41无交叠。

其中，第一发光器件30a的数量大于第二发光器件30b的数量，也就是说，与光提取结构41有交叠的发光器件30的数量大于与光提取结构41无交叠的发光器件30的数量。通过设置较多的与光提取结构41对应的发光器件30可以增加显示面板的发光亮度，通过设置较少的与光提取结构41对应的发光器件30可以适当减弱显示面板的大视角色偏问题。

在本申请的一个实施例中，当发光器件层03所包括的多个发光器件30中，部分发光器件03在衬底基板01的投影与光提取结构41在衬底基板01上的投影交叠，另一部分发光器件03在衬底基板01的投影与光提取结构41在衬底基板01上的投影未交叠时，与光提取结构41在衬底基板01上的正投影存在交叠的多个发光器件03中，蓝色发光器件的数量多于绿色发光器件的数量，和/或蓝色发光器件的数量多于红色发光器件的数量。

由于蓝色发光器件的发光效率相对较低，通过将较多的蓝色发光器件的上方设置光提取结构41可以增加显示面板的发光亮度同时不会明显的加重大视角色偏问题。由于红色发光器件及绿色发光器件的发光效率相对较高，通过将较少的红色发光器件/绿色发光器件的上方设置光提取结构41，可以明显增加显示面板的发光亮度同时不会明显的加重大视角色偏问题。

一种实现方式为，与光提取结构41存在交叠的发光器件30中，蓝色发光器件的数量多于红色发光器件的数量，且多于绿色发光器件的数量。

一种实现方式为，与光提取结构41存在交叠的发光器件30中，蓝色发光器件的数量多于红色发光器件的数量，且等于绿色发光器件的数量。

一种实现方式为，与光提取结构41存在交叠的发光器件30中，蓝色发光器件的数量多于绿色发光器件的数量，且等于红色发光器件的数量。

在本申请的一个实施例中，外围结构42的折射率为第三折射率n3，其中，n1＞n2＞n3。也就是说，光提取层04中的外围结构42的折射率同时小于光提取结构41中的第一子提取结构411和第二子提取结构412的折射率。

则如图3所示，相对角度较小的大角度光L1先经过折射率较小的外围结构41再经过折射率较大的第一子提取结构411，当第一子提取结构411的折射率n1与外围结构41的折射率n3的差值越大，则其将大角度光转换为小角度光的效果越明显。其中，当第一子提取结构411的折射率n1与外围结构42的折射率n3的差值为0.3左右时，即可以达到最优的效果。

相对角度较大的大角度光L2先经过折射率较大的第二子提取结构412再经过折射率较小的外围结构42，当第二子提取结构412的折射率n2与外围结构42的折射率n3的差值大于等于0.15且小于等于0.2时，即可以达到最优的效果。

图6为本申请实施例提供的又一种显示面板的示意图。

在本申请的一个实施例中，如图1-图4所示，第一子提取结构411的第一侧面411a为平面结构，则第一侧面411a的切面实际与第一侧面411a位于同一平面，即第一侧面411a的切面与衬底基板01所在平面之间的夹角实际为第一侧面411a与所述衬底基板01所在平面之间的夹角；第二子提取结构412的第二侧面412a为平面结构，则第二侧面412a的切面实际与第二侧面412a位于同一平面，即第二侧面412a的切面与衬底基板01所在平面之间的夹角实际为第二侧面411a与衬底基板01所在平面之间的夹角。

在本申请的另一个实施例中，如图6所示，第一子提取结构411的第一侧面411a为向外围结构42一侧凸起的曲面结构，则可以保证第一侧面411a靠近发光器件30的附近的切面与衬底基板01所在平面之间的夹角较小，已接收相对角度较小的大角度光L1。第二子提取结构412的第二侧面412a为向光提取结构41一侧凸起的曲面结构，则可以保证第二侧面412a靠近发光器件30的附近的切面与衬底基板01所在平面之间的夹角较大，以能够截取更多的相对角度较大的大角度光L2。

图7为本申请实施例中发光器件与光提取结构的关系示意图，图8为图7所示关系示意图的投影图。

需要说明的是，请结合图3、图6与图7，发光器件03可以包括阳极31、发光材料层32及阴极33，发光材料层32位于阳极31与阴极33之间。其中，发光材料层32为发光器件03中实际发光的结构，且发光材料层32对应的阳极31与对应的阴极32的尺寸均大于发光材料层32的尺寸。因此，发光器件03的面积/尺寸实际可以理解为发光器件03中发光材料层32的面积/尺寸。以下，图7及图8中以发光材料层32的面积/尺寸代表发光器件03的面积/尺寸。

在本申请的一个实施例中，如图7及图8所示，第一子提取结构41靠近发光器件30的底边为第一底面411b，第二子提取结构42靠近发光器件30的底边为第二底面412b。

其中，发光器件30在衬底基板01上的投影面积大于对应的第一底面411b在衬底基板0130上的投影面积，且发光器件30在衬底基板01上的投影覆盖对应的第一底面411b在衬底基板01上的投影。发光器件30在衬底基板01上的投影面积小于对应的第二底面412b在衬底基板01上的投影面积，且第二底面412b在衬底基板01上的投影覆盖对应的发光器件30在衬底基板01上的投影。

由于外围结构42围绕光提取结构41，则相当于，第一子提取结构411周围的外围结构42的下端延伸至发光器件30的上方，第二子提取结构412周围的外围结构42的下端远离发光器件30。

图9为本申请实施例中光提取结构的边缘与发光器件的边缘之间距离对应的亮度变化效果。

其中，图9中的横坐标d为光提取结构的内边缘与发光器件边缘之间的距离，其中，横坐标为正值时代表第一子提取结构411/第二子提取结构412的底面的边缘与发光器件30相离且坐标值代表第一子提取结构411/第二子提取结构412的底面的边缘与发光器件30的边缘之间的最小距离；横坐标为负值时代表第一子提取结构411/第二子提取结构412的底面的边缘被发光器件30覆盖且坐标值代表第一子提取结构411/第二子提取结构412的底面的边缘与发光器件30的边缘之间的距离。

并且，图9中的虚线曲线代表第一子提取结构411对应的第一夹角α＝55°时的亮度变化率曲线，实线曲线代表第二子提取结构412对应的第二夹角β＝75°时的亮度变化率曲线。

由图9可以看出，当第一子提取结构411的底面的边缘与发光器件30之间的距离为负值时，发光器件30发射的光由显示面板出光面发射时的亮度变化率较小，也就是说，发光器件30在衬底基板01上的投影覆盖对应的第一底面411b在衬底基板01上的投影时，发光器件30对应的子像素发光亮度变化率也不大。采用该设计，在显示面板的实际制备过程中，因工艺误差导致发光器件30与第一子提取结构411的位置发生变化时，显示面板也不会存在明显的亮度不均的问题。

由图9可以看出，当第二子提取结构412的底面的边缘与发光器件30之间的距离为正值时，发光器件30发射的光由显示面板出光面发射时的亮度变化率较小，也就是说，第二底面412b在衬底基板01上的投影覆盖对应的发光器件30在衬底基板01上的投影时，发光器件30对应的子像素发光亮度变化率也不大。采用该设计，在显示面板的实际制备过程中，因工艺误差导致发光器件30与第二子提取结构412的位置发生变化时，显示面板也不会存在明显的亮度不均的问题。

进一步地，发光器件30在衬底基板01上的投影的边缘与对应的第一底面411b在衬底基板01上的投影的边缘之间的距离为第一距离d1，发光器件30在衬底基板01上的投影的边缘与对应的第二底面412b在衬底基板01上的投影的边缘之间的距离为第二距离d2；其中，1.2μm≥d1≥0.3μm，1μm≥d2≥0μm。

由图9可以看出，在R1区域内，第一子提取结构411的底面的边缘与发光器件30的边缘之间的距离变化对像素的亮度变化率影响最小。也就是，1.2μm≥d1≥0.3μm时，因工艺误差导致发光器件30与第二子提取结构412的位置发生变化时，发光器件30对应的子像素发光亮度变化率最小。

由图9可以看出，在R2区域内，第二子提取结构412的底面的边缘与发光器件30的边缘之间的距离变化对像素的亮度变化率影响最小。也就是，1μm≥d2≥0μm时，因工艺误差导致发光器件30与第二子提取结构412的位置发生变化时，发光器件30对应的子像素发光亮度变化率最小。

在本申请的一个实施例中，如图7所示，第一子提取结构411沿显示面板厚度方向Z的高度为第一高度H1，第二子提取结构412沿显示面板厚度方向Z的高度为第二高度H2，其中，H1＞H2。

发明人通过模拟发现，当第一子提取结构411的厚度(即第一高度H1)越厚时，其通过折射作用将大角度的光转换为小角度光的效果越明显，H1达到3μm后，其折射效果变缓。当第二子提取结构412的膜厚(即第二高度H2)在2μm～2.5μm时，其对大角度光的反射效果最优，膜厚继续增加时效果不会更优。

图10为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。

如图10所示，本申请实施例提供的显示装置包括如上述实施例提供的显示面板001。本申请实施例提供的显示装置可以为手机，此外，本申请实施例提供的显示装置也可以为电脑、电视等显示装置。

本申请实施例提供的显示装置中，光提取结构41中折射率不同的第一子提取结构411与第二子提取结构412的侧面分别设置为不同的倾斜角度，则可以分别实现对发光器件30发射出的大角度光的折射和反射，进而将大角度光转换为小角度光并出射，提高显示装置的出光亮度及分辨率。本申请通过将远离出光面一侧设置为折射率较大的第一子提取结构411且靠近出光面一侧设置为折射率较小的第一子提取结构412很大的则折射率相对较小的第二子提取结构412，则光线在出射至显示装置出光面时，所经过的光提取结构41为折射率渐变过渡的光提取结构，降低界面损耗。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底基板；

发光器件层，设置在所述衬底基板朝向所述显示面板出光面的一侧；所述发光器件层包括多个发光器件；

光提取层，设置在所述发光器件层朝向所述显示面板出光面的一侧；所述光提取层包括多个光提取结构及外围结构，所述外围结构围绕所述光提取结构；所述光提取结构包括第一子提取结构和第二子提取结构，且沿所述显示面板的厚度方向，所述第二子提取结构设置在所述第一子提取结构远离所述发光器件的一侧；

其中，所述多个发光器中，至少部分所述发光器件在所述衬底基板的投影与所述光提取结构在所述衬底基板上的投影交叠；

所述第一子提取结构的折射率为第一折射率n1，所述第二子提取结构的折射率为第二折射率n2，n1＞n2；

并且第一子提取结构的侧面为第一侧面，第二子提取结构的侧面为第二侧面；所述第一侧面的切面中，靠近所述发光器件的切面与所述衬底基板所在平面之间的夹角为第一夹角α；所述第二侧面的切面中，靠近所述第一子提取结构的切面与所述衬底基板所在平面之间的夹角为第二夹角β，α＜β。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述外围结构的折射率为第三折射率n3，其中，n1＞n2＞n3。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子提取结构靠近所述发光器件的底边为第一底面，所述第二子提取结构靠近所述发光器件的底边为第二底面；

所述发光器件在所述衬底基板上的投影面积大于对应的所述第一底面在所述衬底基板上的投影面积，且所述发光器件在所述衬底基板上的投影覆盖对应的所述第一底面在所述衬底基板上的投影；

所述发光器件在所述衬底基板上的投影面积小于对应的所述第二底面在所述衬底基板上的投影面积，且所述第二底面在所述衬底基板上的投影覆盖对应的所述发光器件在所述衬底基板上的投影。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件在所述衬底基板上的投影的边缘与对应的所述第一底面在所述衬底基板上的投影的边缘之间的距离为第一距离d1；所述发光器件在所述衬底基板上的投影的边缘与对应的所述第二底面在所述衬底基板上的投影的边缘之间的距离为第二距离d2；

其中，1.2μm≥d1≥0.3μm，1μm≥d2≥0μm。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子提取结构沿所述显示面板厚度方向的高度为第一高度H1，所述第二子提取结构沿所述显示面板厚度方向的高度为第二高度H2，其中，H1＞H2。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一侧面为平面结构，且所述第二侧面为平面结构。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一侧面为向所述外围结构一侧凸起的曲面结构，且所述第二侧面为向所述光提取结构一侧凸起的曲面结构。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多个发光器件中包括第一发光器件和第二发光器件，其中，所述第一发光器件在所述衬底基板上的投影与所述光提取结构交叠，所述第二发光器件在所述衬底基板上的投影与所述光提取结构无交叠；

其中，所述第一发光器件的数量多于所述第二发光器件的数量。

9.根据权利要求1所述的显示面板，与所述光提取结构在所述衬底基板上的正投影存在交叠的多个所述发光器件中，蓝色发光器件的数量多于绿色发光器件的数量，和/或蓝色发光器件的数量多于红色发光器件的数量。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的显示面板。

Images